JPS59190854A - 流体ジエツトを利用したイオン投射記録装置 - Google Patents
流体ジエツトを利用したイオン投射記録装置Info
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- JPS59190854A JPS59190854A JP59056427A JP5642784A JPS59190854A JP S59190854 A JPS59190854 A JP S59190854A JP 59056427 A JP59056427 A JP 59056427A JP 5642784 A JP5642784 A JP 5642784A JP S59190854 A JPS59190854 A JP S59190854A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/22—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
- G03G15/32—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head
- G03G15/321—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head by charge transfer onto the recording material in accordance with the image
- G03G15/323—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head by charge transfer onto the recording material in accordance with the image by modulating charged particles through holes or a slit
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/385—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective supply of electric current or selective application of magnetism to a printing or impression-transfer material
- B41J2/41—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective supply of electric current or selective application of magnetism to a printing or impression-transfer material for electrostatic printing
- B41J2/415—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective supply of electric current or selective application of magnetism to a printing or impression-transfer material for electrostatic printing by passing charged particles through a hole or a slit
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- Ink Jet (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、流体ジェットイオン印刷器における、平形ま
たはほぼ平形の諸電極から成る、製造が容易で製造費が
低廉な変調電極アレイを使用したイオン投射記録装置に
関する。イオンは装置内を、イオン発生部から、移送流
体が内部を通るとき層流をなすような寸法に作られた屈
曲通路内のイオン変調部へと、運動せしめられる。
たはほぼ平形の諸電極から成る、製造が容易で製造費が
低廉な変調電極アレイを使用したイオン投射記録装置に
関する。イオンは装置内を、イオン発生部から、移送流
体が内部を通るとき層流をなすような寸法に作られた屈
曲通路内のイオン変調部へと、運動せしめられる。
背景技術
本特許出願と同一の瞼受入に譲渡された２つの同時係属
出願には、異なった形式の流体ジェットを利用したイオ
ン投射印刷器か開示されている。
出願には、異なった形式の流体ジェットを利用したイオ
ン投射印刷器か開示されている。
Ｒｏｂｅｒｔ Ｗ、 （）ｕｎｄｌａｃｈおよびＲｉｃ
ｈａｒｄ Ｌ、 Ｂｅｒｇｅｎによって１９８２年７月
６日に出願された［Ｆｌｕｉｄ Ｊｅｔ Ａｓ５ｉｓｔ
ｅｄ Ｉｏｎ ＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎＰｒｉｎｔｉｎｇ
Ｊと題する米国特許出願第３９５，１７０号には、直
流空気破壊形イオン発生器が開示されている。Ｎ１ｃｈ
ｏｌａｓ Ｋｅｉｔｈ ５ｈｅｒｉｄｏｎによって１９
８６年２月２８日にＵｎｉｔｅｄ ５ｔａｔｅｓ Ｐａ
ｔｅｎｔａｎｄ Ｔｒａｄｅｍａｒｋ ０ｆｆｉｃｅ
に送付された［ＦｌｕｉｄＪｅｔ Ａｓ５ｉｓｔｅｄ
Ｉｏｎ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｒｉｎｔ
ｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ Ｊと題する整理番号箱Ｄ／
８２２３８号には、ＲＦ空気破壊形のイオン発生器が開
示されている。
ｈａｒｄ Ｌ、 Ｂｅｒｇｅｎによって１９８２年７月
６日に出願された［Ｆｌｕｉｄ Ｊｅｔ Ａｓ５ｉｓｔ
ｅｄ Ｉｏｎ ＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎＰｒｉｎｔｉｎｇ
Ｊと題する米国特許出願第３９５，１７０号には、直
流空気破壊形イオン発生器が開示されている。Ｎ１ｃｈ
ｏｌａｓ Ｋｅｉｔｈ ５ｈｅｒｉｄｏｎによって１９
８６年２月２８日にＵｎｉｔｅｄ ５ｔａｔｅｓ Ｐａ
ｔｅｎｔａｎｄ Ｔｒａｄｅｍａｒｋ ０ｆｆｉｃｅ
に送付された［ＦｌｕｉｄＪｅｔ Ａｓ５ｉｓｔｅｄ
Ｉｏｎ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｐｒｉｎｔ
ｉｎｇＡｐｐａｒａｔｕｓ Ｊと題する整理番号箱Ｄ／
８２２３８号には、ＲＦ空気破壊形のイオン発生器が開
示されている。
それぞれの同時係属出願には、独特の、流体ジェットを
利用した高解像度のイオン投射印刷器が開示されている
。イオンはそれぞれの装置の長さに沿って一様に発生せ
しめられ、内部に変調電極アレイが配置された出口通路
を通って高速で運動する移送流体によって運ばれる。変
調電極に加わる低電圧バイアスを選択的に制御すること
によって、印刷目的のために十分な電流密度を有する細
いイオン「ビーム」を、選択的に電荷受容面上に到達せ
しめることができる。変調電極は、絶縁支持構造の尖縁
上に形成される。従って、変調回路を備えた導電電極要
素には鋭い９００の屈曲が存在する。９０°の屈曲の周
辺に極めて狭い導電線を付着させる写真製造工程は極め
て困難であり、出力解像度が増大するのに伴ってますま
す複雑化する。
利用した高解像度のイオン投射印刷器が開示されている
。イオンはそれぞれの装置の長さに沿って一様に発生せ
しめられ、内部に変調電極アレイが配置された出口通路
を通って高速で運動する移送流体によって運ばれる。変
調電極に加わる低電圧バイアスを選択的に制御すること
によって、印刷目的のために十分な電流密度を有する細
いイオン「ビーム」を、選択的に電荷受容面上に到達せ
しめることができる。変調電極は、絶縁支持構造の尖縁
上に形成される。従って、変調回路を備えた導電電極要
素には鋭い９００の屈曲が存在する。９０°の屈曲の周
辺に極めて狭い導電線を付着させる写真製造工程は極め
て困難であり、出力解像度が増大するのに伴ってますま
す複雑化する。
例えば、１５７．５線／Ｃｍ（４００線／インチ）の場
合には、変調電極の幅は約０．０２５４ Ｍ （約１ミ
ル）になる。特徴的な寸法がこのように小さいために、
上述の鋭いかどの周辺において破損が起こりやすく、そ
のために印刷出力に不連続性を生じたり、あるいは多く
の経費と時間とを要する修理が必要になったりする。
合には、変調電極の幅は約０．０２５４ Ｍ （約１ミ
ル）になる。特徴的な寸法がこのように小さいために、
上述の鋭いかどの周辺において破損が起こりやすく、そ
のために印刷出力に不連続性を生じたり、あるいは多く
の経費と時間とを要する修理が必要になったりする。
発明の要約
本発明は、簡単な構造で経済的に製造でき、かつ信頼性
の高い、流体ジェット利用形イオン投射印刷器の改良さ
れた変調アレイを使用した記録装置の提供を目的とする
。
の高い、流体ジェット利用形イオン投射印刷器の改良さ
れた変調アレイを使用した記録装置の提供を目的とする
。
本発明はさらに、鋭い角の上に導電電極を配置する必要
のない、絶縁性支持面上の変調電極アレイおよびそれに
関連する相互接続および／または制御回路を提供するこ
とを目的とする。
のない、絶縁性支持面上の変調電極アレイおよびそれに
関連する相互接続および／または制御回路を提供するこ
とを目的とする。
本発明のもう１つの目的は、イオン出力電流を実質的に
減少させることのない、改良された変調構造を利用する
ことである。
減少させることのない、改良された変調構造を利用する
ことである。
本発明は、１形式においては、イオン発生部およびイオ
ン変調部を内部に有するハウジングをもった、流体ジェ
ット利用形イオン投射印刷器を構成することによって実
施される。空気などのイオン化可能な移送流体源がその
ハウジングに連結されて、流体をイオン発生部を経て送
るようになっている。ハウジングは、イオン発生部とイ
オン変調部との間に狭い屈曲通路を有し、この通路は平
形基板上に配置された変調電極アレイの付近へ移送流体
およびこれに同伴されたイオンを送る。これらの電極は
、基板面内において延長する第１部分と、基板面から４
５°より小な角で離れる第２部分とを有する。通路の幅
は層流を生じるように選択されているので、移送流体が
屈曲径路に沿って進む時イオンが通路壁へ失われること
はない。
ン変調部を内部に有するハウジングをもった、流体ジェ
ット利用形イオン投射印刷器を構成することによって実
施される。空気などのイオン化可能な移送流体源がその
ハウジングに連結されて、流体をイオン発生部を経て送
るようになっている。ハウジングは、イオン発生部とイ
オン変調部との間に狭い屈曲通路を有し、この通路は平
形基板上に配置された変調電極アレイの付近へ移送流体
およびこれに同伴されたイオンを送る。これらの電極は
、基板面内において延長する第１部分と、基板面から４
５°より小な角で離れる第２部分とを有する。通路の幅
は層流を生じるように選択されているので、移送流体が
屈曲径路に沿って進む時イオンが通路壁へ失われること
はない。
実施例
本発明の他の鎖目的および諸利点は、添付図面を参照し
つつ行なわれる以下の説明において明らかにされる。
つつ行なわれる以下の説明において明らかにされる。
第１図には、譲受人を同じくする同時係属の米国特許出
願第３９５．１７０号に開示された流体ジェットイオン
印刷器のハウジング１０が示されている。ハウジング１
０内には、導電性円筒室１２と、この室内に実質的に同
軸的に張り渡されたコロナワイヤ１４と、ワイヤ１４に
印加される直流数千ボルト程度の高電位源１６と、室１
２に接続された接地などの基準電位源１８と、を含むイ
オン発生部が存在する。軸方向に延長する入口通路２０
は、管２２によって概略的に示されている適当な源から
の、加圧された移送流体（好ましくは空気）を室１２内
へ供給する。軸方向に延長する出口通路２４は、コロナ
室１２からの移送流体を、イオン変調部を経て直線径路
に沿ってハウジング１０外へ導く１．移送流体が室１２
を出て出口通路に入る時には、移送流体は多数のイオン
を同伴し、それらをイオン変調部を通って直線運動させ
る。
願第３９５．１７０号に開示された流体ジェットイオン
印刷器のハウジング１０が示されている。ハウジング１
０内には、導電性円筒室１２と、この室内に実質的に同
軸的に張り渡されたコロナワイヤ１４と、ワイヤ１４に
印加される直流数千ボルト程度の高電位源１６と、室１
２に接続された接地などの基準電位源１８と、を含むイ
オン発生部が存在する。軸方向に延長する入口通路２０
は、管２２によって概略的に示されている適当な源から
の、加圧された移送流体（好ましくは空気）を室１２内
へ供給する。軸方向に延長する出口通路２４は、コロナ
室１２からの移送流体を、イオン変調部を経て直線径路
に沿ってハウジング１０外へ導く１．移送流体が室１２
を出て出口通路に入る時には、移送流体は多数のイオン
を同伴し、それらをイオン変調部を通って直線運動させ
る。
出口通路２４から出たイオンは、コロナ電位源１６と逆
符号の直流数千ボルト程度の高電位源２８に接続された
、加速裏当電極２６の影響下に入る。電荷リセプタ３０
は、裏当電極２６上を移動し、その表面上にイオンを収
集する。
符号の直流数千ボルト程度の高電位源２８に接続された
、加速裏当電極２６の影響下に入る。電荷リセプタ３０
は、裏当電極２６上を移動し、その表面上にイオンを収
集する。
第２図には、譲受人を同じくする同時係属米国特許出願
関連の整理番号筒Ｄ／８２２６８号に開示されている流
体ジェットイオン印刷器が示されている。この印刷器は
、内部を直線径路に沿って完全に通過する通路３４をも
ったハウジング３２を備えている。管３６によって概略
的に示されている加圧移送流体源は、この通路を通る空
気ジェットを供給する。通路３４に隣接して、その上流
領域にはイオン発生部があり、そこでは、ＲＦ高電圧源
４０に接続された埋設ＲＦ電極３８と、適当な直流基準
電位源４４に接続された露出電界電極４２との間に発生
する、一連のＲＦアーク放電により、＋および−の両符
号のイオンが発生せしめられる。通路３４に隣接して、
その下流領域にあるイオン変調部は、ハウジング３２か
らのイオン「ビーム」の流出量を制御する。
関連の整理番号筒Ｄ／８２２６８号に開示されている流
体ジェットイオン印刷器が示されている。この印刷器は
、内部を直線径路に沿って完全に通過する通路３４をも
ったハウジング３２を備えている。管３６によって概略
的に示されている加圧移送流体源は、この通路を通る空
気ジェットを供給する。通路３４に隣接して、その上流
領域にはイオン発生部があり、そこでは、ＲＦ高電圧源
４０に接続された埋設ＲＦ電極３８と、適当な直流基準
電位源４４に接続された露出電界電極４２との間に発生
する、一連のＲＦアーク放電により、＋および−の両符
号のイオンが発生せしめられる。通路３４に隣接して、
その下流領域にあるイオン変調部は、ハウジング３２か
らのイオン「ビーム」の流出量を制御する。
ハウジング３２を完全に通過して出てきたイオンは、直
流数千ボルトの程度の高電位源４８に接続された加速裏
当電極４６の影響下に入るが、高電位源４８は、＋また
は一イオンのいずれの付着が所望されるかによって、い
ずれの極性にもなりうる。電荷リセプタ５０は、裏当電
極４６上を移動して選択されたイオンを表面上に収集す
る。
流数千ボルトの程度の高電位源４８に接続された加速裏
当電極４６の影響下に入るが、高電位源４８は、＋また
は一イオンのいずれの付着が所望されるかによって、い
ずれの極性にもなりうる。電荷リセプタ５０は、裏当電
極４６上を移動して選択されたイオンを表面上に収集す
る。
第１図および第２図のいずれにおいても、変調構造５２
は、イオン同伴移送流体がそれぞれのハウジング１０．
３２を出る時に通過する、それぞれの通路２４．３４の
一方の側に隣接する下流領域のイオン変調部に配置され
ている。第１図の保護絶縁層５３は、変調構造５２の導
電要素と、導電性ハウジング１ｏとの間に配置されてい
る。同様にして、第２図の誘電体層５３ａは、変調構造
５２と誘電体ハウジング３２との間に配置されている。
は、イオン同伴移送流体がそれぞれのハウジング１０．
３２を出る時に通過する、それぞれの通路２４．３４の
一方の側に隣接する下流領域のイオン変調部に配置され
ている。第１図の保護絶縁層５３は、変調構造５２の導
電要素と、導電性ハウジング１ｏとの間に配置されてい
る。同様にして、第２図の誘電体層５３ａは、変調構造
５２と誘電体ハウジング３２との間に配置されている。
それぞれの通路の反対側に隣接して、接地などの基準電
位源５６に接続された導電性基準電極５４が存在する。
位源５６に接続された導電性基準電極５４が存在する。
第６図に明瞭に示されているように、変調構造５２は、
例えばフェノール性プリント回路（ｐｃ ）ボー１’５
８などの絶縁性支持面を有し、その上に変調電極６ｏの
アレイが担持され、これらの電極はそれぞれ適当な電気
接続トレース６２により、スイッチ６４を経て、直流５
ないし１５ポルト程度の低電圧電位源６６に接続されて
いる。
例えばフェノール性プリント回路（ｐｃ ）ボー１’５
８などの絶縁性支持面を有し、その上に変調電極６ｏの
アレイが担持され、これらの電極はそれぞれ適当な電気
接続トレース６２により、スイッチ６４を経て、直流５
ないし１５ポルト程度の低電圧電位源６６に接続されて
いる。
変調電極は、９０００角に沿って屈曲している。
この鋭い角に沿って電極６ｏを形成する写真製造工程は
困難であり、特徴的寸法が小さくなると変調電極の解像
度の増大が要求されるが、それに伴って、その工程はま
すます複雑になる。ＰＣボードの鋭い９０００角を丸め
、ホトレジストな浸漬被覆し、高度にコリメートされた
光源を使用する、などの技術によれば、２゜５１ｆｆｉ
（１インチ）につき２００電極を有する変調電極アレイ
を写真製造することができる。しかし、これらの技術は
困難で時間がかかり、余分な製造段階と特殊な材料とを
要するために、経費が増大する。解像度を２．５４ｃｆ
ｎ（１インチ）あたり４００線に「上げる」ことは極め
て困難である。
困難であり、特徴的寸法が小さくなると変調電極の解像
度の増大が要求されるが、それに伴って、その工程はま
すます複雑になる。ＰＣボードの鋭い９０００角を丸め
、ホトレジストな浸漬被覆し、高度にコリメートされた
光源を使用する、などの技術によれば、２゜５１ｆｆｉ
（１インチ）につき２００電極を有する変調電極アレイ
を写真製造することができる。しかし、これらの技術は
困難で時間がかかり、余分な製造段階と特殊な材料とを
要するために、経費が増大する。解像度を２．５４ｃｆ
ｎ（１インチ）あたり４００線に「上げる」ことは極め
て困難である。
第４図ないし第９図には、本発明の改良されたイオン変
調電極構造の２つの形式が示されている。
調電極構造の２つの形式が示されている。
以下の説明は、主として変調構造に関するものである。
装置のイオン発生部に関する参照は、必要に応じて、第
１図および第２図の参照番号を用いて行なわれる。
１図および第２図の参照番号を用いて行なわれる。
急に方向が変わる屈曲通路においては、空気によって移
送されるイオンが屈曲場所の導電壁面に衝突して中和さ
れるように思われるが、もしハウジングの設計パラメー
タ、移送流体の種類、および流体速度が、層流を維持す
るように選択されていれば、そのようなことは起こらな
い。従って、もし流体流が常に層流であるならば、イオ
ン同伴流体の移送通路は直線径路をなす必要はない。乱
流は損失が大きいので避けなければならない。層流にお
いては、イオンが空間電荷効果により壁に向かって徐々
に移動する（第４図および第７図の単極性実施例）以外
は、イオンは通路の導電部への実質的な損失なしに、屈
曲した、または曲りくねった径路内を、移送流体と共に
通過して行く。
送されるイオンが屈曲場所の導電壁面に衝突して中和さ
れるように思われるが、もしハウジングの設計パラメー
タ、移送流体の種類、および流体速度が、層流を維持す
るように選択されていれば、そのようなことは起こらな
い。従って、もし流体流が常に層流であるならば、イオ
ン同伴流体の移送通路は直線径路をなす必要はない。乱
流は損失が大きいので避けなければならない。層流にお
いては、イオンが空間電荷効果により壁に向かって徐々
に移動する（第４図および第７図の単極性実施例）以外
は、イオンは通路の導電部への実質的な損失なしに、屈
曲した、または曲りくねった径路内を、移送流体と共に
通過して行く。
イオンの壁への損失率は、層流が維持される限り、単に
通路の長さに比例して、径路の形状にはよらないことが
期待される。
通路の長さに比例して、径路の形状にはよらないことが
期待される。
流体流を屈曲させればイオン変調電極をまっすぐにする
ことができ、それによってそれらの製造が容易になり、
また極めて高密度のアレイによる解像度が実質的に改善
される。第６図に示されている新しいイオン変調電極構
造６８を組込んだ第４図および第５図の実施例には、平
形絶縁性基板７０が含まれており、その面上には適当な
相互接続トレース７２およびわずかだけ、すなわち約３
０ｏだけ屈曲された変調電極７４が担持されてい１す る。従って、ハウジング７８（第４図）内の通路γ６、
およびハウジング８２（第５図）内の通路８０は、それ
ぞれイオン変調部に入る前に約６０゜の角だけ急に屈曲
することになる。通路を屈曲させるためには、それぞれ
のハウジングを改変して変調電極と反対側の通路壁を後
方へ曲げなくてはならない。これは簡単な作業であって
、標準的な機械加工技術により容易に行なうことができ
る。
ことができ、それによってそれらの製造が容易になり、
また極めて高密度のアレイによる解像度が実質的に改善
される。第６図に示されている新しいイオン変調電極構
造６８を組込んだ第４図および第５図の実施例には、平
形絶縁性基板７０が含まれており、その面上には適当な
相互接続トレース７２およびわずかだけ、すなわち約３
０ｏだけ屈曲された変調電極７４が担持されてい１す る。従って、ハウジング７８（第４図）内の通路γ６、
およびハウジング８２（第５図）内の通路８０は、それ
ぞれイオン変調部に入る前に約６０゜の角だけ急に屈曲
することになる。通路を屈曲させるためには、それぞれ
のハウジングを改変して変調電極と反対側の通路壁を後
方へ曲げなくてはならない。これは簡単な作業であって
、標準的な機械加工技術により容易に行なうことができ
る。
移送流体は、この場合電荷リセゾタ上へ斜めな角度で衝
突することに注意すべきである。このことは、電荷サセ
プタ３０．５０上へのイオンの付着に関しては何ら問題
にならない。そのわけは、イオンが通路７６．８０内の
変調電極７４の影響下から脱出して、加速裏当電極２６
．４６の強電界の影響下に入ると直ちに、それらのイオ
ンは移送流昇へ引出され、電荷リセゾタに向かって垂直
方向に引付ゆられるからである。
突することに注意すべきである。このことは、電荷サセ
プタ３０．５０上へのイオンの付着に関しては何ら問題
にならない。そのわけは、イオンが通路７６．８０内の
変調電極７４の影響下から脱出して、加速裏当電極２６
．４６の強電界の影響下に入ると直ちに、それらのイオ
ンは移送流昇へ引出され、電荷リセゾタに向かって垂直
方向に引付ゆられるからである。
６０°の角度だけ屈曲して延長する変調電極を有するＰ
Ｃボードは、全く通常の写真平板技術を用いて製造され
うろことがわかっている。例えば、２ ホトレジストは、平表面および屈曲したかどの双方に同
一の作業によってスピン被覆または浸漬被覆することが
できる。同様にして、乾燥ホトレジストも双方の表面上
に単一工程によって成層しうる。次に、変調電極アレイ
およびトレース回路の部分を含む平面状マスクを通し、
コリメートされた光源を用いてホトレジストを露光させ
ると、屈曲表面上においても著しい解像度の低下は起こ
らない。電極アレイパターンは、一様に滑らかに研摩し
た表面上に配置することが重要である。この目的のため
には、エポキシ繊維ガラスＰＣボード基板は適さないこ
とがわかっている。そのわけは、６０°の屈曲をもった
表面を研摩するとき、繊維ガラスで補強された区域にく
ぼみを生じるからである。目的に適合する１材料として
は、ＷｉｌｓｏｎＡｒｔ Ｃｏｍｐａｎｙ製のドアパネ
ル用積層材料かある。
Ｃボードは、全く通常の写真平板技術を用いて製造され
うろことがわかっている。例えば、２ ホトレジストは、平表面および屈曲したかどの双方に同
一の作業によってスピン被覆または浸漬被覆することが
できる。同様にして、乾燥ホトレジストも双方の表面上
に単一工程によって成層しうる。次に、変調電極アレイ
およびトレース回路の部分を含む平面状マスクを通し、
コリメートされた光源を用いてホトレジストを露光させ
ると、屈曲表面上においても著しい解像度の低下は起こ
らない。電極アレイパターンは、一様に滑らかに研摩し
た表面上に配置することが重要である。この目的のため
には、エポキシ繊維ガラスＰＣボード基板は適さないこ
とがわかっている。そのわけは、６０°の屈曲をもった
表面を研摩するとき、繊維ガラスで補強された区域にく
ぼみを生じるからである。目的に適合する１材料として
は、ＷｉｌｓｏｎＡｒｔ Ｃｏｍｐａｎｙ製のドアパネ
ル用積層材料かある。
これは、フェノール処理されたクラフト紙の多重層上に
、０．５トンを超える圧力と、約１４９℃（約６００°
Ｆ）の温度とにおいて圧着せしめられたメラミン含浸紙
から成る。
、０．５トンを超える圧力と、約１４９℃（約６００°
Ｆ）の温度とにおいて圧着せしめられたメラミン含浸紙
から成る。
イオン変調構造の製造工程は次の諸段階を含む。
まず、ＰＣｅ−ド基板上に必要な角度が研摩される。次
に、薄い銅層が平らな表面とかどのある表面とに同時に
めっきされる。次に、銅の上にホトレジストを被覆し、
これを適当なマスクを通して適当な光源によって露光し
た後現像し、最後にエツチングして基板上に銅の所望パ
ターンを残す。
に、薄い銅層が平らな表面とかどのある表面とに同時に
めっきされる。次に、銅の上にホトレジストを被覆し、
これを適当なマスクを通して適当な光源によって露光し
た後現像し、最後にエツチングして基板上に銅の所望パ
ターンを残す。
電極アレイ構造の屈曲角は、おそらくは３０°が、標準
的技術による製造が容易であって、かつ２．５４Ｃｍ（
１インチ）あたり約４００電極に達するような高密度ア
レイを形成しうるための実際上の最大角であるが、４５
°という大きい角も使用しうるちのと考えられる。第７
図、第８図、および第９図に示されている変調電極アレ
イ構造８４は、最も簡単な形式のものである。電極８６
はＰＣボード８８の平表面上に相互接続トレース９０と
ともに製造され、屈曲の必要は全くない。もちろん、こ
の構成に対しては、最も簡単で、最も直裁的な工程を用
いることができる。それはさらに、標準的なｐｃボード
基板を用いることができ、また銅層があらかじめ被覆さ
れた基板を購入して使用することかできるという利点を
も有する。電極アレイおよび相互接続トレースを形成す
るために必要な残余の工程段階は上述のものと同様であ
る。
的技術による製造が容易であって、かつ２．５４Ｃｍ（
１インチ）あたり約４００電極に達するような高密度ア
レイを形成しうるための実際上の最大角であるが、４５
°という大きい角も使用しうるちのと考えられる。第７
図、第８図、および第９図に示されている変調電極アレ
イ構造８４は、最も簡単な形式のものである。電極８６
はＰＣボード８８の平表面上に相互接続トレース９０と
ともに製造され、屈曲の必要は全くない。もちろん、こ
の構成に対しては、最も簡単で、最も直裁的な工程を用
いることができる。それはさらに、標準的なｐｃボード
基板を用いることができ、また銅層があらかじめ被覆さ
れた基板を購入して使用することかできるという利点を
も有する。電極アレイおよび相互接続トレースを形成す
るために必要な残余の工程段階は上述のものと同様であ
る。
平形変調電極構造８４を用いる場合、ハウジング９４（
第７図）内の通路９２およびハウジング９８（第８図）
内の通路９６の屈曲は極めて急激になる。それにも拘ら
ず、移送流体の層流が維持される限り、イオン出カ′６
流の損失は極めて小さい。
第７図）内の通路９２およびハウジング９８（第８図）
内の通路９６の屈曲は極めて急激になる。それにも拘ら
ず、移送流体の層流が維持される限り、イオン出カ′６
流の損失は極めて小さい。
一般に、簡単な狭いスリットまたは通路を通って流れる
空気流は、レイノルズ数が約２３００になると層流から
乱流へ移行する。第１０図には、レイノルズ数と空気速
度（ＣｌＬ／９ｅｃ）とに対して相異なる通路幅の曲線
が示されている。関心がもたれる空気速度が１Ｘ １Ｑ
’ ｃｎｒ ／戟（音速の約１／３）伺近である場合に
は、その速度において層流領域にあるための可能な最大
通路幅は約０．２７９または０．３０５跋（約１１また
ば１２ミル）であることがわかる。この空気速度におい
てもつと大きい５ 幅の通路を用いれば乱流を生じ、イオンが繰返し通路壁
に接触して中和されるのに伴って出力電流の実質的損失
を生じる。通路幅が犬きくなると、狭い通路の場合と同
じ速度で空気を通すためのポンプ動作に多くの電力を要
するという、もう１つの欠点を生じることも明らかであ
る。解像度と電力消費との要求の観点から最適なものと
しては、約０．０７６２ないし０．１２７ｍ（約６ない
し５ミル）の幅の通路が所望される。関心がもたれる空
気速度におい、ては、その大きさの通路幅の場合、層流
状態が維持される。
空気流は、レイノルズ数が約２３００になると層流から
乱流へ移行する。第１０図には、レイノルズ数と空気速
度（ＣｌＬ／９ｅｃ）とに対して相異なる通路幅の曲線
が示されている。関心がもたれる空気速度が１Ｘ １Ｑ
’ ｃｎｒ ／戟（音速の約１／３）伺近である場合に
は、その速度において層流領域にあるための可能な最大
通路幅は約０．２７９または０．３０５跋（約１１また
ば１２ミル）であることがわかる。この空気速度におい
てもつと大きい５ 幅の通路を用いれば乱流を生じ、イオンが繰返し通路壁
に接触して中和されるのに伴って出力電流の実質的損失
を生じる。通路幅が犬きくなると、狭い通路の場合と同
じ速度で空気を通すためのポンプ動作に多くの電力を要
するという、もう１つの欠点を生じることも明らかであ
る。解像度と電力消費との要求の観点から最適なものと
しては、約０．０７６２ないし０．１２７ｍ（約６ない
し５ミル）の幅の通路が所望される。関心がもたれる空
気速度におい、ては、その大きさの通路幅の場合、層流
状態が維持される。
屈曲通路を用いた実施例から得られる電流出力を、まっ
すぐな通路を用いた実施例から得られる電流出力と比較
すると、製造が圧倒的に簡単であることに対する代価が
極めてわずかであることがわかった。試験される装置の
通路出口から約１．５９１１１（約１ ／ １６インチ
）の距離に置かれた導電板を有する電位計を用いてイオ
ン出力電流が測定された。導電板は直流６００ポルトの
負電位に保持され、収集された電流出力はＫｅｉｔｈｌ
、ｙ６ ＃４８０形ピコアンメータによって測定された。
すぐな通路を用いた実施例から得られる電流出力と比較
すると、製造が圧倒的に簡単であることに対する代価が
極めてわずかであることがわかった。試験される装置の
通路出口から約１．５９１１１（約１ ／ １６インチ
）の距離に置かれた導電板を有する電位計を用いてイオ
ン出力電流が測定された。導電板は直流６００ポルトの
負電位に保持され、収集された電流出力はＫｅｉｔｈｌ
、ｙ６ ＃４８０形ピコアンメータによって測定された。
約８００の空気通路の屈曲をもったヘッド設計（第７図
）の場合、第１図のまっすぐな空気通路の場合より約り
０％少ない出方電流が測定されたが、空気通路の屈曲が
約６００の設計（第４図）の場合の出力電流損失は１０
％よりやや少なかった。
）の場合、第１図のまっすぐな空気通路の場合より約り
０％少ない出方電流が測定されたが、空気通路の屈曲が
約６００の設計（第４図）の場合の出力電流損失は１０
％よりやや少なかった。
本発明に従って構成される、空気流を利用したイオン投
射装置は、実質的に簡単かつ経済的に製造される上、満
足すべき動作特性を有する。以上の説明は、実施例に関
してのみ行なわれたものであり、特許請求の範囲に記載
された本発明の精神および範囲から逸脱することなく、
構成の詳細および諸部品の組合せおよび配置には、さま
ざまな改変を施すことができる。
射装置は、実質的に簡単かつ経済的に製造される上、満
足すべき動作特性を有する。以上の説明は、実施例に関
してのみ行なわれたものであり、特許請求の範囲に記載
された本発明の精神および範囲から逸脱することなく、
構成の詳細および諸部品の組合せおよび配置には、さま
ざまな改変を施すことができる。
第１図は、従来の流体ジェットイオン印刷器の１形式を
示す部分断面正面図、第２図は、従来の流体ジェットイ
オン印刷器のもう１つの形式を示す部分断面正面図、第
６図は、第１図および第２図の装置に組込まれている従
来の変調構造を示す斜視図、第４図は、第１図の形式の
イオン投射印刷装置に組込まれた、僅かに非平形の変調
構造および屈曲形移送流体通路を示す、部分断面正面図
、第５図は、第２図の形式のイオン投射印刷装置に組込
−まれた、わずかに非平形の変調構造および屈曲形移送
流体通路を示す、部分断面正面図、第６図は、第４図お
よび第５図の装置に組込まれたわずかに屈曲した変調構
造を示す斜視図、第７図は、第１図の形式のイオン投射
印刷装置に組込まれた平形変調構造および屈曲形移送流
体通路を示す部分断面正面図、第８図は、第２図の形式
のイオン投射印刷装置に組込まれた平形変調構造および
屈曲形移送流体通路を示す部分１析而正面図、第９図は
、第７図および第８図の装置に組込まれた平形変調構造
の斜視図、および第１０図は、層流を生じるための諸パ
ラメータの相互関係を示すグラフである。 ２２．３６・・・移送流体源、３０．５０・・・電荷リ
セゾタ、７０・・・平形絶縁性基板、７４・・・変調電
極、７６．８０・・・通路、７８・・・ハウジング。 ロレＺ パ ２θ 〃 ７ 〒 〃 〃 □ ・ 〃
示す部分断面正面図、第２図は、従来の流体ジェットイ
オン印刷器のもう１つの形式を示す部分断面正面図、第
６図は、第１図および第２図の装置に組込まれている従
来の変調構造を示す斜視図、第４図は、第１図の形式の
イオン投射印刷装置に組込まれた、僅かに非平形の変調
構造および屈曲形移送流体通路を示す、部分断面正面図
、第５図は、第２図の形式のイオン投射印刷装置に組込
−まれた、わずかに非平形の変調構造および屈曲形移送
流体通路を示す、部分断面正面図、第６図は、第４図お
よび第５図の装置に組込まれたわずかに屈曲した変調構
造を示す斜視図、第７図は、第１図の形式のイオン投射
印刷装置に組込まれた平形変調構造および屈曲形移送流
体通路を示す部分断面正面図、第８図は、第２図の形式
のイオン投射印刷装置に組込まれた平形変調構造および
屈曲形移送流体通路を示す部分１析而正面図、第９図は
、第７図および第８図の装置に組込まれた平形変調構造
の斜視図、および第１０図は、層流を生じるための諸パ
ラメータの相互関係を示すグラフである。 ２２．３６・・・移送流体源、３０．５０・・・電荷リ
セゾタ、７０・・・平形絶縁性基板、７４・・・変調電
極、７６．８０・・・通路、７８・・・ハウジング。 ロレＺ パ ２θ 〃 ７ 〒 〃 〃 □ ・ 〃
Claims (1)
- （１）電荷リセプタ上に像パターンをなして静電荷を付
与するための流体ジェットを利用したイオン投射記録装
置であって、移送流体を供給する装置と、上流にイオン
発生部を、下流にイオン変調部を含むハウジング装置で
あって該イオン発生部の上流位置に移送流体を受ける装
置を含むとともに該ハウジング装置を通して該流体を伝
送するための装置を含んでおり該伝送装置が前記イオン
変調部を通してイオン同伴移送流体を送るための屈曲通
路を有し該屈曲通路の幅が該屈曲通路を通じて該移送流
体の層流を実現するような幅になっている前記ハウジン
グ装置と、前記イオン変調部に配置されたイオン変調装
置であって、前記屈曲通路の屈曲部の下流位置において
該通路の一方の側に実質的に平形の基板上に配置された
導電性変調電極アレイであって該電極が該基板の面内で
延長する第１部分および該基板の面から４５°より小な
る角度だけ離れる第２部分を有する前記導電性変調電極
アレイと、前記屈曲通路の該変調電極と反対の側にある
導電部材と、変調電位源と、該変調電位源をそれぞれの
前記変調電極に選択的に接続するためのスイッチ装置と
、前記導電部材に接続された基準電位源と、を含んでい
ることによってそれぞれのスイッチが作動せしめられた
時それぞれの変調電極がイオンビームの進行を制御して
前記屈曲通路の径路からそらすようになっている前記イ
オン変調装置と、を備えている流体ジェットを利用した
イオン投射記録装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/481,132 US4524371A (en) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | Modulation structure for fluid jet assisted ion projection printing apparatus |
| US481132 | 2000-01-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59190854A true JPS59190854A (ja) | 1984-10-29 |
Family
ID=23910745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59056427A Pending JPS59190854A (ja) | 1983-04-01 | 1984-03-26 | 流体ジエツトを利用したイオン投射記録装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4524371A (ja) |
| EP (1) | EP0122003B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59190854A (ja) |
| DE (1) | DE3467256D1 (ja) |
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| JPS6281169A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Fuji Xerox Co Ltd | イオン流静電記録装置 |
| JPS6297862A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 静電記録ヘツド |
| JPS62144958A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | Fuji Xerox Co Ltd | イオン流静電記録装置 |
| JPS6321953U (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-13 | ||
| JPS6334155A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 記録装置 |
| JPS63265659A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 静電記録ヘツド |
| US5181072A (en) * | 1990-08-03 | 1993-01-19 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Color recording apparatus |
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| US4644373A (en) * | 1985-12-09 | 1987-02-17 | Xerox Corporation | Fluid assisted ion projection printing head |
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| US4823284A (en) * | 1987-11-16 | 1989-04-18 | Xerox Corporation | High speed VLSI based serial to multiplexed data translator |
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-
1983
- 1983-04-01 US US06/481,132 patent/US4524371A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-03-01 EP EP84301334A patent/EP0122003B1/en not_active Expired
- 1984-03-01 DE DE8484301334T patent/DE3467256D1/de not_active Expired
- 1984-03-26 JP JP59056427A patent/JPS59190854A/ja active Pending
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|---|---|
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| EP0122003B1 (en) | 1987-11-04 |
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