JPS59177812A - Ａｇ被覆電気材料及びその製造方法 - Google Patents
Ａｇ被覆電気材料及びその製造方法Info
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- JPS59177812A JPS59177812A JP5341483A JP5341483A JPS59177812A JP S59177812 A JPS59177812 A JP S59177812A JP 5341483 A JP5341483 A JP 5341483A JP 5341483 A JP5341483 A JP 5341483A JP S59177812 A JPS59177812 A JP S59177812A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＡｇ被覆電気材料とその製造方法に関するもの
で、特に耐熱性及び耐久性の優れた経済的なＡｇ被覆電
気材料を提供するものである。
で、特に耐熱性及び耐久性の優れた経済的なＡｇ被覆電
気材料を提供するものである。
一般に電気接点、半導体リードフレーム、電子部品用リ
ード線、電気機器用配線等にはＡ（＋の優れた電気的、
化学的性質及び冶金的物性を活用したＡｉｌ被覆電気材
料が用いられている。これ等は何れもＡ［の優れた電気
伝導性、電気的接続性及び耐食性を利用し、電気的接続
や冶金的接続、例えばボンディングや半田付けする部材
として使用されている。従来ＣＵ又はＣｕ合金からなる
基体の少なくとも一部表面にＡａを被覆したものは、コ
ネクター、リレー、スイッチ接点等の電気接続用部品又
は半導体リードフレーム或いは電気部品のリード線に用
いられ、特にリン青銅からなる基体に八〇を被覆したも
のはスイッチ接点に多用され、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金からナル基体にＡｇを被覆したものは半導体リ
ードフレームに多用されている。
ード線、電気機器用配線等にはＡ（＋の優れた電気的、
化学的性質及び冶金的物性を活用したＡｉｌ被覆電気材
料が用いられている。これ等は何れもＡ［の優れた電気
伝導性、電気的接続性及び耐食性を利用し、電気的接続
や冶金的接続、例えばボンディングや半田付けする部材
として使用されている。従来ＣＵ又はＣｕ合金からなる
基体の少なくとも一部表面にＡａを被覆したものは、コ
ネクター、リレー、スイッチ接点等の電気接続用部品又
は半導体リードフレーム或いは電気部品のリード線に用
いられ、特にリン青銅からなる基体に八〇を被覆したも
のはスイッチ接点に多用され、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金からナル基体にＡｇを被覆したものは半導体リ
ードフレームに多用されている。
電気接続用部品、半導体リードフレーム等は板条体の全
面又は部分的にＡｇを被覆して部品に成形するか、板条
体をプレスパンチング等により部品に成形してからＡｇ
を所定部分に被覆して造られ、またリード線は線材にＡ
ｇを被覆したもので、電子機器や航空機の配線に用いら
れている。これ等は何れも高価なＡｇを被覆するもので
、Ａｇの特性を経済的に発揮させるため、基体上に可及
的に薄く被覆することが望まれている。しかしながらＡ
ｇ被覆電気＋ｊ料はその製造工程及び長期間の使用中に
熱的影響や大気による酸化腐食等の劣化条件に晒される
ケースが多く、例えばＩＣやダイオードにおける樹脂キ
ュアー、半田付け、ボンデインク、モールド、エージン
グ等において高温に晒される。
面又は部分的にＡｇを被覆して部品に成形するか、板条
体をプレスパンチング等により部品に成形してからＡｇ
を所定部分に被覆して造られ、またリード線は線材にＡ
ｇを被覆したもので、電子機器や航空機の配線に用いら
れている。これ等は何れも高価なＡｇを被覆するもので
、Ａｇの特性を経済的に発揮させるため、基体上に可及
的に薄く被覆することが望まれている。しかしながらＡ
ｇ被覆電気＋ｊ料はその製造工程及び長期間の使用中に
熱的影響や大気による酸化腐食等の劣化条件に晒される
ケースが多く、例えばＩＣやダイオードにおける樹脂キ
ュアー、半田付け、ボンデインク、モールド、エージン
グ等において高温に晒される。
基体に多用されるＣＬＩ又はＣｕ合金、例えばリン青銅
や黄銅を用いたものではト記高温環境に晒されると、Ａ
ｇとの拡散反応が起り、Ａ１１ｌの消耗、Ａ（］表面へ
の卑金風成分の蓄積、酸化となり易く、これが電気接続
性を劣化させる。このためＡｇを厚く被覆しているが、
不経済なばかりか、メッキを蒸着でＡｆｌｌを被覆する
場合の加工コストが増大する。このため基体とＡ（ｌ被
覆との間にＮ１中間層を設（ブて前記拡散を抑制したも
のが一部で使用されているが、Ｎ１中間層を設けたちの
は次のような致命的欠陥をまねき易く、Ａｇ層を薄くす
る効果は自ら制約されている。すなわち１８０℃以」−
の高温に晒されるとＡｇ層を酸素が透過し易くなり、透
過した酸素によってＮ１表面が酸化し、甚しい場合には
Ａｇ層の剥離を起す。また外観上異常がない場合でも半
田の濡れ性不足やボンディング強度不足を起す。更に低
温においても薄いＡｇ層に不可避的に存在するピンホー
ルや外傷を通して酸素によりＮｉ表面が酸化し、半田付
は性や接触抵抗を劣化する。
や黄銅を用いたものではト記高温環境に晒されると、Ａ
ｇとの拡散反応が起り、Ａ１１ｌの消耗、Ａ（］表面へ
の卑金風成分の蓄積、酸化となり易く、これが電気接続
性を劣化させる。このためＡｇを厚く被覆しているが、
不経済なばかりか、メッキを蒸着でＡｆｌｌを被覆する
場合の加工コストが増大する。このため基体とＡ（ｌ被
覆との間にＮ１中間層を設（ブて前記拡散を抑制したも
のが一部で使用されているが、Ｎ１中間層を設けたちの
は次のような致命的欠陥をまねき易く、Ａｇ層を薄くす
る効果は自ら制約されている。すなわち１８０℃以」−
の高温に晒されるとＡｇ層を酸素が透過し易くなり、透
過した酸素によってＮ１表面が酸化し、甚しい場合には
Ａｇ層の剥離を起す。また外観上異常がない場合でも半
田の濡れ性不足やボンディング強度不足を起す。更に低
温においても薄いＡｇ層に不可避的に存在するピンホー
ルや外傷を通して酸素によりＮｉ表面が酸化し、半田付
は性や接触抵抗を劣化する。
本発明はこれに鑑み種々研究の結果、高品質で信頼性に
優れ、かつ経済的なＡｇ被覆電気材料とその製造方法を
開発したものである。
優れ、かつ経済的なＡｇ被覆電気材料とその製造方法を
開発したものである。
即ち本発明電気材料は表面がＮｉ、Ｃｏ又はその合金か
らなる基体の一部又は全部の表面にＡｇ又はＡｇ合金を
被覆した電気材料において、基体と八〇又はＡ（１合金
被覆層との間にＲＬＩ、Ｒ１１゜ＰＬ又はその合金の内
１種又は２種以上の積層中間層を設けたことを特徴とす
るものである。
らなる基体の一部又は全部の表面にＡｇ又はＡｇ合金を
被覆した電気材料において、基体と八〇又はＡ（１合金
被覆層との間にＲＬＩ、Ｒ１１゜ＰＬ又はその合金の内
１種又は２種以上の積層中間層を設けたことを特徴とす
るものである。
また本発明製造方法は、表面がＮｉ、ｃｏ又はその合金
からなる基体上に、ＲＬＩ、Ｒｈ、Ｐｔ又はその合金の
内１種又は２種以上を積層して合計ｏ、ｏｊ〜１μの厚
さに電気メッキし、その一部又は全部の表面にＡ（］又
はＡｑ合金を電気メッキすることを特徴とするものであ
る。
からなる基体上に、ＲＬＩ、Ｒｈ、Ｐｔ又はその合金の
内１種又は２種以上を積層して合計ｏ、ｏｊ〜１μの厚
さに電気メッキし、その一部又は全部の表面にＡ（］又
はＡｑ合金を電気メッキすることを特徴とするものであ
る。
本発明電気材料は、基体にＮｉ、Ｃ’ｏ又はその合金を
用いるか、或いはｃｕ 、Ｃｕ合金、Ｆｅ合金、セラミ
ック等からなる基材にＮｉ、Ｃｏ又その合金の内１種又
は２種以上を積層して被覆した基体を用い、該基体上に
Ｒｕ 、Ｒｈ 、Ｐｔ又はその合金の内１種又は２種以
上を積層した中間層を設け、その上にΔＱ又はＡＣ＋合
金を被覆したものである。特にＣｕ又はＣｕ合金からな
る基材にＮｉ、Ｃｏ又はその合金の内１種又は２種以上
を積層して被覆した基体を用いたものは、前記の如く種
々の用途に用いられる。この場合Ｎｉ、ｃ。
用いるか、或いはｃｕ 、Ｃｕ合金、Ｆｅ合金、セラミ
ック等からなる基材にＮｉ、Ｃｏ又その合金の内１種又
は２種以上を積層して被覆した基体を用い、該基体上に
Ｒｕ 、Ｒｈ 、Ｐｔ又はその合金の内１種又は２種以
上を積層した中間層を設け、その上にΔＱ又はＡＣ＋合
金を被覆したものである。特にＣｕ又はＣｕ合金からな
る基材にＮｉ、Ｃｏ又はその合金の内１種又は２種以上
を積層して被覆した基体を用いたものは、前記の如く種
々の用途に用いられる。この場合Ｎｉ、ｃ。
又はその合金被覆は（、Ｕ又はＣｕ合金とＡｇ又はＡｇ
合金の相互拡散を防止するためのものであり、通常は０
．１〜１０μの厚さに被覆すれば十分である。
合金の相互拡散を防止するためのものであり、通常は０
．１〜１０μの厚さに被覆すれば十分である。
Ｎｉ、ｃｏ又はその合金としては例えばＮｉ。
ＣＯの外にＮ１−ｃｏ 、 Ｎｒ −Ｆｅ 、 Ｎｉ−
２ｎ 。
２ｎ 。
Ｎｉ −Ｃｏ −Ｆｅ 、Ｎ１−Ｐ、Ｎｉ −８ｎ 、
Ｇ。
Ｇ。
−３ｎ 、 Ｎｉ −Ｇｏ−３ｎ等の合金が用イラれ、
これ等の内から用途に応じた機械的、熱的、電磁気的特
性のものを選択使用づ“る。またＲＵ 、 Ｒｈ 。
これ等の内から用途に応じた機械的、熱的、電磁気的特
性のものを選択使用づ“る。またＲＵ 、 Ｒｈ 。
Ｐｔ又はその合金としては、Ｒｕ 、’Ｒｈ 、 Ｐｔ
（７）外にＲｕ −Ｒｈ 、 Ｐｔ −Ｒｕ 、 Ｐ
ｔ −Ａ（＋ 、 Ｒｕ−Ａｕ 、Ｐｔ −Ａｕ 、Ｐ
ｔ −Ｎｉ 、Ｒｕ−Ｎｉ、ＲＬＩ−Ｑｏ等の合金が用
いられる。これ等は何れも耐食性、低酸化性の高融点金
属で、実用温度条件においてＡＱやＮｉ、ｃｏと反応し
難＜、薄層でＡｇ又はＡ（＋合金層を透過する酸素によ
るＮｉ。
（７）外にＲｕ −Ｒｈ 、 Ｐｔ −Ｒｕ 、 Ｐ
ｔ −Ａ（＋ 、 Ｒｕ−Ａｕ 、Ｐｔ −Ａｕ 、Ｐ
ｔ −Ｎｉ 、Ｒｕ−Ｎｉ、ＲＬＩ−Ｑｏ等の合金が用
いられる。これ等は何れも耐食性、低酸化性の高融点金
属で、実用温度条件においてＡＱやＮｉ、ｃｏと反応し
難＜、薄層でＡｇ又はＡ（＋合金層を透過する酸素によ
るＮｉ。
ＣＯ又はその合金の表面酸化を防止し、高温での性能劣
化を防止するものである。しかして上記効果を安定して
発揮さぜるためには、ｏ、ｏｉ−１μの厚さに被覆する
ことが望ましい。またＲｕ、Ｒｈ。
化を防止するものである。しかして上記効果を安定して
発揮さぜるためには、ｏ、ｏｉ−１μの厚さに被覆する
ことが望ましい。またＲｕ、Ｒｈ。
ｐｔ又はその合金の内、ＲＵがコスト的に最も安く、か
つ低比重であり、層状に使用するためには最も経済的で
ある。
つ低比重であり、層状に使用するためには最も経済的で
ある。
本発明電気材料は表面がＮｉ、Ｃｃ又はその合金からな
る基体上に、Ｒｕ、Ｒ１１，Ｐｔ又はその合金の内１種
又は２種以上を積層して被ヱし、その一部又は全部の面
にＡｇ又はＡＯ合金を被覆するもので、基体には線、板
、条又はこれを成形加工したものが用いられる。これ等
の被覆には機械的クラッド、電気メッキ、化学メッキ、
蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング等が用い
られる。しかしてこれ等の方法の内、特に電気メッキは
Ｒｕ 、Ｒ１１，Ｐｉ又はその合金からなる中間層及び
ＡＱ又はＡｇ合金層を順次連続して行なうことが容易で
、操作が簡単であり、被覆厚さを正確にコントロールで
きるもので、最適な製造方法である。
る基体上に、Ｒｕ、Ｒ１１，Ｐｔ又はその合金の内１種
又は２種以上を積層して被ヱし、その一部又は全部の面
にＡｇ又はＡＯ合金を被覆するもので、基体には線、板
、条又はこれを成形加工したものが用いられる。これ等
の被覆には機械的クラッド、電気メッキ、化学メッキ、
蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング等が用い
られる。しかしてこれ等の方法の内、特に電気メッキは
Ｒｕ 、Ｒ１１，Ｐｉ又はその合金からなる中間層及び
ＡＱ又はＡｇ合金層を順次連続して行なうことが容易で
、操作が簡単であり、被覆厚さを正確にコントロールで
きるもので、最適な製造方法である。
以下本発明を実施例について説明する。
実施例（１）
直径０．６ｍｍのＣｕ線を常法により電解脱脂、酸洗し
てから下記メッキ浴及び条件により厚さ０．５μのＮ１
メッキを行ない、続いて厚さ０．０８μのＲｕ 、Ｒｈ
、Ｐｔの何れか１種をメッキし、その上に厚さ１．０
μのＡｇメッキを施してダイオード用リード線を製造し
た。
てから下記メッキ浴及び条件により厚さ０．５μのＮ１
メッキを行ない、続いて厚さ０．０８μのＲｕ 、Ｒｈ
、Ｐｔの何れか１種をメッキし、その上に厚さ１．０
μのＡｇメッキを施してダイオード用リード線を製造し
た。
Ｎｉメッキ
Ｎ、ｉ ［３０３（ＮＨｚ ）］ｚ ５００（１／
ｆＮｉ（１！ｚ ３０ｇ／ＩＨ３Ｂ
０３ ２５ｊ〕／
′（（Ｈ 浴 渇 ３０°Ｃ
電流密度 １０Ａ ／ ｄｍ２ＲＩ
Ｊメッキ 田中員金属（株）製ルテネツクス浴 浴 温 ６０℃電
流密度 ０．５Ａ／ｄｍ２Ｒｈメッ
キ 硫酸ロジウム １０ｇ／ ！Ｈｚ Ｓ
Ｏ＋１００（＋／ ｊ；Ａ 浴 温
４０℃電流密度 ＩＡ／ｄｍ２Ｐｔ
メツキ ジアミノ亜硝酸白金 ７ｇ、／ぶＮＨ４ＮＯ
２７０ｇ／Ｊ！ ＮａＮ０ｚ ７ＣＪ／ｉアンモ
ニア水 ７０（＋／ ｆ！。
ｆＮｉ（１！ｚ ３０ｇ／ＩＨ３Ｂ
０３ ２５ｊ〕／
′（（Ｈ 浴 渇 ３０°Ｃ
電流密度 １０Ａ ／ ｄｍ２ＲＩ
Ｊメッキ 田中員金属（株）製ルテネツクス浴 浴 温 ６０℃電
流密度 ０．５Ａ／ｄｍ２Ｒｈメッ
キ 硫酸ロジウム １０ｇ／ ！Ｈｚ Ｓ
Ｏ＋１００（＋／ ｊ；Ａ 浴 温
４０℃電流密度 ＩＡ／ｄｍ２Ｐｔ
メツキ ジアミノ亜硝酸白金 ７ｇ、／ぶＮＨ４ＮＯ
２７０ｇ／Ｊ！ ＮａＮ０ｚ ７ＣＪ／ｉアンモ
ニア水 ７０（＋／ ｆ！。
浴 温
９０℃電流密度 ２Ａ／ｄｍ２Ａｇ
メッキ Ａ（ＩＣＮ ５０Ｑ／ｆＫ ＣＮ
’ ５０Ω／（Ｋ２ ＣＯ３
２０ｏ／ｉ！ 浴 温 ３０
℃電流密度 ２ Ａ ／ ｄｍ２比
較例（１） 実施例（１）において、Ｒｕ 、Ｒｂ 、Ｐｔメッキを
省略し、Ｎ１Ｍ上に直接Ａｇを厚さ１，２゜４．６μメ
ツキしてダイオード用リード線を製造した。
９０℃電流密度 ２Ａ／ｄｍ２Ａｇ
メッキ Ａ（ＩＣＮ ５０Ｑ／ｆＫ ＣＮ
’ ５０Ω／（Ｋ２ ＣＯ３
２０ｏ／ｉ！ 浴 温 ３０
℃電流密度 ２ Ａ ／ ｄｍ２比
較例（１） 実施例（１）において、Ｒｕ 、Ｒｂ 、Ｐｔメッキを
省略し、Ｎ１Ｍ上に直接Ａｇを厚さ１，２゜４．６μメ
ツキしてダイオード用リード線を製造した。
ダイオード用リード線はＳｉチップとの接続、封止ど樹
脂キュアーにより、水素中３５０℃の温度で３０分間加
熱と、大気中２３０℃の温度で１６時間の加熱処理を受
（プ、その後もリード線としての半田付は性を保持し、
プリント基板への実装が能率的かつ確実であることを保
証するため、温度２３０℃の共晶半田浴中に５秒間デツ
プしたとぎの半Ｅｌｊ 濫れ面積が９５％以上であるこ
とが要求されている。
脂キュアーにより、水素中３５０℃の温度で３０分間加
熱と、大気中２３０℃の温度で１６時間の加熱処理を受
（プ、その後もリード線としての半田付は性を保持し、
プリント基板への実装が能率的かつ確実であることを保
証するため、温度２３０℃の共晶半田浴中に５秒間デツ
プしたとぎの半Ｅｌｊ 濫れ面積が９５％以上であるこ
とが要求されている。
上記実施例（１）で製造した３梗のリード線と、比較例
（１）で製造した４種のリード線について、水素中３５
０°Ｃの温度で３０分間加熱し、続いて大気中２３０℃
の温度で１６時間加熱処理した後、温度２３０℃の共晶
半田浴中に５秒間デツプして半田濡れ面積を調べた。そ
の結果を第１表に示づ一８第１表 リード線別 中間層 Ａｑ層 半田濡
れ面（６種類 厚さくμ） 厚さくμ） （％）実
施例１−１ Ｒｕ Ｏ，０３１，０９８ｎ １
−２ ＲｌＩ ｎ ノｔ １−３ ｐｉ ｎ 、
ｎ比較例１−１− −＜１０ ｎ ｉ −２−−２，Ｑ ３Ｑ〃１−３
− − ４，０ ７０／ｒ１−
４− − ６．’０ ９７第１表
から明らかなように比較例ではＡＣＩ層が薄い場合、Ｎ
＋表面が露出して半田がほど／υど付着せず、９５％
以上の濡れ面積を得るためにはＡＣ１層の厚さを６μ以
上とする必要がある。これに対し本発明の実施例による
ものは何れも厚さ１μのＡｇ層で９８％の半田濡れ面積
が得られることが判る。
（１）で製造した４種のリード線について、水素中３５
０°Ｃの温度で３０分間加熱し、続いて大気中２３０℃
の温度で１６時間加熱処理した後、温度２３０℃の共晶
半田浴中に５秒間デツプして半田濡れ面積を調べた。そ
の結果を第１表に示づ一８第１表 リード線別 中間層 Ａｑ層 半田濡
れ面（６種類 厚さくμ） 厚さくμ） （％）実
施例１−１ Ｒｕ Ｏ，０３１，０９８ｎ １
−２ ＲｌＩ ｎ ノｔ １−３ ｐｉ ｎ 、
ｎ比較例１−１− −＜１０ ｎ ｉ −２−−２，Ｑ ３Ｑ〃１−３
− − ４，０ ７０／ｒ１−
４− − ６．’０ ９７第１表
から明らかなように比較例ではＡＣＩ層が薄い場合、Ｎ
＋表面が露出して半田がほど／υど付着せず、９５％
以上の濡れ面積を得るためにはＡＣ１層の厚さを６μ以
上とする必要がある。これに対し本発明の実施例による
ものは何れも厚さ１μのＡｇ層で９８％の半田濡れ面積
が得られることが判る。
実施例（２）
ＩＣリードフレーム用４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金条（厚さ０
．２ ｍｍ Ｎ巾３５ｍｍ）をプレスにより２４ピンフ
レームに成形してから、常法により電解脱脂、酸洗し、
実施例く１）のＲｕメッキ浴及びＡｇメッキ浴を用いて
厚さ０．１μのＲＩＪメッキを行なってから厚さ２μの
ＡｆＪメッキを行なってＩＣリードフレームを製造した
。
．２ ｍｍ Ｎ巾３５ｍｍ）をプレスにより２４ピンフ
レームに成形してから、常法により電解脱脂、酸洗し、
実施例く１）のＲｕメッキ浴及びＡｇメッキ浴を用いて
厚さ０．１μのＲＩＪメッキを行なってから厚さ２μの
ＡｆＪメッキを行なってＩＣリードフレームを製造した
。
比較例〈２）
実施例（２）において、Ｒｕメッキを省略し直接厚さ２
μと５μのＡ（］メッキを行なってＩＣリードフレーム
を製造した。
μと５μのＡ（］メッキを行なってＩＣリードフレーム
を製造した。
実施例（２）及び比較例（２）より製造したＩＣリード
フレームについて、チップ半田付（プ性、端子半田（＝
Ｉけ性及びボンディング性を調べた。その結果を第２表
に示す。
フレームについて、チップ半田付（プ性、端子半田（＝
Ｉけ性及びボンディング性を調べた。その結果を第２表
に示す。
尚チップ半田付は性は温度３５０℃の９５％Ｐｂ−５％
３ｎ半田浴中に５秒間デツプして半田濡れ面積を求めた
。端子半田付は性は温度２３０°Ｃの共晶半田浴（６０
％５ｎ−４０％Ｐｂ）中に５秒間デツプして半田濡れ面
積を求めた。またボンディング性は直径２５μのＡｕ線
（ボンディングワイヤー）を超音波式ポールボンダーに
てボンドしてから引張試験し、破断強度を求めた。
３ｎ半田浴中に５秒間デツプして半田濡れ面積を求めた
。端子半田付は性は温度２３０°Ｃの共晶半田浴（６０
％５ｎ−４０％Ｐｂ）中に５秒間デツプして半田濡れ面
積を求めた。またボンディング性は直径２５μのＡｕ線
（ボンディングワイヤー）を超音波式ポールボンダーに
てボンドしてから引張試験し、破断強度を求めた。
第２表
第２表から明らかなように比較例ではＡＱｆＦＪの厚さ
を５μ以上とする必要があるのに対し本発明の実施例（
２）ではＡ（］層の厚さが２μ程度で同等以上の性能が
得られることが判る。
を５μ以上とする必要があるのに対し本発明の実施例（
２）ではＡ（］層の厚さが２μ程度で同等以上の性能が
得られることが判る。
実施例（３）
厚さｏ、１ｍｍのキーボードスイッチ用リン青銅条を常
法により電解脱脂、酸洗してから下記メッキ浴及び条件
で厚さ０．１５μのＮｉ−１０％Ｃｏ合金メッキし、そ
の上に実施例（１）におけるＲｕメッキ浴とＡ（Ｉメッ
キ浴を用いて、厚さ０．０５μのＲｕメッキを行なった
後、厚さ０．５μのＡ９メッキを行なった。
法により電解脱脂、酸洗してから下記メッキ浴及び条件
で厚さ０．１５μのＮｉ−１０％Ｃｏ合金メッキし、そ
の上に実施例（１）におけるＲｕメッキ浴とＡ（Ｉメッ
キ浴を用いて、厚さ０．０５μのＲｕメッキを行なった
後、厚さ０．５μのＡ９メッキを行なった。
Ｎｉ−１０％Ｃｏ合金メッキ
Ｎ ｉ Ｓ ０４ ２５０’！ＩＩ／
１ＣＯ８０４２０ｇ／ｌ Ｎ１Ｃ，ｅｚ ４０！］／ｐＨ３
８Ｏ３３０Ｑ／ぶ Ｐ Ｈ３，０ 浴 温
４０℃電流密度 ４ Ａ ／ ｄｍ
２比較例（３〉 実施例（３）において、Ｒｕメッキを省略し、Ｎｉ−１
０％Ｃｏ合金メッキ層上に直接厚さ０．５μのＡｇメッ
キを行なった。
１ＣＯ８０４２０ｇ／ｌ Ｎ１Ｃ，ｅｚ ４０！］／ｐＨ３
８Ｏ３３０Ｑ／ぶ Ｐ Ｈ３，０ 浴 温
４０℃電流密度 ４ Ａ ／ ｄｍ
２比較例（３〉 実施例（３）において、Ｒｕメッキを省略し、Ｎｉ−１
０％Ｃｏ合金メッキ層上に直接厚さ０．５μのＡｇメッ
キを行なった。
これ−らを大気中１２０℃の温度で２０００時間加熱し
、その前後における接触抵抗を測定した。ｊ′、た温度
６０°Ｃ１湿度９５％の高湿槽に１０００時間放置し、
その前後の接触抵抗を測定した。これ等の結果を第３表
に示す。
、その前後における接触抵抗を測定した。ｊ′、た温度
６０°Ｃ１湿度９５％の高湿槽に１０００時間放置し、
その前後の接触抵抗を測定した。これ等の結果を第３表
に示す。
尚接触抵抗は荷重１００ｇで先端に半径４．０ｍｍの半
球面を形成したＡｕ棒を押し当て、０．１Ａの電流で測
定した。
球面を形成したＡｕ棒を押し当て、０．１Ａの電流で測
定した。
第３表
第３表から明らかなように本発明の実施例にＪ、るもの
は、比較例に比べ接触抵抗の劣化が極めて小さいことが
判る。
は、比較例に比べ接触抵抗の劣化が極めて小さいことが
判る。
このように本発明によれは、半導体リードフレーム、コ
ネクター、スイッヂ接点、リード線、配線等に用いられ
るＡ（＋被覆電気材料の品質及び信頼性を向上し、かつ
Ａｇを節約し得る経済性に優れた電気導体を提供し得る
もので、工業上顕著な効果を奏するものである。
ネクター、スイッヂ接点、リード線、配線等に用いられ
るＡ（＋被覆電気材料の品質及び信頼性を向上し、かつ
Ａｇを節約し得る経済性に優れた電気導体を提供し得る
もので、工業上顕著な効果を奏するものである。
５７−
Claims (5)
- （１）表面がＮｉ、Ｃｏ又はその合金からなる基体の一
部又は全部の表面に、Ａつ又はＡｑ金合金被覆した電気
材料において、基体とＡｑ又はＡｇ合金被覆層との間に
Ｒｕ 、ＲＩＴ 、Ｐｔ又はその合金の内１種又は２種
以上の積層中間層を設けたことを特徴とするＡ（ｌ被覆
電気月利。 - （２）Ｃｕ又はＣＩＪ合金材料の表面にＮｉ、ｃ。 又はその合金の内１種又は２種以上を積層して被覆した
基体を用いる特許請求の範囲第１項記載のＡ（ｌ被覆電
気材料。 - （３）Ｒｕ 、Ｒ１）、Ｐｔ又はその合金からなる中間
層を０８０１〜１μの厚さに設ける特許請求の範囲第１
項又は第２項記載のＡｇ被覆電気材料。 - （４）Ｒｕからなる中間層を０．０１〜１μの厚さに設
ける特許請求の範囲第１項又は第２項記載のＡｇ被覆電
気材料。 - （５）表面がＮｉ、ｃｏ又はその合金からなる基体上に
、Ｒｕ 、Ｒｈ 、Ｐｔ又はその合金の内１種又は２種
以上を積層して合計０．０１〜１μの厚さに電気メッキ
し、その一部又は全部の表面にＡｇ又はＡｇ合金を電気
メッキすることを特徴とするＡｇ？ｌ！！覆電気材料の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5341483A JPS59177812A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Ａｇ被覆電気材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5341483A JPS59177812A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Ａｇ被覆電気材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177812A true JPS59177812A (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=12942169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5341483A Pending JPS59177812A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Ａｇ被覆電気材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59177812A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003097523A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Japan Power Fastening Co Ltd | ファスナー |
-
1983
- 1983-03-29 JP JP5341483A patent/JPS59177812A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003097523A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Japan Power Fastening Co Ltd | ファスナー |
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