JPS5917553A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS5917553A JPS5917553A JP57125711A JP12571182A JPS5917553A JP S5917553 A JPS5917553 A JP S5917553A JP 57125711 A JP57125711 A JP 57125711A JP 12571182 A JP12571182 A JP 12571182A JP S5917553 A JPS5917553 A JP S5917553A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- shape
- substrate
- hexagonal
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造工程の一つであるホトリソグ
ラフィ工程において使用されるホトマスクに関するもの
である。
ラフィ工程において使用されるホトマスクに関するもの
である。
半導体装置の製造工程の一つにホ） ＩＪソゲラフイエ
程があり、半導体ウェー７１表面に写真技術を利用して
回路パターンを形成しているが、このホトリングラフィ
工程ではこの回路パターンと同一のマスクパターンを有
するホトマスクが必要不可欠である。この種のホトマス
クはガラス基板の表面にＣｒ等の金属薄膜を形成し、こ
の薄膜を所望のパターン形状に形成した構成としている
が、従来のホトマスクは前記したガラス基板を正方形と
し、その−辺を半導体ウェーへの直径に略等しい寸法と
している。
程があり、半導体ウェー７１表面に写真技術を利用して
回路パターンを形成しているが、このホトリングラフィ
工程ではこの回路パターンと同一のマスクパターンを有
するホトマスクが必要不可欠である。この種のホトマス
クはガラス基板の表面にＣｒ等の金属薄膜を形成し、こ
の薄膜を所望のパターン形状に形成した構成としている
が、従来のホトマスクは前記したガラス基板を正方形と
し、その−辺を半導体ウェーへの直径に略等しい寸法と
している。
ところで、近年では円板状の半導体ウエーノ・は大径化
の傾向にあるが、これに伴なってホトマスクも大寸法化
することが要求されている。また、一方ではホトリソグ
ラフィ工程の露光特性の改善や寿命等の点からホトマス
クの基板に石英等の結晶質の物質が採用されるようにな
ってきている。
の傾向にあるが、これに伴なってホトマスクも大寸法化
することが要求されている。また、一方ではホトリソグ
ラフィ工程の露光特性の改善や寿命等の点からホトマス
クの基板に石英等の結晶質の物質が採用されるようにな
ってきている。
このため、従来では結晶成長させた石英等をスライス加
工して薄板に形成すると共に、六角形や六角形等の多角
形をした結晶を切断加工して全体平面形状を正方形にす
ることによりマスク基板を構成することが行なわれてい
る。
工して薄板に形成すると共に、六角形や六角形等の多角
形をした結晶を切断加工して全体平面形状を正方形にす
ることによりマスク基板を構成することが行なわれてい
る。
しかしながら、第１図に示すように、多角形（例えば六
角形）の結晶板ｌを正方形に加工してマスク２を形成す
ると、その加工作業が面倒になると共に切断された周辺
部１ａが無駄になってマスクのコスト高の一要因になっ
ている。また、必要とされる正方形状を得ろためには、
結晶板の寸法をマスク寸法よりも−回り大きなものにし
なければならず、このような大寸法の結晶を成長させる
ことは極めて困難である。更に、結晶板を折角正方形に
形成しても、同図のように半導体ウェーハ３は円形であ
るためにその四隅部２ａは有効マスクとして使用されず
、結局この部分が無駄になってしまうという問題もある
。
角形）の結晶板ｌを正方形に加工してマスク２を形成す
ると、その加工作業が面倒になると共に切断された周辺
部１ａが無駄になってマスクのコスト高の一要因になっ
ている。また、必要とされる正方形状を得ろためには、
結晶板の寸法をマスク寸法よりも−回り大きなものにし
なければならず、このような大寸法の結晶を成長させる
ことは極めて困難である。更に、結晶板を折角正方形に
形成しても、同図のように半導体ウェーハ３は円形であ
るためにその四隅部２ａは有効マスクとして使用されず
、結局この部分が無駄になってしまうという問題もある
。
したがって本発明の目的は石英等の結晶質の物質を使用
するホトマスクの製造の容易化および低コスト化を実現
するホトマスクを提供することにある。
するホトマスクの製造の容易化および低コスト化を実現
するホトマスクを提供することにある。
この目的を達成するために本発明は、結晶物質の結晶成
長形状と同一の多角形状の薄板をマスク基板とし、この
基板にパターンを形成するようにしたものである。
長形状と同一の多角形状の薄板をマスク基板とし、この
基板にパターンを形成するようにしたものである。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第２図は本発明の一実施例を示し、結晶物質として透明
アルミナ系材料であるす７アイヤを材料としてマスクを
形成した例である。このマスクＩＯは、ザファイアの六
方晶系結晶をそのまま生かした六角形の板状の基板１１
と、この基板１１の表面に形成した不透明パターン１２
とで構成している。即ち、前記基板ｌｌは、同図のよう
に半導体ウェー・・３の外径寸法よりも若干大きな正六
角形若しくはこれに近い形状とされ、第３図に示すよう
に六角柱状に形成したす７アイヤ結晶１３をスライス加
工して形成している。このす７アイヤ結晶１３は公知の
結晶成長法によって容易に得ることができ、その形状も
結晶の方位（六方晶）によって自然に形成される。した
がって、ここでは六角形の寸法をコントロールすればよ
（、これも極めて容易である。また、前記不透明パター
ン１２はＣｒ等の金属を蒸着によって基板１１の全面に
薄膜形成した上で、ホ） ＩＪソグラフィ手法によって
所定のパターンにエツチング形成しているのである。
アルミナ系材料であるす７アイヤを材料としてマスクを
形成した例である。このマスクＩＯは、ザファイアの六
方晶系結晶をそのまま生かした六角形の板状の基板１１
と、この基板１１の表面に形成した不透明パターン１２
とで構成している。即ち、前記基板ｌｌは、同図のよう
に半導体ウェー・・３の外径寸法よりも若干大きな正六
角形若しくはこれに近い形状とされ、第３図に示すよう
に六角柱状に形成したす７アイヤ結晶１３をスライス加
工して形成している。このす７アイヤ結晶１３は公知の
結晶成長法によって容易に得ることができ、その形状も
結晶の方位（六方晶）によって自然に形成される。した
がって、ここでは六角形の寸法をコントロールすればよ
（、これも極めて容易である。また、前記不透明パター
ン１２はＣｒ等の金属を蒸着によって基板１１の全面に
薄膜形成した上で、ホ） ＩＪソグラフィ手法によって
所定のパターンにエツチング形成しているのである。
以上の構成のホトマスク１０によれば、ホトマスクの形
状は結晶構造そのままであ巾ので、従来のように正方形
にするための加工は不要であり、マスク製造に関わる作
業を極めて容易なものにできる。筺だ、マスク基板１１
はその周辺を切断することはなく、しかも正方形よりも
円形に近い多角形状に形成しているのでその周辺におけ
るマスク無効部分１０ ａも少なくなり、結晶の有効利
用を高めて低コスト化に効果がある。これと同時に、基
板はその周辺部を切断しないので必要とされる結晶の径
寸法を小さなものにでき、結晶成長な容易にする。なお
、基板１１にサファイヤを使用したことによりその硬度
を高めてホトマスクの高寿命化を図り得ることは言うま
でもない。
状は結晶構造そのままであ巾ので、従来のように正方形
にするための加工は不要であり、マスク製造に関わる作
業を極めて容易なものにできる。筺だ、マスク基板１１
はその周辺を切断することはなく、しかも正方形よりも
円形に近い多角形状に形成しているのでその周辺におけ
るマスク無効部分１０ ａも少なくなり、結晶の有効利
用を高めて低コスト化に効果がある。これと同時に、基
板はその周辺部を切断しないので必要とされる結晶の径
寸法を小さなものにでき、結晶成長な容易にする。なお
、基板１１にサファイヤを使用したことによりその硬度
を高めてホトマスクの高寿命化を図り得ることは言うま
でもない。
ここで、前記実施例はサファイヤの六万晶糸結晶を基板
に利用した例があるが、ルビー或いは水晶（石英）等で
かつ他の方晶であっても同様ＫＩｌ成できる。但し、結
晶は四角形以上の多角形状に構成することが肝要である
。
に利用した例があるが、ルビー或いは水晶（石英）等で
かつ他の方晶であっても同様ＫＩｌ成できる。但し、結
晶は四角形以上の多角形状に構成することが肝要である
。
以上のように本発明のホトマスクによれば、透明結晶を
その成長形状と同一の多角形薄板に形成し、この薄板の
表面に所定形状の不透明パターンを形成しているので、
結晶の周辺部の切断等の作業を不要にして製造の容易化
を図ると共に結晶の有効利用を図ってマスクの低コスト
化を実現することができるという効果を奏する。
その成長形状と同一の多角形薄板に形成し、この薄板の
表面に所定形状の不透明パターンを形成しているので、
結晶の周辺部の切断等の作業を不要にして製造の容易化
を図ると共に結晶の有効利用を図ってマスクの低コスト
化を実現することができるという効果を奏する。
第１図は従来のホトマスクの平面図、
第２図は本発明のホトマスクの平面図、第３図は基板の
製造方法を示す斜視図である。 １０・・・ホトマスク、１１・・・基板、１２・・・不
透明パターン、１３・・・結晶。
製造方法を示す斜視図である。 １０・・・ホトマスク、１１・・・基板、１２・・・不
透明パターン、１３・・・結晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、石英等の透明結晶部材をその結晶成長形状と同一の
多角形状の薄板に形成し、この薄板の表面に所定形状の
不透明パターンを形成したことを特徴とするホトマスク
。 ２、薄板を六方晶系結晶のアルミナ系材料にて六角形に
形成してなる特許請求の範囲第１項記載のホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125711A JPS5917553A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125711A JPS5917553A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917553A true JPS5917553A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14916846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57125711A Pending JPS5917553A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917553A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018520386A (ja) * | 2015-07-15 | 2018-07-26 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | 露光装置および方法 |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57125711A patent/JPS5917553A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018520386A (ja) * | 2015-07-15 | 2018-07-26 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント（グループ）カンパニー リミティド | 露光装置および方法 |
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