JPS59175126A - 半導体ウエハ用処理槽 - Google Patents
半導体ウエハ用処理槽Info
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- JPS59175126A JPS59175126A JP4821483A JP4821483A JPS59175126A JP S59175126 A JPS59175126 A JP S59175126A JP 4821483 A JP4821483 A JP 4821483A JP 4821483 A JP4821483 A JP 4821483A JP S59175126 A JPS59175126 A JP S59175126A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- processing vessel
- impurities
- processing tank
- bottom face
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 30
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体ウェハの表面処理などの際、半導体ウ
ェハを処理するだめの処理槽に関する。
ェハを処理するだめの処理槽に関する。
従来、半導体ウェハを洗浄、エツチング、感光剤の剥離
等を目的として液体中で処理する場合、第１図の様な、
処理槽を用いていた。この処理槽の底面２は、半導体ウ
ェハ用収納治具のすわりを良くするため、平滑な面とな
っている。その場合、洗浄、エツチング等を目的として
処理槽に漬浸処理する際に、第１図の処理槽の様に底面
２が、平滑な面であると、第２及び第３図のように半導
体ウェハ用収納治具３が該処理槽の底面２に接触された
状態で設置されるために、処理槽底面２に沈澱している
反応生成物やその他の不溶物質等の不純物４が、半導体
ウェハ用収納治具３や半導体ウェハ５に接触もしくは付
着するため、満足な浸漬処理を妨げる。
等を目的として液体中で処理する場合、第１図の様な、
処理槽を用いていた。この処理槽の底面２は、半導体ウ
ェハ用収納治具のすわりを良くするため、平滑な面とな
っている。その場合、洗浄、エツチング等を目的として
処理槽に漬浸処理する際に、第１図の処理槽の様に底面
２が、平滑な面であると、第２及び第３図のように半導
体ウェハ用収納治具３が該処理槽の底面２に接触された
状態で設置されるために、処理槽底面２に沈澱している
反応生成物やその他の不溶物質等の不純物４が、半導体
ウェハ用収納治具３や半導体ウェハ５に接触もしくは付
着するため、満足な浸漬処理を妨げる。
また、前記半導体ウェハ用収納治具３や前記半導体ウェ
ハ５に付着した反応生成物や不溶物質等の不純物４は、
次の桶に収納治具３が入った時に一緒に持ち込まれ、偏
の檜の処理液が汚染もしくは劣化される。この汚染もし
くは、劣化の進行は持ち込まれる不純物の量に比例して
増加する。
ハ５に付着した反応生成物や不溶物質等の不純物４は、
次の桶に収納治具３が入った時に一緒に持ち込まれ、偏
の檜の処理液が汚染もしくは劣化される。この汚染もし
くは、劣化の進行は持ち込まれる不純物の量に比例して
増加する。
本発明の目的は、不純物等による半導体ウェハ及び半導
体ウェハ用収納治具の汚染もしくは、処理液の劣化進行
を少しでも妨げる半導体ウェハ用処理槽を提供すること
にある。
体ウェハ用収納治具の汚染もしくは、処理液の劣化進行
を少しでも妨げる半導体ウェハ用処理槽を提供すること
にある。
本発明による半導体ウェハ用処理槽は、処理槽内に半導
体ウェハ用収納治其の底面を支持するための２本の支持
棒を少なくとも該処理槽底面より１ ｃｍ以上の高さに
設置することを特徴とし、このような構造にした結果、
半導体ウェハ用収納治具が処理槽の底面から離れた状態
で置かれるために、処理槽底面に沈澱している反応生成
物やその他の不溶物質等の不純物が半導体ウェハ用収納
治具や半導体ウェハに接触もしくは、付着しない。この
際、不溶物質等の不純物４が半導体ウェハ用収納治具や
半導体ウェハに接触もしくは、付着するのは半導体ウェ
ハ用収納治具を支持するだめの２本の支持棒のみからで
ある。従って従来の収納治具を処理槽底面に置く構造の
処理槽より不純物等による半導体ウェハ及び半導体ウェ
ハ用収納治具の汚染が少しでも妨げられ且次の槽に持ち
込まれる不純物が少ないため、処理液の汚染もしくは劣
化の進行は遅くなるなどの効果が得られる。
体ウェハ用収納治其の底面を支持するための２本の支持
棒を少なくとも該処理槽底面より１ ｃｍ以上の高さに
設置することを特徴とし、このような構造にした結果、
半導体ウェハ用収納治具が処理槽の底面から離れた状態
で置かれるために、処理槽底面に沈澱している反応生成
物やその他の不溶物質等の不純物が半導体ウェハ用収納
治具や半導体ウェハに接触もしくは、付着しない。この
際、不溶物質等の不純物４が半導体ウェハ用収納治具や
半導体ウェハに接触もしくは、付着するのは半導体ウェ
ハ用収納治具を支持するだめの２本の支持棒のみからで
ある。従って従来の収納治具を処理槽底面に置く構造の
処理槽より不純物等による半導体ウェハ及び半導体ウェ
ハ用収納治具の汚染が少しでも妨げられ且次の槽に持ち
込まれる不純物が少ないため、処理液の汚染もしくは劣
化の進行は遅くなるなどの効果が得られる。
そのために、処理液の交換頻度を少なくすることが可能
となり、処理液の交換に要する手数及び処理液の消費コ
ストを少なくすることができる。
となり、処理液の交換に要する手数及び処理液の消費コ
ストを少なくすることができる。
なお収納治具の底面を支持するための支持棒は、不純物
の付着を少なくするために、最大２本の構造で、支持棒
の表面積もしくは、収納治具が置かれる支持棒の接触面
積を少なくすることが望ましい。
の付着を少なくするために、最大２本の構造で、支持棒
の表面積もしくは、収納治具が置かれる支持棒の接触面
積を少なくすることが望ましい。
次に本発明を図面をもって具体的に説明する。
第４図、第５図、第６図は、本発明の第１の実施例を示
しており、第４図は正面図、第５図は第４図の側面図、
第６図は第４図の斜視図である。これらの図から明らか
のように半導体ウェハ５を収納する収納治具３の底面を
支持するための支持棒６．７を処理惜側壁１に設置しで
ある。支持棒は処理槽底面２より１ｃｍ以上の高さに設
けられているから、不純物４により汚染されることはな
い。
しており、第４図は正面図、第５図は第４図の側面図、
第６図は第４図の斜視図である。これらの図から明らか
のように半導体ウェハ５を収納する収納治具３の底面を
支持するための支持棒６．７を処理惜側壁１に設置しで
ある。支持棒は処理槽底面２より１ｃｍ以上の高さに設
けられているから、不純物４により汚染されることはな
い。
第７図は、本発明の第２の実施例を示しており、支持棒
６，７を△状の構造にしである。
６，７を△状の構造にしである。
以上、この様な構造にすることにより、処理槽の底面に
沈澱している不純物との接触、付着が少しでも少なくな
りそれと並行して１次の檜の処理液の汚染、劣化の進行
も妨げる効果が得られる。
沈澱している不純物との接触、付着が少しでも少なくな
りそれと並行して１次の檜の処理液の汚染、劣化の進行
も妨げる効果が得られる。
第１図、第２図は従来の半導体ウェノ・用処理槽の正面
図、第３図は第２図の側面図、第４図は本発明の第１の
実施例の正面図、第５図は第４図の側面図、第６図は第
４図の斜視図、第７図は第２の実施例の側面図である。 尚、図において １・・・・・・半導体ウェハ用処理槽の側壁、２・・・
・・・半導体ウェハ用処理槽の底面、３・・・・・・半
導体ウェハ用収納治具、４・・・・・・不純物、５・・
・・・・半導体ウェハ、６．７・・・・・・支持棒であ
る。 ５− 第１図 ２ 第３図 ６１’／４ 第５図 ３ ６ ４ ７ ２ 第７図
図、第３図は第２図の側面図、第４図は本発明の第１の
実施例の正面図、第５図は第４図の側面図、第６図は第
４図の斜視図、第７図は第２の実施例の側面図である。 尚、図において １・・・・・・半導体ウェハ用処理槽の側壁、２・・・
・・・半導体ウェハ用処理槽の底面、３・・・・・・半
導体ウェハ用収納治具、４・・・・・・不純物、５・・
・・・・半導体ウェハ、６．７・・・・・・支持棒であ
る。 ５− 第１図 ２ 第３図 ６１’／４ 第５図 ３ ６ ４ ７ ２ 第７図
Claims (1)
- 半導体ウェハ用処理槽内に半導体ウェハ用収納治具の底
面を支持するための２本の支持棒を少なくとも該処理槽
底面より１ ｃｍ以上の高さに設置することを特徴とす
る半導体ウェハ用処理槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4821483A JPS59175126A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体ウエハ用処理槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4821483A JPS59175126A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体ウエハ用処理槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175126A true JPS59175126A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12797156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4821483A Pending JPS59175126A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 半導体ウエハ用処理槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175126A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142844U (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP4821483A patent/JPS59175126A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142844U (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 |
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