JPS59171810A - 単結晶ウエ−ハ反り測定装置 - Google Patents
単結晶ウエ−ハ反り測定装置Info
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- JPS59171810A JPS59171810A JP4744283A JP4744283A JPS59171810A JP S59171810 A JPS59171810 A JP S59171810A JP 4744283 A JP4744283 A JP 4744283A JP 4744283 A JP4744283 A JP 4744283A JP S59171810 A JPS59171810 A JP S59171810A
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- JP
- Japan
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- wafer
- monochromator
- rays
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- crystal
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/04—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring contours or curvatures
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単結晶ウェーハの微小な反！２鰯を測定する単
結晶ウェーハ反り測定装置に関する。
結晶ウェーハ反り測定装置に関する。
一般に、単結晶、特に半導体単結晶を素材としてエレク
トロニクス部品を製造する場合には、その単結晶を薄い
板状ウェーノ・（以後ウェーノ・という）に加工し、両
面または片面を鏡面研摩の後、その片面上にトランジス
タ、ダイオード、キャバンク等の素子を形成するデバイ
ス工程を含んでいる。これらの製造工程は、通常、酸化
、成膜、不純物導入、エツチング等の過程からなり、ρ
くの熱処理を施す素過程を含むために、そのウェーハが
数＋８ｍ反ることが多い。このウェーハの反りは、ウェ
ーハの片面上に逐次形成されてゆくデバイス構造による
、ウェーハ表面に平行な応力成分に起因していることが
明らかであるが、デバイス製作上あるいはデバイス特性
や信頼性上問題となる場合が多い。したがって、このウ
ェーハの反り量は、例えば、直径３インチのシリコンウ
ェーハ（厚さ４〜５００μｍ）の場合、数々いし数＋μ
ｍ程度であるが、このようなメ微小反り量を厳密に測定
する必要がある。
トロニクス部品を製造する場合には、その単結晶を薄い
板状ウェーノ・（以後ウェーノ・という）に加工し、両
面または片面を鏡面研摩の後、その片面上にトランジス
タ、ダイオード、キャバンク等の素子を形成するデバイ
ス工程を含んでいる。これらの製造工程は、通常、酸化
、成膜、不純物導入、エツチング等の過程からなり、ρ
くの熱処理を施す素過程を含むために、そのウェーハが
数＋８ｍ反ることが多い。このウェーハの反りは、ウェ
ーハの片面上に逐次形成されてゆくデバイス構造による
、ウェーハ表面に平行な応力成分に起因していることが
明らかであるが、デバイス製作上あるいはデバイス特性
や信頼性上問題となる場合が多い。したがって、このウ
ェーハの反り量は、例えば、直径３インチのシリコンウ
ェーハ（厚さ４〜５００μｍ）の場合、数々いし数＋μ
ｍ程度であるが、このようなメ微小反り量を厳密に測定
する必要がある。
従来、この枠の単結晶の反す辿゛ヲ測定する方法として
は、例えは、光学干渉縞による光学的測定法が用いられ
るが、そのためには、常温でオプチカルフラット板等に
接触させて測定することが必要である。また、他の方法
として、Ｘ線による測定法があり、非接触で測定できる
利点を持つが、通常の方法では基板の微小な反Ｄｔの測
定は困難であり、いわゆるＸ線二結晶法（Ｘ線ロッキン
グカーブ法）の如く、モノクロメータにより極めて平行
性のよいＸ線ビームを作り、然る後、この平行Ｘ線ビー
ムを反りを含む試料に照射せしめる必要がある。
は、例えは、光学干渉縞による光学的測定法が用いられ
るが、そのためには、常温でオプチカルフラット板等に
接触させて測定することが必要である。また、他の方法
として、Ｘ線による測定法があり、非接触で測定できる
利点を持つが、通常の方法では基板の微小な反Ｄｔの測
定は困難であり、いわゆるＸ線二結晶法（Ｘ線ロッキン
グカーブ法）の如く、モノクロメータにより極めて平行
性のよいＸ線ビームを作り、然る後、この平行Ｘ線ビー
ムを反りを含む試料に照射せしめる必要がある。
第１図はＸ線二結晶法によりウェーハの反り量を測定す
る場合を示す平面図である。これは、単色特性Ｘ線（例
えは、ＣｕＫα１線）１１を適当な単結晶モノクロメー
タ２１に照射してブラッグ反射を起させている。すなわ
ち、特性Ｘ線には通常僅かながら含まれる波長分散の影
響を除去するため、被検査試料ウェーハと同一材料、同
一反射面を含む単結晶からなるモノクロメータ２１に照
射させブラッグ反射を起５こさせると、数秒程度の狭い
角度広がりの半値幅を持つ、平行性の良いＸ線ビーム１
２が得られる。このＸ線ビーム１２を適当な間隔（ｌり
を待って形成さ扛た窓を有するスリット２２を通過せし
めて、間隔ｌだけ隔てた２本の平行Ｘ線ビーム１３を得
る。このＸ線ビーム１３を試料ウェーハ２３に照射しな
がら、試料ウェーハ上で、ウェーハ表面に平行で入射Ｘ
線ビームの方向に垂直なるる回転軸Ｐ、（第１図では紙
面に垂直）の１わりに試料ウェーハ２３を回転させれば
、スリット２２によって形成された２本の狭いＸ線ビー
ム１３が、順次試料ウェーハの反射面（この例ではウェ
ーハ表面を反射面と考える）に於いてブラッグ反射条件
を満足することにより、回転角θに対して２本の反射ビ
ーム１４がカウンター２４によって検出、記録できる。
る場合を示す平面図である。これは、単色特性Ｘ線（例
えは、ＣｕＫα１線）１１を適当な単結晶モノクロメー
タ２１に照射してブラッグ反射を起させている。すなわ
ち、特性Ｘ線には通常僅かながら含まれる波長分散の影
響を除去するため、被検査試料ウェーハと同一材料、同
一反射面を含む単結晶からなるモノクロメータ２１に照
射させブラッグ反射を起５こさせると、数秒程度の狭い
角度広がりの半値幅を持つ、平行性の良いＸ線ビーム１
２が得られる。このＸ線ビーム１２を適当な間隔（ｌり
を待って形成さ扛た窓を有するスリット２２を通過せし
めて、間隔ｌだけ隔てた２本の平行Ｘ線ビーム１３を得
る。このＸ線ビーム１３を試料ウェーハ２３に照射しな
がら、試料ウェーハ上で、ウェーハ表面に平行で入射Ｘ
線ビームの方向に垂直なるる回転軸Ｐ、（第１図では紙
面に垂直）の１わりに試料ウェーハ２３を回転させれば
、スリット２２によって形成された２本の狭いＸ線ビー
ム１３が、順次試料ウェーハの反射面（この例ではウェ
ーハ表面を反射面と考える）に於いてブラッグ反射条件
を満足することにより、回転角θに対して２本の反射ビ
ーム１４がカウンター２４によって検出、記録できる。
この図の例で２本の入射Ｘｉが照射される位置（ブラッ
グ角をθＢとすれば、試料上では間隔ｌ／ｓｉｎθＢと
なる）での試料ウェーハ２３の反り量を角度αとすれば
、２本の反射ビーム１４は角度αだけ離れて検査記録さ
れることに々る。この値から、２位置間でのウェーハの
反りの曲率半径ρは次式により算出できる。
グ角をθＢとすれば、試料上では間隔ｌ／ｓｉｎθＢと
なる）での試料ウェーハ２３の反り量を角度αとすれば
、２本の反射ビーム１４は角度αだけ離れて検査記録さ
れることに々る。この値から、２位置間でのウェーハの
反りの曲率半径ρは次式により算出できる。
ρ−１／ （ｓｉｎｏＢ −ａ）
以上説明した測定方法は、間隔ｌの窓を有するスリット
２２を必要とすること、また試料ウエーノ・２３を回転
軸Ｐのまわりで回転させることが必要で、これらのため
のセツティングに複雑な作業を必要とし、さらに極めて
回転精度の高い（少くとも角度αを充分な精度で測定で
きる）機構を必要とする問題がある。
２２を必要とすること、また試料ウエーノ・２３を回転
軸Ｐのまわりで回転させることが必要で、これらのため
のセツティングに複雑な作業を必要とし、さらに極めて
回転精度の高い（少くとも角度αを充分な精度で測定で
きる）機構を必要とする問題がある。
本発明の目的は、以上のよう々複雑な作業及び高精度の
回転機構を必要とせず、かつ反り量の測定を高精度に行
うことのできる単結晶ウエーノ・反り測定装置を提供す
ることにある。
回転機構を必要とせず、かつ反り量の測定を高精度に行
うことのできる単結晶ウエーノ・反り測定装置を提供す
ることにある。
本発明の単結晶ウェーハ反り測定装置は、単結晶表面に
対して所定角度傾いた複数の傾斜面を有しこれら傾斜面
（Ｃより入射Ｘ線を反則させる単結晶モノクロメータと
、このモノクロメータからの反射Ｘ線を受ける被測定物
の単結晶ウェーハを載置する単結晶ウェーノ・保持部と
、前記単結晶ウェーハからの反射Ｘ線を検出しこの反射
Ｘ線の所定角度ｉＣ対する広がりを検出する角度検出部
とを含み構成される、。
対して所定角度傾いた複数の傾斜面を有しこれら傾斜面
（Ｃより入射Ｘ線を反則させる単結晶モノクロメータと
、このモノクロメータからの反射Ｘ線を受ける被測定物
の単結晶ウェーハを載置する単結晶ウェーノ・保持部と
、前記単結晶ウェーハからの反射Ｘ線を検出しこの反射
Ｘ線の所定角度ｉＣ対する広がりを検出する角度検出部
とを含み構成される、。
本発明においてケよ、入射Ｘ線【領張ｉ…１を含むモノ
クロメータによって反射づせこの反射ビームの中に既に
所定の角度だけ傾いた２本のＸ線ビーム（各ビームの角
度広がりは充分に狭い）を含ませ、この２本のビームを
静止した試料ワエーノ・に照射し、この試料ウェーハか
らの反射ビームの拡がりを測定することによって、試料
ウエーノ・の反り量を測定することを特徴とフる。
クロメータによって反射づせこの反射ビームの中に既に
所定の角度だけ傾いた２本のＸ線ビーム（各ビームの角
度広がりは充分に狭い）を含ませ、この２本のビームを
静止した試料ワエーノ・に照射し、この試料ウェーハか
らの反射ビームの拡がりを測定することによって、試料
ウエーノ・の反り量を測定することを特徴とフる。
以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。
第２図は本発明の詳細な説明する平面図である。
すなわち、Ｘ線光源からの単色特性ＸＰ、１１１は、表
面を鋸歯状に加工され被検査試料ウェーハ・と同一材料
、同一反射面を含む単結晶からなるモノクロメータ２５
に照射さぜる。このモノクロメータ２５の表面は、第３
図（ａ）の側面図に示すように、例えばＳ Ｉ を材料
とするモノクロメータ表面（１００）に対し２て、３５
°１６′ 傾いた（１１１）及び、（１丁Ｔ）ｉｆＩ
が細かいピッチ、例えばＱ、２ｒｎ ｎｌのピッチで鋸
歯状に形成されたものである。このような鋸−状表面全
加工することは、（ノリえば、８１からなるモノクロメ
ータ（こ対しては、表面酸化膜形成工程と、フォトレジ
ストを用いる露光工程とＫ Ｏ）１溶液による異方性エ
ツチング工程とを組合せれば可能であり、しかも結晶学
的な精度で、この例の如く２種類の（１１１１面からな
る波状表面を形成することができる。
面を鋸歯状に加工され被検査試料ウェーハ・と同一材料
、同一反射面を含む単結晶からなるモノクロメータ２５
に照射さぜる。このモノクロメータ２５の表面は、第３
図（ａ）の側面図に示すように、例えばＳ Ｉ を材料
とするモノクロメータ表面（１００）に対し２て、３５
°１６′ 傾いた（１１１）及び、（１丁Ｔ）ｉｆＩ
が細かいピッチ、例えばＱ、２ｒｎ ｎｌのピッチで鋸
歯状に形成されたものである。このような鋸−状表面全
加工することは、（ノリえば、８１からなるモノクロメ
ータ（こ対しては、表面酸化膜形成工程と、フォトレジ
ストを用いる露光工程とＫ Ｏ）１溶液による異方性エ
ツチング工程とを組合せれば可能であり、しかも結晶学
的な精度で、この例の如く２種類の（１１１１面からな
る波状表面を形成することができる。
このような断面形状をもつモノクロメータ２５に、例え
ばＣｒＫα１時性Ｘ線１１を照射セし２めて、４００反
射（ブラッグ角θＢ−５７°２９′）を起こさせる場合
、第３図（ｂ）に示すよう（ｌこ、（１／Ｔｌ）面に対
［７て入射特性Ｘ線１１け入射角β１＝２°４５′。
ばＣｒＫα１時性Ｘ線１１を照射セし２めて、４００反
射（ブラッグ角θＢ−５７°２９′）を起こさせる場合
、第３図（ｂ）に示すよう（ｌこ、（１／Ｔｌ）面に対
［７て入射特性Ｘ線１１け入射角β１＝２°４５′。
（１，１１）面に対しては入射角β２＝１１２°１３′
で入射し、それぞれの面からの反射Ｘ線１５が出力する
。この場合（１１丁）面からの反射Ｘ線をＨｌ、（１１
１）面からの反射Ｘ線をＨ２とする。この反射Ｘ線１５
はそれぞれ反射角１１２°１３′および２゜４５′で反
射される。この場合、反射Ｘ線Ｈ１およびＨ２は、Ｘ線
のシリコンに対する屈折率が１より僅か異なるために、
ブラッグ条件２ｄ４Ｊ、Ｓ Ｉ ｎθＢ＝λ（＝’ ２
．２８９６２Ａ ） の式から算出さ１しる正規の折
理論によれば次式のように表わされる。
で入射し、それぞれの面からの反射Ｘ線１５が出力する
。この場合（１１丁）面からの反射Ｘ線をＨｌ、（１１
１）面からの反射Ｘ線をＨ２とする。この反射Ｘ線１５
はそれぞれ反射角１１２°１３′および２゜４５′で反
射される。この場合、反射Ｘ線Ｈ１およびＨ２は、Ｘ線
のシリコンに対する屈折率が１より僅か異なるために、
ブラッグ条件２ｄ４Ｊ、Ｓ Ｉ ｎθＢ＝λ（＝’ ２
．２８９６２Ａ ） の式から算出さ１しる正規の折
理論によれば次式のように表わされる。
ここでｂはフ１ミ対称因子で
ｖＯは結晶の単位胞についての電子密度に関連する因子
で、シリコンの場合ＣｒＫａ線に対して、ψＯ＝ ３
．４ Ｘ １０−５ となる。したがって△θは、Ｈｌ、Ｈ２に対して次のよ
うになる。
で、シリコンの場合ＣｒＫａ線に対して、ψＯ＝ ３
．４ Ｘ １０−５ となる。したがって△θは、Ｈｌ、Ｈ２に対して次のよ
うになる。
したがって、第３図（ｂ）の実施例のようなモノクロメ
ータを使用した場合には、反射Ｘ＃１５の角度スペクト
ルは第３図（Ｃ）に示したようになる。即ち、モノクロ
メータ２５の表面が波状（鋸歯状）に加工しであるため
に、一つの反射波１５の中には、二つの角度成分Ｈ１と
Ｈ２が含まれ、こｎら二つの成分の角度差は△）ｌ＝７
３．８“ である。
ータを使用した場合には、反射Ｘ＃１５の角度スペクト
ルは第３図（Ｃ）に示したようになる。即ち、モノクロ
メータ２５の表面が波状（鋸歯状）に加工しであるため
に、一つの反射波１５の中には、二つの角度成分Ｈ１と
Ｈ２が含まれ、こｎら二つの成分の角度差は△）ｌ＝７
３．８“ である。
ごのような反射波１５が、第２図に示すように、距離Ｗ
だけ離れた２点で角度αだけ傾くように反っている試料
ウェーハに照射された場合には、α＝△Ｈのときこれら
２点で同時に試料からのブラッグ反射が起きることにな
る。これらの反射ビームは、試料２３の表面にほぼ平行
にかつ充分近い距離に成力・れたフィルム２６上で距離
Ｗ′さＷだけ距てた２点上に記録されるから、この距離
Ｗ′を測定すれば、平均曲率半径Ｐが次式により求めら
れる。
だけ離れた２点で角度αだけ傾くように反っている試料
ウェーハに照射された場合には、α＝△Ｈのときこれら
２点で同時に試料からのブラッグ反射が起きることにな
る。これらの反射ビームは、試料２３の表面にほぼ平行
にかつ充分近い距離に成力・れたフィルム２６上で距離
Ｗ′さＷだけ距てた２点上に記録されるから、この距離
Ｗ′を測定すれば、平均曲率半径Ｐが次式により求めら
れる。
ＰユＷ’／△Ｈ
例えば、Ｗ’＝５Ｑｒｒｍとすればｐ＝ｉ４ｏｍ、ｓる
いは、これら２点間のウェーハの反り量１６μｍが精度
よく測定できる。この測定積度として角度成分Ｈ１また
はＨ２のピーク自身の角度幅から判断して１〜２μｍで
ある。
いは、これら２点間のウェーハの反り量１６μｍが精度
よく測定できる。この測定積度として角度成分Ｈ１また
はＨ２のピーク自身の角度幅から判断して１〜２μｍで
ある。
以上、記述した実施例は、第３図（ａ）に示した形状を
もつモノクロメータ２５を用いた例であるが、この他に
も例えば第４図（ａ）に示すように（１１１）面と０１
１）而のみならず（１００）ｉ１１］も含むように表面
加工を施したモノクロメータ２７を用いれば、（１１１
） 、 （１００） 、 （１ｉｔ）の各面からの
反射Ｘ線Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３（１６）が得られる（第４図
（ｂ））。これら反射Ｘ線１６は、第４図（Ｃ）に示す
ように、それぞれ、７７８３“。
もつモノクロメータ２５を用いた例であるが、この他に
も例えば第４図（ａ）に示すように（１１１）面と０１
１）而のみならず（１００）ｉ１１］も含むように表面
加工を施したモノクロメータ２７を用いれば、（１１１
） 、 （１００） 、 （１ｉｔ）の各面からの
反射Ｘ線Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３（１６）が得られる（第４図
（ｂ））。これら反射Ｘ線１６は、第４図（Ｃ）に示す
ように、それぞれ、７７８３“。
γ６７“、４０３“ のだけ正規のブラッグ角θＢから
ずれた角度位置に現われる。このため第２図で説明した
試料２３からの反射ピークは３本となり、第３図の実施
例に比してより情報蝋が多くなる特徴がある。
ずれた角度位置に現われる。このため第２図で説明した
試料２３からの反射ピークは３本となり、第３図の実施
例に比してより情報蝋が多くなる特徴がある。
以上の実施例では試料としてシリコン（１００）面、４
００反射、非対称反射を与える表面（１１１）。
００反射、非対称反射を与える表面（１１１）。
（ＩＴＴ）面、Ｘ線源としてＣｒＫα１線を例にとって
示したが、このような非対称反射条件を選択できるＸ線
源、試料２表面２灰射面の組合せがあればいずれの場合
もこの発明の実施が可能であることは明らかである。
示したが、このような非対称反射条件を選択できるＸ線
源、試料２表面２灰射面の組合せがあればいずれの場合
もこの発明の実施が可能であることは明らかである。
第１図は従来のＸ線−結晶法により試料ウェーハの反す
獣を測定する構成図、第２図は本発明の詳細な説明する
構成図、第３図（ａ）、第４図（ａ）は第２図のモノク
ロメータ部分の二つの例を示す側面図、第３図（ｂ）、
第４図（ｂ）は各モノクロメータ部の光路の説明図、−
第３１Ｚ（Ｃ）。 第４図（Ｃ）は各モノクロメータ部からの反射スペクト
ル図である。図において １１・゛・・・・入射Ｘ線、１２，１５．１６・・・・
・・モノクロメータからの反射Ｘ線、１３・・・・・・
スリットからのＸ線、１４・・・・・・試料からのＸ線
、２１・・・・・・モノクロメータ、２２・・・・・・
スリット、２３・・・・・・試料ウェーハ、２５．２７
・・・・・・表面加工したモノクロメータ、２６・・・
・フィルム である。 茅１回 察Ｚ問 黛３個 什 ／−／２ Ｈｔθ
８．５′θｔｔｒ６（ネ゛幻 年４−旧
獣を測定する構成図、第２図は本発明の詳細な説明する
構成図、第３図（ａ）、第４図（ａ）は第２図のモノク
ロメータ部分の二つの例を示す側面図、第３図（ｂ）、
第４図（ｂ）は各モノクロメータ部の光路の説明図、−
第３１Ｚ（Ｃ）。 第４図（Ｃ）は各モノクロメータ部からの反射スペクト
ル図である。図において １１・゛・・・・入射Ｘ線、１２，１５．１６・・・・
・・モノクロメータからの反射Ｘ線、１３・・・・・・
スリットからのＸ線、１４・・・・・・試料からのＸ線
、２１・・・・・・モノクロメータ、２２・・・・・・
スリット、２３・・・・・・試料ウェーハ、２５．２７
・・・・・・表面加工したモノクロメータ、２６・・・
・フィルム である。 茅１回 察Ｚ問 黛３個 什 ／−／２ Ｈｔθ
８．５′θｔｔｒ６（ネ゛幻 年４−旧
Claims (1)
- 単結晶表面に対して所定角度傾いた複数の傾斜面を有し
これら傾斜面により入射Ｘ線を反射させる単結晶モノク
ロメータと、このモノクロ−メータからの反射Ｘ線を受
ける被測定物の単結晶ウェーハを載置する単結晶ウェー
ハ保持部と、前記単結晶ウェーハからの反射Ｘ線を検出
しこの反射Ｘ線の所定角度に対する広がりを検出する角
度検出部とを含む単結晶ウェーハ反り測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4744283A JPS59171810A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 単結晶ウエ−ハ反り測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4744283A JPS59171810A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 単結晶ウエ−ハ反り測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171810A true JPS59171810A (ja) | 1984-09-28 |
Family
ID=12775253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4744283A Pending JPS59171810A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 単結晶ウエ−ハ反り測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171810A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100362242B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2002-11-23 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼의 토포그래피 측정방법 |
| CN110595403A (zh) * | 2019-10-15 | 2019-12-20 | 天津津航计算技术研究所 | 大尺寸芯片翘曲度测量方法 |
-
1983
- 1983-03-22 JP JP4744283A patent/JPS59171810A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100362242B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2002-11-23 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼의 토포그래피 측정방법 |
| CN110595403A (zh) * | 2019-10-15 | 2019-12-20 | 天津津航计算技术研究所 | 大尺寸芯片翘曲度测量方法 |
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