JPS59171123A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS59171123A JPS59171123A JP4414383A JP4414383A JPS59171123A JP S59171123 A JPS59171123 A JP S59171123A JP 4414383 A JP4414383 A JP 4414383A JP 4414383 A JP4414383 A JP 4414383A JP S59171123 A JPS59171123 A JP S59171123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vacuum
- chamber
- vacuum processing
- air
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 41
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し賢明の利用分野〕
本発明は、真空処理装置に係り、特にドライエツチング
装置、プラズマ0VD装置、スパッタ装置等に好適な真
空処理装置に関するものである。
装置、プラズマ0VD装置、スパッタ装置等に好適な真
空処理装置に関するものである。
二二数年、半導体の高集積化、パターンの微細(ヒに伴
って、ウェハ処理工程の全般にわたっで自動化が取り上
げられており、個々の製造装置にγイしてはほとんどの
装置が自動化されるにキリ、装置間を含めた製造ライン
の自動化が進められつつある。しかしながらドライエツ
チング装置等の1′(空処理を伴う製造装置の前後では
’II8!造ラインの自セ 動(ヒがむつかしく、力タノト内のウェハを人手を介し
て搬送しでいるのが現状であり、ウェハの清装置との間
のウェハ搬送が容易な真空処理装置を提供することであ
る。
って、ウェハ処理工程の全般にわたっで自動化が取り上
げられており、個々の製造装置にγイしてはほとんどの
装置が自動化されるにキリ、装置間を含めた製造ライン
の自動化が進められつつある。しかしながらドライエツ
チング装置等の1′(空処理を伴う製造装置の前後では
’II8!造ラインの自セ 動(ヒがむつかしく、力タノト内のウェハを人手を介し
て搬送しでいるのが現状であり、ウェハの清装置との間
のウェハ搬送が容易な真空処理装置を提供することであ
る。
し発明の概要〕
本発明のい点は真空予備室内にエアの供給を個別に制御
し、真空保持可能なエアシュータとエアシュータ」−の
ウェハを真空処理室に搬送する搬送装置を設け、大気中
に設置′ηされる別のウェハ処理装置との間の搬送を別
のエアシュータで実施させドライエゾチング等の真空処
理を伴うv造うイノの自動(ヒを容易にしたことである
。
し、真空保持可能なエアシュータとエアシュータ」−の
ウェハを真空処理室に搬送する搬送装置を設け、大気中
に設置′ηされる別のウェハ処理装置との間の搬送を別
のエアシュータで実施させドライエゾチング等の真空処
理を伴うv造うイノの自動(ヒを容易にしたことである
。
本発明の一実施例を第1図〜第3図により説明イ
する。
第1図〜第3図で、1はウェハ、2人はエアシュータ、
3Aはエア供給道、4Aはエア吹き出し[」、5Aは真
空予備室7Aとの間のゲートバルブ。
3Aはエア供給道、4Aはエア吹き出し[」、5Aは真
空予備室7Aとの間のゲートバルブ。
8Aは真空+ (nfi室7A内に設層された第2のエ
アシュータ、9Aは第2のエアシュータの供給口であり
、その一端はゲートバルブ6Aを介しでエア10△1當 シュータ2Aと接続されている。ウェハ搬送装置△ の−=構成要素であるエレベータであり、内部にエアシ
ュータ8Aと連結されるエアシュータ8A’、ウェハな
停止)−さけるための14空チヤツク14、真空チャッ
ク14をノールするためバルブ14’、 金属ベロー1
1A’lこより構成されている。13Aはウェハ1を真
空予備室7Aから真空処理室nに搬送する搬送装4の−
・部を(14成する直進1娩構であり、本実施例では搬
送ア・−ムを取り付けたリニアパルスモータにより構成
しでいる。12Aは真空予備室の排気1]を伯している
。真空処理室n内には下部電極16が設けられており、
電崩上にウェハをロードするためにエレベータ17が金
属ベロー】8と供に設番すられている。21は上部電極
であり、カス導入管21よりプラズマ処理のためのカス
が導入される。19は真空処理室の排気し】、15Aは
ゲートバルブである。
アシュータ、9Aは第2のエアシュータの供給口であり
、その一端はゲートバルブ6Aを介しでエア10△1當 シュータ2Aと接続されている。ウェハ搬送装置△ の−=構成要素であるエレベータであり、内部にエアシ
ュータ8Aと連結されるエアシュータ8A’、ウェハな
停止)−さけるための14空チヤツク14、真空チャッ
ク14をノールするためバルブ14’、 金属ベロー1
1A’lこより構成されている。13Aはウェハ1を真
空予備室7Aから真空処理室nに搬送する搬送装4の−
・部を(14成する直進1娩構であり、本実施例では搬
送ア・−ムを取り付けたリニアパルスモータにより構成
しでいる。12Aは真空予備室の排気1]を伯している
。真空処理室n内には下部電極16が設けられており、
電崩上にウェハをロードするためにエレベータ17が金
属ベロー】8と供に設番すられている。21は上部電極
であり、カス導入管21よりプラズマ処理のためのカス
が導入される。19は真空処理室の排気し】、15Aは
ゲートバルブである。
ウェハをアンロードする側にも同様の真空予44i+室
エアシュータ等が接続されており、それらの装置iqに
ついては符月の後にBをつGすて区別L/ている。
エアシュータ等が接続されており、それらの装置iqに
ついては符月の後にBをつGすて区別L/ている。
エアシュータ2AIこより搬送されたウェハ1はゲート
バルブ5A、6A@開L]させる二とにより真空予備室
7A内(こ搬送され、真空チャック14iこより停止さ
れる。この後ゲートバルブ5A、6Aは閉じられ、真空
チャック14のバルブ14′ も閉じられ真空に引か
れ、ゲートバルブ15Aが開口された時、ウェハ1は工
1/ベータIOAの下降に伴って直進機構13Aのアー
ム上にのせられ、真空処理室ρ内に搬送される。(第1
図は二の時の状態を示している)この後、ウェハ1はエ
レベータ17で押し」−げられた後、直進機構13Aが
後退した後に下降し、電極16上にウェハ1をセットす
る。電極16上にセットされたウェハはゲートバルブ1
5Aが閉められて真空処理された後、上記の逆動作で真
空P備室7Bを経てエアン、−夕2Bにより次の工程に
搬送される。
バルブ5A、6A@開L]させる二とにより真空予備室
7A内(こ搬送され、真空チャック14iこより停止さ
れる。この後ゲートバルブ5A、6Aは閉じられ、真空
チャック14のバルブ14′ も閉じられ真空に引か
れ、ゲートバルブ15Aが開口された時、ウェハ1は工
1/ベータIOAの下降に伴って直進機構13Aのアー
ム上にのせられ、真空処理室ρ内に搬送される。(第1
図は二の時の状態を示している)この後、ウェハ1はエ
レベータ17で押し」−げられた後、直進機構13Aが
後退した後に下降し、電極16上にウェハ1をセットす
る。電極16上にセットされたウェハはゲートバルブ1
5Aが閉められて真空処理された後、上記の逆動作で真
空P備室7Bを経てエアン、−夕2Bにより次の工程に
搬送される。
本実施例のような真空処理装置では、次のような効果が
得られる。
得られる。
(1)真空処理装置と前後工程における大気肉処理装置
との間の製造ラインの自’M+ fヒが容易になる。
との間の製造ラインの自’M+ fヒが容易になる。
(2)製造ラインの自動化が容易になるため、製造ライ
ンでのウェハ管理が良くなると同時に、ウェハ清浄度の
低下を防IEできる。
ンでのウェハ管理が良くなると同時に、ウェハ清浄度の
低下を防IEできる。
本発明は、以上説明したように、真空予備室内、エアの
供給を個別に制御し、真空保持可能なエアシュータとエ
アシュータ上のウェハを真空処理室に搬送する搬送装置
を設けているので、ドライエツチング等の真空処理装置
と前後1稈における大気肉処理装置との間の製造ライン
の自動化が容易となり、それに伴ってウェハ管理が良く
なると同時に、ウェハ清浄度の低下を防止できるという
秀れた効果がある。
供給を個別に制御し、真空保持可能なエアシュータとエ
アシュータ上のウェハを真空処理室に搬送する搬送装置
を設けているので、ドライエツチング等の真空処理装置
と前後1稈における大気肉処理装置との間の製造ライン
の自動化が容易となり、それに伴ってウェハ管理が良く
なると同時に、ウェハ清浄度の低下を防止できるという
秀れた効果がある。
第1図は本発明による真空処理装置ftの一実施例を示
す平面図、第2図は第1図の■−■視図、第3図は第2
図のト]視断面図である。 1・・ ウェハ、2A、2B・・・エアシュータ、η・
−真空処理室、7A、7B ・・ 真空予イ411室、
sA、sB −・・第2のエアシュータ、6A、6B・
・・バルブ、13A 、 13 B・ ウェハ搬送装j
iqの曲進機構、IOA、lOB・・・エレベータ、1
7 ・ 工l/へ−タ
す平面図、第2図は第1図の■−■視図、第3図は第2
図のト]視断面図である。 1・・ ウェハ、2A、2B・・・エアシュータ、η・
−真空処理室、7A、7B ・・ 真空予イ411室、
sA、sB −・・第2のエアシュータ、6A、6B・
・・バルブ、13A 、 13 B・ ウェハ搬送装j
iqの曲進機構、IOA、lOB・・・エレベータ、1
7 ・ 工l/へ−タ
Claims (1)
- 1 ウェハを搬送するエアシュータと、真空処理室と、
l1il記エアシ、−夕と前記真空処理室との間に設け
られたウェハロードロック用の真空予備室と、該真空予
備室内に設けられた第2のエアシュータと、該第2のエ
アシュータのエア供給道をしゃ断するバルブと、前記真
空介備室と前記真空処理室との間でウエノ1を搬送する
ウェハ搬送装置とをイ〕することを特徴とする真空処理
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4414383A JPS59171123A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4414383A JPS59171123A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59171123A true JPS59171123A (ja) | 1984-09-27 |
JPH0329171B2 JPH0329171B2 (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=12683413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4414383A Granted JPS59171123A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59171123A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02295149A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | 基板搬送装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59119846A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Fujitsu Ltd | 真空処理装置 |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP4414383A patent/JPS59171123A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59119846A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Fujitsu Ltd | 真空処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02295149A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | 基板搬送装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0329171B2 (ja) | 1991-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6330755B1 (en) | Vacuum processing and operating method | |
JPH04229633A (ja) | 真空ウェハ搬送処理装置及び方法 | |
WO2004030085A1 (ja) | 被処理体の搬送方法 | |
JPH07335711A (ja) | 減圧・常圧処理装置 | |
JP3320539B2 (ja) | 被処理体の搬入、搬出装置 | |
JP2001118904A5 (ja) | ||
JPS59171123A (ja) | 真空処理装置 | |
JP2772835B2 (ja) | 基板処理装置及び真空処理方法 | |
JPS5831532A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2003017478A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
JP2001239144A (ja) | ロードロック式真空装置 | |
JPH1079412A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH0542507B2 (ja) | ||
JPH0252449A (ja) | 基板のロード・アンロード方法 | |
JPH01135015A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
JP2000091398A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH0237742A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
JP2912318B2 (ja) | 真空処理装置用搬送システム | |
JPH04272643A (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
JPS61168934A (ja) | ウエハハンドリング方法 | |
JPH0598434A (ja) | マルチチヤンバー型スパツタリング装置 | |
JPH01120811A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
JP2002246435A (ja) | 基板処理装置と基板処理方法 | |
JP2000271469A (ja) | 真空処理装置 | |
JP2601369Y2 (ja) | 枚葉式成膜装置における基板搬送装置 |