JPS59171123A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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Publication number
JPS59171123A
JPS59171123A JP4414383A JP4414383A JPS59171123A JP S59171123 A JPS59171123 A JP S59171123A JP 4414383 A JP4414383 A JP 4414383A JP 4414383 A JP4414383 A JP 4414383A JP S59171123 A JPS59171123 A JP S59171123A
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JP
Japan
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wafer
vacuum
chamber
vacuum processing
air
Prior art date
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JP4414383A
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English (en)
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JPH0329171B2 (ja
Inventor
Yutaka Kakehi
掛樋 豊
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS59171123A publication Critical patent/JPS59171123A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し賢明の利用分野〕 本発明は、真空処理装置に係り、特にドライエツチング
装置、プラズマ0VD装置、スパッタ装置等に好適な真
空処理装置に関するものである。
〔tガ来技硼〕
二二数年、半導体の高集積化、パターンの微細(ヒに伴
って、ウェハ処理工程の全般にわたっで自動化が取り上
げられており、個々の製造装置にγイしてはほとんどの
装置が自動化されるにキリ、装置間を含めた製造ライン
の自動化が進められつつある。しかしながらドライエツ
チング装置等の1′(空処理を伴う製造装置の前後では
’II8!造ラインの自セ 動(ヒがむつかしく、力タノト内のウェハを人手を介し
て搬送しでいるのが現状であり、ウェハの清装置との間
のウェハ搬送が容易な真空処理装置を提供することであ
る。
し発明の概要〕 本発明のい点は真空予備室内にエアの供給を個別に制御
し、真空保持可能なエアシュータとエアシュータ」−の
ウェハを真空処理室に搬送する搬送装置を設け、大気中
に設置′ηされる別のウェハ処理装置との間の搬送を別
のエアシュータで実施させドライエゾチング等の真空処
理を伴うv造うイノの自動(ヒを容易にしたことである
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例を第1図〜第3図により説明イ する。
第1図〜第3図で、1はウェハ、2人はエアシュータ、
3Aはエア供給道、4Aはエア吹き出し[」、5Aは真
空予備室7Aとの間のゲートバルブ。
8Aは真空+ (nfi室7A内に設層された第2のエ
アシュータ、9Aは第2のエアシュータの供給口であり
、その一端はゲートバルブ6Aを介しでエア10△1當 シュータ2Aと接続されている。ウェハ搬送装置△ の−=構成要素であるエレベータであり、内部にエアシ
ュータ8Aと連結されるエアシュータ8A’、ウェハな
停止)−さけるための14空チヤツク14、真空チャッ
ク14をノールするためバルブ14’、 金属ベロー1
1A’lこより構成されている。13Aはウェハ1を真
空予備室7Aから真空処理室nに搬送する搬送装4の−
・部を(14成する直進1娩構であり、本実施例では搬
送ア・−ムを取り付けたリニアパルスモータにより構成
しでいる。12Aは真空予備室の排気1]を伯している
。真空処理室n内には下部電極16が設けられており、
電崩上にウェハをロードするためにエレベータ17が金
属ベロー】8と供に設番すられている。21は上部電極
であり、カス導入管21よりプラズマ処理のためのカス
が導入される。19は真空処理室の排気し】、15Aは
ゲートバルブである。
ウェハをアンロードする側にも同様の真空予44i+室
エアシュータ等が接続されており、それらの装置iqに
ついては符月の後にBをつGすて区別L/ている。
エアシュータ2AIこより搬送されたウェハ1はゲート
バルブ5A、6A@開L]させる二とにより真空予備室
7A内(こ搬送され、真空チャック14iこより停止さ
れる。この後ゲートバルブ5A、6Aは閉じられ、真空
チャック14のバルブ14′  も閉じられ真空に引か
れ、ゲートバルブ15Aが開口された時、ウェハ1は工
1/ベータIOAの下降に伴って直進機構13Aのアー
ム上にのせられ、真空処理室ρ内に搬送される。(第1
図は二の時の状態を示している)この後、ウェハ1はエ
レベータ17で押し」−げられた後、直進機構13Aが
後退した後に下降し、電極16上にウェハ1をセットす
る。電極16上にセットされたウェハはゲートバルブ1
5Aが閉められて真空処理された後、上記の逆動作で真
空P備室7Bを経てエアン、−夕2Bにより次の工程に
搬送される。
本実施例のような真空処理装置では、次のような効果が
得られる。
(1)真空処理装置と前後工程における大気肉処理装置
との間の製造ラインの自’M+ fヒが容易になる。
(2)製造ラインの自動化が容易になるため、製造ライ
ンでのウェハ管理が良くなると同時に、ウェハ清浄度の
低下を防IEできる。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、真空予備室内、エアの
供給を個別に制御し、真空保持可能なエアシュータとエ
アシュータ上のウェハを真空処理室に搬送する搬送装置
を設けているので、ドライエツチング等の真空処理装置
と前後1稈における大気肉処理装置との間の製造ライン
の自動化が容易となり、それに伴ってウェハ管理が良く
なると同時に、ウェハ清浄度の低下を防止できるという
秀れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による真空処理装置ftの一実施例を示
す平面図、第2図は第1図の■−■視図、第3図は第2
図のト]視断面図である。 1・・ ウェハ、2A、2B・・・エアシュータ、η・
−真空処理室、7A、7B ・・ 真空予イ411室、
sA、sB −・・第2のエアシュータ、6A、6B・
・・バルブ、13A 、 13 B・ ウェハ搬送装j
iqの曲進機構、IOA、lOB・・・エレベータ、1
7  ・ 工l/へ−タ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ウェハを搬送するエアシュータと、真空処理室と、
    l1il記エアシ、−夕と前記真空処理室との間に設け
    られたウェハロードロック用の真空予備室と、該真空予
    備室内に設けられた第2のエアシュータと、該第2のエ
    アシュータのエア供給道をしゃ断するバルブと、前記真
    空介備室と前記真空処理室との間でウエノ1を搬送する
    ウェハ搬送装置とをイ〕することを特徴とする真空処理
    装置。
JP4414383A 1983-03-18 1983-03-18 真空処理装置 Granted JPS59171123A (ja)

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JP4414383A JPS59171123A (ja) 1983-03-18 1983-03-18 真空処理装置

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JP4414383A JPS59171123A (ja) 1983-03-18 1983-03-18 真空処理装置

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JPS59171123A true JPS59171123A (ja) 1984-09-27
JPH0329171B2 JPH0329171B2 (ja) 1991-04-23

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ID=12683413

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JP4414383A Granted JPS59171123A (ja) 1983-03-18 1983-03-18 真空処理装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02295149A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Fujitsu Ltd 基板搬送装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59119846A (ja) * 1982-12-27 1984-07-11 Fujitsu Ltd 真空処理装置

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59119846A (ja) * 1982-12-27 1984-07-11 Fujitsu Ltd 真空処理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02295149A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Fujitsu Ltd 基板搬送装置

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JPH0329171B2 (ja) 1991-04-23

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