JPS5916972A - 金属およびセラミツク薄膜の製造方法 - Google Patents
金属およびセラミツク薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS5916972A JPS5916972A JP57124832A JP12483282A JPS5916972A JP S5916972 A JPS5916972 A JP S5916972A JP 57124832 A JP57124832 A JP 57124832A JP 12483282 A JP12483282 A JP 12483282A JP S5916972 A JPS5916972 A JP S5916972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- substrate
- thin film
- nitride
- carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属および窒化物、炭化物、酸化物等のセラミ
ック薄膜の製造方法に関する。
ック薄膜の製造方法に関する。
従来金、ノフルミニウム等の展延性のある金属は圧延ロ
ール等により数ミクロンないし数十ミクＬ１ン厚さの薄
膜が製造されている。しかし、クロｌ＼、コバルト、鉄
等の金属やセラミックスは展延性が小さく、圧延法で薄
膜を作ることができず、それら金属、セラミックの薄膜
の製造方法が模索されていた。
ール等により数ミクロンないし数十ミクＬ１ン厚さの薄
膜が製造されている。しかし、クロｌ＼、コバルト、鉄
等の金属やセラミックスは展延性が小さく、圧延法で薄
膜を作ることができず、それら金属、セラミックの薄膜
の製造方法が模索されていた。
本発明は、上記金属やセラミックの薄膜あるいは鱗片状
の薄膜の製造方法を提供するものＣある。
の薄膜の製造方法を提供するものＣある。
本発明の製造方法で冑られる薄膜は、鱗ハ状静片とする
ことにより、メタリック塗料用顔料として使用でき、ま
た薄膜の電気的、磁気的性質あるいは電気光学的性質を
利用しｌこレンザ素子としての利用が期待でさる。
ことにより、メタリック塗料用顔料として使用でき、ま
た薄膜の電気的、磁気的性質あるいは電気光学的性質を
利用しｌこレンザ素子としての利用が期待でさる。
すなわち、本発明の金属およびセラミック薄膜の製造り
法は、金属を減圧雰囲気中に物理的に蒸散させる工程、
蒸散した金属をそのまま、あるいは該金属を該雰囲気中
の窒素、炭素あるいは酸素と反応させるとともに、基板
表面に蒸散した金属あるいはその金属の窒化物、炭化物
、酸化物また（よそれらの混合物の薄膜として析出させ
る工程、該基板を加熱あるいは冷却し該析出物を該基板
表面にり剥離させる工程とよりなることを特徴と規るも
のである。
法は、金属を減圧雰囲気中に物理的に蒸散させる工程、
蒸散した金属をそのまま、あるいは該金属を該雰囲気中
の窒素、炭素あるいは酸素と反応させるとともに、基板
表面に蒸散した金属あるいはその金属の窒化物、炭化物
、酸化物また（よそれらの混合物の薄膜として析出させ
る工程、該基板を加熱あるいは冷却し該析出物を該基板
表面にり剥離させる工程とよりなることを特徴と規るも
のである。
減圧雰囲気中に物理的に金属を蒸散さける工程としては
、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーテング等の
方法で金属を気化ざμるものである。真空蒸着は高温に
加熱された金属の気化を利用づるものである。スパッタ
リングはアルゴン等の高速ガスを衝突さけることにより
金属を飛散さけるしのである。また、イオンプレーテン
グは真空蒸着と同様、気化した金属をプラズマにより活
性化し、雰囲気カスとの反応性を高めた蒸着の一種であ
る。
、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーテング等の
方法で金属を気化ざμるものである。真空蒸着は高温に
加熱された金属の気化を利用づるものである。スパッタ
リングはアルゴン等の高速ガスを衝突さけることにより
金属を飛散さけるしのである。また、イオンプレーテン
グは真空蒸着と同様、気化した金属をプラズマにより活
性化し、雰囲気カスとの反応性を高めた蒸着の一種であ
る。
蒸散した金属を基板表面に薄膜として析出さける工程は
、上記１稈で蒸散した金属の周囲に基板を配置し、基板
表面に蒸散した金属を衝突さけることにより達成される
。
、上記１稈で蒸散した金属の周囲に基板を配置し、基板
表面に蒸散した金属を衝突さけることにより達成される
。
蒸散した金属を雰囲気中の窒素、炭素、酸素と反応さＵ
、窒化物、炭化物、酸化物等のけラミックにづるには、
グロー放電等でプラスム状態とした雰囲気を作り、蒸散
した金属と窒素、炭素等を反応させる。そして基板表面
に蒸散した金属の窒化物、炭化物あるいは窒化物を衝突
させ、薄いフィルム状に析出させる。
、窒化物、炭化物、酸化物等のけラミックにづるには、
グロー放電等でプラスム状態とした雰囲気を作り、蒸散
した金属と窒素、炭素等を反応させる。そして基板表面
に蒸散した金属の窒化物、炭化物あるいは窒化物を衝突
させ、薄いフィルム状に析出させる。
基板としては、耐熱性を有し、真空下でガスを発生せず
、析出物との密着性が小さく、析出物との熱膨張係数の
差が大きいものがよい。具体的には金属Ｐｓ躾に対して
はガラス板、アルミノ−板等の酸化物系セラミック基板
、窒化物、炭化物薄膜にバカラス板、アルミブー板等の
酸化物系セラミック基板、酸化物薄膜には金属基板がよ
い。なｉＪ３、密着性は表面性状で定まる。このため基
板の表面層のみを前記材料で構成してもよい。
、析出物との密着性が小さく、析出物との熱膨張係数の
差が大きいものがよい。具体的には金属Ｐｓ躾に対して
はガラス板、アルミノ−板等の酸化物系セラミック基板
、窒化物、炭化物薄膜にバカラス板、アルミブー板等の
酸化物系セラミック基板、酸化物薄膜には金属基板がよ
い。なｉＪ３、密着性は表面性状で定まる。このため基
板の表面層のみを前記材料で構成してもよい。
金属およびセラミックは、基板を加熱あるいは冷Ｉｉｌ
］ Ｌ、、基板と析出物の熱膨張係数の差による歪を大
きくして、薄膜を基板表面より剥削させる。
］ Ｌ、、基板と析出物の熱膨張係数の差による歪を大
きくして、薄膜を基板表面より剥削させる。
析出物によっては薄膜が厚くなると内部歪等により自然
と剥離する場合もある。しかし基板を加熱あるいは冷Ｉ
Ｉすることにより、より薄い薄膜が得られる。基板を加
熱づる方法としては、基板にヒータを埋設し、基板を加
熱してもよい。また冷却を早めるため基板に冷却水を導
入してもよい。
と剥離する場合もある。しかし基板を加熱あるいは冷Ｉ
Ｉすることにより、より薄い薄膜が得られる。基板を加
熱づる方法としては、基板にヒータを埋設し、基板を加
熱してもよい。また冷却を早めるため基板に冷却水を導
入してもよい。
この方法により厚さ１０μｍ−′−０，３μｍ ＋’１
度の７ＩｖＩＢＩあるいは薄片が臂られる。本発明で得
られる代表的な金属薄膜としては、クロム、鉄、＝１パ
ル１へである。代表的な窒化物薄膜どして（，１窒化チ
タン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウム、窒化タンタ
ルである。代表的な炭化物薄膜としては炭化チタン、炭
化ハフニウム、炭化タンタルである。
度の７ＩｖＩＢＩあるいは薄片が臂られる。本発明で得
られる代表的な金属薄膜としては、クロム、鉄、＝１パ
ル１へである。代表的な窒化物薄膜どして（，１窒化チ
タン、窒化ハフニウム、窒化ジルコニウム、窒化タンタ
ルである。代表的な炭化物薄膜としては炭化チタン、炭
化ハフニウム、炭化タンタルである。
また代表的な酸窒化物簿膜としてチタン酸窒化物、ハフ
ニウム酸窒化物、ジルコ１ニウ１１酸窒化物が挙げられ
る。 本発明の金属Ｊ３よびセラミック薄膜の製造方法
に使用する装置としては、通帛゛の真空蒸着装置、スパ
ッタリング装置、イオンプレーテンク装置を用い、容器
の内壁近くに基板を設【）たものを使用することができ
る。そして基板に埋設したヒータをオン、Ａノあるいは
冷却液を通すことにより基板を加熱、冷却し、基板表面
に析出した薄膜を剥離さゼ、薄膜を容器底に集めること
ができる。本発明の製造方法で得られる薄膜を用いて、
メタリック顔料を作る方法は、薄膜を機械的に粉砕し、
鱗片状の薄片どすることにより達成できる。
ニウム酸窒化物、ジルコ１ニウ１１酸窒化物が挙げられ
る。 本発明の金属Ｊ３よびセラミック薄膜の製造方法
に使用する装置としては、通帛゛の真空蒸着装置、スパ
ッタリング装置、イオンプレーテンク装置を用い、容器
の内壁近くに基板を設【）たものを使用することができ
る。そして基板に埋設したヒータをオン、Ａノあるいは
冷却液を通すことにより基板を加熱、冷却し、基板表面
に析出した薄膜を剥離さゼ、薄膜を容器底に集めること
ができる。本発明の製造方法で得られる薄膜を用いて、
メタリック顔料を作る方法は、薄膜を機械的に粉砕し、
鱗片状の薄片どすることにより達成できる。
以下、実施例により説明する。
実施例１
本実施例では第１図に断面概略を示づ装置を用い、窒化
チタニウムの鱗片状薄膜を製造した。
チタニウムの鱗片状薄膜を製造した。
この装置は、真空容器１、真空容器１内の中央に設けら
れたルツボ２、プローブ電極３、電子ビーム照射装置４
および析出装置５を主な構成要素とづる。真空容器１に
は、真空ポンプ１１１、弁１１２に連結された排気管１
１、流量１１１２１、弁１２２に連結されｌζアルゴン
ガス導入管１２、流■泪１３２、弁１３１に連結された
窒素ガス導入管１３が設りられている。プローブ電極３
は、電源３１と真空容器１内に設けられた電極３２とよ
りなる。電子ビーム照帽装置４はカン４１と偏向走査〕
１イル／Ｉ２よりなる。析出装置５は真空容器の上部に
設りられたガラス板よりなる基板５１と該基板５１を加
熱する加熱装置５２とよりなる。
れたルツボ２、プローブ電極３、電子ビーム照射装置４
および析出装置５を主な構成要素とづる。真空容器１に
は、真空ポンプ１１１、弁１１２に連結された排気管１
１、流量１１１２１、弁１２２に連結されｌζアルゴン
ガス導入管１２、流■泪１３２、弁１３１に連結された
窒素ガス導入管１３が設りられている。プローブ電極３
は、電源３１と真空容器１内に設けられた電極３２とよ
りなる。電子ビーム照帽装置４はカン４１と偏向走査〕
１イル／Ｉ２よりなる。析出装置５は真空容器の上部に
設りられたガラス板よりなる基板５１と該基板５１を加
熱する加熱装置５２とよりなる。
この装置を用い、ルツボ２内に金属チタニウムＴを配置
し、排気管１１に連結された真空ポンプ１１１を作動し
、弁１１２を聞くことにより真空容器１内を１０−４
＋ｎ＋ｎ１−ＩＱ程度まで真空にしｌこ。
し、排気管１１に連結された真空ポンプ１１１を作動し
、弁１１２を聞くことにより真空容器１内を１０−４
＋ｎ＋ｎ１−ＩＱ程度まで真空にしｌこ。
次に、アルゴンカス導入管１２の流量ｇ１１２１を見な
から゛弁１２２の開きを調節しつつアルゴンガスを導入
し、容器１内が１０−’ 〜１０−３ｍｍ１−１９にな
るようにした。その後、プローブ電極３に約１キ］」ボ
ルトの電圧を印加した。また析出装置５の基板５１を加
熱装置５２で約３００℃に加熱した。次に、窒素ガス導
入管１３の弁１３１を開き流ｆｉｉｔ１３２で流量を調
節しながら窒素ガスを導入し、容器１内を１０−２〜１
０−３ｍｍ１１ｇにした。なｄ３、窒素ガスを導入した
ぶんアルゴンガスの導入を減少さけた。そして電子ビー
ム照射装置４により電子ビームガン４１で電子ビームを
発生させ、偏向コイル４２で偏向さμ電子ビームをルツ
ボ２内の金属チタニウム下に照射し、金属チタニウムを
溶解蒸発さけた。そして蒸発した金属チタニウムと窒素
ガスとを反応させ基板５１の表面に窒化チタニウムの薄
い被膜を形成さＵた。析出した薄膜の厚さが約１ミクロ
ンになったとき、基板５１を室温に冷却した。これによ
り薄膜が基板５１表面より剥離し、直径０．５〜５ｍｍ
の黄金色の窒化チタニウム薄片が得られた。
から゛弁１２２の開きを調節しつつアルゴンガスを導入
し、容器１内が１０−’ 〜１０−３ｍｍ１−１９にな
るようにした。その後、プローブ電極３に約１キ］」ボ
ルトの電圧を印加した。また析出装置５の基板５１を加
熱装置５２で約３００℃に加熱した。次に、窒素ガス導
入管１３の弁１３１を開き流ｆｉｉｔ１３２で流量を調
節しながら窒素ガスを導入し、容器１内を１０−２〜１
０−３ｍｍ１１ｇにした。なｄ３、窒素ガスを導入した
ぶんアルゴンガスの導入を減少さけた。そして電子ビー
ム照射装置４により電子ビームガン４１で電子ビームを
発生させ、偏向コイル４２で偏向さμ電子ビームをルツ
ボ２内の金属チタニウム下に照射し、金属チタニウムを
溶解蒸発さけた。そして蒸発した金属チタニウムと窒素
ガスとを反応させ基板５１の表面に窒化チタニウムの薄
い被膜を形成さＵた。析出した薄膜の厚さが約１ミクロ
ンになったとき、基板５１を室温に冷却した。これによ
り薄膜が基板５１表面より剥離し、直径０．５〜５ｍｍ
の黄金色の窒化チタニウム薄片が得られた。
なお、基板５１を２００″Ｃ〜７００℃の間に保持して
その表面に窒化チタニウムＷＩＨ８を析出させた場合に
は、基板５１を室温程度に冷に１することにより、基板
５１表面より薄膜が剥離することが実験的に確かめられ
た。また室温にある基板５１に薄膜を形成した場合には
、基板５１を一４０℃以下に冷却することにより薄膜が
剥離づることが確認された。
その表面に窒化チタニウムＷＩＨ８を析出させた場合に
は、基板５１を室温程度に冷に１することにより、基板
５１表面より薄膜が剥離することが実験的に確かめられ
た。また室温にある基板５１に薄膜を形成した場合には
、基板５１を一４０℃以下に冷却することにより薄膜が
剥離づることが確認された。
これら黄金色の窒化チタニウムをジェットミルて平均径
１０ミクロン〜４０ミクロンに１）砕し、メタリック顔
料を輌製した。この顔料を用い従来のメタリツ６り塗１
３１の鱗片状アルミニウムに代えて使用した。この塗料
によりメタリック光沢をもつ黄金色の塗Ｈ９が１ｑられ
た。
１０ミクロン〜４０ミクロンに１）砕し、メタリック顔
料を輌製した。この顔料を用い従来のメタリツ６り塗１
３１の鱗片状アルミニウムに代えて使用した。この塗料
によりメタリック光沢をもつ黄金色の塗Ｈ９が１ｑられ
た。
実施例１の基板５１のガラス板に代えてアルミナ板を用
いた。アルミナ板もガラス板と同様に基板として利用で
きることが確認された。
いた。アルミナ板もガラス板と同様に基板として利用で
きることが確認された。
実施例２
実施例１で用いたのと同じ装置を用いて酸化コバル１−
系の薄膜を製造した。この実施例では実施例１の金属で
あるチタニウムに代えてコバル１〜を用いた。また窒素
ガスに代えて酸素ガスを用いた。
系の薄膜を製造した。この実施例では実施例１の金属で
あるチタニウムに代えてコバル１〜を用いた。また窒素
ガスに代えて酸素ガスを用いた。
また基板５１として実施例１と同じガラス板を用いガラ
ス板を２．００℃に保って、その表面に酸化コバルトの
ｉｉ［ＩＩＲを形成した。厚さが０．５ミクロンの時に
基板５１を室温に冷却した。これにより直径０．５ｍｍ
〜５ｍｎ＋の青緑色の鱗片状薄片が基板５１表面より剥
離した。
ス板を２．００℃に保って、その表面に酸化コバルトの
ｉｉ［ＩＩＲを形成した。厚さが０．５ミクロンの時に
基板５１を室温に冷却した。これにより直径０．５ｍｍ
〜５ｍｎ＋の青緑色の鱗片状薄片が基板５１表面より剥
離した。
実施例３
本実施例では、第２図に断面概略を示づ直流反応スパッ
タリング法により、窒化チタニウムの鱗片状簿膜をＴＭ
造した。
タリング法により、窒化チタニウムの鱗片状簿膜をＴＭ
造した。
この装置は真空容器１、この容器１内上部に配置された
チタニウム金属板よりなるターゲット６、容器１内の下
部に配置された析出装置５、およびターゲット６と析出
装置５を両電極とづるグロー放電電源７を主な構成要素
とする。真空容器１には真空ポンプ１１１、弁１１２に
連結された排気管１１、アルゴンガスボンベ〈図示せず
）、弁１２１、流量計１２２に連結されたアルゴンガス
導入管１２、窒素ガスボンベ（図示せず）、弁１３１、
流ｍε１に連結された窒素ガス導入管１３が設けられて
いる。
チタニウム金属板よりなるターゲット６、容器１内の下
部に配置された析出装置５、およびターゲット６と析出
装置５を両電極とづるグロー放電電源７を主な構成要素
とする。真空容器１には真空ポンプ１１１、弁１１２に
連結された排気管１１、アルゴンガスボンベ〈図示せず
）、弁１２１、流量計１２２に連結されたアルゴンガス
導入管１２、窒素ガスボンベ（図示せず）、弁１３１、
流ｍε１に連結された窒素ガス導入管１３が設けられて
いる。
析出装置５は金属製の台５３、この台５３土に載置され
たガラス板よりなる基板５１およびヒータ５２とよりな
る。グロー放電電源７は、ターグツ）−６および台５３
に結線され、両者を電極とづる。
たガラス板よりなる基板５１およびヒータ５２とよりな
る。グロー放電電源７は、ターグツ）−６および台５３
に結線され、両者を電極とづる。
この装置では、まず真空ポンプ１１１を作動し弁１１２
で調節して真空容器１内を１０ ”’ ５ ＋ｎｍ１−
１９の真空とした。次に、アルゴンガスを流１ ｆｆｔ
１２２で弁１２１を調節しつつアルゴンカス導入筒に
より真空容器１内に導入し、真空容器１内を１０−２〜
１０−１０−３ｍｍｌ−１！度に保った。そして窒素ガ
ス導入管１３より流ｆｆｉｇｔ１３２で弁１３１を調節
しつつ窒素ガスを真空容器１内に導入した。
で調節して真空容器１内を１０ ”’ ５ ＋ｎｍ１−
１９の真空とした。次に、アルゴンガスを流１ ｆｆｔ
１２２で弁１２１を調節しつつアルゴンカス導入筒に
より真空容器１内に導入し、真空容器１内を１０−２〜
１０−１０−３ｍｍｌ−１！度に保った。そして窒素ガ
ス導入管１３より流ｆｆｉｇｔ１３２で弁１３１を調節
しつつ窒素ガスを真空容器１内に導入した。
この時の真空度はアルゴンガスの供給をへらし１Ｑ−２
〜１０−３ ｍｍ１−１（］とした。その状態てヒータ
５２により基板５１を４５０℃に加熱し、ターゲット６
と台５３の間に電源７より３キロポルｊ〜の電圧を印加
し、ターゲット６と台の間にグ１コー放電を発生さけた
。このようにして基板５１の表面に厚さ約１，５ミクロ
ンの窒化チタニウム薄膜を析出させた。この基板５１を
室温に冷ムＩＩ すると簿膜が剥離し実施例１と若干色
調の異なった黄金色のＲハ状薄膜が剥離した。
〜１０−３ ｍｍ１−１（］とした。その状態てヒータ
５２により基板５１を４５０℃に加熱し、ターゲット６
と台５３の間に電源７より３キロポルｊ〜の電圧を印加
し、ターゲット６と台の間にグ１コー放電を発生さけた
。このようにして基板５１の表面に厚さ約１，５ミクロ
ンの窒化チタニウム薄膜を析出させた。この基板５１を
室温に冷ムＩＩ すると簿膜が剥離し実施例１と若干色
調の異なった黄金色のＲハ状薄膜が剥離した。
実施例４
実施例３の装置を用い、ターゲット６をチタニウム金属
に代えてＰＬＺＴ （チタン酸ジル−，１ン酸ランタン
塩）のホラ１〜プレス焼結体を用いた。また基板５１を
６００℃に加熱し、グロー敢電電圧を３キロボルト、１
３．５６メガヘルツとして、高周波スパッタリングで基
板５１表面に厚さ約０゜５ミクロンのＰＬＺＴ薄膜を析
出させた。そして基板５１を室温に冷却して薄膜を剥蘭
ざけ、１〕シフ王の鱗片状薄膜を得た。
に代えてＰＬＺＴ （チタン酸ジル−，１ン酸ランタン
塩）のホラ１〜プレス焼結体を用いた。また基板５１を
６００℃に加熱し、グロー敢電電圧を３キロボルト、１
３．５６メガヘルツとして、高周波スパッタリングで基
板５１表面に厚さ約０゜５ミクロンのＰＬＺＴ薄膜を析
出させた。そして基板５１を室温に冷却して薄膜を剥蘭
ざけ、１〕シフ王の鱗片状薄膜を得た。
第１図は本発明の第１実施例に用いた装置の概略図、第
２図は本発明の第３実施例に用いた直流反応スパッタリ
ング装置の概略断面図である。 １・・・・・・真空容器 ２・・・・・・ルツボ３
・・・・・・プローブ電極 ４・・・・・・電子ビーム
照射装置５・・・・・・析出装置 ６・・・・・・
ターゲット７・・・・・・グロー放電電極 特許出願人 １へヨタ自動車株式会社代理人 弁理
上 大 川 広
２図は本発明の第３実施例に用いた直流反応スパッタリ
ング装置の概略断面図である。 １・・・・・・真空容器 ２・・・・・・ルツボ３
・・・・・・プローブ電極 ４・・・・・・電子ビーム
照射装置５・・・・・・析出装置 ６・・・・・・
ターゲット７・・・・・・グロー放電電極 特許出願人 １へヨタ自動車株式会社代理人 弁理
上 大 川 広
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）金属を減圧雰囲気中に物理的に蒸散させる工程、 蒸散した金属をそのまま、あるいは該金属を該雰囲気中
の窒素、炭素あるいは酸素と反応させるとともに、基板
表面に蒸散した金属あるいはその金属の窒化物、炭化物
、酸化物またはそれらの混合物の薄膜として析出させる
工程、 該基板を加熱あるいは冷却し該析出物を該基板表面より
剥離さＵる工程とよりなることを特徴とする薄片状の該
金属あるいは該金属の窒化物、炭化物、酸化物またはそ
れらの混合物よりなる金属およびセラミック簿膜の製造
方法。 〈２）金属は真空蒸着により蒸敗さＵる特許請求の範囲
第１項記載の製造方法。 （３）金属はスパッタリングにより蒸散さける特許請求
の範囲第１項記載の製造方法。 （４）金属はイＡンブレーデングにより蒸散さＵ−る特
許請求の範囲第１項記載の製造り法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124832A JPS5916972A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 金属およびセラミツク薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124832A JPS5916972A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 金属およびセラミツク薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916972A true JPS5916972A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14895194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124832A Pending JPS5916972A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | 金属およびセラミツク薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916972A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63123332U (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-11 | ||
| JPH0455428U (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-12 | ||
| US7703194B2 (en) * | 2002-09-11 | 2010-04-27 | International Business Machines Corporation | Method for creating write element having high magnetic moment Co-Fe-O-N film with soft magnetic properties |
| JP2013087297A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属膜の製造方法 |
| JP6416340B1 (ja) * | 2017-07-21 | 2018-10-31 | マシン・テクノロジー株式会社 | 酸化金属薄片製造装置および酸化金属薄片製造方法 |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57124832A patent/JPS5916972A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63123332U (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-11 | ||
| JPH0431151Y2 (ja) * | 1987-02-05 | 1992-07-27 | ||
| JPH0455428U (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-12 | ||
| US7703194B2 (en) * | 2002-09-11 | 2010-04-27 | International Business Machines Corporation | Method for creating write element having high magnetic moment Co-Fe-O-N film with soft magnetic properties |
| JP2013087297A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属膜の製造方法 |
| JP6416340B1 (ja) * | 2017-07-21 | 2018-10-31 | マシン・テクノロジー株式会社 | 酸化金属薄片製造装置および酸化金属薄片製造方法 |
| JP2019019399A (ja) * | 2017-07-21 | 2019-02-07 | マシン・テクノロジー株式会社 | 酸化金属薄片製造装置および酸化金属薄片製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1157806A (en) | Cubic boron nitride preparation | |
| US6702931B2 (en) | Method for manufacturing a cathodic arc coated workpiece | |
| RU2360032C1 (ru) | Способ получения износостойких сверхтвердых покрытий | |
| CN112813399B (zh) | 一种高熵金属玻璃防护涂层及制备方法 | |
| TW201033407A (en) | Thermal spray coatings for semiconductor applications | |
| KR20100017613A (ko) | 미세하게 결정화되고, 밴드화 되지 않은 균일하게 랜덤한 결정학적 배향을 갖는 내화 금속 스퍼터링 타겟, 이러한 막의 제조 방법 및 이로부터 제조된 박막 기반 장치 및 제품 | |
| CN108359927B (zh) | 一种NiCr/Al2O3复合涂层的制备方法 | |
| Ebisawa et al. | Formation of aluminum nitride on aluminum surfaces by ECR nitrogen plasmas | |
| JPH0237426B2 (ja) | ||
| JPS5916972A (ja) | 金属およびセラミツク薄膜の製造方法 | |
| Yumoto et al. | In situ synthesis of titanium-aluminides in coating with supersonic free-jet PVD using Ti and Al nanoparticles | |
| JPH07278800A (ja) | 被膜形成装置及びその被膜形成方法 | |
| Govindarajan et al. | Synthesis of molybdenum disilicide on molybdenum substrates | |
| JPH0356675A (ja) | 超硬合金基体の被覆法および該被覆法によって作製される超硬工具 | |
| JPH09123343A (ja) | 積層体 | |
| JPS6222314A (ja) | 薄膜製造方法 | |
| JPS588640B2 (ja) | スピ−カ−シンドウバンノセイゾウホウ | |
| Fukutomi et al. | Effect of substrate temperature control during deposition on the adherence of ion-plated titanium carbide and vanadium carbide films on molybdenum | |
| Yamada et al. | Influence of substrate materials upon fabrication of aluminum nitride coatings by reactive RF plasma spraying | |
| JPS58133368A (ja) | 硼素皮膜の形成方法 | |
| JPH10183335A (ja) | 酸化マグネシウム薄膜の製造方法およびその製造装置 | |
| JPH03291377A (ja) | 耐摩耗性の極めて優れる被膜を有する鋼板の製造方法 | |
| JPS59224116A (ja) | 非晶質シリコン膜の製造装置 | |
| JPH0445254A (ja) | 溶射複合膜形成方法 | |
| JPH0238558A (ja) | 耐食性の極めて優れた装飾鋼板の製造方法 |