JPS5916965A - 耐熱性メツキ材料の製造方法 - Google Patents
耐熱性メツキ材料の製造方法Info
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- JPS5916965A JPS5916965A JP12621682A JP12621682A JPS5916965A JP S5916965 A JPS5916965 A JP S5916965A JP 12621682 A JP12621682 A JP 12621682A JP 12621682 A JP12621682 A JP 12621682A JP S5916965 A JPS5916965 A JP S5916965A
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- plating
- heat
- metal
- heat treatment
- silver
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C10/00—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
- C23C10/28—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using solids, e.g. powders, pastes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えば銅系材料あるいは鉄系材料の素地金属上
に銀メッキを施してなる半導体用リードフレームの如き
耐熱性メッキ材料の製造方法に関するものである。
に銀メッキを施してなる半導体用リードフレームの如き
耐熱性メッキ材料の製造方法に関するものである。
従来、半導体用リードフレーム、特に銀メツキリードフ
レームにおいては、ダイボンディング、ワイヤボンディ
ング等の加熱実装工程において耐熱性が重大な問題にな
っている。とれには加熱実装工程で巻き込まれる空気中
の酸素が一係し、この酸素がメッキ層間の密着性を著し
く弱める要因となっている。例えば、銅系材料を素地金
属とした半導体用リードクレームにおいては、素地金属
上にまず銅の銀メッキ層への拡散障壁としてニッケルメ
ッキを施し、その土に銀メッキを施すが、釦が酸素を透
過しやすいだめ加熱実装工程で巻き込まれる酸素が銀メ
ッキを透過して下地のニッケルメッキ面を酸化し、銀メ
ッキの密着性を阻害することになる。このだめ、前記銀
−ニツケル間に厚さ０．０３〜０３μ程度の薄い銅スト
ライクメッキにッケルよりも銀に拡散しやすい）を施す
方法が試みられているが、この方法では加熱密着性は改
善されるが、前記銅ストライクメッキにおける銅の銀メ
ッキへの熱拡散浮上により銀メツキ面の機能性（グイボ
ンディング性、ワイヤボンディング性）が損なわれる重
大欠陥があり、ために５μ以上の厚肉銀メッキを行って
いるのが実情である。
レームにおいては、ダイボンディング、ワイヤボンディ
ング等の加熱実装工程において耐熱性が重大な問題にな
っている。とれには加熱実装工程で巻き込まれる空気中
の酸素が一係し、この酸素がメッキ層間の密着性を著し
く弱める要因となっている。例えば、銅系材料を素地金
属とした半導体用リードクレームにおいては、素地金属
上にまず銅の銀メッキ層への拡散障壁としてニッケルメ
ッキを施し、その土に銀メッキを施すが、釦が酸素を透
過しやすいだめ加熱実装工程で巻き込まれる酸素が銀メ
ッキを透過して下地のニッケルメッキ面を酸化し、銀メ
ッキの密着性を阻害することになる。このだめ、前記銀
−ニツケル間に厚さ０．０３〜０３μ程度の薄い銅スト
ライクメッキにッケルよりも銀に拡散しやすい）を施す
方法が試みられているが、この方法では加熱密着性は改
善されるが、前記銅ストライクメッキにおける銅の銀メ
ッキへの熱拡散浮上により銀メツキ面の機能性（グイボ
ンディング性、ワイヤボンディング性）が損なわれる重
大欠陥があり、ために５μ以上の厚肉銀メッキを行って
いるのが実情である。
さらに、別の方法としては特開昭５５−２７４４号公報
あるいは特開昭５５−９１９９５号公報にみられるよう
に銀メッキ後不活性雰囲気で熱処理し、銀−ニノケル間
の拡散接合を図り耐熱性を向上させる方法が提案されて
いる。この方法は非常に効果的であり、上記銅ストライ
クメッキ法のような欠陥は生じないが、高価な不活性ガ
スを大量に使用するため、経済的に引き合わないという
問題がある。
あるいは特開昭５５−９１９９５号公報にみられるよう
に銀メッキ後不活性雰囲気で熱処理し、銀−ニノケル間
の拡散接合を図り耐熱性を向上させる方法が提案されて
いる。この方法は非常に効果的であり、上記銅ストライ
クメッキ法のような欠陥は生じないが、高価な不活性ガ
スを大量に使用するため、経済的に引き合わないという
問題がある。
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、簡
単かつ安価にして耐熱性を向上させることができる耐熱
性メッキ材料の製造方法を提供するととにある。
単かつ安価にして耐熱性を向上させることができる耐熱
性メッキ材料の製造方法を提供するととにある。
本発明の要旨は、メッキ後メッキ面を熱ロールにより急
速加熱し熱処理を行うことにある。
速加熱し熱処理を行うことにある。
次に添付図面を参照して本発明耐熱性メッキ利料の製造
方法の実施例を説明する。
方法の実施例を説明する。
実施例１
第１種りん青銅条Ｑ、５＋Ｘ５０ＴＭｌ巾Ｘ ５００
ｍを連続的にメッキ処理槽を通過させて全面にニッケル
メッキ２μ、その上に銀メッキ０．５ ／Ｚを施しだ。
ｍを連続的にメッキ処理槽を通過させて全面にニッケル
メッキ２μ、その上に銀メッキ０．５ ／Ｚを施しだ。
このメッキ工程の後部に第１図に示す熱ロール３を配置
し、メッキ完了の条２に当接し、熱処理を行った。なお
、第１図において１はメッキ工程、４は巻取機を示す。
し、メッキ完了の条２に当接し、熱処理を行った。なお
、第１図において１はメッキ工程、４は巻取機を示す。
この場合条２の走行スピードは２ｍ／ｍｉｎで、熱ロー
ル３に接触することにより瞬間的に温度が上昇する。熱
ロール３への接触時間は、熱ロールの直径３００欄φ、
接触長さ２０００ｍｍから計算して６秒間であるが、熱
処理時間としては十分であり、ここが本発明の特徴であ
る。
ル３に接触することにより瞬間的に温度が上昇する。熱
ロール３への接触時間は、熱ロールの直径３００欄φ、
接触長さ２０００ｍｍから計算して６秒間であるが、熱
処理時間としては十分であり、ここが本発明の特徴であ
る。
すなわち、炉等における気相伝熱や副射によっては物体
が炉温に到達する迄数分を要するが、熱ロールによる局
部加熱の場合は１０秒以内である。
が炉温に到達する迄数分を要するが、熱ロールによる局
部加熱の場合は１０秒以内である。
熱処理後、長尺のメッキ条２は連続的に巻取機４に巻取
られる。
られる。
表１に本実施例によるメッキ密着性の改善結果を示す。
表 １
備考 ０ 剥れなし
×：剥れあり
表１より、熱ロール温度５００℃以上でニッケルと鋼量
の良好な密着性が得られ、大気中加熱試験によってもニ
ッケルと銀量の剥れを生じないことが確認された。なお
、この場合メツキラインの熱軟化がわずかに起こるが、
短時間加熱なので表１にみられるようにほとんど問題と
ならない範囲である。
の良好な密着性が得られ、大気中加熱試験によってもニ
ッケルと銀量の剥れを生じないことが確認された。なお
、この場合メツキラインの熱軟化がわずかに起こるが、
短時間加熱なので表１にみられるようにほとんど問題と
ならない範囲である。
第２図は熱ロール３の構造を示し、ロール３内に抵抗線
（図示せず）が巻かれており、電気はカーボンブラン５
により供給される。ロールとシャフト間は特殊な耐熱性
合金により接触回転構造となっている。
（図示せず）が巻かれており、電気はカーボンブラン５
により供給される。ロールとシャフト間は特殊な耐熱性
合金により接触回転構造となっている。
実施例２
帯状の４２アロイ条の上に、実施例１と同様の方法でニ
ッケルメッキ２μ、銀メッキ０５μＭｌｊ Ｌ、やはり
熱ロールを工程の最後に配備したメツキラインにより熱
処理を行った。このものの加熱試験結果を表２に示すが
、４２７０イの場合４００℃から密着性が改善されるこ
とが認められる。これは素地金属中の鉄の拡散によるも
のと思われる。
ッケルメッキ２μ、銀メッキ０５μＭｌｊ Ｌ、やはり
熱ロールを工程の最後に配備したメツキラインにより熱
処理を行った。このものの加熱試験結果を表２に示すが
、４２７０イの場合４００℃から密着性が改善されるこ
とが認められる。これは素地金属中の鉄の拡散によるも
のと思われる。
まだ、本実施例によれば熱ロールと同一温度にメッキ利
料が一ト昇しなくとも効果が得られ、熱ロールの温度を
上昇させることにより短時間の熱処理ですみ、表２に示
すようにラインスビ−１２を高くとれることがわかる。
料が一ト昇しなくとも効果が得られ、熱ロールの温度を
上昇させることにより短時間の熱処理ですみ、表２に示
すようにラインスビ−１２を高くとれることがわかる。
表 ２
実施例３
素地金属として脱酸銅の条を用い、その上にニッケルメ
ッキ１μ、銀メツキ０５μ設け、熱ロールにより熱処理
を行って所定のメッキ条を作成した。
ッキ１μ、銀メツキ０５μ設け、熱ロールにより熱処理
を行って所定のメッキ条を作成した。
一方、従来例として同じ脱酸銅条を用い、銅ストライク
メッキ法にもとづき、ニッケルメッキ１μと銀メッキ５
μの間に銅ストライクメッキ０．１μを施し、所定のメ
ッキ条を作成した。
メッキ法にもとづき、ニッケルメッキ１μと銀メッキ５
μの間に銅ストライクメッキ０．１μを施し、所定のメ
ッキ条を作成した。
これらについて夫々加熱試験を行った結果を表表 ３
表３より、従来例としての銅ストライクメッキ法では４
００℃×３分、５００℃×１分加熱により、Ａｇメッキ
面にＣｕの拡散にもとづく黒点が発生するが、実施例で
はそのような異常が認められず、広い温度領域にわ左っ
て安定であることがわかる。
００℃×３分、５００℃×１分加熱により、Ａｇメッキ
面にＣｕの拡散にもとづく黒点が発生するが、実施例で
はそのような異常が認められず、広い温度領域にわ左っ
て安定であることがわかる。
また、表３によれば実施例では銀メッキの厚さを従来例
の１／１０程度にできる大きな利点を有することがわか
る。
の１／１０程度にできる大きな利点を有することがわか
る。
実施例４
第３図に半導体用＋） ｈ＝＝フレームとしての銀ス
トライブメッキ条６製造の場合の本発明の適用例を示す
。ここでは局部加熱ロール７を用いたことに特長がある
。す々わち、局部加熱ロール７はストライプメッキと同
じ幅であり、メッキ材料の軟化を極度にきらう場合には
この方法は有効であり、相別全体を軟化させずに７ツキ
することができる。
トライブメッキ条６製造の場合の本発明の適用例を示す
。ここでは局部加熱ロール７を用いたことに特長がある
。す々わち、局部加熱ロール７はストライプメッキと同
じ幅であり、メッキ材料の軟化を極度にきらう場合には
この方法は有効であり、相別全体を軟化させずに７ツキ
することができる。
実施例５
実施例１の場合について、熱処理ロールをメンギライノ
の別工程で非連続的に用いだが、この場合も同様の効果
が認められた。
の別工程で非連続的に用いだが、この場合も同様の効果
が認められた。
以上のように本発明によれば素地金属上にこれと拡散可
能な異種金属をメッキ後、メッキ面を熱ロールにより急
速加熱し熱処理を行うことから、不活性雰囲気を用いず
に短時間で熱処理を行うことができ、簡単かつ安価にし
て効率的に耐熱性メッキ利料を製造することができる。
能な異種金属をメッキ後、メッキ面を熱ロールにより急
速加熱し熱処理を行うことから、不活性雰囲気を用いず
に短時間で熱処理を行うことができ、簡単かつ安価にし
て効率的に耐熱性メッキ利料を製造することができる。
特に、素地金属上にニッケルメッキおよび銀メッキを施
しだ場合は、上記熱処理により銀メツキ中の酸素透過よ
りもニッケルと銀の拡散の方が早いため、ニッケルと銀
の密着が増し耐熱性が著しく、向上する効果がある。従
来の熱処理方法では昇温時間が遅いだめ本発明のような
顕著な効果は得られない。
しだ場合は、上記熱処理により銀メツキ中の酸素透過よ
りもニッケルと銀の拡散の方が早いため、ニッケルと銀
の密着が増し耐熱性が著しく、向上する効果がある。従
来の熱処理方法では昇温時間が遅いだめ本発明のような
顕著な効果は得られない。
第１図は本発明耐熱性メッキ材料の製造方法の一実施例
説明図、第２図は熱ロールの構造説明図、第３図は本発
明方法の他の実施例説明図である。 １・・メッキ工程、２・・メッキ条、３．７・・熱ロー
ル、４・・巻取機、５・・・カーボンプラン、７・・・
ストライプメッキ条。 第 ｔｌＪＢ ５ 第３ 図 手続補正書味Ｘ） ５７、１１．０２ 昭和 ！７ 年 傷 ｊ！ｌＦ−願第 ／２−ど２／に
号ａ 補正をする者 本 代 理 人〒１００ ６、緬゛正、） ｉ＋ １’（βｆＬｔ’（Ｉ’ｌの
５匁、りΦ、♂ζＺ誦°正、、１１０１さ 寧・１
χ択つ頂り？、 寿イオニ６ｇ （１）言付β縫４（シΦ、悼ｒｉｌ＞ Ｉ這表
１ 備考 Ｏ：剥れなし ×：剥れあり 表１よシ、熱ロール温度５００℃以上でニッケルと銅量
の良好な密着性が得られ、大気中加熱試験によってもニ
ッケルと銀量の剥れを生じないことが確認された。なお
、この場合メッキ材料の熱軟化がわずかに起こるが、短
時間加熱なので表１にみられるようにｔ″１とんど問題
とならない範囲である。 第２図は熱ロール３の構造を示し、ロール３内に抵抗線
（図示せず）が巻かれており、電気はカーゼンブラシ５
によシ供給される。ロールとシャ表 ２ 実施例３ 素地金属として脱酸銅の条を用い、その上にニッケルメ
ッキ１μ、銀メッキ０．５μ設け、熱ロールにより熱処
理を行って所定のメッキ条を作成した。 一方、従来例とし、て同じ脱酸鋼条を用い、銅ストライ
クメッキ法にもとづき、ニッケルメッキ１μと銀メッキ
５μの間に銅ストライクメッキ０、１μを施し、所定の
メッキ条を作成した。 これらについて夫々加熱試験を行った結果を表３に示す
。 表 ３ 表３より、従来例としての銅ストライクメッキ法では４
００℃×３分、５００℃×１分加熱により、Ａｇメッキ
面にＯｕの拡散にもとづく黒点が発生するが、実施例で
はそのような異常が認められず、広い温度領域にわたっ
て安定であることがわかる。
説明図、第２図は熱ロールの構造説明図、第３図は本発
明方法の他の実施例説明図である。 １・・メッキ工程、２・・メッキ条、３．７・・熱ロー
ル、４・・巻取機、５・・・カーボンプラン、７・・・
ストライプメッキ条。 第 ｔｌＪＢ ５ 第３ 図 手続補正書味Ｘ） ５７、１１．０２ 昭和 ！７ 年 傷 ｊ！ｌＦ−願第 ／２−ど２／に
号ａ 補正をする者 本 代 理 人〒１００ ６、緬゛正、） ｉ＋ １’（βｆＬｔ’（Ｉ’ｌの
５匁、りΦ、♂ζＺ誦°正、、１１０１さ 寧・１
χ択つ頂り？、 寿イオニ６ｇ （１）言付β縫４（シΦ、悼ｒｉｌ＞ Ｉ這表
１ 備考 Ｏ：剥れなし ×：剥れあり 表１よシ、熱ロール温度５００℃以上でニッケルと銅量
の良好な密着性が得られ、大気中加熱試験によってもニ
ッケルと銀量の剥れを生じないことが確認された。なお
、この場合メッキ材料の熱軟化がわずかに起こるが、短
時間加熱なので表１にみられるようにｔ″１とんど問題
とならない範囲である。 第２図は熱ロール３の構造を示し、ロール３内に抵抗線
（図示せず）が巻かれており、電気はカーゼンブラシ５
によシ供給される。ロールとシャ表 ２ 実施例３ 素地金属として脱酸銅の条を用い、その上にニッケルメ
ッキ１μ、銀メッキ０．５μ設け、熱ロールにより熱処
理を行って所定のメッキ条を作成した。 一方、従来例とし、て同じ脱酸鋼条を用い、銅ストライ
クメッキ法にもとづき、ニッケルメッキ１μと銀メッキ
５μの間に銅ストライクメッキ０、１μを施し、所定の
メッキ条を作成した。 これらについて夫々加熱試験を行った結果を表３に示す
。 表 ３ 表３より、従来例としての銅ストライクメッキ法では４
００℃×３分、５００℃×１分加熱により、Ａｇメッキ
面にＯｕの拡散にもとづく黒点が発生するが、実施例で
はそのような異常が認められず、広い温度領域にわたっ
て安定であることがわかる。
Claims (3)
- （１） 素地金属上にこれと拡散可能な異種金属をメ
ッキ後、メッキ面を熱ロールにより急速加熱し熱処理を
行うことを％徴とする耐熱性メブキ材料の製造方法。 - （２） 大気中雰囲気で熱処理を行うことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の耐熱性メッキ材料の製造
方法。 - （３） メッキ後、連続工程または別工程で熱処理を
行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
項記載の耐熱性メッキ材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12621682A JPS5916965A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 耐熱性メツキ材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12621682A JPS5916965A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 耐熱性メツキ材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916965A true JPS5916965A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14929603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12621682A Pending JPS5916965A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 耐熱性メツキ材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916965A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04366A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体リードフレーム材料及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12621682A patent/JPS5916965A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04366A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体リードフレーム材料及びその製造方法 |
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