JPS6322402B2 - - Google Patents
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- JPS6322402B2 JPS6322402B2 JP56135888A JP13588881A JPS6322402B2 JP S6322402 B2 JPS6322402 B2 JP S6322402B2 JP 56135888 A JP56135888 A JP 56135888A JP 13588881 A JP13588881 A JP 13588881A JP S6322402 B2 JPS6322402 B2 JP S6322402B2
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- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 claims description 13
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- Power Engineering (AREA)
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Description
本発明は、ダイオード、整流素子等の半導体装
置用リード線、真空管、表示管、電球等のガラス
封着用リード線等として使用されるジユメツト線
に関し、特に表面処理層とその下地の銅層と密着
性を向上したジユメツト線に関するものである。 ジユメツト線は第1図に示す如く、鉄−ニツケ
ル合金芯材1の外周に無酸素銅2を被覆した後、
その表面にガラスとのぬれ、接着に際して有利な
ように、亜酸化銅(Cu2O)からなる酸化皮膜
(表面処理層)3が形成されたものである。 上記の構成ではCu2O皮膜とCu素地との密着強
度が弱いので、Cu層表面に形成したCu2O皮膜
が、リード線の加工工程で剥離することがある。
また、Cu2O皮膜形成のための加熱工程で、Cu層
が著しく軟化するので、Cu層がリード線の加工
工程(特に切断工程)で変形が大きく、ダレが生
じ易い、等の問題点がある。 さらに説明を補足すると、従来Siダイオード用
ジユメツト線は切断後、CP線と溶接されてリー
ド線として用いられているが、最近の面実装の動
向に対処するためのチツプダイオードではジユメ
ツト線をヘツデイング加工し、そのまゝ封着する
方式が用いられ始めている。従つて表面処理層の
密着性が良く、強度なヘツデイング加工をしても
酸化銅の剥離が生じないジユメツト線が必要にな
る。 本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、表
面処理層と銅層との間の密着性を更に向上させ、
ジユメツト線使用時の信頼性を向上させることの
できるジユメツト線を提供するもので、その特徴
は、現在の被覆銅層の材質を無酸素銅から、Zr
を0.05〜0.60重量%含有する銅合金に変えたこと
にある。 本発明において、表面処理層とは、主として亜
酸化銅層からなる層で、硼砂を含まない、あるい
は含んだ層を意味する。 以下、本発明を図面を用いて実施例により説明
する。 〔実施例 1〕 ニツケル42%、残部鉄から成る二元合金の棒に
Zrを0.15%添加した無酸素銅を冷間圧接法やろう
付法などの方法で被覆接着させた棒を、引伸と焼
鈍をくり返して0.5mmφの銅被覆鉄ニツケル合金
線(以下素線と記す)を作製し、第2図に示すよ
うな表面処理層形成装置により表面処理層形成処
理を行つた。先ず素線4を供給機5から送出し、
電気炉またはガスバーナー等の加熱装置6で加熱
して亜酸化銅層を形成し、水槽7中で冷却し、巻
取機8に巻取る。加熱装置6による加熱温度は
800〜1000℃である。 なお比較のためZrを添加しない無酸素銅を用
いた従来のものについても同様の処理を行つた。 この間、本発明のジユメツト線と従来のものと
の相違は、使用する無酸素銅の組成のみで他の点
については全く従来の設備、条件などを適用する
ことができる。 このようにして得られた本発明によるジユメツ
ト線と従来のジユメツト線とのそれぞれの表面処
理層の密着強度を測定した結果は表1に示した通
りである。 表面処理層の密着強度の試験は、ジユメツト線
を各種半径を有する線に巻きつけた時に、表面処
理層の剥離が生じる最大半径を示す方法によつ
た。すなわち、剥離が生じる半径が小さい程、密
着強度が大きいと言うことになる。 表1より、Zrの添加量が多くなる程表面処理
層と下地銅層の密着強度が大きくなることが分
る。
置用リード線、真空管、表示管、電球等のガラス
封着用リード線等として使用されるジユメツト線
に関し、特に表面処理層とその下地の銅層と密着
性を向上したジユメツト線に関するものである。 ジユメツト線は第1図に示す如く、鉄−ニツケ
ル合金芯材1の外周に無酸素銅2を被覆した後、
その表面にガラスとのぬれ、接着に際して有利な
ように、亜酸化銅(Cu2O)からなる酸化皮膜
(表面処理層)3が形成されたものである。 上記の構成ではCu2O皮膜とCu素地との密着強
度が弱いので、Cu層表面に形成したCu2O皮膜
が、リード線の加工工程で剥離することがある。
また、Cu2O皮膜形成のための加熱工程で、Cu層
が著しく軟化するので、Cu層がリード線の加工
工程(特に切断工程)で変形が大きく、ダレが生
じ易い、等の問題点がある。 さらに説明を補足すると、従来Siダイオード用
ジユメツト線は切断後、CP線と溶接されてリー
ド線として用いられているが、最近の面実装の動
向に対処するためのチツプダイオードではジユメ
ツト線をヘツデイング加工し、そのまゝ封着する
方式が用いられ始めている。従つて表面処理層の
密着性が良く、強度なヘツデイング加工をしても
酸化銅の剥離が生じないジユメツト線が必要にな
る。 本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、表
面処理層と銅層との間の密着性を更に向上させ、
ジユメツト線使用時の信頼性を向上させることの
できるジユメツト線を提供するもので、その特徴
は、現在の被覆銅層の材質を無酸素銅から、Zr
を0.05〜0.60重量%含有する銅合金に変えたこと
にある。 本発明において、表面処理層とは、主として亜
酸化銅層からなる層で、硼砂を含まない、あるい
は含んだ層を意味する。 以下、本発明を図面を用いて実施例により説明
する。 〔実施例 1〕 ニツケル42%、残部鉄から成る二元合金の棒に
Zrを0.15%添加した無酸素銅を冷間圧接法やろう
付法などの方法で被覆接着させた棒を、引伸と焼
鈍をくり返して0.5mmφの銅被覆鉄ニツケル合金
線(以下素線と記す)を作製し、第2図に示すよ
うな表面処理層形成装置により表面処理層形成処
理を行つた。先ず素線4を供給機5から送出し、
電気炉またはガスバーナー等の加熱装置6で加熱
して亜酸化銅層を形成し、水槽7中で冷却し、巻
取機8に巻取る。加熱装置6による加熱温度は
800〜1000℃である。 なお比較のためZrを添加しない無酸素銅を用
いた従来のものについても同様の処理を行つた。 この間、本発明のジユメツト線と従来のものと
の相違は、使用する無酸素銅の組成のみで他の点
については全く従来の設備、条件などを適用する
ことができる。 このようにして得られた本発明によるジユメツ
ト線と従来のジユメツト線とのそれぞれの表面処
理層の密着強度を測定した結果は表1に示した通
りである。 表面処理層の密着強度の試験は、ジユメツト線
を各種半径を有する線に巻きつけた時に、表面処
理層の剥離が生じる最大半径を示す方法によつ
た。すなわち、剥離が生じる半径が小さい程、密
着強度が大きいと言うことになる。 表1より、Zrの添加量が多くなる程表面処理
層と下地銅層の密着強度が大きくなることが分
る。
【表】
【表】
本発明において、Zrの添加量を0.05〜0.60%に
規定したのは、0.05%未満では、本発明の表面処
理層(Cu2O皮膜)の密着性向上の効果が得られ
ず、Cu層の耐熱強度上昇も認められず、また0.60
%を越えると、Zrの均一含有が難しく、Zr−Cu
合金の製造が困難となり、導電性も低下するから
である。 本発明に係るジユメツト線の効果は (1) 結晶粒界部に選択生成するZrO2による
keying effectによる密着性向上で、Cu2O皮膜
とCu素地間の密着性が向上する。 (2) ジユメツト線の表面処理(加熱酸化)工程で
のCu層の軟化が抑止できるので、ジユメツト
線の加工工程でCu層の変形(切断部のダレ)
が小さくなる。 等である。
規定したのは、0.05%未満では、本発明の表面処
理層(Cu2O皮膜)の密着性向上の効果が得られ
ず、Cu層の耐熱強度上昇も認められず、また0.60
%を越えると、Zrの均一含有が難しく、Zr−Cu
合金の製造が困難となり、導電性も低下するから
である。 本発明に係るジユメツト線の効果は (1) 結晶粒界部に選択生成するZrO2による
keying effectによる密着性向上で、Cu2O皮膜
とCu素地間の密着性が向上する。 (2) ジユメツト線の表面処理(加熱酸化)工程で
のCu層の軟化が抑止できるので、ジユメツト
線の加工工程でCu層の変形(切断部のダレ)
が小さくなる。 等である。
第1図はジユメツト線の構造を示す断面図、第
2図はジユメツト線の製造において表面処理層を
形成する装置の一例を示す図である。 1…ニツケルと鉄の二元合金、2…銅層、3…
表面処理層、4…銅被覆鉄ニツケル合金線(素
線)、5…供給機、6…加熱装置、7…水槽、8
…巻取機。
2図はジユメツト線の製造において表面処理層を
形成する装置の一例を示す図である。 1…ニツケルと鉄の二元合金、2…銅層、3…
表面処理層、4…銅被覆鉄ニツケル合金線(素
線)、5…供給機、6…加熱装置、7…水槽、8
…巻取機。
Claims (1)
- 1 銅被覆鉄ニツケル合金線の表面に表面処理層
を形成して成るジユメツト線において、被覆銅層
の材質がZr0.05〜0.60重量%を含有する銅合金よ
り成ることを特徴とするジユメツト線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56135888A JPS5838406A (ja) | 1981-08-29 | 1981-08-29 | ジユメツト線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56135888A JPS5838406A (ja) | 1981-08-29 | 1981-08-29 | ジユメツト線 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5838406A JPS5838406A (ja) | 1983-03-05 |
JPS6322402B2 true JPS6322402B2 (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=15162133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56135888A Granted JPS5838406A (ja) | 1981-08-29 | 1981-08-29 | ジユメツト線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5838406A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54142124A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Dumet wire |
JPS559435A (en) * | 1978-07-07 | 1980-01-23 | Toshiba Corp | Composite wire |
-
1981
- 1981-08-29 JP JP56135888A patent/JPS5838406A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54142124A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Dumet wire |
JPS559435A (en) * | 1978-07-07 | 1980-01-23 | Toshiba Corp | Composite wire |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5838406A (ja) | 1983-03-05 |
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