JPS59169134A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPS59169134A JPS59169134A JP58042254A JP4225483A JPS59169134A JP S59169134 A JPS59169134 A JP S59169134A JP 58042254 A JP58042254 A JP 58042254A JP 4225483 A JP4225483 A JP 4225483A JP S59169134 A JPS59169134 A JP S59169134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gap
- differential pressure
- signals
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
- G03F9/7057—Gas flow, e.g. for focusing, leveling or gap setting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Variable Magnification In Projection-Type Copying Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体の製造時に用いる縮小投影露光装置に
関するものである。
関するものである。
半導体の製造時に用いる縮小投影露光装置においては、
そのフオ〜カス機構として光を利用したものと空気やＮ
２ガスなどの気体を利用したエアマイクロ方式のものが
知られている。エアマイクロ方式フォーカス機構は制御
精度も高く、フェノ・下地の反射等による影響を受けな
い点で光方式に比べて有利である。
そのフオ〜カス機構として光を利用したものと空気やＮ
２ガスなどの気体を利用したエアマイクロ方式のものが
知られている。エアマイクロ方式フォーカス機構は制御
精度も高く、フェノ・下地の反射等による影響を受けな
い点で光方式に比べて有利である。
しかし、従来におけるエアマイクロ方式フォーカス機構
は、第１図または第２図に示すようにギャップ検出器を
１つしか持たないため、ウェハ面トレンスとの距離を計
測するために広い範囲のウェハ面を必要とし、ウェハ周
辺でのギャップ検出を正確に実施し得ないという欠点が
あった。すなわち、第１図のフォーカス機構にお贋てギ
ャップ検出器は、縮小レンズ１の下部に設けられ、一定
圧力Ｐｓをウェハ２の表面に吹きつけるエアマイクロフ
ランジ３と、このエアマイクロフランジ３の背圧ＰＲと
一定圧Ｐｓをニードルバルブ４によって大気に開放する
ことにより得た基準圧ＰＲとの差圧信号を出力する差圧
変換器５と、差圧変換器５の出力信号を増幅してフォー
カス機構駆動モータ６にステージ７のＺ方向の位置を移
動させるアンプ８とによって構成されている。また、第
２図のフォーカス機構においては２つの吹出し穴を持つ
エアマイクロフランジ３′と、第１図と同様の差圧変換
器５および増幅器８とによって構成されている。
は、第１図または第２図に示すようにギャップ検出器を
１つしか持たないため、ウェハ面トレンスとの距離を計
測するために広い範囲のウェハ面を必要とし、ウェハ周
辺でのギャップ検出を正確に実施し得ないという欠点が
あった。すなわち、第１図のフォーカス機構にお贋てギ
ャップ検出器は、縮小レンズ１の下部に設けられ、一定
圧力Ｐｓをウェハ２の表面に吹きつけるエアマイクロフ
ランジ３と、このエアマイクロフランジ３の背圧ＰＲと
一定圧Ｐｓをニードルバルブ４によって大気に開放する
ことにより得た基準圧ＰＲとの差圧信号を出力する差圧
変換器５と、差圧変換器５の出力信号を増幅してフォー
カス機構駆動モータ６にステージ７のＺ方向の位置を移
動させるアンプ８とによって構成されている。また、第
２図のフォーカス機構においては２つの吹出し穴を持つ
エアマイクロフランジ３′と、第１図と同様の差圧変換
器５および増幅器８とによって構成されている。
このように従来のフォーカス機構においては露光光軸の
周囲に１つのギャップ検出器しか持たないため、ウェハ
面と縮小レンズ間の距Ｍｅ計測するために広い範囲のウ
ェハ面が必要となり、ウェハ周辺部での正確なギャップ
検出が困難であるという欠点がある。
周囲に１つのギャップ検出器しか持たないため、ウェハ
面と縮小レンズ間の距Ｍｅ計測するために広い範囲のウ
ェハ面が必要となり、ウェハ周辺部での正確なギャップ
検出が困難であるという欠点がある。
本発明の目的は、ウェハ周辺部でも正確なギャップ検出
を行うととができる縮小投影露光装置を提供することに
ある。
を行うととができる縮小投影露光装置を提供することに
ある。
本発明は、露光光軸の周辺に腹数個の独立したギヤツブ
検出器金膜け、ウエノ・周辺部では最適な位置にある特
定のギャップ検出器全選択してギャップ検出を行うよう
にしたものである。
検出器金膜け、ウエノ・周辺部では最適な位置にある特
定のギャップ検出器全選択してギャップ検出を行うよう
にしたものである。
第３図は本発明を適用した露光装置の全体構成を示す概
略図である。同図において、水銀ランプ等を用いた照明
系１０から発した光はコンデンサレンズ１１および転写
用の原画１２を通シ、さらに縮小レンズ１３を経てステ
ージ１４の上に真空吸着されたウエノ・１５の表面に照
射される。なお、ステージ１４のＸ、Ｙ方向の位置はレ
ーザ測長器１６により計測されてモータＩＯＸ、ＩＯＹ
によって正確な位置に設定される。また、縮小レンズ１
３とウェハ１５の表面との距離は、縮小レンズ１３の下
部に設けられた複数のギャップ検出器１６Ａ〜１６Ｄに
よって検出される。
略図である。同図において、水銀ランプ等を用いた照明
系１０から発した光はコンデンサレンズ１１および転写
用の原画１２を通シ、さらに縮小レンズ１３を経てステ
ージ１４の上に真空吸着されたウエノ・１５の表面に照
射される。なお、ステージ１４のＸ、Ｙ方向の位置はレ
ーザ測長器１６により計測されてモータＩＯＸ、ＩＯＹ
によって正確な位置に設定される。また、縮小レンズ１
３とウェハ１５の表面との距離は、縮小レンズ１３の下
部に設けられた複数のギャップ検出器１６Ａ〜１６Ｄに
よって検出される。
第４図は、複数のギャップ検出器１６Ａ〜１６Ｄの詳細
を示す図であって、エアマイクロフランジ１７の下部に
は第５図に示すように光軸の周囲に４つの吹出し穴１７
Ａ〜１７Ｄが設けである。そして、これらの各吹出し穴
１７Ａ〜１７Ｄにはそれぞれ独立して一定圧ＰＩＩの気
体が供給され、ウェハ１５の表面に吹きつけるようにな
っている。
を示す図であって、エアマイクロフランジ１７の下部に
は第５図に示すように光軸の周囲に４つの吹出し穴１７
Ａ〜１７Ｄが設けである。そして、これらの各吹出し穴
１７Ａ〜１７Ｄにはそれぞれ独立して一定圧ＰＩＩの気
体が供給され、ウェハ１５の表面に吹きつけるようにな
っている。
そしてその背圧Ｐ１はそれぞれ対応した差圧変換器１８
Ａ〜１８ＤＫ入力され、一定圧Ｐｇを減圧して作った基
準圧Ｐａとの差に応じた差圧信号ａ〜ｄを独立して取り
出すように構成されている。
Ａ〜１８ＤＫ入力され、一定圧Ｐｇを減圧して作った基
準圧Ｐａとの差に応じた差圧信号ａ〜ｄを独立して取り
出すように構成されている。
なお、第４図においては４つの差圧変換器１８Ａ〜１８
Ｄのうち１８Ａと１８Ｃのみを図示している。
Ｄのうち１８Ａと１８Ｃのみを図示している。
４つの差圧変換器１８Ａ〜１８Ｄから取り出された差圧
信号ａ−ｄは、同一のギャップ値に対して同一レベルの
信号とするための出力調整回路１９Ａ〜１９Ｄを介して
センナ選択回路２ｏに供給される。
信号ａ−ｄは、同一のギャップ値に対して同一レベルの
信号とするための出力調整回路１９Ａ〜１９Ｄを介して
センナ選択回路２ｏに供給される。
センサ選択回路２０は、ウェハ周辺部でのギャップを検
出するのに最適な差圧信号ａ −、−ｄを選択するもの
で、選択のために座標変換回路２１からＸ、Ｙ方向の座
標信号が供給される。この場合、座標信号はレーザ測長
器１６で得たＸ、Ｙ方向の位置信号を基に作られる。
出するのに最適な差圧信号ａ −、−ｄを選択するもの
で、選択のために座標変換回路２１からＸ、Ｙ方向の座
標信号が供給される。この場合、座標信号はレーザ測長
器１６で得たＸ、Ｙ方向の位置信号を基に作られる。
センサ選択回路２０は、ウェハ中心部でのギャップを検
出するときは差圧信号ａ〜ｄの全てを出力して平均化回
路２２に供給する。平均化回路２２は入力信号の平均化
信号をアンプ２３を経てフォーカス機構駆動モータ２４
に供給するもので、例えば第６図に示すような状態でウ
ェハ周辺部でのギャップを検出する場合は差圧信号ａ−
ｄのうちｄおよびＣの平均化信号を出力し、ウェハ中心
部でのギャップを検出する場合は差圧信号ａ ％ ｄの
平均化信号を出力する。
出するときは差圧信号ａ〜ｄの全てを出力して平均化回
路２２に供給する。平均化回路２２は入力信号の平均化
信号をアンプ２３を経てフォーカス機構駆動モータ２４
に供給するもので、例えば第６図に示すような状態でウ
ェハ周辺部でのギャップを検出する場合は差圧信号ａ−
ｄのうちｄおよびＣの平均化信号を出力し、ウェハ中心
部でのギャップを検出する場合は差圧信号ａ ％ ｄの
平均化信号を出力する。
従って、このように露光光軸の周囲に４個のギャップ検
出器１６Ａ〜１６Ｄを配置することにょシ、ウェハ周辺
部では検出に最適なギャップ検出器の出力信号と選択し
てギャップを正確に検出することができ、ウェハ中心部
も含めてウェハ全面におけるフォーカスを正確に調整す
ることが可能となる。
出器１６Ａ〜１６Ｄを配置することにょシ、ウェハ周辺
部では検出に最適なギャップ検出器の出力信号と選択し
てギャップを正確に検出することができ、ウェハ中心部
も含めてウェハ全面におけるフォーカスを正確に調整す
ることが可能となる。
なお、実施例においては４つのギャップ検出器を東西南
北に配置したが、設置数お上び設置位置はこれに限定さ
れるものではない。
北に配置したが、設置数お上び設置位置はこれに限定さ
れるものではない。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、ウェハ
中心部のみでなくウェハ周辺部においてもウェハ面と縮
小レンズ間のギャップを正確に検出することができる。
中心部のみでなくウェハ周辺部においてもウェハ面と縮
小レンズ間のギャップを正確に検出することができる。
この結果、ウェハ面の露光領域をさらに拡大できるとい
う効果も得ることができる。
う効果も得ることができる。
第１図および第２図は従来のフォーカス機構の一例を示
す図、第３図は本発明を適用した露光装置の全体構成ケ
示す概略図、第４図はフォーカス根病の詳細を示す図、
第５図は第４図におけるＡ矢視図、第６図はウェハと吹
出し穴との位置関係の一例を示す図であろう １．１３・・・縮小レンズ、２．１５・・・ウェハ、３
゜１７・・・エアマイクロ７ランジ、１４・・・ステー
ジ、１６Ａ〜１６Ｄ・・・ギャップ検出器、１８Ａ〜１
８Ｄ・・・差圧変換器、２０・・・センサ選択回路、２
１・・・座標変換回路、２２・・・平均化回路、２４・
・・フォーカス機構駆動モータ。 筋３図 ／６Ａ〜／６０ 第４−口
す図、第３図は本発明を適用した露光装置の全体構成ケ
示す概略図、第４図はフォーカス根病の詳細を示す図、
第５図は第４図におけるＡ矢視図、第６図はウェハと吹
出し穴との位置関係の一例を示す図であろう １．１３・・・縮小レンズ、２．１５・・・ウェハ、３
゜１７・・・エアマイクロ７ランジ、１４・・・ステー
ジ、１６Ａ〜１６Ｄ・・・ギャップ検出器、１８Ａ〜１
８Ｄ・・・差圧変換器、２０・・・センサ選択回路、２
１・・・座標変換回路、２２・・・平均化回路、２４・
・・フォーカス機構駆動モータ。 筋３図 ／６Ａ〜／６０ 第４−口
Claims (1)
- １、 エアマイクロ方式フォーカス機構を有する半導体
製造用縮小投影露光装置において、露光光軸の周囲に複
数個のギャップ検出器を設けたことを特徴とする縮小投
影露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042254A JPS59169134A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 縮小投影露光装置 |
| US06/671,218 US4615614A (en) | 1983-03-16 | 1984-03-16 | Optical exposure apparatus |
| PCT/JP1984/000107 WO1987002178A1 (en) | 1983-03-16 | 1984-03-16 | Optical exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042254A JPS59169134A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 縮小投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169134A true JPS59169134A (ja) | 1984-09-25 |
| JPS6364051B2 JPS6364051B2 (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=12630884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042254A Granted JPS59169134A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4615614A (ja) |
| JP (1) | JPS59169134A (ja) |
| WO (1) | WO1987002178A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6346434A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Canon Inc | 自動焦点合せ方法 |
| US5163312A (en) * | 1991-05-31 | 1992-11-17 | Texas Instruments Incorporated | Wafer proximity sensor |
| US5224374A (en) * | 1991-05-31 | 1993-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Wafer proximity sensor |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4714331A (en) * | 1985-03-25 | 1987-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for automatic focusing |
| US5114223A (en) * | 1985-07-15 | 1992-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
| JPS63220521A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Canon Inc | 焦点合せ装置 |
| US5087927A (en) * | 1990-01-31 | 1992-02-11 | Ateo Corporation | On-axis air gage focus system |
| KR100727847B1 (ko) | 2005-09-07 | 2007-06-14 | 세메스 주식회사 | 기판 가장자리 노광 장치 |
| KR100727848B1 (ko) | 2005-09-27 | 2007-06-14 | 세메스 주식회사 | 기판 가장자리 노광 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2330030A1 (fr) * | 1975-10-31 | 1977-05-27 | Thomson Csf | Nouvel appareil photorepeteur de masques de haute precision |
| JPS52143775A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Hitachi Ltd | Reduction projecting and printing method and reduction projecting and printing apparatus used in this method |
| FR2371716A1 (fr) * | 1976-11-19 | 1978-06-16 | Thomson Csf | Appareil photorepeteur de masques |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58042254A patent/JPS59169134A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-16 WO PCT/JP1984/000107 patent/WO1987002178A1/ja unknown
- 1984-03-16 US US06/671,218 patent/US4615614A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6346434A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Canon Inc | 自動焦点合せ方法 |
| US5163312A (en) * | 1991-05-31 | 1992-11-17 | Texas Instruments Incorporated | Wafer proximity sensor |
| US5224374A (en) * | 1991-05-31 | 1993-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Wafer proximity sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4615614A (en) | 1986-10-07 |
| JPS6364051B2 (ja) | 1988-12-09 |
| WO1987002178A1 (en) | 1987-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH043008A (ja) | 投影露光方法およびその装置 | |
| JPS59169134A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP3446287B2 (ja) | 縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法 | |
| JP3346032B2 (ja) | パターン検査装置及び方法 | |
| JPH0732109B2 (ja) | 光露光方法 | |
| JPS5983165A (ja) | 照明光源装置 | |
| JPH04208515A (ja) | 電子線描画装置及び方法、及びその試料面高さ測定装置 | |
| JPH08162397A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS587823A (ja) | アライメント方法およびその装置 | |
| US5400386A (en) | Angle detecting device and optical apparatus, such as exposure apparatus, employing the same | |
| JPH0722101B2 (ja) | 投影型露光装置用遮風装置 | |
| JPH02157844A (ja) | 露光条件測定用マスク並びに該マスクを用いた露光条件測定方法及び装置 | |
| JP2525237B2 (ja) | 相対位置検出装置 | |
| JPS587136A (ja) | 投影式露光方法およびその装置 | |
| US20040027553A1 (en) | Method for the characterization of an illumination source in an exposure apparatus | |
| JP2005322748A (ja) | 重ね合わせ誤差測定方法、重ね合わせ誤差測定装置、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS6252929A (ja) | 照明光学装置 | |
| JPH0424913A (ja) | 自動位置ずれ管理装置 | |
| JPH0418454B2 (ja) | ||
| JPS60180118A (ja) | 回折格子による位置合せ装置 | |
| KR0161439B1 (ko) | 노광장치의 렌즈 왜곡 측정장치 | |
| JPS5913324A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPH04196042A (ja) | 反射電子検出装置 | |
| JPS61143760A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPS6169132A (ja) | 露光装置 |