JPS59161885A - ホ−ル素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は化合物半導体材料を用いたホール素子に関する
。

（ロ）従来技術 ホール素子は第１図に示す如（、十字形状の半導体薄膜
（１）の入力端子間に電流を流しておき、この薄膜（１
）の面に垂直な方向に磁界を作用させると、出力端子に
磁束密度に応じた電圧が発生するものであり、磁気の検
出や測定に利用される。

従来ホール素子は第２図の如く、ガラス等の絶縁基板（
２）上にインジウム・アンテモナイド（Ｉｎｓｂ）の様
な化合物半導体層（３）を蒸着し、第１図の様に十字形
状にエツチングし、化合物半導体層（３）の端部に一部
を重畳して金蒸着による電極（４）を設け、この電極（
４）に金属細線をボンディングして形成していた。

斯上したホール素子では電極（４）の金がインジウム・
アンチモナイドと３００〜３５０Ｃで反応し、化合物半
導体層（３）に金が入りこみホール素子の特性が劣化す
る欠点があった。

そこでこれを改良するために第３図に示す如く、化合物
半導体層（３）と電極（４）の間にニラゲル、チタン、
白金、モリブデン等の高融点金属層（５）をはさむ構造
が考えられた。しかしながら高融点金属層（５）は約１
５００Ａ以下では金とのセパレーションとして働かず、
逆に厚く付けると高融点金属層（５）と化合物半導体層
（３）および基板（２）との接着性が悪くなり、十分な
解決策となっていなかった。

（ハ）発明の目的 本発明は斯上した従来の欠点に鑑みてなされ、従来の欠
点を完全に除去するホール素子を提供するものである。

特にボンデ會ングに適した電極を有するホール素子を実
現するものである。

に）発明の構成 本発明に依れば、第４図の如く基板ａＤ上に化合物半導
体層ａ２を設け、該層（１３に一部を重畳し基板ａυ上
に延在される高融点金属より成る取出電極αＪと基板Ｕ
υ上の取出電極（１３１上に設けた電極パッドＱ４）と
、電極パッド０４）Ｋボンディングされた金属細線ａ９
より構成されている。

（ホ）実施例 本発明に依るホール素子は第４図の如く、０．２頭厚の
シリコン単結晶基板を鏡面加工した主面に熱酸化膜を形
成した絶縁基板ａ刀を用い、この基板ａυの熱酸化膜上
にインジウム・アンチモナイド（ＩｎＳｂ）Ｄａを１ｐ
ｍ８度蒸着し、約５００Ｃで熱処理して結晶化する。然
る後ホトエツチングにより第１図に示す十字形状にエツ
チングして、化合物半導体層住４の端部にその一部を重
畳し基板αυ上に延在される高融点金属にッケル、チタ
ン、白金、モリブデン等）を蒸着して取出電極ａ３を形
成する。取出電極０阻まその接着性を十分に確保できる
様に約１０００Ａｏ以下の厚みが望ましく、具体的には
約５０　ＯＡ＋５００ＡのＴｉ十Ｎｉを蒸着して形成し
た。取出電極（１３１上には金を蒸着して電極パッド（
１４）を形成する。電極パッド０供ま基板αυ上の取出
電極０り上に重畳して形成され、化合物半導体層（１２
＋とは完全に離間される。このため金は化合物半導体層
住２とは反応せず、特性の安定化に寄与する。更に電極
パッド側には金等の金属細線α９をボンディングし、リ
ード（図示せず）と電気的接続をしてホール素子を完成
する。なおパッケージングは周知のトランスファモール
ド恒より樹脂モールドされる。

（へ）効果 本発明に依れば金の電極バクドα４を完全に化合物半導
体層α２と離間しているので、金との反応によるホール
素子の特性劣化を防止できる。しかも自動ポンディング
できるので組立が大巾に合理化できる。

また取出電極αＪを化合物半導体層α２および基板ａυ
との接着性に遣口た厚みに選定できるので、電極の取出
を確実に行なえる利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図はホール素子を説明する上面図、第２図および第
３図は従来のホール素子の構造を説明する断面図、第４
図は本発明を説明する断面図である。 ａυは基板、α４は化合物半導体層、ａ３ば取出電極、
■は電極パッド、霞は金属細線である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　平担な基板上に設けた化合物半導体層と該化
   合物半導体層の端部と一部重畳し前記基板上に広がる高
   融点金属より成る取出電極と該取出電極と少くとも一部
   を重畳し且つ前記化合物半導体層と離間した位置に設け
   た電極パッドと該電極パッドにボンディングされた金属
   細線とを具備して成るホール素子。