JPS59154493A - メモリ−型アクテイブパネル用集積回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、各画素内に書き込め・読み出し可能な記憶回
路（メモリーセル）を持つ記憶型アクティブパネルに関
するものである。

表示パネルの性能・表示品質の向ゴーの要ｔｌｌに伴な
い、表示単位としての画素の数はしだいに増加し、これ
とともに、これらの表示パネルを制御するＣ王）Ｕ及び
画像のデーターを記憶するメモリーへの負荷は大きくな
ってくる。また応用範囲の拡大に伴ない、画像の様々な
動きか要求され、複雑な画像処理か必要となって来る。

しかしながら、特に小型・携帯用機器においては、制御
用のＣＰＵのマシーンサイクルを短くスることができす
、画像処理時間の制約から、これらの処理を十分満足の
いく程に行なうことは離しい。これらの機器においては
、複雑な画像の変換のみならず、画像の左右への移動の
ような簡ｌな処理でさえ十分な速度が得られないことも
多い。

またこれらの時間的制約のみならず、［１！■素数の増
大に伴ない、これらの画素内のデーターを別に保持する
Ｒ　Ａ　Ｍ領域も拡大してくる。このようなデーターの
読み出しが可能なＲＡ　Ｍ領域の存在は、特に現画面の
−＝一部変更あるいは相互に関連のある連続的な変換等
の処理において有用である。１〜かしながら、このよう
なＲＡ　Ｍ領域の必要性から、上記のような小型・携帯
機器において、別個に特別のメモリー千ノブを設けるこ
とが必要と７．【ったり、またこ）１らのメモリーとの
間での転送により処理時間が増大し、増々画像変換・＼
の制限は厳し７いものとなってくる。

低電圧・低消費電流化の必要な小型・携’：’Ｔ’ｉ機
器において、特に適した表示ノぐネルは、シＩＪ　Ｈ）
ン基板上に構成されたＣＭ　ＯＳ　＋、ｔＪ回路によっ
て駆動さノしる記憶型アクティブパネルである。本方式
によるアクディプパネルでは、各画素内へ書き込まれた
表示内容をスタティックに保持１〜、この情報を用いて
液晶駆動信号を制御することにより表示させ、低消費電
流化を実現し７た。

第１図は、各画素内にラッチ方式による記憶回路と、ク
ロック・ドインバークによって構成される制御回路を持
つ記憶型アクティブパネルの回路図である。

１は１個の画素であり、１ｌＬ１１才の表示内容を記憶
する記憶回路２と、当該記憶回路の情報により画素電１
極へ印加される信号を制御する制御回路ろによって構成
される。画素の表示内容を指定するデータ４は、画素選
択信号５によって、クロックドインバータ６．７及びイ
ンバータ８によって構成される記憶回路ｉ／ｒｃ’ｉｔ
’ｉき込まれる３、液晶を駆動する為の低周波数の信号
（（：　ＯＭ↑、・Ｉ　ＯＮ信号）は、記憶回路からの
ｆＦｊ号１（３、１１を用い、クロノクドインバ〜り１
２．１３を開閉することをてより、画素電穂ｚ１４に印
加される。１５はパネルの−Ｌガラスートーの透明電極
に印加されるＣＣＩＭＭＯＮ信号である。すなわち、ク
ロックドインバータ１２かＯＮ状βＵで、１６かＯＦＦ
状態のとき、画素電極には００ＭＭ０Ｎ信号の反転した
Ｏ　ＯＭ　Ｍ　Ｏｈ＋倍信号印加されるため、液晶に実
効的に電圧かかかる。

逆に、クロックドインバータ１５がＯＮ状態で、１２が
ＯＦ　Ｆ状態のとき、画素電極には（！　０１ＶＩ　Ｍ
ｏ　Ｎｆａ号が印加されるので、液晶には実効的な電圧
（Ｊ印加されない。これらの実効電圧の差を用いて液晶
を駆動し７、表示させることかできる。

しかしなから、このようなランチを記憶回路とし・各画
素のデーターの読み出しの不可能である方式では、現表
示画像データーを演算・処理１〜で画像の変換を行なう
為には、別途のＲＡ　ＩＶｉを設ける必要がある。小型
・携帯機器では、このような余分のＲＡＭを設は回路規
模を拡大させることは不利であり、またむだな転送命令
により命令実行時間の短縮が許されない等の不便があっ
たＯ本発明は、記憶型アクティブパネルの画素内の記憶
回路を、読み出し可能なメモリーセルに変更することに
より、余分なＲＡＭ領域を省くことを目的とし、併わせ
で当該パネル内に、画素内メモリーからデータを読み出
し、変換・演算処理を行ない、再び画素内メモリーへ転
送をし、画素′］゛−ターの変更を行なうことの可能な
表示コンｌ−１：：ｒ−／し回路を内蔵することにより
、パネルからＣＰ　Ｕへの転送・処ｍ過程を得ることな
く、一連の画像の変換を可能とし、これらの画像処理時
間の短縮を計ることを目的とする・ 本発明は、第１図の各画素における表示内容を記憶する
ランチ回路を、第２図〜第４図に掲げた書き込み・読み
＋４！＋　Ｌ可能なスタティックなＲＡ　Ｍで置き換え
ることによ−１：〕で実現される。

第２図は、第１の実施例でありＣＭＯＳ回路によって構
成されるものである。、第２図におし）で、破線内１６
がメモリーセルであり、画素の表示信号Ｄ　Ａ　ＴＡ　
１７　、　Ｄ　Ａ　Ｔ　Ａ１　Ｂは、画素選択信号（ワ
ード信号）１９によりＮチャンネルトランジスターをＯ
Ｎ状態にすることにより、メモリーセル内に書き込まれ
る０これらのメモＩ）−セルシカ）ら取り出される２つ
の信号２０．２１か、第１図における１０．１１の信号
に対応し７、これを用しＡて画素電極に印加される液晶
駆動信号を制御する。

また逆にワードライン１９により画素を選択１７、画素
内のメモリーセルのデータが読み出される。

本実施例は、メモリーセルがｃＭ　ＯＳ　回路ニよって
構成されるため、スタンバイ時の消費電流は極めて少な
くすることかできる。尚、これらの周辺回路（双方向パ
スライン、プリチャージ回路博）は、従来と全く同様に
構成されるが、メモリーセルの画面内での配列は、その
表示内容・仕様によって適宜選択される。

第６図は、本発明の第２の実施例である０１６〜２１は
第２図と同じであるが、メモリーセルはＮチャンネルの
ディプレッション型トランジスター２２　、２３　、及
びＮチャンネルのエンハンスメント型トランジスター２
４．２５によって構成されている。

第４図は、本発明の第６の実施例である・１６〜２１は
第２図と同しであるが、メモリーセルは高抵抗ポリシリ
コン２　（Ｓ　’、　２７　、＆びＮ　チャンネルトラ
ンジスター２８．２９によって構成されている。

第３図、１４図の２つの実施例では、スタンバイ時の電
流が増加するが、速度が速い回路の縮少化ができる等の
利点がある。

このような書き込み・読み出し可能なメモリーセルを画
素内の記憶回路として用いることにより）ぐネル内のメ
モリーの画像データーを取り出し・外部ＣＩ）　Ｕによ
り演算・処理を行ない、再び画面内のメモリーへ転送す
ることにより、画像の変換が［万能となり、本体内のＲ
ＡＭ領域の制約も可能となる。また画素内の任意の領域
をランダムにアクセスできるので、画像の部分的変更に
は適（〜でおり、時間短縮がｉｈＪ能となる。

し７かし７なから、このような方式では依然パネルとＯ
Ｐ　Ｕ間の転送が必要であり、実行時間の短縮は不十分
な場合が多い。本発明は、画像の部分的書き換えが可能
であり、このような場合には１″分その実行時間の短縮
を計ることができるが、４面的な、（−シき換えには、
従来の画像データーを別に設けられたメモリーで記憶す
る方式上同程度の実行時間が必要である。

実際問題として、これらの全面的な画像の変換であり、
かつ現画像データーを演算・処理することにより、次の
画像データーを作るというような過程が必要とされるも
のは、（非常に複雑なものは別として）画像の左右ある
いけ土工・＼の移動（スクロール）というような単純な
ものが多く用いられる。逆に言えば、このような簡単な
画像の処理でされ、Ｉ−述のような処理過程を経る必要
性から、その実行時間がかなり長いものとなってしまう
のである。

このような不便を無くす為には、このような簡単でし７
ばし、ば用いる画像の処理を実、？）する機能は、パネ
ル自体に持たせ、ＣＰＵからの命令により、データーを
外部へ転送することなく自己完結的処理により画像の変
換を実行させることが必要である０すなわち、本発明の
書き込み・読め出し可能であることの特徴を生かし、こ
れを所謂ビデオＲＡ　Ｍとし、て用いることにより、複
雑な転送処理過程を経ることなく、ツクネル内の回路の
処理により画像の変換を実行することが可能となるので
ある。

第５図に本発明の書き換え・読み出しｉ１Ｊ’能なメモ
リー七ルを内蔵１７た画素によって構成されるパネルを
ビデ′Ａ１（ＡＩＡとして用いる場合の実施例を掲げた
。ろＯが本発明の画素を含むパネルで、メモリーセルを
内蔵した画素によって構成される表示部分６１、画素（
メモリーセル）の選択を制御する回路３２・及び外部Ｃ
Ｐ　Ｕがらのデータ信号３３、アドレス信号３４により
表示データーの書き込み・読み出［−を制御する表示覆
ンｌ＝、　ｔ：ｚ−ル回路５５によって構成される。表
示：！ントＩ］−ル回路３５は、アトｌメス信号のデコ
−ドに、］−る画画素選択路の制御、外部ＲＡＭとして
の画克内メ王す−とＣＰＵ間のデーターの転送等を制御
するとともに、ＣＰ、Ｕからの命令によりノぐネルの画
素との間のデータの授受により、画像の簡屯な変換を行
なうことができる。たとえば画像の左右への移動では、
新たに画面内に移動して来る画像のデータのみを外部Ｃ
Ｐ　Ｕから受は取り、その他の画面は、現画面はすでに
表示されているデーターを画素内のメモリーセルから読
み出し、これを順次左右へ転送し７、再び書き込むこと
により構成される。このような回路は、双方向シフトレ
ジスタによってｆ８８単に作ることができる。

このような単純な機能をパネル内の表示ミニ１ントロー
ル回路に作り込むことにより、ＣＩ）Ｕの処理過程を経
ることｉｉｌ：＜画面の変更を実行することかでき、実
行時間の短縮が可能となる。

以−ト述べたように、本発明の書き込み・読み出し２可
能なＲ−Ａ　Ｂ＋ｉを画素内記憶回路とする記憶型アク
ディプパネルでは、画像データーを記憶する特別／９仁
メモリーが不要となり、画面内の画素をランダムにアク
セスすることがでさることにより画像の部分的変更が速
やかに行なえる。またこのようなパネル内に画像処理の
機能を作り込み、実すさせることにより、パネルとＣＰ
Ｕ内の転送過程か不要となり、ｉｉ！＋ｉ像変換の処理
時間の短縮が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ラッチ回路を内蔵ｌ−だ記憶型アクティブパ
ネルの画素の回路図。 第２図は、０ＭＯ８によって構成されるメモリーセルの
回路図。 第５図は、ｌ・７チヤンネルトランシスターによってＲ
１成されるメモリ−セルの回路図０第４図は、抵抗と１
・１チヤンネルトランジスターによって構成されるメモ
リーセルの回路図。 第５図は、パネル内に表示画像の変換を実行することの
できる表示コントロール回路を内蔵したアクティブパネ
ルの構成を示１−ブロノクダイヤグ以　　十 第１図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　半導体基板上に形成された半導体素子により構成さ
   れる電気回路によって該基板上に形成された電極に印加
   される電圧を制御し、当該電極と基板上に置かれたガラ
   ス基板上に形成された透明電極の間に封入された液晶に
   印加される電界を制御することによって表示を行なわせ
   るアクディプパネルにおいて、当該パネルの画素内に各
   画素の表示内容を書き込み・読み出すことのできるスタ
   ティックな記憶回路と当該記憶回路の情報により基板上
   の′、ｒ１ｓに印加される信号を制御する制御回路を併
   わせ持つことを特徴とするメモリー型アクティブパネル
   用集積回路基板。 ２　各画素内のメモリーの情報を読み出し、変換・処理
   ｌ−だ後、当該変換・処理された情報を、再び画素内の
   メモリーへ転送し、画像の変換を実行することができる
   表示コントロール回路を内蔵したことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載のメモリー型アクティブパネル用
   集積回路基板。