JPS59145747A - 半導体機器のリ−ド材用銅合金 - Google Patents
半導体機器のリ−ド材用銅合金Info
- Publication number
- JPS59145747A JPS59145747A JP23370083A JP23370083A JPS59145747A JP S59145747 A JPS59145747 A JP S59145747A JP 23370083 A JP23370083 A JP 23370083A JP 23370083 A JP23370083 A JP 23370083A JP S59145747 A JPS59145747 A JP S59145747A
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- JP
- Japan
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- weight
- alloy
- lead material
- heat resistance
- copper alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタや集積回路（ＩＣ）々どの半導体
機器のリード材に適する銅合金に関するものである。
機器のリード材に適する銅合金に関するものである。
従来、半導体機器のリード材としでは熱膨張係数が低く
、素子およびセラミックスとの接着および封着性の良好
なシバール合金、４２合金などの高ニッケル合金が好ん
で使われてきた。
、素子およびセラミックスとの接着および封着性の良好
なシバール合金、４２合金などの高ニッケル合金が好ん
で使われてきた。
しかし近年半導体回路の集積度の向上に伴ない消費電力
の高いＩＣが多くなってきたことと。
の高いＩＣが多くなってきたことと。
封止材料として樹脂が多く使用され、かつ素子とリード
フレームの接着もペーストが多く用いられたことにより
、使用されるリード材も放熱性のよい鋼基合金が使われ
るようになってきた。
フレームの接着もペーストが多く用いられたことにより
、使用されるリード材も放熱性のよい鋼基合金が使われ
るようになってきた。
しかし、リード材としては熱伝導性が良い、耐熱性が良
い、ハンダ付は性・メッキ密着性が良い１強度が高い、
廉価である等の広範な諸条件を全て満足する必要がある
。従来より使用されている無酸素銅、すす入り銅、りん
青銅、鉄入り銅などの銅基合金は何れも一長一短があり
。
い、ハンダ付は性・メッキ密着性が良い１強度が高い、
廉価である等の広範な諸条件を全て満足する必要がある
。従来より使用されている無酸素銅、すす入り銅、りん
青銅、鉄入り銅などの銅基合金は何れも一長一短があり
。
必ずしも満足し得るものではない。たとえば無酸素鋼で
は強度・耐熱性が低く、すす入り銅。
は強度・耐熱性が低く、すす入り銅。
鉄入り銅では強度的に満足できず、シん青銅では熱伝導
性、耐熱性が低いという欠点を有している。かかる点に
鑑み、従来の銅基合金のもつ欠点を改良し、半導体機器
のリード材として好適な諸特性を有する銅合金としてｃ
ｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金が提供されているが１強度的に完全
に満足できるものではないので１本発明は０ｕ−Ｎｉ−
Ｓｉ合金をさらに改良し、半導体機器のリード材として
より優れた諸特性を有する銅合金を提供しようとするも
のである。
性、耐熱性が低いという欠点を有している。かかる点に
鑑み、従来の銅基合金のもつ欠点を改良し、半導体機器
のリード材として好適な諸特性を有する銅合金としてｃ
ｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金が提供されているが１強度的に完全
に満足できるものではないので１本発明は０ｕ−Ｎｉ−
Ｓｉ合金をさらに改良し、半導体機器のリード材として
より優れた諸特性を有する銅合金を提供しようとするも
のである。
本発明は
（１） Ｎｉ ； ０．４〜ｉ、 ０重量％、Ｓｉ；
０．１−０．３重量％を含み残部が銅および不可避的な
不純物からなる合金に副成分として ｓｂ ； ｏ、ｏｏ１〜０．１重量％。
０．１−０．３重量％を含み残部が銅および不可避的な
不純物からなる合金に副成分として ｓｂ ； ｏ、ｏｏ１〜０．１重量％。
Ｆｅ ： ０．０１ 〜１．０重量％。
Ｃ！ｏ ： ０．０１ 〜１．０重量係。
Ａｌ ： ０．０１ 〜１．０重量係。
Ｔ１； α０１〜１．０重量係。
ｚｒ； α０１〜１．０重量係。
Ｂｅ ： ０．０１ 〜１．０重量％。
からなる群より選択された１種以上を総量で０００１〜
２．０重量％添加した組成を有することを特徴とする半
導体機器のリード材用鋼合金。
２．０重量％添加した組成を有することを特徴とする半
導体機器のリード材用鋼合金。
（２）Ｎｉ；０．４〜１．０重量係、ｓ１；ｏ、１〜０
．３重量係を含み、酸素含有量が１０ ｐｐｍ以下で残
部が銅および不可避的な不純物からなる合金に副成分と
して ｓｂ ： ｏ、ｏｏ１〜ａ１重量％。
．３重量係を含み、酸素含有量が１０ ｐｐｍ以下で残
部が銅および不可避的な不純物からなる合金に副成分と
して ｓｂ ： ｏ、ｏｏ１〜ａ１重量％。
Ｆｅ ； α０１〜１．′０重量係。
Ｃｏ ； ０．０１ −１．０重量％。
Ａｌ ： ｏ、ｏｌ 〜１．０重量係。
Ｔ１ ： ０．０１ 〜１．０重量係。
Ｚｒ ： ０．０１ 〜１．０重量係。
Ｂｅ ： ０．０１ 〜１．０重量係。
からなる群より選択された１種以上を総量でＱ、 ００
１〜２．０重量％添加した組成を有することを特徴とす
る半導体機器のリード材用鋼合金である。本発明に係る
合金はリード材に要求される放熱性、耐熱性１強度、ハ
ンダ付は性、メッキ密着性等のすべてが良好なるもので
ある。
１〜２．０重量％添加した組成を有することを特徴とす
る半導体機器のリード材用鋼合金である。本発明に係る
合金はリード材に要求される放熱性、耐熱性１強度、ハ
ンダ付は性、メッキ密着性等のすべてが良好なるもので
ある。
次に本発明合金を構成する合金成分の限定理由を説明す
る。Ｎ１は所定量の８１と共に添加することにより本発
明合金の優れた耐熱性及び高導電性を維持するが、Ｎｉ
含有量が０．４重量％未満では耐熱性が低下する。Ｎ１
含有量が１．０重量％以下であれば高強度かつ高導電性
を保有し、しかも加工性の良好な合金が得られる。同様
１ｃｓｉは前記Ｎ１と共に添加することにより本発明合
金の優れた耐熱性及び高導電性を維持するが、Ｓｉ含有
量が［ｌＬ１重量係未満ではＮｉの所定量と共添しても
耐熱性が低下する。Ｓｉがα３重量％以下であれば良好
な加工性、導電性を保持できる。そしてさらに副成分と
してＳｂ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ａｌ、 Ｔｉ、 Ｚｒ、
Ｂｅを含有させることにより強度及び耐食性を高める
ことができるが、 Ｓｂ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ａｌ、
Ｔｉ、 Ｚｒ、 Ｂｅからなる群より選択された１種
以上の総量が０．００１重量％未満では、高強度でかつ
耐食性のある合金が得られず、また２、０重量％を超え
ると導電性の低下およびハンダ付は性の低下が著しくな
る為である。また、酸素含有量を１０ｐｐｍ以下とした
理由は、酸素含有量を１０ｐｐｍ以下とすることにより
、メッキ密着性が著しく改善される為である。
る。Ｎ１は所定量の８１と共に添加することにより本発
明合金の優れた耐熱性及び高導電性を維持するが、Ｎｉ
含有量が０．４重量％未満では耐熱性が低下する。Ｎ１
含有量が１．０重量％以下であれば高強度かつ高導電性
を保有し、しかも加工性の良好な合金が得られる。同様
１ｃｓｉは前記Ｎ１と共に添加することにより本発明合
金の優れた耐熱性及び高導電性を維持するが、Ｓｉ含有
量が［ｌＬ１重量係未満ではＮｉの所定量と共添しても
耐熱性が低下する。Ｓｉがα３重量％以下であれば良好
な加工性、導電性を保持できる。そしてさらに副成分と
してＳｂ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ａｌ、 Ｔｉ、 Ｚｒ、
Ｂｅを含有させることにより強度及び耐食性を高める
ことができるが、 Ｓｂ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ａｌ、
Ｔｉ、 Ｚｒ、 Ｂｅからなる群より選択された１種
以上の総量が０．００１重量％未満では、高強度でかつ
耐食性のある合金が得られず、また２、０重量％を超え
ると導電性の低下およびハンダ付は性の低下が著しくな
る為である。また、酸素含有量を１０ｐｐｍ以下とした
理由は、酸素含有量を１０ｐｐｍ以下とすることにより
、メッキ密着性が著しく改善される為である。
以下に本発明合金を実施例で説明する。
実施例
第１表に示される本発明合金に係る各種成分組成のイン
ゴットを高周波溶解炉で大気、不活性又は還元性雰囲気
中で溶解鋳造した。次にと４ れを８００℃で熱間
圧延し、厚さ４ｍの板とした。次にこの板を通常の酸洗
処理した後、冷間圧延で厚さ１．０調とした。さらに７
５０℃にて５分間の焼鈍を施した後、冷間圧延で厚さ０
．４℃の板とした。最後にこの板を４５０℃にて１時間
熱処理し試料とした。このようにして調整された試料の
評価として１強度は引張試験、耐熱性は加熱時間３０分
における軟化開始温度。
ゴットを高周波溶解炉で大気、不活性又は還元性雰囲気
中で溶解鋳造した。次にと４ れを８００℃で熱間
圧延し、厚さ４ｍの板とした。次にこの板を通常の酸洗
処理した後、冷間圧延で厚さ１．０調とした。さらに７
５０℃にて５分間の焼鈍を施した後、冷間圧延で厚さ０
．４℃の板とした。最後にこの板を４５０℃にて１時間
熱処理し試料とした。このようにして調整された試料の
評価として１強度は引張試験、耐熱性は加熱時間３０分
における軟化開始温度。
導電性（放熱性）は電気伝導率（ｑｂＩＡｃｓ）によっ
て示した。ハンダ付は性は垂直式浸漬法で２３０℃のハ
ンダ浴（すず６〇−鉛４０）に５秒間浸漬シ２．ハンダ
のぬれの状態を目視観察した。メッキ密着性は試料に厚
さ３μのＡｇ メッキを施し、４５０℃にて５分間加熱
して表面に発生するフクレの数を目視鉄路した。これら
の結果を比較合金とともに第１表に示した。
て示した。ハンダ付は性は垂直式浸漬法で２３０℃のハ
ンダ浴（すず６〇−鉛４０）に５秒間浸漬シ２．ハンダ
のぬれの状態を目視観察した。メッキ密着性は試料に厚
さ３μのＡｇ メッキを施し、４５０℃にて５分間加熱
して表面に発生するフクレの数を目視鉄路した。これら
の結果を比較合金とともに第１表に示した。
第１表に示すごとく本発明に係る合金は十分な導電性と
すぐれた耐熱性１強度、ノ・ンダ付は性および耐食性を
兼ね具えることが明らかであり１本発明合金は半導体機
器のリード材として最適な合金でおる。
すぐれた耐熱性１強度、ノ・ンダ付は性および耐食性を
兼ね具えることが明らかであり１本発明合金は半導体機
器のリード材として最適な合金でおる。
Claims (2)
- （１） Ｎ１： ０．４〜１．０重量％。 Ｓｉ ； ０１〜０．３重量％。 Ｃｕ及び不可避不純物； 残シ からなる合金に副成分・とじて ｓｂ： ０．００１〜０，１重量ｑｂ。 Ｆｅ ： ０．０１ 〜１．０重量ｃＩＪ。 Ｃｏ；［１Ｌ０１〜１．０重量％。 Ａｌ： ０．０１ 〜１．０重量ｑｂ。 Ｔｉ： ［１，０１〜１．０重量係重量％； ０．
０１ 〜１．０重量係重量％ ； Ｏ，、ＯＬ
〜１．０重量％。 からなる群より選択された１種以上を総量で ５００
０１〜２．０重量％添加した組成を有することを特徴と
する半導体機器のリード材用鋼合金。 - （２） Ｎｉ ： α４〜１．０重量％。 Ｓｉ； ０．１〜ｌ］、３重量％。 ０２ ； １０ ｐｐｍ以下。 Ｃｕ及び不可避不純物； 残り からなる合金に副成分として ｓｂ ； ａ、 ｏ ｏ １〜ｏ、 １重量％。 Ｆｓ ： ｎｏ １−１．０重量％。 ＣＯ： ［ＬＯｌ 〜１．０重量係重量％ ；’
ｏ、ｏｌ 〜ｔｏ重量係。 Ｔ１ ； α０１〜１．ｏ重量係重 量％ ： ［１０１〜１．０重量％。 Ｂｅ ； ｏ、０１ −１．０重量％。 からなる群よシ選択された１種以上を総量でａ００１〜
１２．ｏ重量％添加した組成を有することを特徴とする
半導体機器のリード材用銅合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23370083A JPS59145747A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23370083A JPS59145747A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP606182A Division JPS58124254A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145747A true JPS59145747A (ja) | 1984-08-21 |
| JPS6157379B2 JPS6157379B2 (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=16959175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23370083A Granted JPS59145747A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145747A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62199742A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-03 | Ngk Insulators Ltd | 高強度銅基合金及びその製造方法 |
| JPH0219434A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Dowa Mining Co Ltd | ワイヤーハーネスのターミナル用銅基合金 |
| CN1042350C (zh) * | 1994-03-22 | 1999-03-03 | 日矿金属株式会社 | 适用于电气元件、具有高强度和高导电性的铜合金 |
-
1983
- 1983-12-13 JP JP23370083A patent/JPS59145747A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62199742A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-03 | Ngk Insulators Ltd | 高強度銅基合金及びその製造方法 |
| JPH036214B2 (ja) * | 1986-02-27 | 1991-01-29 | Ngk Insulators Ltd | |
| JPH0219434A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Dowa Mining Co Ltd | ワイヤーハーネスのターミナル用銅基合金 |
| CN1042350C (zh) * | 1994-03-22 | 1999-03-03 | 日矿金属株式会社 | 适用于电气元件、具有高强度和高导电性的铜合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157379B2 (ja) | 1986-12-06 |
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