JPS59145748A - 半導体機器のリ−ド材用銅合金 - Google Patents
半導体機器のリ−ド材用銅合金Info
- Publication number
- JPS59145748A JPS59145748A JP23370183A JP23370183A JPS59145748A JP S59145748 A JPS59145748 A JP S59145748A JP 23370183 A JP23370183 A JP 23370183A JP 23370183 A JP23370183 A JP 23370183A JP S59145748 A JPS59145748 A JP S59145748A
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- Japan
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- lead material
- copper alloy
- weight
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタや集積回路（ＩＣ）などの半導体
機器のリード材に適する銅合金に関するものである。
機器のリード材に適する銅合金に関するものである。
従来、半導体機器のリード材としては熱膨張係数が低く
、素子およびセラミックスとの接着および封着性の良好
なコバール合金、４２合金などの高ニッケル合金が好ん
で使われてきた。
、素子およびセラミックスとの接着および封着性の良好
なコバール合金、４２合金などの高ニッケル合金が好ん
で使われてきた。
しかし近年半導体回路の集債度の向上に伴々い消費電力
の高いＩＣが多くなってきたことと。
の高いＩＣが多くなってきたことと。
封止材料として樹脂が多く使用され、かつ素子とリード
フレームの接着もペーストが多く用いられたことにより
、使用されるリード材も放熱性のよい銅基合金が使われ
るよう罠なってきた。
フレームの接着もペーストが多く用いられたことにより
、使用されるリード材も放熱性のよい銅基合金が使われ
るよう罠なってきた。
しかし、リード材としては熱伝導性が良い、耐熱性が良
い、ハンダ付は性・メッキ密着性が良い２強度が高い、
廉価である等の広範な諸条件を全て満足する必要がある
８従来より使６用されている無酸素銅、ずず入り銅、り
ん青銅、鉄入り銅などの銅基合金は倒れも一長一短があ
り。
い、ハンダ付は性・メッキ密着性が良い２強度が高い、
廉価である等の広範な諸条件を全て満足する必要がある
８従来より使６用されている無酸素銅、ずず入り銅、り
ん青銅、鉄入り銅などの銅基合金は倒れも一長一短があ
り。
必ずしも満足し得るものではない。たとえば無酸素鋼で
は強度、耐熱性が低く、すす入り銅。
は強度、耐熱性が低く、すす入り銅。
鉄入り銅では強度的に満足できず、りん青銅では熱伝導
性、耐熱性が低いという欠点を有している。かかる点に
鑑み、従来の銅基合金のもつ欠点を改良し、半導体機器
のリード材として好適な諸特性を有する銅合金としてＯ
ｕ −Ｎｉ −Ｅｌｉ合金が提供されているが１強度的
に完全に満足できるものではないので９本発明はＯｕ
−Ｎｉ −ｆ３１合金をさらに改良し、半導体機器のリ
ード材としてより優れた諸特性を有する銅合金を提供し
ようとするものである。
性、耐熱性が低いという欠点を有している。かかる点に
鑑み、従来の銅基合金のもつ欠点を改良し、半導体機器
のリード材として好適な諸特性を有する銅合金としてＯ
ｕ −Ｎｉ −Ｅｌｉ合金が提供されているが１強度的
に完全に満足できるものではないので９本発明はＯｕ
−Ｎｉ −ｆ３１合金をさらに改良し、半導体機器のリ
ード材としてより優れた諸特性を有する銅合金を提供し
ようとするものである。
本発明は
（１） Ｎｉ ： １．０超〜４．０重量係、ｓｔ：
ｏ、３超〜１．０重量％を含み残部が銅および不可避的
な不純物からなる合金にさらにＭｎ ０．０１〜１．０
重量％添加した組成を有することを特徴とする半導体機
器のリード材用銅合金。
ｏ、３超〜１．０重量％を含み残部が銅および不可避的
な不純物からなる合金にさらにＭｎ ０．０１〜１．０
重量％添加した組成を有することを特徴とする半導体機
器のリード材用銅合金。
（２） ならびに酸素含有量を１０ ｐｐｍ以下とし
だ前記＋１）に記載した半導体機器のリード材用銅合金
である。本発明に係る合金はリード材に要求される放熱
性、耐熱性１強度、ハンダ付は性、メッキ密着性等のす
べてが良好なるものである。
だ前記＋１）に記載した半導体機器のリード材用銅合金
である。本発明に係る合金はリード材に要求される放熱
性、耐熱性１強度、ハンダ付は性、メッキ密着性等のす
べてが良好なるものである。
次に本発明合金を構成する合金成分の限定理由を説明す
る。Ｎ１は所定量の８１と共に添加することにより９本
発明合金の強度を高め。
る。Ｎ１は所定量の８１と共に添加することにより９本
発明合金の強度を高め。
しかも高導電性を維持する効果があるが、Ｎｉ含有量が
１．０重量％以下では、リードフレーム材の中でも、特
に強度を必要とするリードフレーム材においては強度が
不十分である。
１．０重量％以下では、リードフレーム材の中でも、特
に強度を必要とするリードフレーム材においては強度が
不十分である。
またＮ１含有量が４．０重量％を超えると加工性および
ハンダ付は性が低下して好ましくない。
ハンダ付は性が低下して好ましくない。
Ｓｌの含有量を０，３重量％を超え、１．０重量％以下
とする理由は、５ｉ７）含有量が０．５重量％以下では
Ｎ１を共添してもリードフレーム材の中で特に高強度を
必要とするリードフレーム材においては強度が不十分で
あり、 Ｓｉ含有量が１．０重量％を超えると加工性が
急速に悪化し、またハンダ付は性も低下するので、上記
１．０重量％を上限とする範囲におさえる必要がある。
とする理由は、５ｉ７）含有量が０．５重量％以下では
Ｎ１を共添してもリードフレーム材の中で特に高強度を
必要とするリードフレーム材においては強度が不十分で
あり、 Ｓｉ含有量が１．０重量％を超えると加工性が
急速に悪化し、またハンダ付は性も低下するので、上記
１．０重量％を上限とする範囲におさえる必要がある。
さらにＭｎが０．０１１未満では高強度でかつ耐食性の
合金が得られず、また１、０重量％を超えると導電性の
低下およびハンダ付は性の低下が著しくなる為である。
合金が得られず、また１、０重量％を超えると導電性の
低下およびハンダ付は性の低下が著しくなる為である。
また、酸素含有量を１０ ｐｐｍ以下とした理由は、酸
素含有量を１０ ｐｐｒ？Ｈすることにより。
素含有量を１０ ｐｐｒ？Ｈすることにより。
Δ
メッキ密着性が著しく改善される為である。
以下に本発明合金を実施例で説明する。
実施例
第１表に示される本発明合金に係る各種成分組成のイン
ゴットを高周波溶解炉で大気、不活性又は還元性雰囲気
中で溶ｆ＠鋳造した。次にこれを８００℃で熱間圧延し
、厚さ４胴の板とした。次にこの板を通常の酸洗処理し
た後、冷間圧延で厚さ１．０咽としだ。さらに７５０℃
にて５分間の焼鈍を施した後、冷間圧延で厚さ０，４朋
の板とした。最後姉この板を４５０℃にて１時間熱処理
し試料とした。このようにして調整された試料の評価と
して１強度は引張試験、耐熱性は加熱時間３０分におけ
る軟化開始温度。
ゴットを高周波溶解炉で大気、不活性又は還元性雰囲気
中で溶ｆ＠鋳造した。次にこれを８００℃で熱間圧延し
、厚さ４胴の板とした。次にこの板を通常の酸洗処理し
た後、冷間圧延で厚さ１．０咽としだ。さらに７５０℃
にて５分間の焼鈍を施した後、冷間圧延で厚さ０，４朋
の板とした。最後姉この板を４５０℃にて１時間熱処理
し試料とした。このようにして調整された試料の評価と
して１強度は引張試験、耐熱性は加熱時間３０分におけ
る軟化開始温度。
導電性（放熱性）は電気伝導率（１ｔＡｃｓ ）によっ
て示した。ハンタ付は性は垂直式浸漬法で２３０℃のハ
ンダ浴（すず６〇−鉛４０）に５秒間浸漬し、ハンダの
ぬれの状態を目視観察しだ。メッキ密着性は試料に厚さ
３μの／ｌ、メッキを施し、４５０℃にて５分間加熱し
て表面に発生するフクレの数を目視観察した。これらの
結果を比較合金とともに第１表に示した。
て示した。ハンタ付は性は垂直式浸漬法で２３０℃のハ
ンダ浴（すず６〇−鉛４０）に５秒間浸漬し、ハンダの
ぬれの状態を目視観察しだ。メッキ密着性は試料に厚さ
３μの／ｌ、メッキを施し、４５０℃にて５分間加熱し
て表面に発生するフクレの数を目視観察した。これらの
結果を比較合金とともに第１表に示した。
第１表に示すごとく本発明に係る合金は十分な導電性と
すぐれた耐熱性２強度、ハンダ付は性および耐食性ｆｔ
兼ね具えることが明らかであり１本発明合金は半導体機
器のリード材として最適な合金である。
すぐれた耐熱性２強度、ハンダ付は性および耐食性ｆｔ
兼ね具えることが明らかであり１本発明合金は半導体機
器のリード材として最適な合金である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１Ｎ１： ｔｏ超〜 ４．０重量％。 日ｔ：ｏ、ｓ超〜 １，０重量％。 Ｏｕ及び不可避不純物：残り からなる合金にさらにＭｎ Ｏ，０１〜１．０重量％添
加した組成を有することを特徴とする半導体機器のリー
ド材用銅合金。 （２） 合金中に含まれる０、が１０ ｐｐｍ以下で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体機器のリード材用銅合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23370183A JPS59145748A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23370183A JPS59145748A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP606182A Division JPS58124254A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5345185A Division JPS60215723A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 半導体機器のリード材用銅合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145748A true JPS59145748A (ja) | 1984-08-21 |
| JPH0218375B2 JPH0218375B2 (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=16959188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23370183A Granted JPS59145748A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145748A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988004593A1 (en) * | 1986-12-15 | 1988-06-30 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Laser padding material and method for laser padding using same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111455373A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-07-28 | 陕西斯瑞新材料股份有限公司 | 一种高导热耐高温复合铜合金散热材料制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572851A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead material of semiconductor device |
| JPS58124257A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Kobe Steel Ltd | 熱間加工性に優れた集積回路のリ−ドフレ−ム用銅合金 |
| JPS58177442A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-18 | Kobe Steel Ltd | リ−ドフレ−ム用高強度銅合金の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-13 JP JP23370183A patent/JPS59145748A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572851A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead material of semiconductor device |
| JPS58124257A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Kobe Steel Ltd | 熱間加工性に優れた集積回路のリ−ドフレ−ム用銅合金 |
| JPS58177442A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-18 | Kobe Steel Ltd | リ−ドフレ−ム用高強度銅合金の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988004593A1 (en) * | 1986-12-15 | 1988-06-30 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Laser padding material and method for laser padding using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0218375B2 (ja) | 1990-04-25 |
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