JPS59144758A - ４−オキソ−４，５，６，７−テトラヒドロインド−ルの製造法 - Google Patents
４−オキソ−４，５，６，７−テトラヒドロインド−ルの製造法Info
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- JPS59144758A JPS59144758A JP58018214A JP1821483A JPS59144758A JP S59144758 A JPS59144758 A JP S59144758A JP 58018214 A JP58018214 A JP 58018214A JP 1821483 A JP1821483 A JP 1821483A JP S59144758 A JPS59144758 A JP S59144758A
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- oxo
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Indole Compounds (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｎ−ろ−オキソーシクロへキシリデンエタノ
ールアミンを触媒の存在下に溶媒中で環化させて、４−
オキソ−４；５ 、ｂ 、７−ケトンヒドロインドール
を製造する新規方法に関するものである。
ールアミンを触媒の存在下に溶媒中で環化させて、４−
オキソ−４；５ 、ｂ 、７−ケトンヒドロインドール
を製造する新規方法に関するものである。
４−オキソ−４，５，６，７−ケトンヒドロインドール
は１例えば次式に示すようにこれを脱水素して。
は１例えば次式に示すようにこれを脱水素して。
４−ヒドロキシインドールにし、エピクロルヒドリン、
次いでイングロビルアミンと反応させると。
次いでイングロビルアミンと反応させると。
β−交感神経遮断薬であるピンドロールにするととがで
き、医薬品等の合成中間体として有用である。
き、医薬品等の合成中間体として有用である。
４−オキソ−４，５，６，７−ケトンヒドロインドール
の製法としては１例えば（１） １．３−シクロヘキサ
ンジオンとα−オキシイミノケトンを酢酸中で亜鉛を加
えながら加熱環流させる方法（特公昭４４−９９０４号
公報）、（２）１．３−シクロヘキサンジオンとブロム
ピルビン酸エチルエステルから４−オキソ−４，５，６
，７−テトラヒドロクマロン−６−カルボン酸を製造し
９次いでアンモニアを作用させる方法（特開昭５４−１
９９７１号公報）などが知られている。しかしながら、
（１）の方法では亜鉛を原料とほぼ同量使用する必要が
ある。また（２）の方法では原料のブロムピルビン酸エ
チルエステルが工業的に入手し難いなどの問題点があり
、これらの方法は４−オキソ−４，５，６，７−チトラ
ヒドロインドールの工業的製法としては必ずしもあ捷り
有利な方法とはいえない。
の製法としては１例えば（１） １．３−シクロヘキサ
ンジオンとα−オキシイミノケトンを酢酸中で亜鉛を加
えながら加熱環流させる方法（特公昭４４−９９０４号
公報）、（２）１．３−シクロヘキサンジオンとブロム
ピルビン酸エチルエステルから４−オキソ−４，５，６
，７−テトラヒドロクマロン−６−カルボン酸を製造し
９次いでアンモニアを作用させる方法（特開昭５４−１
９９７１号公報）などが知られている。しかしながら、
（１）の方法では亜鉛を原料とほぼ同量使用する必要が
ある。また（２）の方法では原料のブロムピルビン酸エ
チルエステルが工業的に入手し難いなどの問題点があり
、これらの方法は４−オキソ−４，５，６，７−チトラ
ヒドロインドールの工業的製法としては必ずしもあ捷り
有利な方法とはいえない。
本発明者らは、これらの実情に鑑み、４−オキソ−４，
５，６，７−ケトラヒドロインドールの製法につき、容
易に入手できる原料から工業的に製造することができる
新規製法を開発することを目的とｌ〜で種々検討した結
果、１，３−シクロへギザンジオンとエタノールアミン
とから容易に得られるンッフ塩基（Ｎ−３−オキソ−シ
クロへキシリデンエタノールアミン）を白金族金属の錯
体触媒の存在下に溶媒中で加熱すると環化反応が牛し、
４−オキソ−４，５，６，７−チトラヒドロインドール
を収率よく製造できることを知見し２本発明に到った。
５，６，７−ケトラヒドロインドールの製法につき、容
易に入手できる原料から工業的に製造することができる
新規製法を開発することを目的とｌ〜で種々検討した結
果、１，３−シクロへギザンジオンとエタノールアミン
とから容易に得られるンッフ塩基（Ｎ−３−オキソ−シ
クロへキシリデンエタノールアミン）を白金族金属の錯
体触媒の存在下に溶媒中で加熱すると環化反応が牛し、
４−オキソ−４，５，６，７−チトラヒドロインドール
を収率よく製造できることを知見し２本発明に到った。
本発明は、Ｎ−３−オキソ−シクロへキシリデンエタノ
ールアミンを白金族金属の錯体触媒の存在下に溶媒中で
環化反応させることを特徴とする４−オキソ−４，５，
６，７−チトラヒドロインドールの製造法に関するもの
である。
ールアミンを白金族金属の錯体触媒の存在下に溶媒中で
環化反応させることを特徴とする４−オキソ−４，５，
６，７−チトラヒドロインドールの製造法に関するもの
である。
（３）
本発明において使用されるｋｌ−３−オキソ−シクロへ
キシリデンエタノールアミンは、常法に従って１．己−
シクロヘキサンジオンとエタノールアミンを無触媒下に
適当な溶媒中で脱水縮合反応させることによって定量的
に生成させることができ。
キシリデンエタノールアミンは、常法に従って１．己−
シクロヘキサンジオンとエタノールアミンを無触媒下に
適当な溶媒中で脱水縮合反応させることによって定量的
に生成させることができ。
取得することができる。エタノールアミンの使用量は、
１，３−シクロヘキサンジオフ１モルに対して１〜１．
２モル、好捷しくは１．０〜１．０２モルが適当である
。反応温度は０〜５０°Ｃ２好ましくは１５〜３０゛Ｃ
であり、溶媒中で混合するだけでただちに反応は完結し
てＮ３−オキソ−シクロへキシリデンエタノールアミン
が生成する。溶媒としては２種々のものが使用できるが
、生成物のＮ−ろ−オキソ−シクロへキシリデンエタノ
ールアミン、およびＮ−ろ−オキンーシクロへキシリデ
ンエタノールアミンの環化反応に使用される白金族金属
の錯体触媒を溶解させるものを使用するのカ、１．ろ−
シクロヘキサンジオンとエタノールアミンとの反応液を
その捷ま環化反応に使用でき。
１，３−シクロヘキサンジオフ１モルに対して１〜１．
２モル、好捷しくは１．０〜１．０２モルが適当である
。反応温度は０〜５０°Ｃ２好ましくは１５〜３０゛Ｃ
であり、溶媒中で混合するだけでただちに反応は完結し
てＮ３−オキソ−シクロへキシリデンエタノールアミン
が生成する。溶媒としては２種々のものが使用できるが
、生成物のＮ−ろ−オキソ−シクロへキシリデンエタノ
ールアミン、およびＮ−ろ−オキンーシクロへキシリデ
ンエタノールアミンの環化反応に使用される白金族金属
の錯体触媒を溶解させるものを使用するのカ、１．ろ−
シクロヘキサンジオンとエタノールアミンとの反応液を
その捷ま環化反応に使用でき。
また、環化反応を行なう際、錯体触媒を加えるだ（４）
けで均一系で反応が行なえるので好適である。
好適な溶媒としては２例えば、１，２−ジメトキシエタ
ン、１，２−ジェトキシエタン、１，２−ジー１ｓｏ−
プロホキ／エタン、１．２−ジ−ｎ−プロポキシエタン
、１，２−ジーｎ−ブトキシエタン、１．２−１ｓｏ−
ブチロキシエタン、１，２−ジ−ｔ−ブチロキシエタン
、１．ろ−ジメトキシプロパン、１．ろ−ジェトキシプ
ロパン、１．ろ−シ−ｉｓｏ −フロポキシプロパン、
１．己−ジーｎ−プロポキシプロパン、１，３−ジーｎ
−ブトギシプロパン、１．ろ一ジー １ｓｏ−ブチロキ
シプロパン、１．ろ−ジーｔ−ブチロキシプロパン、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジエチルエーテルなどの如き２式（１） ％式％（１） （式中、Ｒはアルキル基またはアルコキシアルキル基を
示し、ｎは２寸だほろ。） で表わされるジアルコキシアルカン類が挙げられる。
ン、１，２−ジェトキシエタン、１，２−ジー１ｓｏ−
プロホキ／エタン、１．２−ジ−ｎ−プロポキシエタン
、１，２−ジーｎ−ブトキシエタン、１．２−１ｓｏ−
ブチロキシエタン、１，２−ジ−ｔ−ブチロキシエタン
、１．ろ−ジメトキシプロパン、１．ろ−ジェトキシプ
ロパン、１．ろ−シ−ｉｓｏ −フロポキシプロパン、
１．己−ジーｎ−プロポキシプロパン、１，３−ジーｎ
−ブトギシプロパン、１．ろ一ジー １ｓｏ−ブチロキ
シプロパン、１．ろ−ジーｔ−ブチロキシプロパン、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジエチルエーテルなどの如き２式（１） ％式％（１） （式中、Ｒはアルキル基またはアルコキシアルキル基を
示し、ｎは２寸だほろ。） で表わされるジアルコキシアルカン類が挙げられる。
１．３−シクロヘキサンジオンとエタノールアミンとの
反応式は２次式（２）で示される。
反応式は２次式（２）で示される。
本発明において、Ｎ−６−オギソーンクロへキシリデン
エタノールアミンの環化反応に使用される白金族金属の
錯体触媒は２式（３）で表わすことができる。
エタノールアミンの環化反応に使用される白金族金属の
錯体触媒は２式（３）で表わすことができる。
ＭＸｎ （ＰＨ１） ｍ
（３）（式中１Ｍはルテニウム、ロジウム、イリジウム
。
（３）（式中１Ｍはルテニウム、ロジウム、イリジウム
。
パラジウム、白金などの白金族金属、Ｘは塩素。
ヨウ素、臭素などのハロゲン原子、Ｐはリン、Ｒはフェ
ニル基および／！ｆ、たけ低級アルキル基を示し、ｎは
１，２捷たけ己で９ｍは２寸たはろである。） 式（３）で表わされる錯体触媒の具体例としては。
ニル基および／！ｆ、たけ低級アルキル基を示し、ｎは
１，２捷たけ己で９ｍは２寸たはろである。） 式（３）で表わされる錯体触媒の具体例としては。
例えハ、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ル
テニウム（１）、ジクロロトリス（メチルジフェニルホ
スフィン）ルテニウム（、ＩＩ）、ジクロロトリス（ジ
メチルフェニルホスフィン）ルテニウム（Ｉｔ）、ジク
ロロトリス（トリメチルホスフィン）ルテニウム（Ｔｉ
）、ジクロロトリス（トリエチルホスフィン）ルテニウ
ム（ＩＴ）、クロロ） ＩＪ ス（＋−ＩＪフェニルホ
スフィン）ロジウム（１）。
テニウム（１）、ジクロロトリス（メチルジフェニルホ
スフィン）ルテニウム（、ＩＩ）、ジクロロトリス（ジ
メチルフェニルホスフィン）ルテニウム（Ｉｔ）、ジク
ロロトリス（トリメチルホスフィン）ルテニウム（Ｔｉ
）、ジクロロトリス（トリエチルホスフィン）ルテニウ
ム（ＩＴ）、クロロ） ＩＪ ス（＋−ＩＪフェニルホ
スフィン）ロジウム（１）。
クロロトリス（メチルジフェニルホスフィン）ロジウム
（１）、クロロトリス（ジメチルフェニルホスフィン）
ロジウム（Ｉ ）、クロロトリスＣＩ−リメチルホスフ
ィン）ロジウムＮ）、クロロトリス（トリエチルホスフ
ィン）ロジウムＮ）。
（１）、クロロトリス（ジメチルフェニルホスフィン）
ロジウム（Ｉ ）、クロロトリスＣＩ−リメチルホスフ
ィン）ロジウムＮ）、クロロトリス（トリエチルホスフ
ィン）ロジウムＮ）。
トリクロロトリス（トリフェニルホスフィン）イリジウ
ム（ＩＴＩ）、 ）ジクロロトリス（メチルジフェニ
ルホスフィン）イリジウム（ｎｕ）、）ジクロロトリス
（ジメチルフェニルホスフィン）イリジウム（！Ｉｔ）
、 ）ジクロロトリス（トリメチルホスフィン）イリ
ジウム（Ｉｔ）、）ジクロロトリス（トリエチルホスフ
ィン）イリジウム（ＩＩＩ）、ジクロロトリス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（１）、ジクロロビス（
メチルジフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＴ）、ジ
クロロビス（ジメチルフェニルホスフィン）パラジウム
（ＩＴ）。
ム（ＩＴＩ）、 ）ジクロロトリス（メチルジフェニ
ルホスフィン）イリジウム（ｎｕ）、）ジクロロトリス
（ジメチルフェニルホスフィン）イリジウム（！Ｉｔ）
、 ）ジクロロトリス（トリメチルホスフィン）イリ
ジウム（Ｉｔ）、）ジクロロトリス（トリエチルホスフ
ィン）イリジウム（ＩＩＩ）、ジクロロトリス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（１）、ジクロロビス（
メチルジフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＴ）、ジ
クロロビス（ジメチルフェニルホスフィン）パラジウム
（ＩＴ）。
ジクロロビス（トリメチルホスフィン）パラジウム（Ｔ
Ｉ）、ジクロロビス（、）リエチルホスフィン）、パラ
ジウム（Ｉｆ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィ
ン）白金（ｎ）、ジクロロビス（メチルジフェニルホス
フィン）白金（Ｉｔ）、ジクロロビス（′）メチルフェ
ニルホスフィン）白金（ＩＩ）。
Ｉ）、ジクロロビス（、）リエチルホスフィン）、パラ
ジウム（Ｉｆ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィ
ン）白金（ｎ）、ジクロロビス（メチルジフェニルホス
フィン）白金（Ｉｔ）、ジクロロビス（′）メチルフェ
ニルホスフィン）白金（ＩＩ）。
ジクロロビス（トリメチルホスフィン）白金（ＩＩ）。
ジクロロビス（トリエチルホスフィン）白金（ＩＩ）。
ジブロムトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム
（ｎ）、ジブロムトリス（メチルジフェニスホスフィン
）ルテニウム（■）、ジブロムトリス（ジメチルフェニ
ルホスフィン）ルテニウム（ＴＩ）。
（ｎ）、ジブロムトリス（メチルジフェニスホスフィン
）ルテニウム（■）、ジブロムトリス（ジメチルフェニ
ルホスフィン）ルテニウム（ＴＩ）。
ジブロムトリス（トリメチルホスフィン）ルテニウム（
ＴＩ）、ジブロムトリス（トリエチルホスフィン）ルテ
ニウム（Ｉｔ）、ショートトリス（トリフェニルホスフ
ィン）ルテニウム（１１）、ショートトリス（メチルジ
フェニスホスフィン）ルテニウム（■）、ショートトリ
ス（ジメチルフェニルホスフィン）ルテニウム（ＴＩ）
、 ショートトリス（トリメチルホスフィン）ルテニ
ウム（ＩＩ）、ショートトリス（トリエチルホスフィン
）ルテニウム（ＴＩ）、７’ロムトリス（トリフェニル
ホスフィン）ロジウム（Ｔ）、ブロムトリス（メチルジ
フェニスホスフィン）ロジウム（１）、ブロムトリス（
ジメチルフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）。
ＴＩ）、ジブロムトリス（トリエチルホスフィン）ルテ
ニウム（Ｉｔ）、ショートトリス（トリフェニルホスフ
ィン）ルテニウム（１１）、ショートトリス（メチルジ
フェニスホスフィン）ルテニウム（■）、ショートトリ
ス（ジメチルフェニルホスフィン）ルテニウム（ＴＩ）
、 ショートトリス（トリメチルホスフィン）ルテニ
ウム（ＩＩ）、ショートトリス（トリエチルホスフィン
）ルテニウム（ＴＩ）、７’ロムトリス（トリフェニル
ホスフィン）ロジウム（Ｔ）、ブロムトリス（メチルジ
フェニスホスフィン）ロジウム（１）、ブロムトリス（
ジメチルフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）。
ブロムトリス（トリメチルホスフィン）ロジウム（Ｉ）
、ブロムトリス（トリエチルホスフィン）ロジウム（１
）、）リプロムトリス（） ＩＪフェニルホスフィン）
イリジウム（ＩＩＩ）、’）リプロムトリス（メチルジ
フェニスホスフィン）イリジウム（Ｉ［ｒ）、 ）リ
ブロムトリス（ジメチルフェニルホスフィン）イリジウ
ム（ＩＩＩ）、 ）リブロムトリス（トリメチルホス
フィン）イリジウム（［ｒ）、 トリブロムトリス（
トリエチルホスフィン）イリジウム（ＩＩ）、 ）シ
ョートトリス（トリフェニルホスフィン）イリジウム（
ＩＩＩ）、）ショートトリス（メチルジフェニスホスフ
ィン）イリジウム（ｍ）。
、ブロムトリス（トリエチルホスフィン）ロジウム（１
）、）リプロムトリス（） ＩＪフェニルホスフィン）
イリジウム（ＩＩＩ）、’）リプロムトリス（メチルジ
フェニスホスフィン）イリジウム（Ｉ［ｒ）、 ）リ
ブロムトリス（ジメチルフェニルホスフィン）イリジウ
ム（ＩＩＩ）、 ）リブロムトリス（トリメチルホス
フィン）イリジウム（［ｒ）、 トリブロムトリス（
トリエチルホスフィン）イリジウム（ＩＩ）、 ）シ
ョートトリス（トリフェニルホスフィン）イリジウム（
ＩＩＩ）、）ショートトリス（メチルジフェニスホスフ
ィン）イリジウム（ｍ）。
トリヨードトリス（ジメチルフェニルホスフィン）イリ
ジウム（Ｉ［ｌ）、）ショートトリス（トリメチルホス
フィン）イリジウム（ＩＩＩ）、）ショートトリス（ト
リエチルホスフィン）イリジウム（ＩＩＩ）。
ジウム（Ｉ［ｌ）、）ショートトリス（トリメチルホス
フィン）イリジウム（ＩＩＩ）、）ショートトリス（ト
リエチルホスフィン）イリジウム（ＩＩＩ）。
ジブロムビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（
Ｉｔ）、ジブロムビス（メチルジフェニルホスフィン）
パラジウム（Ｉｆ）、ジブロムビス（ジメチルフェニル
ホスフィン）パラジウム（Ｉｆ）。
Ｉｔ）、ジブロムビス（メチルジフェニルホスフィン）
パラジウム（Ｉｆ）、ジブロムビス（ジメチルフェニル
ホスフィン）パラジウム（Ｉｆ）。
ジブロムビス（トリメチルホスフィン）パラジウム（Ｉ
ｔ）、ジブロムビス（トリエチルホスフィ／）パラジウ
ム（ＴＩ）、ショートビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム（Ｉｆ）、ショートビス（メチルジフェニス
ホスフィン）パラジウム（ＩＩ）。
ｔ）、ジブロムビス（トリエチルホスフィ／）パラジウ
ム（ＴＩ）、ショートビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム（Ｉｆ）、ショートビス（メチルジフェニス
ホスフィン）パラジウム（ＩＩ）。
ショートビス（ジメチルフェニルホスフィン）パラジウ
ム（ＩＴ）、ショートビス（トリメチルホスフィン）パ
ラジウム（ＩＩ）、ショートビス（トリエチルホスフィ
ン）パラジウム（ＩＩ）、ジブロムビス（トリフェニル
ホスフィン）白金（ＩＩ ）、ジブロムビス（メチルジ
フェニスホスフィン）白金（ｎ）、ジブロムビス（ジメ
チルフェニルホスフィン）白金（ｎ）、ジブロムビス（
トリメチルホスフィン）白金（ＩＩ ）、ジブロムビス
（トリエチルホスフィン）白金（ＩＩ）、ショートビス
（トリフェニルホスフィン）白金（■）、／ヨードビス
（メチルジフェニスボスフィン）白金（ｌ Ｌ ショー
トビス（）メチルフェニルホスフィン）白金（Ｉｌｔ）
、 ショートビス（トリメチルホスツイン）白金（Ｉ
Ｌ ショートビス（）・リエチルホスフィン）白金（
１）などを挙げることができる。これら錯体触媒は２例
えば白金族金属のハロゲン化物トドリアルキルホスフィ
ン、トリフェニルホスフィン、アルギルフェニルポスフ
ィンなどのホスフィン化合物とを別々に反応系に加えて
反応系内で形成させてもさしつかえない。
ム（ＩＴ）、ショートビス（トリメチルホスフィン）パ
ラジウム（ＩＩ）、ショートビス（トリエチルホスフィ
ン）パラジウム（ＩＩ）、ジブロムビス（トリフェニル
ホスフィン）白金（ＩＩ ）、ジブロムビス（メチルジ
フェニスホスフィン）白金（ｎ）、ジブロムビス（ジメ
チルフェニルホスフィン）白金（ｎ）、ジブロムビス（
トリメチルホスフィン）白金（ＩＩ ）、ジブロムビス
（トリエチルホスフィン）白金（ＩＩ）、ショートビス
（トリフェニルホスフィン）白金（■）、／ヨードビス
（メチルジフェニスボスフィン）白金（ｌ Ｌ ショー
トビス（）メチルフェニルホスフィン）白金（Ｉｌｔ）
、 ショートビス（トリメチルホスツイン）白金（Ｉ
Ｌ ショートビス（）・リエチルホスフィン）白金（
１）などを挙げることができる。これら錯体触媒は２例
えば白金族金属のハロゲン化物トドリアルキルホスフィ
ン、トリフェニルホスフィン、アルギルフェニルポスフ
ィンなどのホスフィン化合物とを別々に反応系に加えて
反応系内で形成させてもさしつかえない。
白金族金属の錯体触媒のなかでも特にルテニウムの錯体
触媒が最も高い４−オキソ−４，５，６，７−テトラ、
ヒドロインドール収率を示すのでＱイ適である。
触媒が最も高い４−オキソ−４，５，６，７−テトラ、
ヒドロインドール収率を示すのでＱイ適である。
白金族金属の錯体触媒の使用量は２通常１，３−シクロ
ヘキサンジオン１モルに対して、金属換算で０゜００１
〜１グラム原子、好ましくは０．０１〜０．２５グラム
原−子である。
ヘキサンジオン１モルに対して、金属換算で０゜００１
〜１グラム原子、好ましくは０．０１〜０．２５グラム
原−子である。
環化反応を行なう際に使用される溶媒としては（１１）
反応に不活性なものであれはいずれでもよいが。
ｍ 体触媒およびＮ−３−オキソ−シクロへキシリデン
エタノールアミンを溶解させることができるものが円滑
に反応を進行させることができるので好捷し、５い。好
捷しい溶媒としては、前記氏（１）で表わされるジアル
コキシアルカン類が挙げられる。
エタノールアミンを溶解させることができるものが円滑
に反応を進行させることができるので好捷し、５い。好
捷しい溶媒としては、前記氏（１）で表わされるジアル
コキシアルカン類が挙げられる。
本発明において環化反応には、いずれの方法で製造され
だＮ−３−オキソーシクロへキシリデンエタノールアミ
ンを使用してもよいが、このイζ合物は前記したように
工業的に入手の容易ｆ（１，３−シクロヘキサンジオン
とエタノールアミンとから簡単に定量的に得られるので
、この反応液をその１１使用するのが工業的に有利であ
る。環化反応を行なう際の反応温度は１００〜２５０°
６２反応時間は１〜６時間が適当であり２反応は単に加
熱するだけでもよいが、一般には還流加熱で行なうのが
適当である。
だＮ−３−オキソーシクロへキシリデンエタノールアミ
ンを使用してもよいが、このイζ合物は前記したように
工業的に入手の容易ｆ（１，３−シクロヘキサンジオン
とエタノールアミンとから簡単に定量的に得られるので
、この反応液をその１１使用するのが工業的に有利であ
る。環化反応を行なう際の反応温度は１００〜２５０°
６２反応時間は１〜６時間が適当であり２反応は単に加
熱するだけでもよいが、一般には還流加熱で行なうのが
適当である。
生成した４−オキソ−４，５，６，７−テトラヒドロイ
ンドールの回収は２例えば反応液をシリカゲル寸たはセ
ライトカラムなどに通して触媒を分離Ｉ〜（１２） た後、溶媒を留去したり、水で抽出し／こりすることに
より容易に行なうことができ、得られた粗４−オキソー
４．５，６．７−チトラヒドロインドールは。
ンドールの回収は２例えば反応液をシリカゲル寸たはセ
ライトカラムなどに通して触媒を分離Ｉ〜（１２） た後、溶媒を留去したり、水で抽出し／こりすることに
より容易に行なうことができ、得られた粗４−オキソー
４．５，６．７−チトラヒドロインドールは。
通常の精製方法２例えば再結晶などの処理によって精製
することができる。
することができる。
実施例１
ジエチレングリコールジメチルエーテル５０ｍ１に、１
，３−シクロヘキサンジオン５．６７およびエタノール
アミン５．１２を加えて約２０′Ｃで３０分間攪拌下に
反応させてＮ−３−オギソーシクロへキシリデンエタノ
ールアミンを生成させ２反応液にシバクロロトリス（ｌ
・リフェニルホスフィン）ルテニウム（Ｉ’ｌ ）２．
８ ｆを添加し、攪拌下にろ時間還流加熱して環化反応
を行なった。反応後２反応生成物をガスクロマトグラフ
ィで分析した結果。
，３−シクロヘキサンジオン５．６７およびエタノール
アミン５．１２を加えて約２０′Ｃで３０分間攪拌下に
反応させてＮ−３−オギソーシクロへキシリデンエタノ
ールアミンを生成させ２反応液にシバクロロトリス（ｌ
・リフェニルホスフィン）ルテニウム（Ｉ’ｌ ）２．
８ ｆを添加し、攪拌下にろ時間還流加熱して環化反応
を行なった。反応後２反応生成物をガスクロマトグラフ
ィで分析した結果。
４−オキソ−４，５，６，７−チトラヒドロインドール
が５．０ｇ生成していた（収率７５モル％）。
が５．０ｇ生成していた（収率７５モル％）。
実施例２〜１ろ
実施例１のジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）
ルテニウム（ｆｆ）のかわりに、第１表に記載の量の錯
体触媒を使用１〜だほかは、実施例１をくりかえした。
ルテニウム（ｆｆ）のかわりに、第１表に記載の量の錯
体触媒を使用１〜だほかは、実施例１をくりかえした。
その結果、４−オギソー４． 、５ 、６ 、７−テト
ラヒドロインドールの収率は第１表のとおりであった。
ラヒドロインドールの収率は第１表のとおりであった。
（１５）
実施例１４
ジクロロトリ（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（
ＩＩ）のかわりに、塩化ルテニウム（ＲｕＣ！ｔ２ ）
ｏ、３１：）ＩＪフェニルホスフィン２．３１と全添加
したほかは、実施例１をくりかえした。
ＩＩ）のかわりに、塩化ルテニウム（ＲｕＣ！ｔ２ ）
ｏ、３１：）ＩＪフェニルホスフィン２．３１と全添加
したほかは、実施例１をくりかえした。
その結果、４−オキソ−４，５，６，７−テトラヒドロ
インドールの生成量は４．１ｙ（収率６２モル係）であ
った。
インドールの生成量は４．１ｙ（収率６２モル係）であ
った。
特許出願人 宇部興産株式会社
Claims (1)
- Ｎ−３−オキシ−シクロへキシリデンエタノールアミン
を白金族金属の錯体触媒の存在下に溶媒中で環化反応さ
せることを特徴とする４−オキシ−４，５，６，７−ケ
トンヒドロインドールの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018214A JPS59144758A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | ４−オキソ−４，５，６，７−テトラヒドロインド−ルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018214A JPS59144758A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | ４−オキソ−４，５，６，７−テトラヒドロインド−ルの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144758A true JPS59144758A (ja) | 1984-08-18 |
Family
ID=11965392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58018214A Pending JPS59144758A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | ４−オキソ−４，５，６，７−テトラヒドロインド−ルの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144758A (ja) |
-
1983
- 1983-02-08 JP JP58018214A patent/JPS59144758A/ja active Pending
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