JPS59144278A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPS59144278A JPS59144278A JP58018588A JP1858883A JPS59144278A JP S59144278 A JPS59144278 A JP S59144278A JP 58018588 A JP58018588 A JP 58018588A JP 1858883 A JP1858883 A JP 1858883A JP S59144278 A JPS59144278 A JP S59144278A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、カラー・テレビカメラ用固体撮像素子に関し
、詳しくはX、Yのスイッチマトリクスによシ光電変換
素子を順次走査するMOS形の固体撮像素子に関するも
のである。
、詳しくはX、Yのスイッチマトリクスによシ光電変換
素子を順次走査するMOS形の固体撮像素子に関するも
のである。
固体撮像素子は、光電変換と蓄積の機能を有する2次元
配列の画素群と、各画素に蓄積された信号電荷を時系列
で順次域シ出す走査機能を有する回路とを、一体構造と
して固体化したものである。
配列の画素群と、各画素に蓄積された信号電荷を時系列
で順次域シ出す走査機能を有する回路とを、一体構造と
して固体化したものである。
このうち、走査方式はXSYのスイッチマ) IJクス
によるXYアドレス走査形(MOS形)と、自己転送機
能を有するCCD、BBD等を用いる電荷転送形とに分
けられる。
によるXYアドレス走査形(MOS形)と、自己転送機
能を有するCCD、BBD等を用いる電荷転送形とに分
けられる。
第1図は、XYアドレス走査形(MOS形)固体撮像素
子の構成図である。
子の構成図である。
第1図の回路構成は、すでに提案されている特願昭52
−82965号明細書、あるいはI EEE Tran
sBD−29A4PP745−750(1982,Ml
lAokietal)に詳述されている。
−82965号明細書、あるいはI EEE Tran
sBD−29A4PP745−750(1982,Ml
lAokietal)に詳述されている。
第1図に示すMO8形固体撮像素子では、垂直シフトレ
ジスタ11の出力線によりインターレース・スイッチ1
7を制御し、奇数フィールドではスイッチ17が端子1
8−1に切換え接続されるため、水平出力線0,11、
Oyの2本が同時に順次送出される。これによって、最
初の水平走査期間では(1,1) (L2) (1,3
) (114)・・・・・・と(2,1) (2,2)
(2,3) (2,4)・・・・・−の2行のMOS
)ランジスタがすべてオン状態になるので、第1行目の
Q、i) (1゜2) (1,3) (L4)・・・・
・・のフォト・ダイオード13R,13Gで得られた光
信号がそれぞれ垂直信号線14h、14gに移され、第
2行目の(2,1) (2,2) (2t3) (2?
4)・・・・・・のフォト・ダイオード13G、13B
で得られた光信号がそれぞれ垂直信号線14f、141
に移される。
ジスタ11の出力線によりインターレース・スイッチ1
7を制御し、奇数フィールドではスイッチ17が端子1
8−1に切換え接続されるため、水平出力線0,11、
Oyの2本が同時に順次送出される。これによって、最
初の水平走査期間では(1,1) (L2) (1,3
) (114)・・・・・・と(2,1) (2,2)
(2,3) (2,4)・・・・・−の2行のMOS
)ランジスタがすべてオン状態になるので、第1行目の
Q、i) (1゜2) (1,3) (L4)・・・・
・・のフォト・ダイオード13R,13Gで得られた光
信号がそれぞれ垂直信号線14h、14gに移され、第
2行目の(2,1) (2,2) (2t3) (2?
4)・・・・・・のフォト・ダイオード13G、13B
で得られた光信号がそれぞれ垂直信号線14f、141
に移される。
一方、水平走査期間に水平シフトレジスタ12から出力
線Ox□、Ox2、Ox3・・・・・・に順次送られる
出力パルスは同時に2つの水平スイッチ・トランジスタ
15f、15hおよび15g 、 15iを順次オン
状態にし、それぞれに接続された垂直信号線14f11
41および14h、14g上の信号を、信号出力線16
f、161および16g、16hから出力する。すなわ
ち、信号出力線16g、16hからは、第1行目のフォ
ト・ダイオード13R113Gの信号が得られ、信号出
力線16f 、16iからは、第2行目のフォト・ダイ
オード13G、13Bの信号が同時に得られる。
線Ox□、Ox2、Ox3・・・・・・に順次送られる
出力パルスは同時に2つの水平スイッチ・トランジスタ
15f、15hおよび15g 、 15iを順次オン
状態にし、それぞれに接続された垂直信号線14f11
41および14h、14g上の信号を、信号出力線16
f、161および16g、16hから出力する。すなわ
ち、信号出力線16g、16hからは、第1行目のフォ
ト・ダイオード13R113Gの信号が得られ、信号出
力線16f 、16iからは、第2行目のフォト・ダイ
オード13G、13Bの信号が同時に得られる。
また、偶数フィールドでは、スイッチ17が端子18−
2に切換え接続されるため、Oy、Oy2の2本が同時
に順次送出される。これにより、垂直シフトレジスタ1
1から加えられたパルスで水平出力線Oy、Oy2の2
本が同時に送出される。これにより、最初の水平走査期
間には、第2行目(2,1)(2,2) (2,3)
(2,4)・・・のフォトΦダイオード13G、13B
の光信号がそれぞれ垂直信号線14f、141に移され
、また第3行目(3,1) (3,2) (3,3)
(3,4)・・・のフォト・ダイオード13J 13G
の光信号がそれぞれ垂直信号線14h、14gに移され
る。この結果、水平走査期間に信号出力線16f、16
1からは第2行目のフォト・ダイオード13G、 13
Bの光信号が得られ、信号出力線16g、16hからは
第3行目のフォト・ダイオード13R,13Gの光信号
が得られる。、 このようにして、信号出力線16f〜16iから得られ
る信号を加算した信号は、空間的な位置の重みがフィー
ルドごとにフォト・ダイオードの1行分だけ上下に移動
するので、インターレース動作が実現される。そして、
このインターレース動作によれば、すべての行のフォト
・ダイオードで得られる光信号が、各フィールドごとに
信号出力端子から出力されるので、被写体が動いたとき
、フォトやダイオードに残る残像の長さは1フイ一ルド
期間(1/60秒)に動いた距離に対応した量となり、
視覚上目ざわシな残像を防止できる。さらに、光ダイオ
ードに配置されたマトリクス色フィルタとの組み合わせ
によって、カラー信号再生に適した全く独立した2種の
色信号を常時同時に引き出すことができるため、単板カ
ラー撮像素子としてきわめて利点が大きい。
2に切換え接続されるため、Oy、Oy2の2本が同時
に順次送出される。これにより、垂直シフトレジスタ1
1から加えられたパルスで水平出力線Oy、Oy2の2
本が同時に送出される。これにより、最初の水平走査期
間には、第2行目(2,1)(2,2) (2,3)
(2,4)・・・のフォトΦダイオード13G、13B
の光信号がそれぞれ垂直信号線14f、141に移され
、また第3行目(3,1) (3,2) (3,3)
(3,4)・・・のフォト・ダイオード13J 13G
の光信号がそれぞれ垂直信号線14h、14gに移され
る。この結果、水平走査期間に信号出力線16f、16
1からは第2行目のフォト・ダイオード13G、 13
Bの光信号が得られ、信号出力線16g、16hからは
第3行目のフォト・ダイオード13R,13Gの光信号
が得られる。、 このようにして、信号出力線16f〜16iから得られ
る信号を加算した信号は、空間的な位置の重みがフィー
ルドごとにフォト・ダイオードの1行分だけ上下に移動
するので、インターレース動作が実現される。そして、
このインターレース動作によれば、すべての行のフォト
・ダイオードで得られる光信号が、各フィールドごとに
信号出力端子から出力されるので、被写体が動いたとき
、フォトやダイオードに残る残像の長さは1フイ一ルド
期間(1/60秒)に動いた距離に対応した量となり、
視覚上目ざわシな残像を防止できる。さらに、光ダイオ
ードに配置されたマトリクス色フィルタとの組み合わせ
によって、カラー信号再生に適した全く独立した2種の
色信号を常時同時に引き出すことができるため、単板カ
ラー撮像素子としてきわめて利点が大きい。
しかし、従来の固体撮像素子では、画面の一部に強い光
が入射した場合、再生画面上で光点の上下に明るい線を
生ずるプルーミングおよびスメアという偽信号が生ずる
。
が入射した場合、再生画面上で光点の上下に明るい線を
生ずるプルーミングおよびスメアという偽信号が生ずる
。
第2図は、第1図における基本画素の断面構造図である
。第2図により、ブルーミングとスメアの現象を説明す
る。1はフォト・ダイオードの1拡散層、2はP形Si
基板、3はn+拡散層、4は垂直信号線、5はゲート、
6.7は光電子、8は入射光である。
。第2図により、ブルーミングとスメアの現象を説明す
る。1はフォト・ダイオードの1拡散層、2はP形Si
基板、3はn+拡散層、4は垂直信号線、5はゲート、
6.7は光電子、8は入射光である。
フォト・ダイオードを形成するn+拡散層1は、入射光
8によって生成された光電子6を集めるが、入射光8が
強すぎる場合には当然光電子6が溢れる。この溢れだ光
電子6は、近接した垂直信号線4につながる1拡散層3
すなわちドレインに流入し、垂直信号線4を共有する他
の画素、つまり垂直に並んだ画素の信号に混入して偽信
号を発生する。これがプルーミング(Blooming
)現象である。
8によって生成された光電子6を集めるが、入射光8が
強すぎる場合には当然光電子6が溢れる。この溢れだ光
電子6は、近接した垂直信号線4につながる1拡散層3
すなわちドレインに流入し、垂直信号線4を共有する他
の画素、つまり垂直に並んだ画素の信号に混入して偽信
号を発生する。これがプルーミング(Blooming
)現象である。
これに対し、スメア(Smear)は、Si基板2の内
部で光電子7が熱拡散し、n+拡散層3に流入、あるい
は散乱光によシn+拡散層3が感光することによって、
ゲート5の選択の有無によらず、垂直信号線4に光偽信
号を生成するものである。
部で光電子7が熱拡散し、n+拡散層3に流入、あるい
は散乱光によシn+拡散層3が感光することによって、
ゲート5の選択の有無によらず、垂直信号線4に光偽信
号を生成するものである。
ドレインで発生した光電子は、MOSトランジスタのオ
ン・オフにかかわらず垂直信号線4に移されるが、垂直
信号線には上下に並んだ数100のMOSトランジスタ
のすべてのドレインが接続されているので、各MO8)
ランジスタ上に投影されたこの種光情報は垂直信号線4
に混合加算されて蓄積される。つ−g、各垂直信号線4
には、投影された被写体像の垂直方向の積分光量に対応
した信号電流が蓄積されることになる。この信号は、画
面上に各水平走査期ごとに通常の信号に重畳して出てく
るので、一部に明るい部分の存在する被写体像を撮像し
た場合、再生画面上では、上下方向に尾引き状の偽信号
が発生する。これは、固体撮像素子に特有の垂直スメア
と呼ばれる。
ン・オフにかかわらず垂直信号線4に移されるが、垂直
信号線には上下に並んだ数100のMOSトランジスタ
のすべてのドレインが接続されているので、各MO8)
ランジスタ上に投影されたこの種光情報は垂直信号線4
に混合加算されて蓄積される。つ−g、各垂直信号線4
には、投影された被写体像の垂直方向の積分光量に対応
した信号電流が蓄積されることになる。この信号は、画
面上に各水平走査期ごとに通常の信号に重畳して出てく
るので、一部に明るい部分の存在する被写体像を撮像し
た場合、再生画面上では、上下方向に尾引き状の偽信号
が発生する。これは、固体撮像素子に特有の垂直スメア
と呼ばれる。
これらの現象を抑止するため、第3図に示すような画素
構造が提案されている(特公昭57−30350号公報
および前記引用文献参照)。
構造が提案されている(特公昭57−30350号公報
および前記引用文献参照)。
第3図では、画素構造を、n+拡散層1と薄いP形つェ
ル22と、n形Si基板24の3層構造とし、寄生バイ
ポーラ・トランジスタ25によシ余剰光電子をn形基板
24に吸い出してプルーミングをほぼ完全に抑止し、ス
メア電荷も拡散成分はP形つェル22とn形基板24の
間の障壁のだめ大幅に低下する。なおp+領域23は、
信号容量を増加するだめの補助手段である。
ル22と、n形Si基板24の3層構造とし、寄生バイ
ポーラ・トランジスタ25によシ余剰光電子をn形基板
24に吸い出してプルーミングをほぼ完全に抑止し、ス
メア電荷も拡散成分はP形つェル22とn形基板24の
間の障壁のだめ大幅に低下する。なおp+領域23は、
信号容量を増加するだめの補助手段である。
しかしながら、入射光量には際限がなく、実用的にはさ
らに1桁以上のスメア抑圧が必要であり、前記引用文献
(M、 Aoki etal )の素子においても、実
用化に際しては、外部補助回路によりさらに1桁のスメ
ア抑圧が行われている。
らに1桁以上のスメア抑圧が必要であり、前記引用文献
(M、 Aoki etal )の素子においても、実
用化に際しては、外部補助回路によりさらに1桁のスメ
ア抑圧が行われている。
まだ、従来の固体撮像素子は、感度つまり信号対雑音比
の面で問題がある。
の面で問題がある。
先ず、信号の方は、第1図に示すように画素配列1列当
シ2本の垂直信号線を配置しているが、垂直信号線14
は最も高速な信号を扱うため、アルミニウム(AI)等
の金属を用いることが不可欠であシ、この信号線を2本
設けることが画素の光入射用開口を制限し、光感度を損
っている。
シ2本の垂直信号線を配置しているが、垂直信号線14
は最も高速な信号を扱うため、アルミニウム(AI)等
の金属を用いることが不可欠であシ、この信号線を2本
設けることが画素の光入射用開口を制限し、光感度を損
っている。
また、雑音の方は、やはり前記引用文献QllJ、A−
oki etal )に詳述されているように、大きく
分ければ、水平走査において大きな寄生容量(第1図の
19)を有する垂直信号線14をサンプリングすること
によシ発生する内部雑音”N1、および水平信号線16
の寄生容量、パッケージのビン容量を含めた容量Coと
プリアンプ入力容量Ciの和とプリアンプ人力部の等価
抵抗Reで定まるプリアンプ雑音IN2がある。
oki etal )に詳述されているように、大きく
分ければ、水平走査において大きな寄生容量(第1図の
19)を有する垂直信号線14をサンプリングすること
によシ発生する内部雑音”N1、および水平信号線16
の寄生容量、パッケージのビン容量を含めた容量Coと
プリアンプ入力容量Ciの和とプリアンプ人力部の等価
抵抗Reで定まるプリアンプ雑音IN2がある。
ちなみに、上記各雑音IN′□、I2□は次式で表わさ
れる。
れる。
I、、”1=2kTCvf、B・・−・・・・−・・・
・・・・・−・・・・・−・・・・・・・・・・(1)
■N% = 背π2(CO+C1)2kTReB3・・
・・・・・・・・・・・・・(2)ここで、kはボルツ
マン定数、Tは絶対温度、fsは水平走査周波数、Bは
信号帯域である。これらが固体撮像素子の感度を制限し
ているわけであるが、内部雑音lN21は素子固有の成
分であって、どのように優れたプリアンプを用いても改
良されず、また雑音の周波数スペクトラムが平担で6C
1低周波の成分は同じ雑音エネルギでも再生画像で目立
ち易い性質があるため、感度を制限する支配的要素とな
っている。
・・・・・−・・・・・−・・・・・・・・・・(1)
■N% = 背π2(CO+C1)2kTReB3・・
・・・・・・・・・・・・・(2)ここで、kはボルツ
マン定数、Tは絶対温度、fsは水平走査周波数、Bは
信号帯域である。これらが固体撮像素子の感度を制限し
ているわけであるが、内部雑音lN21は素子固有の成
分であって、どのように優れたプリアンプを用いても改
良されず、また雑音の周波数スペクトラムが平担で6C
1低周波の成分は同じ雑音エネルギでも再生画像で目立
ち易い性質があるため、感度を制限する支配的要素とな
っている。
第4図は、従来の改良形固体撮像素子の回路構成図であ
る。
る。
例えば、テレビジ、7学会誌V01.26、/l61P
P33〜46(1972安藤他)等の文献に、第4図の
構成について報告されている。これは、画素に、垂直、
水平の2つのMOSトランジスタ・スイッチ31,32
を配設したもので、信号は垂直走査線33で選択された
水平信号線36、垂直走査線34を介して引き出される
。第4図から明らかなように、この素子では、映像期間
内に大きな寄生容量を有する信号線のサンプリングは行
われないため、上記の内部雑音縁、は発生しない。また
、プルーミングおよびスメアについては、偽信号が水平
信号線36に流入した場合に限られるわけであるが、連
続した画素の読み取りの度にイ為信号がクリアされる形
になυ、その時間が最も短い水平走査1画素分の読み取
シ時間に限られるため、例えば標準の垂直500画素、
水平400画素の素子の場合、単純には第1図に示す素
子に比べて1/400程度に低下する。
P33〜46(1972安藤他)等の文献に、第4図の
構成について報告されている。これは、画素に、垂直、
水平の2つのMOSトランジスタ・スイッチ31,32
を配設したもので、信号は垂直走査線33で選択された
水平信号線36、垂直走査線34を介して引き出される
。第4図から明らかなように、この素子では、映像期間
内に大きな寄生容量を有する信号線のサンプリングは行
われないため、上記の内部雑音縁、は発生しない。また
、プルーミングおよびスメアについては、偽信号が水平
信号線36に流入した場合に限られるわけであるが、連
続した画素の読み取りの度にイ為信号がクリアされる形
になυ、その時間が最も短い水平走査1画素分の読み取
シ時間に限られるため、例えば標準の垂直500画素、
水平400画素の素子の場合、単純には第1図に示す素
子に比べて1/400程度に低下する。
しかし、第4図の素子においては、光ダイオード13に
接続されたMOS)ランジスタ31は、その画素が選択
されていない問いたずらにスイッチ動作を続けるわけで
あるが、この場合、MOS)ランジスタ共通の現象とし
て、フォト・ダイオード13から電子を引き出し基板に
叩き込むチャージ・ポンプ現象が生ずる。この量が各画
素ととKばらつくために、画素ごとに固有の固定雑音を
生じ、画面上では場所によって固定した大きなばらつき
となり、一様性が悪くなるため、結局は感度が高くなら
ない。
接続されたMOS)ランジスタ31は、その画素が選択
されていない問いたずらにスイッチ動作を続けるわけで
あるが、この場合、MOS)ランジスタ共通の現象とし
て、フォト・ダイオード13から電子を引き出し基板に
叩き込むチャージ・ポンプ現象が生ずる。この量が各画
素ととKばらつくために、画素ごとに固有の固定雑音を
生じ、画面上では場所によって固定した大きなばらつき
となり、一様性が悪くなるため、結局は感度が高くなら
ない。
さらに、水平信号線36は、非選択期間、つまシ(1フ
イ一ルド期間)マイナス(1水平走査期間)の長い間、
プルーミング電荷およびスメア電荷を1水平ライン分だ
け貯え続けるわけであるが、この量は第1図の素子に比
べて250倍にも及び、これが各水平走査の第1画素読
み出し時に読み出されることになるため、光量が大きく
なると短時間では読み出しきれず、画面が不安定になっ
てしまう。
イ一ルド期間)マイナス(1水平走査期間)の長い間、
プルーミング電荷およびスメア電荷を1水平ライン分だ
け貯え続けるわけであるが、この量は第1図の素子に比
べて250倍にも及び、これが各水平走査の第1画素読
み出し時に読み出されることになるため、光量が大きく
なると短時間では読み出しきれず、画面が不安定になっ
てしまう。
さらに垂直MO8)ランジスタ・スイッチ32は水平信
号線36に接続されているが、MOS)ランジスタはオ
ン状態においてゲートとドレインの結合容量が非常に大
きく、この接続では信号読み出し時に1行のMOS )
ランジスタが全てこの状態になシ、垂直走査線33と水
平信号線36の間に大きな寄生容量を生じ、この結果プ
リアンプ雑音が大きくなり、感度低下をきたす。
号線36に接続されているが、MOS)ランジスタはオ
ン状態においてゲートとドレインの結合容量が非常に大
きく、この接続では信号読み出し時に1行のMOS )
ランジスタが全てこの状態になシ、垂直走査線33と水
平信号線36の間に大きな寄生容量を生じ、この結果プ
リアンプ雑音が大きくなり、感度低下をきたす。
さらに、第4図のままの構成では、複数の色信号を常時
読み出すことができないので、カラー素子に適さず、ま
たインターレース方式にも合わせることかできない。
読み出すことができないので、カラー素子に適さず、ま
たインターレース方式にも合わせることかできない。
本発明の目的は、このような従来の問題を改善するだめ
、感度を高めるとともに、プルーミング、スメアを大幅
に低下させることができる固体撮像素子を提供すること
にある。
、感度を高めるとともに、プルーミング、スメアを大幅
に低下させることができる固体撮像素子を提供すること
にある。
本発明の固体撮像素子は、光電変換素子およびスイッチ
素子からなる画素の′アレーと、これら画素のアレーを
順次選択走査する水平および垂直走査回路を有する固体
撮像素子において、上記画素内のスイッチ素子が上記光
電変換素子に接続され、かつ垂直走査回路で駆動される
スイッチ素子と、水平信号出力線に接続し、かつ水平走
査回路で駆動されるスイッチ素子の直列接続からなり、
さらに上記水平信号出力線が上記垂直走査回路によって
駆動されるスイッチ素子を介して垂直信号線に接続され
ることに特徴がある。
素子からなる画素の′アレーと、これら画素のアレーを
順次選択走査する水平および垂直走査回路を有する固体
撮像素子において、上記画素内のスイッチ素子が上記光
電変換素子に接続され、かつ垂直走査回路で駆動される
スイッチ素子と、水平信号出力線に接続し、かつ水平走
査回路で駆動されるスイッチ素子の直列接続からなり、
さらに上記水平信号出力線が上記垂直走査回路によって
駆動されるスイッチ素子を介して垂直信号線に接続され
ることに特徴がある。
第5図は、本発明の実施例を示す固体撮像素子の回路構
成図である。
成図である。
第5図に示す本発明の構成は、第4図、第1図の従来の
構成に比較して、次の点で異なっておシ、それによる利
点も下記のとおシである。
構成に比較して、次の点で異なっておシ、それによる利
点も下記のとおシである。
先ず(1)画素に2個のMOSトランジスタ・スイッチ
31.32を直列接続するが、その接続順序を第4図の
場合と逆にして、フォト・トランジスタ13がらMOS
)ランジスタ32.31の順序で接続し、水平信号線3
6に光信号を送出している。これにょシ、水平走査にお
いてチャージ・ポンプ現象がフォト・ダイオード13に
影響を及ぼさないよ、うにしている。(1)リセット・
ライン47を設けて、スメア信号、チャージ・ポンプ電
流を排除し、かつフィールドごとに全画素の信号を読み
出すようにして、残像をなくしている。(iiQスイッ
チ17を設けてインターレース方式を可能にしている。
31.32を直列接続するが、その接続順序を第4図の
場合と逆にして、フォト・トランジスタ13がらMOS
)ランジスタ32.31の順序で接続し、水平信号線3
6に光信号を送出している。これにょシ、水平走査にお
いてチャージ・ポンプ現象がフォト・ダイオード13に
影響を及ぼさないよ、うにしている。(1)リセット・
ライン47を設けて、スメア信号、チャージ・ポンプ電
流を排除し、かつフィールドごとに全画素の信号を読み
出すようにして、残像をなくしている。(iiQスイッ
チ17を設けてインターレース方式を可能にしている。
(iv)複数本の信号出力線49.50を設け、単板カ
ラー撮像に適した水平2行の同時走査を可能にしている
。
ラー撮像に適した水平2行の同時走査を可能にしている
。
これらの動作について、さらに詳しく説明する。
すなわち、画素においては、フォト・ダイオード13に
垂直MO8)ランジスタ・スイッチ32を接続し、この
トランジスタ32と水平信号線360間に水平MO8)
ランジスタ・スイッチ31を接続する。これによって、
非選択時のチャージポンプは水平信号線36に対して生
ずるのみであり、フォト・ダイオード13の信号に影響
を及ぼさない。周知のように、水平走査の周期、つまり
水平シフト・レジスタ12からの出力の周期は非常に短
時間でちり、高速走査が行われるのに対して、垂直走査
の周期、つまり垂直シフト・レジスタ11からの出力の
周期は非常に長く、画面1枚に1回、すなわち光信号の
読み取シ時に1回出力されるのみである。しだがって、
第5図では、フォト・ダイオード13から電荷を引き出
して基板に叩き込むチャージ・ポンプ現象が垂直走査時
にだけ(1フイールドに1回のみ)起るため、水平走査
時ごとに起る第4図の場合より固定雑音が著しく少なく
なシ、画面上での一様性は良好となって、感度が高くな
る。
垂直MO8)ランジスタ・スイッチ32を接続し、この
トランジスタ32と水平信号線360間に水平MO8)
ランジスタ・スイッチ31を接続する。これによって、
非選択時のチャージポンプは水平信号線36に対して生
ずるのみであり、フォト・ダイオード13の信号に影響
を及ぼさない。周知のように、水平走査の周期、つまり
水平シフト・レジスタ12からの出力の周期は非常に短
時間でちり、高速走査が行われるのに対して、垂直走査
の周期、つまり垂直シフト・レジスタ11からの出力の
周期は非常に長く、画面1枚に1回、すなわち光信号の
読み取シ時に1回出力されるのみである。しだがって、
第5図では、フォト・ダイオード13から電荷を引き出
して基板に叩き込むチャージ・ポンプ現象が垂直走査時
にだけ(1フイールドに1回のみ)起るため、水平走査
時ごとに起る第4図の場合より固定雑音が著しく少なく
なシ、画面上での一様性は良好となって、感度が高くな
る。
次に、走査については、第1図の素子の場合と同じく、
インターレース・スイッチ17により2行同時に行う。
インターレース・スイッチ17により2行同時に行う。
すなわち、インターレース・スイッチ17が上方に切換
え接続されると、垂直シフトレジスタ11の出力により
、最初の水平走査期間には2行の垂直MOSトランジス
タ32がすべてオン状態になり、さらに短かい周期で水
平走査期間に移って、水平シフト・レジスタ12からの
出力によp2行の水平MO8)ランジスタ31が次々に
オン状態となる。これにより、フォト・ダイオード13
R,13Gの光信号が水平信号線36に移され、垂直シ
フト・レジスタ11の出力によって垂直スイッチMOS
トランジスタ37がオン状態となるので、2行分の水平
信号線36に送出された光信号は、それぞれ別個の垂直
信号線41.42に移される。これによって、水平2行
の光信号を独立した信号出力線49.50に同時に出力
することができる。
え接続されると、垂直シフトレジスタ11の出力により
、最初の水平走査期間には2行の垂直MOSトランジス
タ32がすべてオン状態になり、さらに短かい周期で水
平走査期間に移って、水平シフト・レジスタ12からの
出力によp2行の水平MO8)ランジスタ31が次々に
オン状態となる。これにより、フォト・ダイオード13
R,13Gの光信号が水平信号線36に移され、垂直シ
フト・レジスタ11の出力によって垂直スイッチMOS
トランジスタ37がオン状態となるので、2行分の水平
信号線36に送出された光信号は、それぞれ別個の垂直
信号線41.42に移される。これによって、水平2行
の光信号を独立した信号出力線49.50に同時に出力
することができる。
インターレース方式が実現できるので、各フィールドご
とに全画素の信号を読み出すことができ、視覚上目ざわ
シな等価残像は生じない。また、カラー撮像では、複数
の色信号を同時に出力しなければならないが、第5図で
は、垂直信号線を複数本設けているため、カラー化が可
能でsb、特に単板カラー化に適したものとなる。なお
、モノクロ素子として用いる場合には、垂直信号線41
.42を1本にまとめてもよい。
とに全画素の信号を読み出すことができ、視覚上目ざわ
シな等価残像は生じない。また、カラー撮像では、複数
の色信号を同時に出力しなければならないが、第5図で
は、垂直信号線を複数本設けているため、カラー化が可
能でsb、特に単板カラー化に適したものとなる。なお
、モノクロ素子として用いる場合には、垂直信号線41
.42を1本にまとめてもよい。
次に、リセット用MO8)ランジスタ48には、各水平
走査のブランキング期間ごとにリセット・ライン47を
介して正のパルスが印加され、全水平信号線36をビデ
オ電源40の電圧にリセットする。この手段により、水
平信号線36の受は取るプルーミング電荷、スメア電荷
、およびチャージ・ポンプ電荷は、水平走査期間ごとに
排出され、全く問題とならなくなる。すなわち、水平信
号線36には大きな寄生容量が存在し、ここにブルーミ
ング電荷およびスメア電荷が1水平走査期間の長い間蓄
積されるが、リセット用MO8)ランジスタ48により
これらをすべて放電させるので、スメアは第4図の場合
の1/400に低下する。なお、水平走査線36はアル
ミニウム(Al)等の金属を用い、垂直走査線33は多
結晶シリコン(8i)等のゲート配線材料を用いるが、
殆んどの部分を重畳して形成することができる。この結
果として、フォト°ダイオード13の開口を増加させる
ことができ、しかも前述のように内部雑音がなくなるの
で、感度が大幅に向上する。
走査のブランキング期間ごとにリセット・ライン47を
介して正のパルスが印加され、全水平信号線36をビデ
オ電源40の電圧にリセットする。この手段により、水
平信号線36の受は取るプルーミング電荷、スメア電荷
、およびチャージ・ポンプ電荷は、水平走査期間ごとに
排出され、全く問題とならなくなる。すなわち、水平信
号線36には大きな寄生容量が存在し、ここにブルーミ
ング電荷およびスメア電荷が1水平走査期間の長い間蓄
積されるが、リセット用MO8)ランジスタ48により
これらをすべて放電させるので、スメアは第4図の場合
の1/400に低下する。なお、水平走査線36はアル
ミニウム(Al)等の金属を用い、垂直走査線33は多
結晶シリコン(8i)等のゲート配線材料を用いるが、
殆んどの部分を重畳して形成することができる。この結
果として、フォト°ダイオード13の開口を増加させる
ことができ、しかも前述のように内部雑音がなくなるの
で、感度が大幅に向上する。
なお、第5図における画素構造に対して、フォト拳ダイ
オードをフォト・トランジスタに変更したり、あるいは
第3図に示す改良された画素構造を適用することができ
、これによってさらに高性能の素子を実現することがで
きる。また、水平走査線36の各水平ブランキング期間
におけるリセット方法、出力方法等は、最も簡単な方法
を実施例で説明したが、リセット動作および複数信号の
独立な出力動作という基本概念が同一であれば、これに
限定されることなく、他の方法も適用可能である。さら
に、実施例では、nチャネル素子で説明しだが、nチャ
ネル素子に対しても極性を逆に接続することにより、全
く同じように適用することができる。
オードをフォト・トランジスタに変更したり、あるいは
第3図に示す改良された画素構造を適用することができ
、これによってさらに高性能の素子を実現することがで
きる。また、水平走査線36の各水平ブランキング期間
におけるリセット方法、出力方法等は、最も簡単な方法
を実施例で説明したが、リセット動作および複数信号の
独立な出力動作という基本概念が同一であれば、これに
限定されることなく、他の方法も適用可能である。さら
に、実施例では、nチャネル素子で説明しだが、nチャ
ネル素子に対しても極性を逆に接続することにより、全
く同じように適用することができる。
以上説明したようK、本発明によれば、光電変換素子と
水平信号線の間に、垂直走査回路により駆動されるスイ
ッチ素子、および水平走査回路により駆動されるスイッ
チ素子の直列接続を、光電変換素子よりこの接続順序で
挿入したので、ブルーミングやスメア等の光偽信号が発
生することなく、かつ高感度の固体撮像素子を実現する
ことができる。
水平信号線の間に、垂直走査回路により駆動されるスイ
ッチ素子、および水平走査回路により駆動されるスイッ
チ素子の直列接続を、光電変換素子よりこの接続順序で
挿入したので、ブルーミングやスメア等の光偽信号が発
生することなく、かつ高感度の固体撮像素子を実現する
ことができる。
第1図は従来のMO8形固体撮像素子の構成図、第2図
は第1図における基本画素の断面構造図、第3図は従来
の改良形基本画素の断面構造図、第4図は従来の改良形
固体撮像素子の回路構成図、第5図は本発明の実施例を
示す固体撮像素子の回路構成図である。 1.3:n+拡散層、2:P形Si基板、4:垂直信号
線、5:ゲート、11:垂直走査回路(シフト・レジス
タ)、12:水平走査回路(シフト・レジスタ)、13
:フォト・ダイオード、17:インターレース拳スイッ
チ、33:垂直走査線、36:水平信号線、34゜41
、42 :垂直信号線、31:水平MOSトランジス
タ◆スイッチ、32:垂直MO8)ランジスタ・スイッ
チ、37:垂直スイッチMO8)ランジスタ、48:リ
セット・トランジスタ、38.45.46:プリアンプ 特許出願人 株式会社 日立製作新 築 1 図 第 2 図 第 3 図 第 4 図 12 第5図 2
は第1図における基本画素の断面構造図、第3図は従来
の改良形基本画素の断面構造図、第4図は従来の改良形
固体撮像素子の回路構成図、第5図は本発明の実施例を
示す固体撮像素子の回路構成図である。 1.3:n+拡散層、2:P形Si基板、4:垂直信号
線、5:ゲート、11:垂直走査回路(シフト・レジス
タ)、12:水平走査回路(シフト・レジスタ)、13
:フォト・ダイオード、17:インターレース拳スイッ
チ、33:垂直走査線、36:水平信号線、34゜41
、42 :垂直信号線、31:水平MOSトランジス
タ◆スイッチ、32:垂直MO8)ランジスタ・スイッ
チ、37:垂直スイッチMO8)ランジスタ、48:リ
セット・トランジスタ、38.45.46:プリアンプ 特許出願人 株式会社 日立製作新 築 1 図 第 2 図 第 3 図 第 4 図 12 第5図 2
Claims (4)
- (1)光電変換素子およびスイッチ素子からなる画素の
アレーと、該画素のアレーを順次選択走査する水平およ
び垂直走査回路を有する固体撮像素子において、上記画
素内のスイッチ素子は、上記光電変換素子に接続され、
かつ垂直走回路で駆動されるスイッチ素子と、水平信号
出力線に接続され、かつ水平走査回路で駆動されるスイ
ッチ素子の直列接続からなり、さらに上記水平信号出力
線は上記垂直走査回路で駆動される別のスイッチ素子を
介して垂直信号出力線に接続されることを特徴とする固
体撮像素子。 - (2)前記水平信号出力線に対し、水平走査のブランキ
ング期間ごとに所定の電圧にリセットする機構を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の固体撮像
素子。 - (3) @記水平信号出力線は、フィールドごとに組合
わせの変わる水平2行が同時に選択走査され、光信号が
送出されることを特徴とする特許請求の範囲第1項また
は第2項記載の固体撮像素子。 - (4)前記水平信号出力線は、それぞれ独立した垂直、
信号出力線に接続されることを特徴とする特許請求の範
囲第1項、第2項または第3項記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58018588A JPS59144278A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58018588A JPS59144278A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59144278A true JPS59144278A (ja) | 1984-08-18 |
JPH0474908B2 JPH0474908B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=11975787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58018588A Granted JPS59144278A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59144278A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6292588A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
US4768084A (en) * | 1985-09-28 | 1988-08-30 | Hitachi, Ltd. | Solid-state imaging device with two-row mixing gates |
JP2001085659A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006229798A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法および撮像装置 |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP58018588A patent/JPS59144278A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4768084A (en) * | 1985-09-28 | 1988-08-30 | Hitachi, Ltd. | Solid-state imaging device with two-row mixing gates |
JPS6292588A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JP2001085659A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006229798A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法および撮像装置 |
JP4670386B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2011-04-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0474908B2 (ja) | 1992-11-27 |
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