JPS6373658A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6373658A JPS6373658A JP61218802A JP21880286A JPS6373658A JP S6373658 A JPS6373658 A JP S6373658A JP 61218802 A JP61218802 A JP 61218802A JP 21880286 A JP21880286 A JP 21880286A JP S6373658 A JPS6373658 A JP S6373658A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- semiconductor substrate
- solid
- diffusion layer
- type impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 44
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板上に光電変換素子および走査回路を
集積化した固体撮像装置に関するものである。
集積化した固体撮像装置に関するものである。
本発明はテレビカメラ等を構成する固体撮像装置におい
て、固体撮像装置の雑晋除去を特許請求の範囲の第１項
に記述した如くすることによって撮順特住の向上？計っ
たものである。
て、固体撮像装置の雑晋除去を特許請求の範囲の第１項
に記述した如くすることによって撮順特住の向上？計っ
たものである。
従来Ｏ技術の概要を第２図及び第３図金円いて説明する
。
。
第２図は二次元固体撮像装置の構成列を示す。
光電変換素子は光ダイオード１を用いておフ、光ダイオ
ード１はマトリックス状に配置されている。
ード１はマトリックス状に配置されている。
たとえば光ダイオード１を選択するスイッチＭＯ８トラ
ンジスタ２および３であｐ、ＭＯＥ＋）ライジスタ２お
よび３は各々垂直走査回路９及び水平走査回路ｌＯによ
シ垂直走査ゲート４及び水平走査ゲート５を通じ制御さ
れている。すなわち垂直走査回路９により選択された光
ダイオード１の光情報は垂直信号線６にスイッチ用ＭＯ
８トランジスタ２を通じ読み出される１次に水平走査回
路ｌＯによシ選択されたスイッチ用Ｍ０８トランジスタ
３は垂直信号ｆｉ１６にある光情報を水平信号線７に読
み出し、出力端８に光情報を出力する。
ンジスタ２および３であｐ、ＭＯＥ＋）ライジスタ２お
よび３は各々垂直走査回路９及び水平走査回路ｌＯによ
シ垂直走査ゲート４及び水平走査ゲート５を通じ制御さ
れている。すなわち垂直走査回路９により選択された光
ダイオード１の光情報は垂直信号線６にスイッチ用ＭＯ
８トランジスタ２を通じ読み出される１次に水平走査回
路ｌＯによシ選択されたスイッチ用Ｍ０８トランジスタ
３は垂直信号ｆｉ１６にある光情報を水平信号線７に読
み出し、出力端８に光情報を出力する。
このようにマトリックス状に配置された光ダイオード１
に蓄積された情報を順次選択及び走査することによシ１
画像信号として取り出すものである。
に蓄積された情報を順次選択及び走査することによシ１
画像信号として取り出すものである。
スイッチ用ＭＯ８）ランジスタ２及び３または垂直走査
ゲート４．水平走査ゲート５または垂直信号線６．水平
信号線７．出力端８は目的に応じ複数になっている場合
もある。
ゲート４．水平走査ゲート５または垂直信号線６．水平
信号線７．出力端８は目的に応じ複数になっている場合
もある。
第３図は光電変換部の単位画素の断面構造を示す、以下
説明の便宜上、電子を信号電荷とするＮチャンネル型の
撮像装置について述べるが、正孔を信号電荷とするＰチ
ャンネル型の撮［ＩＶｃ置においても以下の説明は極性
および導電型を逆にするのみで、同様に適用できるもの
である。
説明の便宜上、電子を信号電荷とするＮチャンネル型の
撮像装置について述べるが、正孔を信号電荷とするＰチ
ャンネル型の撮［ＩＶｃ置においても以下の説明は極性
および導電型を逆にするのみで、同様に適用できるもの
である。
単位画素は、Ｐ型８１単結晶からなるｓ７基板１４とｎ
型拡散層１１で形成される光ダイオード。
型拡散層１１で形成される光ダイオード。
と同時に形成されるｎ型拡散層１１をソースとして多結
晶ｓ４からなるゲート電極１３及びｎ型拡、数層１２ｔ
−ドレインとするＭＯ１３型電界効果トランジスタで形
成される。ドレイン１２はＡＬなどの金属からなる電極
１５と接続され第１図に示す垂直信号線６を形成する。
晶ｓ４からなるゲート電極１３及びｎ型拡、数層１２ｔ
−ドレインとするＭＯ１３型電界効果トランジスタで形
成される。ドレイン１２はＡＬなどの金属からなる電極
１５と接続され第１図に示す垂直信号線６を形成する。
光１７が撮像面に入射するとル型拡散層１１およびｐ型
ｓ４基板１４内で電子−正孔対音発生し、この内電子が
信号電荷として外型拡散層１１に注入され、ｎ型拡散層
１１とｐ型Ｂ＜基板１４で形成される接合容量によシ蓄
積される。垂直走査ゲート１３に正のパルスが印加され
ると、正電位となりているｎ型拡散層１２（ドレイン）
に上記電子すなわち信号電荷が電極１５（第２図では垂
直信号線６）に読み出され、第２図で説明し九如く出力
端８まで読み出される。このときｎ型拡散層１１（ソー
ス）は正の電位とな＃）％次に走査されるまで光１７に
よフ発生する電子を蓄積しつづけ正の電位が低下する。
ｓ４基板１４内で電子−正孔対音発生し、この内電子が
信号電荷として外型拡散層１１に注入され、ｎ型拡散層
１１とｐ型Ｂ＜基板１４で形成される接合容量によシ蓄
積される。垂直走査ゲート１３に正のパルスが印加され
ると、正電位となりているｎ型拡散層１２（ドレイン）
に上記電子すなわち信号電荷が電極１５（第２図では垂
直信号線６）に読み出され、第２図で説明し九如く出力
端８まで読み出される。このときｎ型拡散層１１（ソー
ス）は正の電位とな＃）％次に走査されるまで光１７に
よフ発生する電子を蓄積しつづけ正の電位が低下する。
このように各単位画素を選択走査し画滓信号として出力
端８に取り出す。
端８に取り出す。
しかし以下の欠点を有しているため実用化がはばまれて
いる。
いる。
光１７によジ発生した電子−正孔対は、信号電荷となる
。その信号電荷は光ダイオードｌを形成する。拡散層１
１及び拡散層１１の近辺の半導体基板１４で発生する。
。その信号電荷は光ダイオードｌを形成する。拡散層１
１及び拡散層１１の近辺の半導体基板１４で発生する。
しかし拡散層１１の近辺の半導体基板１４以外の半導体
基板１４（半導体基板１４の深部及び酸化模１６の下方
及び拡散層１２及び拡散層１２の下方の半導体基板１４
）においても、光１７によシミ子−正孔対が発生する。
基板１４（半導体基板１４の深部及び酸化模１６の下方
及び拡散層１２及び拡散層１２の下方の半導体基板１４
）においても、光１７によシミ子−正孔対が発生する。
信号電荷の貴重は次式に示される。
工＝Ａλ６″″ａ８
λは光の波長、αは半導体基板の吸収係数、Ｘは拡散層
１１を含めた半導体基板の深さ、Ａは定Ｗｖ−ｆａ！、
Ｌ＞／ＴＳＦ ＾ Ｗ％４１ｋｔ、Ｍ Ｉ Ａ
σ）ｍ Ｗ Ｂ ｒｃ酸化＠１６の下方及び拡散
層１２の下方の半導体基板１４で発生した電子−正孔対
は再結合して消滅してしまえば１問題とならないが、拡
散層１２もしくは、隣接する画素の拡散層（ダイオード
１及び垂直信号線６に接続するドレイン）に混入してし
まい、真の信号電荷にまざってしまう、このことは固体
撮像装置の解像度の低下をもたらし。
１１を含めた半導体基板の深さ、Ａは定Ｗｖ−ｆａ！、
Ｌ＞／ＴＳＦ ＾ Ｗ％４１ｋｔ、Ｍ Ｉ Ａ
σ）ｍ Ｗ Ｂ ｒｃ酸化＠１６の下方及び拡散
層１２の下方の半導体基板１４で発生した電子−正孔対
は再結合して消滅してしまえば１問題とならないが、拡
散層１２もしくは、隣接する画素の拡散層（ダイオード
１及び垂直信号線６に接続するドレイン）に混入してし
まい、真の信号電荷にまざってしまう、このことは固体
撮像装置の解像度の低下をもたらし。
強いスポット光等の光の入射に対し垂直方向に白もしく
は輝度の高い線が発生してしまう、（以上をスミアと呼
ぶ） ス１７１ｄ固体撮慮装置の撮像特性と非常に画質を低下
させるばかりでなく、垂直方向に白あるいは輝度の高い
線を発生させてしまうため、実用と問題となシ、また固
体撮像装置の実用をさまたげているという問題を有して
いる。そこｆ本発明は従来のこのような問題点を解決す
るため、スミア成分を除去するための、構造を備えるこ
とにより、固体撮像装置の解は度の向上及びスミアをな
くすことにより、撮像特性を改善及び向上させることを
目的とする。
は輝度の高い線が発生してしまう、（以上をスミアと呼
ぶ） ス１７１ｄ固体撮慮装置の撮像特性と非常に画質を低下
させるばかりでなく、垂直方向に白あるいは輝度の高い
線を発生させてしまうため、実用と問題となシ、また固
体撮像装置の実用をさまたげているという問題を有して
いる。そこｆ本発明は従来のこのような問題点を解決す
るため、スミア成分を除去するための、構造を備えるこ
とにより、固体撮像装置の解は度の向上及びスミアをな
くすことにより、撮像特性を改善及び向上させることを
目的とする。
本発明の固体撮像装置は、第１導電型の半導体基板と、
該半導体基板の１主表面に１次元あるいは２次元状に配
置された上記半導体基板と逆の導電型を有する複数個の
第１拡散層と、からなる複数個の光電変換素子と、該光
電変換素子の光の情報を順次読み出すと把手導体基板の
上記１主表面に設けられたスイッチ用ＭＯ８）ランジス
タと、走査回路と、全備えた固体撮像装置において。
該半導体基板の１主表面に１次元あるいは２次元状に配
置された上記半導体基板と逆の導電型を有する複数個の
第１拡散層と、からなる複数個の光電変換素子と、該光
電変換素子の光の情報を順次読み出すと把手導体基板の
上記１主表面に設けられたスイッチ用ＭＯ８）ランジス
タと、走査回路と、全備えた固体撮像装置において。
ｌ）上記光電変換素子と上記スイッチ用ＭＯ８）ランラ
スタｆｔ構成する複数個の上記第１拡散層の横方向及び
各第１拡散層の間に同じ導電型の第２拡散層を第１拡散
層と接続することなく設けたことを特徴とする。
スタｆｔ構成する複数個の上記第１拡散層の横方向及び
各第１拡散層の間に同じ導電型の第２拡散層を第１拡散
層と接続することなく設けたことを特徴とする。
２）第２拡散層に上記半導体基板と逆方向の電圧を加え
たことを特徴とする。
たことを特徴とする。
本発明のと記の構成にすることによって１次の作用を得
る。Ｊ＝記第２拡散層（不純物層）Ｋよシスミアとなる
電荷を吸収してしまい、垂直信号線に混入するスミア電
荷を低減することによって。
る。Ｊ＝記第２拡散層（不純物層）Ｋよシスミアとなる
電荷を吸収してしまい、垂直信号線に混入するスミア電
荷を低減することによって。
固体機ま装置特有のスミアを低減でき、しいては解像度
の向上にりながシ撮壕特性を向上させることが可能にな
るのである。
の向上にりながシ撮壕特性を向上させることが可能にな
るのである。
本発明の固体撮像装置の実施例を第１図に示す第３図に
示した従来の固体撮像装置と比較して異なる点は、従来
は素子分離のなめＰ型不純物層１９を形成している所に
１本発明においてはＰ型不純物層四と、界型不純物層刀
で形成している。
示した従来の固体撮像装置と比較して異なる点は、従来
は素子分離のなめＰ型不純物層１９を形成している所に
１本発明においてはＰ型不純物層四と、界型不純物層刀
で形成している。
ｎ型拡散層２１とア型半導体基板スで形成するフォトダ
イオードに入射した光１７は、を子−正孔対を生成し、
その内篭子はｎ型拡散層２１とＰ型半導体基板あの接合
容量に光信号として蓄積する。しかしフォトダイオード
外の部分１例えば酸化膜に及びＰ型半導体基板スの深部
にも光が入り込み。
イオードに入射した光１７は、を子−正孔対を生成し、
その内篭子はｎ型拡散層２１とＰ型半導体基板あの接合
容量に光信号として蓄積する。しかしフォトダイオード
外の部分１例えば酸化膜に及びＰ型半導体基板スの深部
にも光が入り込み。
電子が生成される。この電子のほとんどのものがスミア
電荷となりてしまう、このスミア電荷は外型不純物層３
０により捕獲してしまいか型拡散層η（第２図に示すよ
うＩｆＣｎ型拡散型上散層信号線６に接続されている。
電荷となりてしまう、このスミア電荷は外型不純物層３
０により捕獲してしまいか型拡散層η（第２図に示すよ
うＩｆＣｎ型拡散型上散層信号線６に接続されている。
）に混入するのを防止している。
すなわち本発明は、スミア電荷が垂直信号線に接続され
ている？Ｓ型拡散層２２に混入することを防止する九め
に、外型不純物層３０を酸化膜あの下部に形成してスミ
ア電荷ｆｔｔｓ型不純物層加で捕獲してしまいスミアを
低減し、しいてはスミア電荷が他の画素に混入しなくな
るため解像度が向上する。
ている？Ｓ型拡散層２２に混入することを防止する九め
に、外型不純物層３０を酸化膜あの下部に形成してスミ
ア電荷ｆｔｔｓ型不純物層加で捕獲してしまいスミアを
低減し、しいてはスミア電荷が他の画素に混入しなくな
るため解像度が向上する。
ｌ）本発明は固体撮像装置の単体画朦を分離する酸化膜
直下でＰ型不純物層の間Ｋｓ梨不純物層を形成すること
によって、スきアミ荷ｆｔｎ型不純物層へ掃き出してし
まうため、スミアが低減し。
直下でＰ型不純物層の間Ｋｓ梨不純物層を形成すること
によって、スきアミ荷ｆｔｎ型不純物層へ掃き出してし
まうため、スミアが低減し。
しいては解像度が上がシ、固体撮鐵装置の撮慮特性が向
とするという効果が得られる。
とするという効果が得られる。
２）本発明は固体機ｌｆ装置特有の現象であるブルーミ
ングを抑制する効果が得られる。ブルーミングとはフォ
トダイオードに飽和光量板との光が入射したときフォト
ダイオードの電位はＩ′型半導体基板以下罠なり、フォ
トダイオードを構成する外型拡散層２１をエミッタ、ｎ
型拡散層２２をコレクタ、ＰＷ半導体基板２４ｔ−ベー
スとするラテラルトランジスタが順方向バイアスが印加
シた状態となルｎ型拡散層２２（コレクタ）からｎ型拡
散層２１（エミッタ）に電流が流れてしまう。
ングを抑制する効果が得られる。ブルーミングとはフォ
トダイオードに飽和光量板との光が入射したときフォト
ダイオードの電位はＩ′型半導体基板以下罠なり、フォ
トダイオードを構成する外型拡散層２１をエミッタ、ｎ
型拡散層２２をコレクタ、ＰＷ半導体基板２４ｔ−ベー
スとするラテラルトランジスタが順方向バイアスが印加
シた状態となルｎ型拡散層２２（コレクタ）からｎ型拡
散層２１（エミッタ）に電流が流れてしまう。
この電流をブルーミングと呼ぶ１本発明の外型拡散層（
不純物層）３１形成することによりｎ型拡散層加がコレ
クタとして働くためブルーミングを起す電流をｎ型拡散
層Ｉよシ流すことによりブルーミングを制御する効果が
得られる。
不純物層）３１形成することによりｎ型拡散層加がコレ
クタとして働くためブルーミングを起す電流をｎ型拡散
層Ｉよシ流すことによりブルーミングを制御する効果が
得られる。
第１図は本発明による固体撮像装置の単位画素の溝数図
であり、第２図は従来の固体撮像装置の回路図であ）、
第３図は従来の固体機（２装置の単位画素のｌｌｌ収図
である。 １、・・光ダイオード ２、・Φ垂直スイッチ用ＭＯ８）ランジスタ３、・Φ水
平スイッチ用Ｍ０８トランジスタ４、・・垂直走査ゲー
ト及び配線 ５、・命水平走査ゲート及び配線 ６．・・垂直信号線 ７、＠・水平信号線 ８、・・出力端 ９、・・垂直走査回路 １０ 、・・水平走査回路 １１ 、２１・・ｎ型拡散層（ソース）１２’、’２２
・・ｎ型拡散層（ドレイン）１３ 、 Ｚ３・・垂直走
査ゲート（ゲート）１４ 、２４・・Ｐ型半導体基板 １５ 、２５・・垂直信号線（ＡＩ＋）１６ 、２６・
・酸化膜 １７ 、２７・・光 １８ 、２８・・層間膜 １９ 、２９・・Ｐ型不純物層 刀、・・外型不純物層 以 上
であり、第２図は従来の固体撮像装置の回路図であ）、
第３図は従来の固体機（２装置の単位画素のｌｌｌ収図
である。 １、・・光ダイオード ２、・Φ垂直スイッチ用ＭＯ８）ランジスタ３、・Φ水
平スイッチ用Ｍ０８トランジスタ４、・・垂直走査ゲー
ト及び配線 ５、・命水平走査ゲート及び配線 ６．・・垂直信号線 ７、＠・水平信号線 ８、・・出力端 ９、・・垂直走査回路 １０ 、・・水平走査回路 １１ 、２１・・ｎ型拡散層（ソース）１２’、’２２
・・ｎ型拡散層（ドレイン）１３ 、 Ｚ３・・垂直走
査ゲート（ゲート）１４ 、２４・・Ｐ型半導体基板 １５ 、２５・・垂直信号線（ＡＩ＋）１６ 、２６・
・酸化膜 １７ 、２７・・光 １８ 、２８・・層間膜 １９ 、２９・・Ｐ型不純物層 刀、・・外型不純物層 以 上
Claims (2)
- （１）第１導電型の半導体基板と、該半導体基板の１主
表面に１次元あるいは２次元状に配置された上記半導体
基板と逆の導電型を有する複数個の第１拡散層と、から
なる複数個の光電変換素子と、該光電変換素子の光の情
報を順次読み出す上記半導体基板の上記１主表面に設け
られたスイッチ用ＭＯＳトランジスタと、走査回路と、
を備えた固体撮像装置において、 上記光電変換素子と上記スイッチ用ＭＯＳトランジスタ
を構成する複数個の上記第１拡散層の横方向及び各第１
拡散層の間に同じ導電型の第２拡散層を第１拡散層と接
続することなく設けたことを特徴とする固体撮像装置。 - （２）第２拡散層に上記半導体基板と逆方向の電圧を加
えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体
撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218802A JPS6373658A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218802A JPS6373658A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373658A true JPS6373658A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16725586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61218802A Pending JPS6373658A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373658A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110955A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Nec Corp | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| KR20020058457A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-12 | 박종섭 | 포토다이오드와 필드산화막 계면의 반도체 기판 내에고농도 불순물 도핑영역을 구비하는 이미지 센서 |
| KR100841208B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2008-06-24 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 암신호 감소를 위한 이미지센서 제조 방법 |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61218802A patent/JPS6373658A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110955A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Nec Corp | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| KR20020058457A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-12 | 박종섭 | 포토다이오드와 필드산화막 계면의 반도체 기판 내에고농도 불순물 도핑영역을 구비하는 이미지 센서 |
| KR100841208B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2008-06-24 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 암신호 감소를 위한 이미지센서 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7002626B2 (en) | Image sensor with motion artifact supression and anti-blooming | |
| US20120085888A1 (en) | Back-side illuminated solid-state imaging device | |
| JPH09233392A (ja) | 光電変換装置 | |
| CN1893541A (zh) | 包括有源像素传感器阵列的图像传感器及具有其的系统 | |
| US10680032B2 (en) | Photoelectric conversion element and solid-state image pickup device | |
| GB2046015A (en) | Solid-state imaging device | |
| US6642561B2 (en) | Solid imaging device and method for manufacturing the same | |
| Oda et al. | A 1920 (H)* 1035 (V) pixel high-definition CCD image sensor | |
| DE102017200698A1 (de) | Abbildungspixel mit einem vollständig verarmten Ladungsübertragungspfad | |
| JP3447326B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6373658A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH03240379A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0425714B2 (ja) | ||
| JP2872237B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| Miyatake et al. | Transversal-readout architecture for CMOS active pixel image sensors | |
| JPH11195779A (ja) | カラーリニアイメージセンサおよびその駆動方法 | |
| JPH0474908B2 (ja) | ||
| JP2569045B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH08279608A (ja) | 電荷転送素子及び電荷転送素子の駆動方法 | |
| KR0119803B1 (ko) | 고체촬상장치 | |
| JP2848435B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS62200762A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2500438B2 (ja) | 固体撮像素子とその駆動方法 | |
| JPH0377711B2 (ja) | ||
| JPS6374275A (ja) | 固体撮像装置 |