JPS59143066A - 基板の冷却方法 - Google Patents
基板の冷却方法Info
- Publication number
- JPS59143066A JPS59143066A JP1591083A JP1591083A JPS59143066A JP S59143066 A JPS59143066 A JP S59143066A JP 1591083 A JP1591083 A JP 1591083A JP 1591083 A JP1591083 A JP 1591083A JP S59143066 A JPS59143066 A JP S59143066A
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- JP
- Japan
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- substrate
- cooling
- belt
- metal
- different materials
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着などに使用する蒸着装置、特に電子ビ
ームなどのエネルギービームによって蒸発源を加熱し、
これにより発生させた金属蒸気流をフィルムベースなど
の支持体に蒸着せしめる蒸着装置の改良に関するもので
ある。
ームなどのエネルギービームによって蒸発源を加熱し、
これにより発生させた金属蒸気流をフィルムベースなど
の支持体に蒸着せしめる蒸着装置の改良に関するもので
ある。
近年、記録すべき情報量の増加に伴い高密度磁気記録に
対する要求が一段と強まるに牡り、従来のバインダー型
磁性液を可撓性支持体上に塗布、乾燥させる塗布型製造
方式に代わり、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレ
ーティング、等の方法によりバインダーを使用せずに前
記支持体上に強磁性金属薄膜を置設する所謂非塗布型の
製造方法が、種々研究され、実用化のための諸提案がな
されつつちる。
対する要求が一段と強まるに牡り、従来のバインダー型
磁性液を可撓性支持体上に塗布、乾燥させる塗布型製造
方式に代わり、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレ
ーティング、等の方法によりバインダーを使用せずに前
記支持体上に強磁性金属薄膜を置設する所謂非塗布型の
製造方法が、種々研究され、実用化のための諸提案がな
されつつちる。
これら非塗布型製造方法の内でも磁性金属の蒸発ビーム
を支持体表面に対し斜めに入射させで蒸着させる斜方入
射真空蒸着方法は、処理工程なども比較的コンパクトで
あると同時に、良好な磁気特性を有した薄膜が得られる
ため実用的である。
を支持体表面に対し斜めに入射させで蒸着させる斜方入
射真空蒸着方法は、処理工程なども比較的コンパクトで
あると同時に、良好な磁気特性を有した薄膜が得られる
ため実用的である。
この斜方入射真空蒸着方法ば一般に、前記支持体を前記
蒸発源上方で直線状あるいはシリンダー状キャンの外周
面に洛って曲線状に移動せしめ、前記蒸発源における極
めて限られた斜方入射角の蒸発金属流によって前記支持
体表面に強磁性金属薄膜を一度に指定厚さま゛で蒸着す
ることを特徴とするものである。
蒸発源上方で直線状あるいはシリンダー状キャンの外周
面に洛って曲線状に移動せしめ、前記蒸発源における極
めて限られた斜方入射角の蒸発金属流によって前記支持
体表面に強磁性金属薄膜を一度に指定厚さま゛で蒸着す
ることを特徴とするものである。
このような方法においては蒸着又はスパッタなどいずれ
の手段によっても支持体は強く加熱され、とくにポリエ
ステルフィルムのようなポリマーフィルムを用いる場合
には、このフィルム材料が１００°Ｃ付近以上では軟化
し、１８０〜２００℃では熔融するためこの支持体フィ
ルムを裏面から強く冷却して、蒸着中やスパッタ中もこ
の支持体フィルムの温度を１００ ’Ｃ以下、望ましく
は４０〜５０°Ｃ以下に保つ必要がある。
の手段によっても支持体は強く加熱され、とくにポリエ
ステルフィルムのようなポリマーフィルムを用いる場合
には、このフィルム材料が１００°Ｃ付近以上では軟化
し、１８０〜２００℃では熔融するためこの支持体フィ
ルムを裏面から強く冷却して、蒸着中やスパッタ中もこ
の支持体フィルムの温度を１００ ’Ｃ以下、望ましく
は４０〜５０°Ｃ以下に保つ必要がある。
このため従来は、水冷された冷却ドラム（クーリングキ
ャン）上に支持体フィルムを密着走行せしめ支持体を裏
面から冷却しつつ、蒸着またはスパッタを行なっている
。
ャン）上に支持体フィルムを密着走行せしめ支持体を裏
面から冷却しつつ、蒸着またはスパッタを行なっている
。
また、バッチ式のスパッタなどでは支持体フィルムの表
面に水冷した金属板を接触せしめてスパッタなどを行な
い熱を除去している。
面に水冷した金属板を接触せしめてスパッタなどを行な
い熱を除去している。
これらの従来技術は安価な水を使用するので低廉ではあ
るが、高真空の雰囲気（１０−４〜１０ ’Ｔｏｒｒ）
を必要とする蒸着またはスパッタを行なう真空槽中に水
の配管を必要とするため、水漏れなどの事故がおきると
この時の作業がすべて無駄になるばかりでなく、再び真
空槽を所定の真空度にもどす迄に多大な時間を要すると
′いう欠点がある。また、冷却を水管で行なっているた
め、加熱される部分の近傍のみ冷却するというような操
作が極めて困難であり、例えば冷却ドラム（クーリング
キャン）全周にわたって冷却しなければならないという
ような不便さがあった。
るが、高真空の雰囲気（１０−４〜１０ ’Ｔｏｒｒ）
を必要とする蒸着またはスパッタを行なう真空槽中に水
の配管を必要とするため、水漏れなどの事故がおきると
この時の作業がすべて無駄になるばかりでなく、再び真
空槽を所定の真空度にもどす迄に多大な時間を要すると
′いう欠点がある。また、冷却を水管で行なっているた
め、加熱される部分の近傍のみ冷却するというような操
作が極めて困難であり、例えば冷却ドラム（クーリング
キャン）全周にわたって冷却しなければならないという
ような不便さがあった。
本発明は上記事情に鑑み、真空度を低下させるおそれが
ある水などの冷却媒体を使用することなく、しかも所望
の部分のみ冷却することのできる基板の冷却方法を提供
することを目的とするものである。
ある水などの冷却媒体を使用することなく、しかも所望
の部分のみ冷却することのできる基板の冷却方法を提供
することを目的とするものである。
本発明の基板の冷却方法は、ベルチェ効果。
を生じる異種材料を積層して成る冷却面を具備した走行
案内手段によりフィル、ムベースなどの高分子基板を接
触、移送せしめ、前記異種材料間に通電して蒸′着、ス
パッタなどの際に前記高分子基板に発生する熱を吸収し
て前記高分子基板を所定の温度に維持することを特徴と
するものである。
案内手段によりフィル、ムベースなどの高分子基板を接
触、移送せしめ、前記異種材料間に通電して蒸′着、ス
パッタなどの際に前記高分子基板に発生する熱を吸収し
て前記高分子基板を所定の温度に維持することを特徴と
するものである。
なお、ベルチェ効果とは種類の異なる導体（半導体も含
む）の接触部を電流が流れる時に、接触部でジュール熱
以外の熱の°発生または吸収が起きる現象であり、電流
の向きを反転すると熱の発生と吸収が逆になる。接触部
で単位時間に発生または吸収する熱量は電流に比例し、
熱量をＱ、電流を１として定義すれば、 Ｑ ＝ １１ Ｉ で表わされる。
む）の接触部を電流が流れる時に、接触部でジュール熱
以外の熱の°発生または吸収が起きる現象であり、電流
の向きを反転すると熱の発生と吸収が逆になる。接触部
で単位時間に発生または吸収する熱量は電流に比例し、
熱量をＱ、電流を１として定義すれば、 Ｑ ＝ １１ Ｉ で表わされる。
この比測定ｉ ＩＩをペルチェ係数といい、絶対温度を
Ｔとすると、熱電能αと、 ＩＩ−αＴ なる関係にある。
Ｔとすると、熱電能αと、 ＩＩ−αＴ なる関係にある。
熱電能およびペルチェ係数は金属と金属との接触では小
さく、熱電能αは数μＶ／に程度である。これに対し、
金属と半導体との接触や平導体の接合ではαは極めて大
ぎく数百μＶ／にである。大きなベルチェ効果が期待で
きる材料としてはＢｉあるいはＴｅなどの重金属加合物
がある。
さく、熱電能αは数μＶ／に程度である。これに対し、
金属と半導体との接触や平導体の接合ではαは極めて大
ぎく数百μＶ／にである。大きなベルチェ効果が期待で
きる材料としてはＢｉあるいはＴｅなどの重金属加合物
がある。
本発明の基板の冷却方法によれば、ベルチェ効果を生じ
る異種材料を積層して成る冷却面を走行案内手段に設け
、この走行案内手段にフィルムベースなどの高分子基板
を接触して移送せしめて、この基板に、例えは金属蒸漸
流が蒸着される際に発生されろ熱を吸収しているから、
この基板を所定の温度に保持することができ、この基板
の軟化、熔融を引き起こすことなくこの基板上に金属薄
膜を形成することができる。また、本発明は水などの冷
却媒体を使用していないから、不慮の事故によって多大
な損害を被る回層性が少ない。
る異種材料を積層して成る冷却面を走行案内手段に設け
、この走行案内手段にフィルムベースなどの高分子基板
を接触して移送せしめて、この基板に、例えは金属蒸漸
流が蒸着される際に発生されろ熱を吸収しているから、
この基板を所定の温度に保持することができ、この基板
の軟化、熔融を引き起こすことなくこの基板上に金属薄
膜を形成することができる。また、本発明は水などの冷
却媒体を使用していないから、不慮の事故によって多大
な損害を被る回層性が少ない。
さらに、本発明によれば所望の部分の異種材料に通電し
てこの部分のみ冷却することができるので極めて効率的
である。さらに、異種材料に通電する電流の向きを反転
させるだけで冷却から加温に変換することができ諸操作
が極めて容易である。
てこの部分のみ冷却することができるので極めて効率的
である。さらに、異種材料に通電する電流の向きを反転
させるだけで冷却から加温に変換することができ諸操作
が極めて容易である。
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する。
する。
図面は本発明の１実施例を示す概略図である。真空槽（
ペルジャー）１内に駆動ロコル２．２により定速駆動さ
れるベルト３が設けられる。送り出しロール４から送出
された長尺のフィルムベース５がベルト３の一部に密層
され、移動し巻取りロール６に巻き取られる。第１の金
属層７と第２の金属層８が、エンドレスベルト状に形成
されて、ベルト３の内側に配設される。第２の金属層８
はグラスチックなどの電気絶縁性を有する仕切り層９に
より小部分に分割されている。このような仕切り層は第
２の金属層をベルトの幅方向に延びる線状のパターンで
エツチングし、その上からプラスデック（マイカポリプ
ロピレン、ポリエチレンなどでも良い）を流延すること
により作製することができる。一方、真空槽（ペルジャ
ー）内に設けた電子銃から発生された電子１ｉｊｌ １
０によりルツボ１１内の蒸発源１２が加温蒸発され、金
属蒸気流１３となりこの金属蒸気流１３に対して斜めに
走行するように配された前記フィルムベース５上に蒸着
される。また、不要の蒸気流を排除するために蒸発源１
２とフィルムベース５の間にシールド板が配されている
。さらに、この真空槽１を一定の真空度（１０’〜１Ｏ
−５Ｔｏｒｒ）に保持するために、この真空槽１からフ
ランジ１４を通して真空ポンプに至る配管がなされてい
る。なお、このペルジャー１５はガラス製の容器であり
外部より内部の様子を観察することができる。前述した
第１の金属層７と第２の金属層８は電源１６の各電極に
結線されており、切替えスイッチ（図示されていない）
により第２の金属層８における所望の区画のみ通′亀さ
れる。
ペルジャー）１内に駆動ロコル２．２により定速駆動さ
れるベルト３が設けられる。送り出しロール４から送出
された長尺のフィルムベース５がベルト３の一部に密層
され、移動し巻取りロール６に巻き取られる。第１の金
属層７と第２の金属層８が、エンドレスベルト状に形成
されて、ベルト３の内側に配設される。第２の金属層８
はグラスチックなどの電気絶縁性を有する仕切り層９に
より小部分に分割されている。このような仕切り層は第
２の金属層をベルトの幅方向に延びる線状のパターンで
エツチングし、その上からプラスデック（マイカポリプ
ロピレン、ポリエチレンなどでも良い）を流延すること
により作製することができる。一方、真空槽（ペルジャ
ー）内に設けた電子銃から発生された電子１ｉｊｌ １
０によりルツボ１１内の蒸発源１２が加温蒸発され、金
属蒸気流１３となりこの金属蒸気流１３に対して斜めに
走行するように配された前記フィルムベース５上に蒸着
される。また、不要の蒸気流を排除するために蒸発源１
２とフィルムベース５の間にシールド板が配されている
。さらに、この真空槽１を一定の真空度（１０’〜１Ｏ
−５Ｔｏｒｒ）に保持するために、この真空槽１からフ
ランジ１４を通して真空ポンプに至る配管がなされてい
る。なお、このペルジャー１５はガラス製の容器であり
外部より内部の様子を観察することができる。前述した
第１の金属層７と第２の金属層８は電源１６の各電極に
結線されており、切替えスイッチ（図示されていない）
により第２の金属層８における所望の区画のみ通′亀さ
れる。
なお、図面中では便宜的に第２の金属層８における一部
の区画のみ結線しであるように描かれている。また、必
要に応じてこの仕切り層はとりはずしても良い。この２
種の金属層７，８はＰｂＴｅ 、 Ｂ ｉ ２Ｔｅ ３
などの重金属化合物、を成形したもので、この２種の金
属間に通電することによりペルチェ効果を生じる。本実
施例はこの時の吸熱作用を利用して、フィルムベース５
の冷却を行なうものである。また、形成する強磁性薄膜
の種類によっては加熱する必要があり、この時には冷却
を行なう場合と電流の向きを逆にすることにより所望の
効果を得ることができる。
の区画のみ結線しであるように描かれている。また、必
要に応じてこの仕切り層はとりはずしても良い。この２
種の金属層７，８はＰｂＴｅ 、 Ｂ ｉ ２Ｔｅ ３
などの重金属化合物、を成形したもので、この２種の金
属間に通電することによりペルチェ効果を生じる。本実
施例はこの時の吸熱作用を利用して、フィルムベース５
の冷却を行なうものである。また、形成する強磁性薄膜
の種類によっては加熱する必要があり、この時には冷却
を行なう場合と電流の向きを逆にすることにより所望の
効果を得ることができる。
本実施例によれは、電流の極性と電流値を調整するだけ
で冷却および加温の程度を制御することができるので諸
操作が極めて容易である。さらに、本実施例によれば金
属層７゜８の厚さを極めて薄く（２〜３ ｍｍ程度）形
成することができるので、１駆動ロール２，２部で容易
にこの金属層７，８を彎曲させて走行させることかでき
る。本実施例は、このようなエンドレスベルト状の冷却
部材を使用しているので、この直勝部分においてフィル
ムベース５−＼の金属蒸気流１３の入射角を容易に一定
に保持ずろことができ、特に、蒸着された磁性材料の抗
磁力および１３Ｊ−（カーブの角型性などの一定性を保
持するため入射角を一定にする必要性の商い斜方入射蒸
着方式および垂直磁化記録媒体を作製する場合において
は有効な方法である。ちなみに、本発明者等の実験によ
れば、Ｃｏを蒸発源とし、斜方入射蒸着方式により支持
体フィルムベース上に１５０ＯＡの蒸着膜を形成した場
合、抗磁力１０５０α、角型比０．９５の優れた磁気特
性を有する磁性薄膜を得ることができた。また、冷却温
度の微妙な制御により磁気特性の調節を容易にすること
ができ実用上極めて便利である。
で冷却および加温の程度を制御することができるので諸
操作が極めて容易である。さらに、本実施例によれば金
属層７゜８の厚さを極めて薄く（２〜３ ｍｍ程度）形
成することができるので、１駆動ロール２，２部で容易
にこの金属層７，８を彎曲させて走行させることかでき
る。本実施例は、このようなエンドレスベルト状の冷却
部材を使用しているので、この直勝部分においてフィル
ムベース５−＼の金属蒸気流１３の入射角を容易に一定
に保持ずろことができ、特に、蒸着された磁性材料の抗
磁力および１３Ｊ−（カーブの角型性などの一定性を保
持するため入射角を一定にする必要性の商い斜方入射蒸
着方式および垂直磁化記録媒体を作製する場合において
は有効な方法である。ちなみに、本発明者等の実験によ
れば、Ｃｏを蒸発源とし、斜方入射蒸着方式により支持
体フィルムベース上に１５０ＯＡの蒸着膜を形成した場
合、抗磁力１０５０α、角型比０．９５の優れた磁気特
性を有する磁性薄膜を得ることができた。また、冷却温
度の微妙な制御により磁気特性の調節を容易にすること
ができ実用上極めて便利である。
以−ト、詳細に説明したように本発明の基板の冷却方法
によればペルチェ効果を生ずる異紳材料を積層して成る
冷却面を走行案内手段に設け、異面に薄膜が形成させる
高分子基板をこの案内手段に接触して移送せしめて、前
記薄膜が形成される際に発生される熱を吸収しているか
ら、この基板の軟化、熔融を引き起こすことなくこの基
板上に薄膜を形成することができる。さらに、本発明に
よれば所望の部分のみ冷却、加温することができ温度制
御の操作も極めて簡便であるから、その実用価値は極め
て旨い。
によればペルチェ効果を生ずる異紳材料を積層して成る
冷却面を走行案内手段に設け、異面に薄膜が形成させる
高分子基板をこの案内手段に接触して移送せしめて、前
記薄膜が形成される際に発生される熱を吸収しているか
ら、この基板の軟化、熔融を引き起こすことなくこの基
板上に薄膜を形成することができる。さらに、本発明に
よれば所望の部分のみ冷却、加温することができ温度制
御の操作も極めて簡便であるから、その実用価値は極め
て旨い。
図面は本発明の１実施例を示す概略図である。
１・・・・・・Ｘ 空 槽 ５・・・・・・フ
ィルムベース７・・・・・・第１の金属層 ８・
・・・・第２の金属層９・・・・・・仕切り層 １０
・・・電 子 線１１・・・・・・ル ッ ホ１２・・
曲蒸発 源１３・・・・・・金属蒸気流 １６ ・
・・・電 源（自発）手続ネ市正書 １．事イ１の表示 特願昭５８−１５９１０号 ２、発明の名称 基板の冷却方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 ５、補正命令の日付 な し ６、補正により増加する発明の数 な し７
、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ８、補正の内容 （１）明細書第８頁第１行「される。」と「第２の金属
層８」の間に以下の文を挿入する。 「／＼シルトとしては、銅、ステンレスの薄板等を用い
ることができる。そのほか、ベルト３にかえて金属層７
の上にポリカーボネー１〜樹脂の１０μｍ厚の塗布層を
設Ｃプたもの、あるいは銅等の薄層を直接形成したもの
、ざらには直接金属層７の上にベース５を担持搬送させ
たものでも良い。」（２）同頁第６行 「マイカ」と「ポリプロピレン」の間に［，１を挿入す
る。
ィルムベース７・・・・・・第１の金属層 ８・
・・・・第２の金属層９・・・・・・仕切り層 １０
・・・電 子 線１１・・・・・・ル ッ ホ１２・・
曲蒸発 源１３・・・・・・金属蒸気流 １６ ・
・・・電 源（自発）手続ネ市正書 １．事イ１の表示 特願昭５８−１５９１０号 ２、発明の名称 基板の冷却方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 ５、補正命令の日付 な し ６、補正により増加する発明の数 な し７
、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ８、補正の内容 （１）明細書第８頁第１行「される。」と「第２の金属
層８」の間に以下の文を挿入する。 「／＼シルトとしては、銅、ステンレスの薄板等を用い
ることができる。そのほか、ベルト３にかえて金属層７
の上にポリカーボネー１〜樹脂の１０μｍ厚の塗布層を
設Ｃプたもの、あるいは銅等の薄層を直接形成したもの
、ざらには直接金属層７の上にベース５を担持搬送させ
たものでも良い。」（２）同頁第６行 「マイカ」と「ポリプロピレン」の間に［，１を挿入す
る。
Claims (1)
- （１） 減圧下で蒸発源を加熱して得られた蒸気流が
、その表面に薄膜形成される高分子基板の冷却方法にお
いて、異種材料を積層して成る冷却面を具備した走行案
内手段により前記基板を接触、移送せしめながら、前記
異種材料間に通電して前記基板から熱を吸収して所望す
る温度に維付することを特徴とする秦板の冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1591083A JPS59143066A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 基板の冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1591083A JPS59143066A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 基板の冷却方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143066A true JPS59143066A (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=11901924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1591083A Pending JPS59143066A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 基板の冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143066A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2096190A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-02 | Applied Materials, Inc. | Coating apparatus for coating a web |
| DE102012108742A1 (de) | 2012-06-04 | 2013-12-05 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Anordnung zum Transport von bandförmigen Materialien in Vakuumbehandlungsanlagen |
| CN107488835A (zh) * | 2016-06-13 | 2017-12-19 | 爱发科低温泵株式会社 | 传送装置 |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP1591083A patent/JPS59143066A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2096190A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-02 | Applied Materials, Inc. | Coating apparatus for coating a web |
| DE102012108742A1 (de) | 2012-06-04 | 2013-12-05 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Anordnung zum Transport von bandförmigen Materialien in Vakuumbehandlungsanlagen |
| CN107488835A (zh) * | 2016-06-13 | 2017-12-19 | 爱发科低温泵株式会社 | 传送装置 |
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