JPS5914236B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
- Publication number
- JPS5914236B2 JPS5914236B2 JP1564777A JP1564777A JPS5914236B2 JP S5914236 B2 JPS5914236 B2 JP S5914236B2 JP 1564777 A JP1564777 A JP 1564777A JP 1564777 A JP1564777 A JP 1564777A JP S5914236 B2 JPS5914236 B2 JP S5914236B2
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- JP
- Japan
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- output
- magnetron
- voltage
- frequency
- frequency converter
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波加熱装置の改良に関し、第１の目的は電
源装置の小型軽量化、低コスト化であり、第２の目的は
マグネトロン出力制御が簡単で使い勝手のよい高周波加
熱器を提供することである。
源装置の小型軽量化、低コスト化であり、第２の目的は
マグネトロン出力制御が簡単で使い勝手のよい高周波加
熱器を提供することである。
第１図は従来例を示し、１、１’は商用電源端子、２は
整流器、３はコンデンサであつて、単方向電源が形成さ
れる。４はインダクタ、、５はサイ５ リスタ、６はダ
イオード、７は昇圧トランス（出力トランス）、、８は
コンデンサであつてサイリスタインバータが形成されて
おわ、出力制御手段１２によりサノ、［リスタ５がトリ
ガされると、トリガ周波数に応じた高周波電流が昇圧ト
ランス７の１０１次巻線ｗ に流れる。
整流器、３はコンデンサであつて、単方向電源が形成さ
れる。４はインダクタ、、５はサイ５ リスタ、６はダ
イオード、７は昇圧トランス（出力トランス）、、８は
コンデンサであつてサイリスタインバータが形成されて
おわ、出力制御手段１２によりサノ、［リスタ５がトリ
ガされると、トリガ周波数に応じた高周波電流が昇圧ト
ランス７の１０１次巻線ｗ に流れる。
２次巻線ｗ に発生した
高圧高周波電力はダイオード９ａ、９ｂ、コンデンサ１
０ａ、１１Ｏｂよりなる整流手段を介してマグネトロン
１１に直流高圧電力として供給される。
０ａ、１１Ｏｂよりなる整流手段を介してマグネトロン
１１に直流高圧電力として供給される。
マグネトロン”１１のカソードはヒータトランス１５１
３によれ電力を供給され加熱される。したがつてマグネ
トロー／１１は発振し所要の電波出力を得る。サィリス
、夕５のトリガ周波数を変化すると。マグネトロン１１
への供給電圧が変化し、マグネトＰン出力が変化する。
しかしながら、昇圧トラ２０ ンス？ＶＣ比べてヒータ
トランス１３は扱う電力ｎ程度であるにもかかわらず、
商用周波数電力を扱つているフヒめ大型化・重量化し、
高コストとなる上にマグネトロンのカソードは高電位（
例えば３ＫＶ）になるので高性能の絶縁処理が必要と２
５なク、一層高価なものとなる。本発明はこのような点
にかんがみてなされたものであつて、第２図により本発
明の一実施例を説明する。
３によれ電力を供給され加熱される。したがつてマグネ
トロー／１１は発振し所要の電波出力を得る。サィリス
、夕５のトリガ周波数を変化すると。マグネトロン１１
への供給電圧が変化し、マグネトＰン出力が変化する。
しかしながら、昇圧トラ２０ ンス？ＶＣ比べてヒータ
トランス１３は扱う電力ｎ程度であるにもかかわらず、
商用周波数電力を扱つているフヒめ大型化・重量化し、
高コストとなる上にマグネトロンのカソードは高電位（
例えば３ＫＶ）になるので高性能の絶縁処理が必要と２
５なク、一層高価なものとなる。本発明はこのような点
にかんがみてなされたものであつて、第２図により本発
明の一実施例を説明する。
第２図において、第１図と同符号は対応する部品である
。第２図において、出力トランス３０（高圧トランス）
Ｔ′は第２の低圧２次巻線Ｗを有しており、、マグネト
ロン１１のカソードに高周波低圧電力を供給するもので
ある。
。第２図において、出力トランス３０（高圧トランス）
Ｔ′は第２の低圧２次巻線Ｗを有しており、、マグネト
ロン１１のカソードに高周波低圧電力を供給するもので
ある。
１４は電流調整用のインダクタである。
第２図の実施例ｐ基本的な特性を第４図〜第６五 図を
もとに説明する。
もとに説明する。
第４図はマグネトロンのアノード電流とアノードカソー
ド間電圧ＶＡＫとの関係を示すもＤである。マグネトロ
ンは図より明らかなように非線形な電圧電流特性を有し
ておシ、このため第５図に示すように、周波数変換器の
動作周波数（すなわちサイリスタ５のトリガ周波数）Ｆ
ＯをＦ２からｆ１まで変化すると、マグネトロロン出力
Ｐ。
ド間電圧ＶＡＫとの関係を示すもＤである。マグネトロ
ンは図より明らかなように非線形な電圧電流特性を有し
ておシ、このため第５図に示すように、周波数変換器の
動作周波数（すなわちサイリスタ５のトリガ周波数）Ｆ
ＯをＦ２からｆ１まで変化すると、マグネトロロン出力
Ｐ。
は１００％から０％まで変化するが、実際の出力トラン
ス７の出力電圧はそれほど変化せず、そのために線形負
荷であるマグネトロンカソードに供給される電力ＰＨは
図に示すように，１００％から６０〜７０９６に低下す
るのみである。−方、マグネトロンのカソード温度が一
度十分上昇してから高圧電力を加えられ発振すると、カ
ソード温度は、マグネトロンの損失やカソードからの放
出電子の影響を受けヒータに供給される電力ＰＨは一定
であつてもカソード温度が上昇する。また電波出力が小
さい時はカソードから放出すべき電子数も少なくなる。
これらの結果、一度マグネトロンが発振してから変換器
の動作周波数Ｆをｆ１に近い値にまで下げても、モーテ
イングなどを生じず、極めて低い出力Ｐ。を得ることが
できる。しかしながら、第５図に示すように、マグネト
ロンの電波出力Ｐ。の設定値、すなわち、周波数変換器
の動作周波数Ｆ。の設定値によつてヒータへの供給電力
ＰＨが変化する。従つて、周波数変換器を起動して、冷
陰極状態からマグネトロンを起動する場合、マグネトロ
ン出力設定（すなわち、起動時に周波数変換器が動作す
る周波数設定）に応じて．マグネトロンの立ち」り時間
Ｔ，（電波が出るまでの時間）が大きく変化する。図よ
）明らかなように、マグネトロン出力を小さく設定（Ｆ
Ｏをｆ１に近い値に設定）して起動するとＴ，は極めて
長くなｂ、マグネトロンのカソードの初期温度によつて
は、１０数秒〜２０数秒もかかつてしまい、微妙な調理
には不都合になるばかｂでなく、起動時にモーデイング
状態がしばらく持続するなどの現象が生じ易く、マグネ
トロンの寿命等の点から不都合である。そこで本発明で
は、起動の際一定時間の間、例えば第５図、第６図のＦ
３で示した動作周波数で起動後、設定された動作周波数
（例えばｆあるいはＦ２）に自動的に変化するようにし
たものである。
ス７の出力電圧はそれほど変化せず、そのために線形負
荷であるマグネトロンカソードに供給される電力ＰＨは
図に示すように，１００％から６０〜７０９６に低下す
るのみである。−方、マグネトロンのカソード温度が一
度十分上昇してから高圧電力を加えられ発振すると、カ
ソード温度は、マグネトロンの損失やカソードからの放
出電子の影響を受けヒータに供給される電力ＰＨは一定
であつてもカソード温度が上昇する。また電波出力が小
さい時はカソードから放出すべき電子数も少なくなる。
これらの結果、一度マグネトロンが発振してから変換器
の動作周波数Ｆをｆ１に近い値にまで下げても、モーテ
イングなどを生じず、極めて低い出力Ｐ。を得ることが
できる。しかしながら、第５図に示すように、マグネト
ロンの電波出力Ｐ。の設定値、すなわち、周波数変換器
の動作周波数Ｆ。の設定値によつてヒータへの供給電力
ＰＨが変化する。従つて、周波数変換器を起動して、冷
陰極状態からマグネトロンを起動する場合、マグネトロ
ン出力設定（すなわち、起動時に周波数変換器が動作す
る周波数設定）に応じて．マグネトロンの立ち」り時間
Ｔ，（電波が出るまでの時間）が大きく変化する。図よ
）明らかなように、マグネトロン出力を小さく設定（Ｆ
Ｏをｆ１に近い値に設定）して起動するとＴ，は極めて
長くなｂ、マグネトロンのカソードの初期温度によつて
は、１０数秒〜２０数秒もかかつてしまい、微妙な調理
には不都合になるばかｂでなく、起動時にモーデイング
状態がしばらく持続するなどの現象が生じ易く、マグネ
トロンの寿命等の点から不都合である。そこで本発明で
は、起動の際一定時間の間、例えば第５図、第６図のＦ
３で示した動作周波数で起動後、設定された動作周波数
（例えばｆあるいはＦ２）に自動的に変化するようにし
たものである。
また起動時Ｆ２で動作させるとＴ，は小さくなるがマグ
ネトロンには異常に高い無負荷電圧が印加され、マグネ
トロンの寿命や高圧整流回路の信頼性の上から不都合で
ある。このようにすることによつて、マグネトロンの立
ち上ν時間Ｔｌｄを小さくし、かつ異常に高い無負荷電
圧をマグネトロンに印加することもないマグネトロンの
電源装置を提供することができる。
ネトロンには異常に高い無負荷電圧が印加され、マグネ
トロンの寿命や高圧整流回路の信頼性の上から不都合で
ある。このようにすることによつて、マグネトロンの立
ち上ν時間Ｔｌｄを小さくし、かつ異常に高い無負荷電
圧をマグネトロンに印加することもないマグネトロンの
電源装置を提供することができる。
このような制御機能を有するのが制御回路１２５である
。
。
第３図は制御回路１２５のさらに詳しい実施例である。
第３図において、Ａは電源回路、Ｂは起動スイツチ回路
、Ｃは起動制御回路、Ｄは出力設定回路、Ｅはパルス発
生回路、Ｆは電源電圧変動に対する出力補正回路である
。
第３図において、Ａは電源回路、Ｂは起動スイツチ回路
、Ｃは起動制御回路、Ｄは出力設定回路、Ｅはパルス発
生回路、Ｆは電源電圧変動に対する出力補正回路である
。
１，１２，Ｋ，Ｇは第２図の同符号端子に接続される。
２０ａ，２０ｂは整流器、２１は抵抗器、２２はゼナダ
イオード，２３はコンデンサであつて、電源回路を形成
している。
イオード，２３はコンデンサであつて、電源回路を形成
している。
調理スイツチ２４が開かれると、抵抗２５９２６、およ
び２７，２８によりベース電流を供給されていたトラン
ジスタ２９，３０は０Ｎから０ＦＦになる。したがつて
、コンデンサ３２は抵抗３１を介して充電されはじめる
。また、コンデンサ５１は、トランジスタ４６がオン，
トランジスタ６２がオフであるので、抵抗４９，５０を
通つて流れる電流により充電される。したがつて、ＰＵ
Ｔ（プログラマブルユニジヤンクシヨントランジスタ）
５４は、抵抗５２，５３などで定まる電位までコンデン
サ５１が充電するとオンになｂ、端子Ｇにはパルス電圧
が発生し，サイリスタを点弧する。すなわち、起動時は
抵抗器４９と５０およびコンデンサ５１によシ定まる周
波数でサイリスタはトリガされる。
び２７，２８によりベース電流を供給されていたトラン
ジスタ２９，３０は０Ｎから０ＦＦになる。したがつて
、コンデンサ３２は抵抗３１を介して充電されはじめる
。また、コンデンサ５１は、トランジスタ４６がオン，
トランジスタ６２がオフであるので、抵抗４９，５０を
通つて流れる電流により充電される。したがつて、ＰＵ
Ｔ（プログラマブルユニジヤンクシヨントランジスタ）
５４は、抵抗５２，５３などで定まる電位までコンデン
サ５１が充電するとオンになｂ、端子Ｇにはパルス電圧
が発生し，サイリスタを点弧する。すなわち、起動時は
抵抗器４９と５０およびコンデンサ５１によシ定まる周
波数でサイリスタはトリガされる。
この周波数は必ずしも本実施例ｐように固定周波数であ
る必要はない。コンデンサ３２が充電されつづけ、ＰＵ
Ｔ３９のアノードが抵抗器３３，３４等により定まる値
に達するまでは、抵抗３５，３６および抵抗３７，３８
により，トランジスタ４１，４２はオンとなつている。
る必要はない。コンデンサ３２が充電されつづけ、ＰＵ
Ｔ３９のアノードが抵抗器３３，３４等により定まる値
に達するまでは、抵抗３５，３６および抵抗３７，３８
により，トランジスタ４１，４２はオンとなつている。
したがつて前述のごとく、トランジスタ４６はオンであ
勺、トランジスタ６１はオフであるから、トランジスタ
６２もまたオフとなつている。そしてコンデンサ３２が
所定の電位まで達すると、ＰＵＴ３９はオンとなｂ、抵
抗４０を通してコンデンサ３２は放電するが、抵抗３１
，４０はＰＵＴがオフにならないような値に設定されて
お勺、ＰＵＴはオン状態を持続する。
勺、トランジスタ６１はオフであるから、トランジスタ
６２もまたオフとなつている。そしてコンデンサ３２が
所定の電位まで達すると、ＰＵＴ３９はオンとなｂ、抵
抗４０を通してコンデンサ３２は放電するが、抵抗３１
，４０はＰＵＴがオフにならないような値に設定されて
お勺、ＰＵＴはオン状態を持続する。
ＰＵＴがオンになると、トランジスタ４１，４２，４６
，６１は反転する。
，６１は反転する。
すなわち、トランジスタ４６はオフ、６１はオンとなる
から、ダイオード５７、半固定抵抗５８、出力調整用設
定可変抵抗５９、抵坑５６により定められた電位にトラ
ンジスタ６２のベースが固定される。したがつて、コン
デンサ５１は可変抵抗５９により設定された電流により
充電され、ＰＵＴの発振周波数は可変抵抗５９により設
定された周波数に切勺かわるのである。なお、コンデン
サ４５，６０は周波数の切ｂかわｂが、ゆるやかになる
ようにするためのものである。
から、ダイオード５７、半固定抵抗５８、出力調整用設
定可変抵抗５９、抵坑５６により定められた電位にトラ
ンジスタ６２のベースが固定される。したがつて、コン
デンサ５１は可変抵抗５９により設定された電流により
充電され、ＰＵＴの発振周波数は可変抵抗５９により設
定された周波数に切勺かわるのである。なお、コンデン
サ４５，６０は周波数の切ｂかわｂが、ゆるやかになる
ようにするためのものである。
また、抵抗５０は周波数の切ｂかわｂ時などに、サイリ
スタのトリガ周波数が過度に低くなるのを防ぐものであ
る。また、抵抗６３，６４，６６、コンデンサ６５、ダ
イオード６７より成る回路は、商用電源の電圧変動に応
じてＰＵＴ５４のゲートバイアス電圧を変化させ、トリ
ガ周波数を補正し、マグネトロンの出力を安定化するも
のである。
スタのトリガ周波数が過度に低くなるのを防ぐものであ
る。また、抵抗６３，６４，６６、コンデンサ６５、ダ
イオード６７より成る回路は、商用電源の電圧変動に応
じてＰＵＴ５４のゲートバイアス電圧を変化させ、トリ
ガ周波数を補正し、マグネトロンの出力を安定化するも
のである。
以上のように、本発明によれば、周波数変換器によりマ
グネトロンに高圧電力と低圧電力を供給する構成とする
と共に、起動時一定の時間の間、マグネトロンが発振可
能な所定の出力電圧とし、その後出力制御手段にて設定
された出力電圧となるよう周波数変換器を制御する起動
制御手段を設けたので、ヒータトランスを高圧トランス
と一体化して、いちじるしく電源装置を小型軽量・低コ
スト化し、しかもその時に生じるマグネトロンの立ち上
がｂ時間の増大、あるいはモーデイングなどの不都合を
除去し、かつ出力レベルの制御が自由な電源装置を有す
る高周波加熱装置を提供することができる。
グネトロンに高圧電力と低圧電力を供給する構成とする
と共に、起動時一定の時間の間、マグネトロンが発振可
能な所定の出力電圧とし、その後出力制御手段にて設定
された出力電圧となるよう周波数変換器を制御する起動
制御手段を設けたので、ヒータトランスを高圧トランス
と一体化して、いちじるしく電源装置を小型軽量・低コ
スト化し、しかもその時に生じるマグネトロンの立ち上
がｂ時間の増大、あるいはモーデイングなどの不都合を
除去し、かつ出力レベルの制御が自由な電源装置を有す
る高周波加熱装置を提供することができる。
第１図は従来例を示す高周波加熱装置の回路図、第２図
は本発明の一実施例を示す回路図、第３図は同要部のさ
らに詳しい回路図、第４図は同要部のマグネトロンの動
作特性図、第５図、第６図は本発明に係る装置の動作を
説明する図である。 ５・・・・・・サイリスタ、６・・・・・・ダイオード
、７・・・・・・昇圧トランス １２・・・・・・出力
制御手段。
は本発明の一実施例を示す回路図、第３図は同要部のさ
らに詳しい回路図、第４図は同要部のマグネトロンの動
作特性図、第５図、第６図は本発明に係る装置の動作を
説明する図である。 ５・・・・・・サイリスタ、６・・・・・・ダイオード
、７・・・・・・昇圧トランス １２・・・・・・出力
制御手段。
Claims (1)
- １ 商用周波数よりも高い周波数で動作する周波数変換
器と、前記周波数変換器により付勢され、高圧電力を整
流手段を介してマグネトロンに供給し、かつ低圧出力を
マグネトロンカソードに供給する出力トランスと、前記
周波数変換器の出力電圧を制御して前記マグネトロン出
力を制御する出力制御手段とを有ると共に、前記周波数
変換器の起動時、その出力電圧をマグネトロンの出力が
最大となる電圧よれ低く、かつ、最小となる電圧より高
い所定の電圧とし、一定時間の後に前記出力制御手段に
より設定された出力電圧となるよう前記周波数変換器を
制御する起動制御手段を備える構成とした高周波加熱装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1564777A JPS5914236B2 (ja) | 1977-02-15 | 1977-02-15 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1564777A JPS5914236B2 (ja) | 1977-02-15 | 1977-02-15 | 高周波加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53101143A JPS53101143A (en) | 1978-09-04 |
| JPS5914236B2 true JPS5914236B2 (ja) | 1984-04-03 |
Family
ID=11894499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1564777A Expired JPS5914236B2 (ja) | 1977-02-15 | 1977-02-15 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914236B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2529234Y2 (ja) * | 1992-06-17 | 1997-03-19 | 東洋製罐株式会社 | ヒートシール容器 |
-
1977
- 1977-02-15 JP JP1564777A patent/JPS5914236B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53101143A (en) | 1978-09-04 |
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