JPS59141265A - 受光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はファクシミリ等の原稿読取りに用いられる受
光素子に関し、特に光導電層を上下電極でサンドインチ
状に挾むよう形成された受光素子の改良に関する。

第１図に従来のサンドインチ型構造の受光素子の内部断
面構造を示す。

第１図において１は絶縁基板、２は読取り密度に対応し
てパターン形成が施された下層金属電極、３は硫化カド
ミウム（ＣｄＳ）あるいはセレン化カドミウム（ＣｄＳ
ｅ）、非晶質シリコン等から成る光導電層、４は上層透
明電極である。

ところでこのような構造をとる受光素子におい１、金属
電極２の端部は同第１図に示すように基板１の上面に対
してほぼ垂直に形成され、この端部が基板１の上面に対
してほぼ垂直に形成された金属電極２の上層に光導電層
２を着膜すると、金Ｍｉ＆２の中央部に対応した光導電
層３の膜厚（図中ではａ）と金属電′＆２の端部に対応
した光導・電＃３の膜厚（図中ではｂ）との間に著しい
差が生じ、光導電層３の膜厚が不均一になってしまう。

またこの光導電層３の膜厚が薄くなった部分すなわち垂
直段差が形成された金属電＆２の端部に対応し′ｆｃｓ
分では光導電層膜形成の際に着膜物質あるいは反応カス
等の巻き込みなどによシ膜質変化が起こりやすい。そし
てこのような構造の受光素子を動作させるため、金属電
極２お工び透明電極４を介し１光導電層３に電圧を印加
した場合、上紀段差に対応した部分では絶縁破壊等の欠
陥現象が起こりやすく、このことが歩留まりの向上を紺
げていた。

この発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、光導
電層の膜厚を均一に形成できるようにすることにより、
膜質変化等に伴なう上記欠陥現象を防止し、歩留１９の
良い受光素子を提供することを目的とする。

すなわちこの発明は、下層金属電極の端部の膜厚を該電
極の中央部の膜厚より薄く形成した後、光導電層を着膜
するようにしたものであり、このような金属電極を形成
する方法としては例えは、１）順次ピントごとの所定形
状に形成した金属！極の端部を除く他の部分をレジスト
で覆った後、これにエツチングを施し、端部の角を落と
す方法。

２）　順次ビットごとの所定形状に形成した金ａｔ極を
一様に、うすめのエツチング液でエツチングする方法。

などがある、なお該形成する金属電極の形状としては、
端部のみが削られることによって端部の膜厚が薄くなっ
ているもの、あるいは中央部から端部に向っ１連続的に
薄くなっていくものなどがあげられる。

以下、この発明にかかる受光素子を添付図面に示す実施
例にしたがって詳細に説明する。

第２図はこの発明にかかる受光素子の一実施例について
その断面構造を示すものである。なお、同第２図の各構
成要素については前記第１図に示したものと同一符号を
用いて示した。

すなわちこの実施例においては、金塊ｉｌ極２の端部の
上角部を除去する工う該を極２を形成した後、その上層
に光導電層３お工び透明電極４を積層するようにしてい
る。金属電極２をこのような形状とすることにより、光
導電層３を着膜した際に金属電極２の中央部に対応した
光導電層３の膜厚ａと金属電極２の端部に対応した光導
電層３の膜厚すとがほぼ等しくなり、光導電層３の膜厚
の全匍的均−化を図ることができる。マタ、アモルファ
スシリコン（ａ−３ｉ）（３） を光導電層として用いる場合採用されるグロー放電法で
は、ガスを用いて気相成長させるために、従来、金属電
極２の端部近傍でのガスの巻き込みによる膜質の変化が
問題となっていたが、本実施例では電極２の端部をなだ
らかな傾斜としたために、ガスの巻き込みによる膜質変
化を緩和させることができる。

因に、この実施例における各材料としては、金属電極２
としてクロム（Ｃｒ）、アルミリラム（Ａｔ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、コバルト（ＣＯ）、モリブデ
ン（ＭＯ）、タングステンｔＷ）、光ｉ１１”［層：ｌ
：してアモルファスシリコン（ａ−８ｉ）、透明電極４
として酸化スズ（７３ｎＯ鵞）　　、酸化インジウム（
Ｉ　ｎ５０１　）　、あるいはこれらの混合物等を用い
た。

次に、上述した形状の金属電極２の形成力法を第３図を
参照して詳述する。なお、第７−０）は第８図（ａ＞の
平面図である。

まず、通常のフォトリソエツチング工程により金属電極
２の所望パターンを形成した後、該（４） 金属ｉ％２より適宜基小さい寸法のレジスト５を該電［
ｉ＋２上に形成するｔ第３１￥ｌ　（ａ）　（ｂｌ参照
）。

この場合、金属型ＩＩＩ！２の厚さは２０００〜３００
０　Ａとし、金属電極２のヤンサ部は一辺１００μｍ程
の略正力形状としたとする。また、上記レジスト５は金
）！ｊ４電極２の端部数μｍを除き、全体をおおう様に
形成した。

この工うなレジスト５が形成された基板１を通常のエツ
チング液よりうすめのエツチング液に浸し、金ｉｔ極２
の端部をかるくエツチングすることにより金属電極２の
角部を除去し、ゆるやかな傾斜をもつ端部とする（第３
図（ｃ）参照）。

第４図はこの発明にかかる受光素子の他の実施例を示す
概略断面図である。

すなわちこの実施例では金属電極２を膜厚が中央部から
端部にかけて除々に薄くなった形状に形成した後、その
上層に光導電層３お工び透明電極４を積層するような構
造としている。金属電極２をこのような形状にすること
によっても、前述した実施例と同等の効果を得ることが
できる。

このような形状の金属電極２を形成する方法であるが、
前述したレジストにより金属電極の端部をと９のぞく方
法を複数回繰返すことによって容易に達成することがで
きる。

すなわち、上記複数回のフォトリソエツチングにおける
各レジスト幅は形成された金属電極２０幅より勿論小さ
くするのであるが、さらに各工程におけるレジスト幅を
工程が進むにしたがって除々に太きく形成してエツチン
グを施すのである。このようにして形成された金属電極
はその傾斜がよりゆるやかなものとなり、端部の影響を
より小さくすることができる。

ところで、前記金属電極の角部を落とす他の方法として
、金属電極全体をうすいエツチング液に浸してエツチン
グすることにエリ、端部の角を含めた金属′１１極全体
を一様に落とすこともできる。この方法は金属電極の洗
浄も兼ねており、金属電極上に不着したゴミ、不純物等
を除去することができる。

また、前記金属電極形成後の処理として、上述したライ
トエッチ処理の他に、基板をプラズマＣＶＤ装置にセン
トし、Ｎ、プラズマによるボンバードメント処理を行な
うことにより電極表面に付着したゴミ、不純物等を取り
除くことができる。この方法は光導電層がアモルファス
シリコンに限られるが、基板を光導電層形成用のチェン
バーにセットした後での処理であるため、該処理を行っ
た後には一際不純物の混入がなく基板および電極表面洗
浄処理の最終工程として有効である。

なお、上述した実施例では金属電極の形状として２つの
例を示したが、該金属電極の端部の膜厚が中央部の膜厚
より薄く形成されるものであれば他のいかなる形状とじ
１もよいことは勿論である。

以上説明したように、この発明にかかる受光素子によれ
ば、 （１）光導電層の膜厚を均一に形成することができる （２）　　金属電極端部近傍における光導電層の膜質の
変化を防止することができる 等々の優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の受光素子の内部構造を示す断面図、第２
図はこの発明にかかる受光素子の一実施例について内部
構造を示す断面図、第３図は第２図に示した実施例受光
素子のうち全腕電極の形成過程を示す説明図、Ｗ、４図
はこの発明にかかる受光素子の他の実施例を示す内部断
面図である・ １・・・基板１、　２・−・金属電極、　　３・−光導
電層、４・・・透明電極、　　５・・−レジスト。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁基板上に金属電極を形成し、該電極の上に光導電膚
   ヲ着膜し、さらにこの上面に透明電極を着膜して形成し
   ′ｆｃ、受光素子において、前記金属電極の端部の膜厚
   を中央部の膜厚より薄くしたこと′ｆｒ：％徴とする受
   光素子。