JPS59139693A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
- Publication number
- JPS59139693A JPS59139693A JP1420083A JP1420083A JPS59139693A JP S59139693 A JPS59139693 A JP S59139693A JP 1420083 A JP1420083 A JP 1420083A JP 1420083 A JP1420083 A JP 1420083A JP S59139693 A JPS59139693 A JP S59139693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hybrid integrated
- integrated circuit
- hole
- circuit
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁基板に膜枝術により形成した抵抗、コン
デンサなとの受動素子に、トランジスタなとの能動糸量
を組合せた混成集積回路、特に前記絶縁基板に孔螢あけ
、上下の導電層を接続したスルーホールを含む混成集積
回路に関する。
デンサなとの受動素子に、トランジスタなとの能動糸量
を組合せた混成集積回路、特に前記絶縁基板に孔螢あけ
、上下の導電層を接続したスルーホールを含む混成集積
回路に関する。
電子機器の筒密度化、低コスト化及び多機能化が進む中
で、混成集積回路の枚割か一層人きくなり、多方向での
油相かなされ又いる。例1えは、辿4BA鯵、 コアf
fニー1 、、t−”i’4yF 、 V’f’R,1
即1車ft1lJ御用なと、モノリシックICの発展と
共に、混成果イy↓回路の応用が拡かっている。
で、混成集積回路の枚割か一層人きくなり、多方向での
油相かなされ又いる。例1えは、辿4BA鯵、 コアf
fニー1 、、t−”i’4yF 、 V’f’R,1
即1車ft1lJ御用なと、モノリシックICの発展と
共に、混成果イy↓回路の応用が拡かっている。
現在、混成集積回路に使用される膜回路構成には、犬き
く分けて、二つの!成が考えられる。一つは、アルミナ
セラミック基板等の絶縁基板上に、共鉋蒸島法るるいは
スパッタリング法により嗅を形成し、必要な回路機能を
持たせるべく、コンテンサ、抵抗、コイルなとの受動素
子と、轡体部を形成し、回路定数に合わせて、容量イ1
M、 l初゛抗埴などを調整し、所望の回路榛能を餉つ
素子を製作する。νIIち、薄膜回路素子である。イ…
の一つは、アルミナセラミック基板等の絶縁基板上に、
抵抗体及び専体、絶=pRJ銭・などのペースト’<印
桐し、それを簡素の炉の中で焼成し、P9T留2の回路
機ロトを灼だせたもの、即ち厚膜回路素子である。
く分けて、二つの!成が考えられる。一つは、アルミナ
セラミック基板等の絶縁基板上に、共鉋蒸島法るるいは
スパッタリング法により嗅を形成し、必要な回路機能を
持たせるべく、コンテンサ、抵抗、コイルなとの受動素
子と、轡体部を形成し、回路定数に合わせて、容量イ1
M、 l初゛抗埴などを調整し、所望の回路榛能を餉つ
素子を製作する。νIIち、薄膜回路素子である。イ…
の一つは、アルミナセラミック基板等の絶縁基板上に、
抵抗体及び専体、絶=pRJ銭・などのペースト’<印
桐し、それを簡素の炉の中で焼成し、P9T留2の回路
機ロトを灼だせたもの、即ち厚膜回路素子である。
薄膜回路素子は、小形化、高札層化、:しよひ抵抗。
コンデンサなどの篩り層化にコカしている。しかし、コ
スト高となシ、1だ、基板の上下を導通させるスルーホ
ールの形成において難がある。すなわち、第1図の断面
図に示すように、アルミナの基板1にめりた孔10VC
対して、例えは上…jから下面への箇わり込みによるm
%、膜2による上下の導通を(4るか、あるいは、第2
図に示すように、アルミナ基板1の孔に鳩目3を通し上
下から熱圧洛によるホンディングで上下の2#、電膜2
の間を擲辿させている。
スト高となシ、1だ、基板の上下を導通させるスルーホ
ールの形成において難がある。すなわち、第1図の断面
図に示すように、アルミナの基板1にめりた孔10VC
対して、例えは上…jから下面への箇わり込みによるm
%、膜2による上下の導通を(4るか、あるいは、第2
図に示すように、アルミナ基板1の孔に鳩目3を通し上
下から熱圧洛によるホンディングで上下の2#、電膜2
の間を擲辿させている。
しかし、このようなスルーホールはS nU者のスパッ
タリングまわり込みでは、十分低い導通抵抗を得ること
は自+シ< 、かつ、はらつきが大きく、量産性に乏し
い。佐・者の鳩目による方法では、作条171間が長く
、)嚇目に篩1曲なAuをイ斐用しているためコスト〜
、になる。
タリングまわり込みでは、十分低い導通抵抗を得ること
は自+シ< 、かつ、はらつきが大きく、量産性に乏し
い。佐・者の鳩目による方法では、作条171間が長く
、)嚇目に篩1曲なAuをイ斐用しているためコスト〜
、になる。
厚膜回#3累子によるスルーホール形成は、第3図にボ
すよ’)vc、基板1の孔10の一力の片間から硼、知
ベーAaを印刷し、さらに他方の片面から基型ペースト
4bを印刷し、孔10の内壁に十分な知の壱茄、性ペー
ストを印刷する。よって、低抵抗の上下の接わじか低価
軸で安建に倚られる。しかし、厚膜素子では小形化、〜
J都度什V0は不〕V・当である。
すよ’)vc、基板1の孔10の一力の片間から硼、知
ベーAaを印刷し、さらに他方の片面から基型ペースト
4bを印刷し、孔10の内壁に十分な知の壱茄、性ペー
ストを印刷する。よって、低抵抗の上下の接わじか低価
軸で安建に倚られる。しかし、厚膜素子では小形化、〜
J都度什V0は不〕V・当である。
本発明の目[(Jは、上b1両者の欠点を相仙い、低コ
ストで、小形、高密度化され、かつ、伯爵のはスルーホ
ール部をj重力Qにし、回路4s’j能分もたせた他の
片方の面を薄膜にした禍成會泡する。
ストで、小形、高密度化され、かつ、伯爵のはスルーホ
ール部をj重力Qにし、回路4s’j能分もたせた他の
片方の面を薄膜にした禍成會泡する。
つきに本弁明紫失施世」により脱明する。
第4図は本発明の一実か口伝に係るスルーホール都の1
り白用図である。図jにおいて、孔10のあけられたセ
ラミック基板1の下面にA g / l’ dのペース
ト4b(r−印刷・焼成し、さらに、十L10の&1)
分のみセJ[jti」刷・かlI+成し、接崩の場合の
手1」による半田食われを防ぐ。つきに上聞から孔10
の部分にAuペース)4aを印刷・焼成し、孔IOの内
壁の24通?十分低くする。次に、表面に、薄膜の抵抗
となる膜5葡スパッタリングで形成し、その−」二に、
碑体となる’11’ i / P d / Auの薄膜
6をスパッタリングで形成した払、よく[川の今Auメ
ッキオする。それから抵」う[、嵜捧イr:θ[望のパ
ターンシこプ1ら成し、机わLの眺茅をした候、ケース
に半田刊けする。
り白用図である。図jにおいて、孔10のあけられたセ
ラミック基板1の下面にA g / l’ dのペース
ト4b(r−印刷・焼成し、さらに、十L10の&1)
分のみセJ[jti」刷・かlI+成し、接崩の場合の
手1」による半田食われを防ぐ。つきに上聞から孔10
の部分にAuペース)4aを印刷・焼成し、孔IOの内
壁の24通?十分低くする。次に、表面に、薄膜の抵抗
となる膜5葡スパッタリングで形成し、その−」二に、
碑体となる’11’ i / P d / Auの薄膜
6をスパッタリングで形成した払、よく[川の今Auメ
ッキオする。それから抵」う[、嵜捧イr:θ[望のパ
ターンシこプ1ら成し、机わLの眺茅をした候、ケース
に半田刊けする。
このよりVc製造δれた不党明の掛1敗集柘回回路は、
ン1智度にして、小形、尚117度ではりつき刀・少く
、かつ、低コストで得られるという効欠かある。
ン1智度にして、小形、尚117度ではりつき刀・少く
、かつ、低コストで得られるという効欠かある。
4 図1@の前年な脱明
第1図は従来の淘、膜技術によ゛る混成集稙回路基板の
スルーホール部の断TbJ図、第2図は博(反と鳩基根
のスルーホール部の断面図である。
スルーホール部の断TbJ図、第2図は博(反と鳩基根
のスルーホール部の断面図である。
]・・・・・・セラミック児根板2.6・・・・・・得
′41幻幌、3・・・・・・鳩目、4a、4b・・・・
・・印刷導知、ペースト、5・・・・・・抵抗膜。
′41幻幌、3・・・・・・鳩目、4a、4b・・・・
・・印刷導知、ペースト、5・・・・・・抵抗膜。
第1閉 第2図
第40
Claims (1)
- 膜回路素子か形成される絶縁基板を貫通する孔をあけs
SiJ記絶縁部鈑の上下の4電層を接続したスルーホ
ールを含む混成集積回路において、前記スルーホール部
および片方の面を厚膜、回路機能をもたせた他の片方の
面を#膜としたことを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1420083A JPS59139693A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1420083A JPS59139693A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 混成集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59139693A true JPS59139693A (ja) | 1984-08-10 |
Family
ID=11854468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1420083A Pending JPS59139693A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59139693A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62192649U (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-08 |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP1420083A patent/JPS59139693A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62192649U (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-08 |
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