JPS59139693A - 混成集積回路 - Google Patents

混成集積回路

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Publication number
JPS59139693A
JPS59139693A JP1420083A JP1420083A JPS59139693A JP S59139693 A JPS59139693 A JP S59139693A JP 1420083 A JP1420083 A JP 1420083A JP 1420083 A JP1420083 A JP 1420083A JP S59139693 A JPS59139693 A JP S59139693A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hybrid integrated
integrated circuit
hole
circuit
film
Prior art date
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Pending
Application number
JP1420083A
Other languages
English (en)
Inventor
宮内 秀男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP1420083A priority Critical patent/JPS59139693A/ja
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  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁基板に膜枝術により形成した抵抗、コン
デンサなとの受動素子に、トランジスタなとの能動糸量
を組合せた混成集積回路、特に前記絶縁基板に孔螢あけ
、上下の導電層を接続したスルーホールを含む混成集積
回路に関する。
電子機器の筒密度化、低コスト化及び多機能化が進む中
で、混成集積回路の枚割か一層人きくなり、多方向での
油相かなされ又いる。例1えは、辿4BA鯵、 コアf
fニー1 、、t−”i’4yF 、 V’f’R,1
即1車ft1lJ御用なと、モノリシックICの発展と
共に、混成果イy↓回路の応用が拡かっている。
現在、混成集積回路に使用される膜回路構成には、犬き
く分けて、二つの!成が考えられる。一つは、アルミナ
セラミック基板等の絶縁基板上に、共鉋蒸島法るるいは
スパッタリング法により嗅を形成し、必要な回路機能を
持たせるべく、コンテンサ、抵抗、コイルなとの受動素
子と、轡体部を形成し、回路定数に合わせて、容量イ1
M、 l初゛抗埴などを調整し、所望の回路榛能を餉つ
素子を製作する。νIIち、薄膜回路素子である。イ…
の一つは、アルミナセラミック基板等の絶縁基板上に、
抵抗体及び専体、絶=pRJ銭・などのペースト’<印
桐し、それを簡素の炉の中で焼成し、P9T留2の回路
機ロトを灼だせたもの、即ち厚膜回路素子である。
薄膜回路素子は、小形化、高札層化、:しよひ抵抗。
コンデンサなどの篩り層化にコカしている。しかし、コ
スト高となシ、1だ、基板の上下を導通させるスルーホ
ールの形成において難がある。すなわち、第1図の断面
図に示すように、アルミナの基板1にめりた孔10VC
対して、例えは上…jから下面への箇わり込みによるm
%、膜2による上下の導通を(4るか、あるいは、第2
図に示すように、アルミナ基板1の孔に鳩目3を通し上
下から熱圧洛によるホンディングで上下の2#、電膜2
の間を擲辿させている。
しかし、このようなスルーホールはS nU者のスパッ
タリングまわり込みでは、十分低い導通抵抗を得ること
は自+シ< 、かつ、はらつきが大きく、量産性に乏し
い。佐・者の鳩目による方法では、作条171間が長く
、)嚇目に篩1曲なAuをイ斐用しているためコスト〜
、になる。
厚膜回#3累子によるスルーホール形成は、第3図にボ
すよ’)vc、基板1の孔10の一力の片間から硼、知
ベーAaを印刷し、さらに他方の片面から基型ペースト
4bを印刷し、孔10の内壁に十分な知の壱茄、性ペー
ストを印刷する。よって、低抵抗の上下の接わじか低価
軸で安建に倚られる。しかし、厚膜素子では小形化、〜
J都度什V0は不〕V・当である。
本発明の目[(Jは、上b1両者の欠点を相仙い、低コ
ストで、小形、高密度化され、かつ、伯爵のはスルーホ
ール部をj重力Qにし、回路4s’j能分もたせた他の
片方の面を薄膜にした禍成會泡する。
つきに本弁明紫失施世」により脱明する。
第4図は本発明の一実か口伝に係るスルーホール都の1
り白用図である。図jにおいて、孔10のあけられたセ
ラミック基板1の下面にA g / l’ dのペース
ト4b(r−印刷・焼成し、さらに、十L10の&1)
分のみセJ[jti」刷・かlI+成し、接崩の場合の
手1」による半田食われを防ぐ。つきに上聞から孔10
の部分にAuペース)4aを印刷・焼成し、孔IOの内
壁の24通?十分低くする。次に、表面に、薄膜の抵抗
となる膜5葡スパッタリングで形成し、その−」二に、
碑体となる’11’ i / P d / Auの薄膜
6をスパッタリングで形成した払、よく[川の今Auメ
ッキオする。それから抵」う[、嵜捧イr:θ[望のパ
ターンシこプ1ら成し、机わLの眺茅をした候、ケース
に半田刊けする。
このよりVc製造δれた不党明の掛1敗集柘回回路は、
ン1智度にして、小形、尚117度ではりつき刀・少く
、かつ、低コストで得られるという効欠かある。
4 図1@の前年な脱明 第1図は従来の淘、膜技術によ゛る混成集稙回路基板の
スルーホール部の断TbJ図、第2図は博(反と鳩基根
のスルーホール部の断面図である。
]・・・・・・セラミック児根板2.6・・・・・・得
′41幻幌、3・・・・・・鳩目、4a、4b・・・・
・・印刷導知、ペースト、5・・・・・・抵抗膜。
第1閉      第2図 第40

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 膜回路素子か形成される絶縁基板を貫通する孔をあけs
     SiJ記絶縁部鈑の上下の4電層を接続したスルーホ
    ールを含む混成集積回路において、前記スルーホール部
    および片方の面を厚膜、回路機能をもたせた他の片方の
    面を#膜としたことを特徴とする混成集積回路。
JP1420083A 1983-01-31 1983-01-31 混成集積回路 Pending JPS59139693A (ja)

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JP1420083A JPS59139693A (ja) 1983-01-31 1983-01-31 混成集積回路

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JPS59139693A true JPS59139693A (ja) 1984-08-10

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ID=11854468

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JP (1) JPS59139693A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62192649U (ja) * 1986-05-28 1987-12-08

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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