JPS59136902A - 電圧非直線抵抗器の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗器の製造方法Info
- Publication number
- JPS59136902A JPS59136902A JP58011630A JP1163083A JPS59136902A JP S59136902 A JPS59136902 A JP S59136902A JP 58011630 A JP58011630 A JP 58011630A JP 1163083 A JP1163083 A JP 1163083A JP S59136902 A JPS59136902 A JP S59136902A
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- Japan
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- oxide
- firing
- zinc oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利し＋−１分野
本発明は促宙器等の特性要素として使用される円柱状の
市圧非＠畷抵抗器の製造方法に関するものである。
市圧非＠畷抵抗器の製造方法に関するものである。
従来例の借成とその問題へ
従来、電圧非直線抵抗器（以降、バリスタと呼ぶ）とし
ては炭化珪素を主体とし、これを磁器質結合剤で固めた
、いわゆるＳｉＣバリスタが広く用いられてきた。しか
し、最近、酸化亜鉛を主成分とし、Ｂ１２０３ ＋ Ｇ
Ｏ２０３等の金属１吸化物ケ添υＩＩＩ、テ混合、成形
、焼成した焼結体を用６た、いわゆる酸化亜鉛バリスタ
が生産され、実用に供されている。この酸化亜鉛バリス
タは電圧非直線指数αが４０〜１００と極めて大きく、
′１′ｒ、圧安定化、サージ電圧抑制の効果が著しく、
電子機器の保雅に広く使われている。そして最近でに酸
化亜鉛バリスタを避雷器等の高圧、高エネルギー分野に
も使っていこうとする動きが活発になっている。しかし
ながら、避雷器等に使われる酸化亜鉛バリスタは宙す−
ン等の太′屯流が印加されても破壊しない大きな放電耐
量性能を有さなければならない。そのため、従来から避
雷器等に用いられる酸化【ＪＦ鉛バリスタの焼結体の側
面に無機質絶縁層を形成し、大きなサージ電流が印加さ
れた時に浴面放電を起さないようにしている。
ては炭化珪素を主体とし、これを磁器質結合剤で固めた
、いわゆるＳｉＣバリスタが広く用いられてきた。しか
し、最近、酸化亜鉛を主成分とし、Ｂ１２０３ ＋ Ｇ
Ｏ２０３等の金属１吸化物ケ添υＩＩＩ、テ混合、成形
、焼成した焼結体を用６た、いわゆる酸化亜鉛バリスタ
が生産され、実用に供されている。この酸化亜鉛バリス
タは電圧非直線指数αが４０〜１００と極めて大きく、
′１′ｒ、圧安定化、サージ電圧抑制の効果が著しく、
電子機器の保雅に広く使われている。そして最近でに酸
化亜鉛バリスタを避雷器等の高圧、高エネルギー分野に
も使っていこうとする動きが活発になっている。しかし
ながら、避雷器等に使われる酸化亜鉛バリスタは宙す−
ン等の太′屯流が印加されても破壊しない大きな放電耐
量性能を有さなければならない。そのため、従来から避
雷器等に用いられる酸化【ＪＦ鉛バリスタの焼結体の側
面に無機質絶縁層を形成し、大きなサージ電流が印加さ
れた時に浴面放電を起さないようにしている。
以下、図［■■を参照しながら上述したような避雷器等
に用いられる酸化亜鉛バリスタ、の従来の型造方法につ
いて説明する。
に用いられる酸化亜鉛バリスタ、の従来の型造方法につ
いて説明する。
図は避雷器等に用いられる円柱状の酸化亜鉛バリスクの
断ｉｔ旧１区である。凶において、１（１ヒ夜［ヒ亜腎
ｊを止１戎分とするハリスフの７尭結１本であり、２
ａ。
断ｉｔ旧１区である。凶において、１（１ヒ夜［ヒ亜腎
ｊを止１戎分とするハリスフの７尭結１本であり、２
ａ。
２ｂ（グ・、゛亮結体１の側面に形成した無・喉質絶嫌
層である。３１，３ｔｌ蝶焼結体１の両平面に形成した
ｉｉ！：（了ツバである。
層である。３１，３ｔｌ蝶焼結体１の両平面に形成した
ｉｉ！：（了ツバである。
次”ｖこ、この円柱状の酸１ヒ即鉛バリスタの製造法−
ＶＣついて述べる。寸す、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化ヒ
ス７ ス（Ｂｉ’、、 ０３） 、 ｆｉ化コバルト（
ｃｏ２ｏ３）。
ＶＣついて述べる。寸す、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化ヒ
ス７ ス（Ｂｉ’、、 ０３） 、 ｆｉ化コバルト（
ｃｏ２ｏ３）。
酸化マンカッ（ＭｎＯ２）、１竣化アンチ七ン（ｓｂ２
ｏ、）。
ｏ、）。
酸化りｏム（Ｃｒ２０３）、ノリ力（ＳｉＯ２）、酸化
ニッケル（Ｎｉｐ）７５それぞれ１６ＫＯ，１〜５ ｍ
ｏｌ弘紋化アルミニウム（Ａ１２０３）勿○、○０１〜
０．０５ ｍｏ１％徹力目し、十分に混合する。次に、
−その混合体ケ造拉し、４０ ｎ＋ｍφ×４０ｍｍ ｔ
の形状に圧縮成形する。
ニッケル（Ｎｉｐ）７５それぞれ１６ＫＯ，１〜５ ｍ
ｏｌ弘紋化アルミニウム（Ａ１２０３）勿○、○０１〜
０．０５ ｍｏ１％徹力目し、十分に混合する。次に、
−その混合体ケ造拉し、４０ ｎ＋ｍφ×４０ｍｍ ｔ
の形状に圧縮成形する。
−ト“して、その成形体を９００°Ｃ〜１０００°Ｃで
仮・ｊ、１″６し、あるシイ１斐収縮させる。その仮規
体の４＋１１証に１亥比ヒスマス（Ｂ１２Ｏ３）、ソリ
力（ｓ１ｏ２Ｌ ｔｉｃｉヒフ・／ナモノ（５ｂ２ｃ
、）からなる酸化物ペーストヲ塗イｊＪｂ、１２００℃
〜１４００℃で焼成する。その結果、ノ亮結体１の側面
に無機質絶縁層２ ａ ＋ ２ ｂが形成される。そ
の後、この円柱状焼結体１の両面に金属溶射によって串
゛痒３ａ、３ｂを形成する。
仮・ｊ、１″６し、あるシイ１斐収縮させる。その仮規
体の４＋１１証に１亥比ヒスマス（Ｂ１２Ｏ３）、ソリ
力（ｓ１ｏ２Ｌ ｔｉｃｉヒフ・／ナモノ（５ｂ２ｃ
、）からなる酸化物ペーストヲ塗イｊＪｂ、１２００℃
〜１４００℃で焼成する。その結果、ノ亮結体１の側面
に無機質絶縁層２ ａ ＋ ２ ｂが形成される。そ
の後、この円柱状焼結体１の両面に金属溶射によって串
゛痒３ａ、３ｂを形成する。
このようにして得られた酸化亜鉛バリスタの形状は３２
ｍｍφＸ３０ｍｍｔである。
ｍｍφＸ３０ｍｍｔである。
しかしながら、上記の酸化亜鉛バリスタは成形体を一旦
９００ ’Ｃ〜１０００℃で仮焼して、ある程度収縮さ
せてはいるものの、最終形状まで収縮しておらず、さら
に側面高抵抗剤と酸化亜鉛バリスタの焼成過程ヂの収縮
率が異なるため、焼結体１と無機質絶縁層２ａ、２ｂの
密着度合が十分でにない。そのため、この酸化亜鉛バリ
スタの放電附量が４×１０μｓの電流波形で３０ＫＡ〜
４０ＫＡと避雷器用バリスタとしては十分でなかった。
９００ ’Ｃ〜１０００℃で仮焼して、ある程度収縮さ
せてはいるものの、最終形状まで収縮しておらず、さら
に側面高抵抗剤と酸化亜鉛バリスタの焼成過程ヂの収縮
率が異なるため、焼結体１と無機質絶縁層２ａ、２ｂの
密着度合が十分でにない。そのため、この酸化亜鉛バリ
スタの放電附量が４×１０μｓの電流波形で３０ＫＡ〜
４０ＫＡと避雷器用バリスタとしては十分でなかった。
発明の目的
不発明は上記欠点に鑑み、焼結体と無機質絶縁層の密着
度合をよくし、放＠削量の優バーた電圧非直猾抵抗器の
製造方法全提供しようとするものである。
度合をよくし、放＠削量の優バーた電圧非直猾抵抗器の
製造方法全提供しようとするものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の電圧非直線抵Ｊｊｔ
’器の製造方法は、成形体を１２００°Ｃ〜１４００°
Ｃで焼成、した後、焼結体の側面に酸化物ペースト全塗
布し、無機質絶縁層が形成される１０００℃以上でしか
も焼成温度よりも低い温度で２次′屯敗を行う構成とし
たものである。これに」こり、酸化物ペーストが２次焼
成中に焼結体成分と反応して無機質絶縁層を形成する際
、焼結体は１次焼成で十分に収縮しているため、焼結体
と無機質絶縁層の密着に′よくなり、放老酬量は大巾に
向上することとなる。
’器の製造方法は、成形体を１２００°Ｃ〜１４００°
Ｃで焼成、した後、焼結体の側面に酸化物ペースト全塗
布し、無機質絶縁層が形成される１０００℃以上でしか
も焼成温度よりも低い温度で２次′屯敗を行う構成とし
たものである。これに」こり、酸化物ペーストが２次焼
成中に焼結体成分と反応して無機質絶縁層を形成する際
、焼結体は１次焼成で十分に収縮しているため、焼結体
と無機質絶縁層の密着に′よくなり、放老酬量は大巾に
向上することとなる。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について説明する。
寸す、酸化亜鉛（２ｎＯ）に酸化ビスマス（Ｂ１２０３
）＋酸化コバルト（Ｃｏ２０３）、酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ２）、酸化アノチモ：ｙ （５ｂ２０３）、 Ｈ化
りロム（Ｃｒ２０３）、シリカ（５ｉｎ２）ｌ酸化ニッ
ケル（Ｎｉｐ）をそれぞれ０．０１〜５ｍｏ１％ ｒｆ
ｌ化アルアルミニウム１□０３）ヲｏＯ０１〜０．０５
ｍｏ１％添加し、十分に混合する。次にその混合体を
造約し、４０ｍｍφ×４０ｍｍｔの形状に圧縮成形する
。そして、その成形体を１２００℃〜１４００°Ｃ１５
時間空気中で焼成し、焼結体を得た。この焼結体の側面
に酸化ビスマス（Ｂｉ２０．）８ｍｏ１％、 シリカ（
Ｓｉｎ２） ７２ ｍｏ１％、酸化ア７ テモン（Ｓｂ
２ｏ３）２０ｍｏｌ係からなる酸化物ペースト全塗布し
、１００９°Ｃ以上の温度で１次焼成篇度よりも低い温
度で２時間２次焼成し／こ。このよう【して得た円柱状
焼結体の詞平面ン金属溶射にょ−て電極を形成した。１
次焼成温度と２次焼ｒＭ、温度を種々に変９−た時のＪ
ｌｉｌ耐電を表１に示す評表 １ なお、１次焼成７′晶度が１２００’Ｃ未満ではバリス
タ電圧がｊｊ％ ＜なり過ぎ、甘た１４００”Ｃを超え
るとバリスタ電圧が低くなり過ぎ、バリスタとしての別
層を果たさない。一方、２次焼成幅度が１０００℃未満
では酸化物ペーストが絶縁物として有効な無帽・戊′ａ
層を形成せず、才だ２次焼成温度が１次焼成（′晶Ｉｆ
に近づき過ぎるか寸たは超えると焼結体の収縮が起り、
焼結体と無機質絶縁層の密着が悪くなり好寸しくない。
）＋酸化コバルト（Ｃｏ２０３）、酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ２）、酸化アノチモ：ｙ （５ｂ２０３）、 Ｈ化
りロム（Ｃｒ２０３）、シリカ（５ｉｎ２）ｌ酸化ニッ
ケル（Ｎｉｐ）をそれぞれ０．０１〜５ｍｏ１％ ｒｆ
ｌ化アルアルミニウム１□０３）ヲｏＯ０１〜０．０５
ｍｏ１％添加し、十分に混合する。次にその混合体を
造約し、４０ｍｍφ×４０ｍｍｔの形状に圧縮成形する
。そして、その成形体を１２００℃〜１４００°Ｃ１５
時間空気中で焼成し、焼結体を得た。この焼結体の側面
に酸化ビスマス（Ｂｉ２０．）８ｍｏ１％、 シリカ（
Ｓｉｎ２） ７２ ｍｏ１％、酸化ア７ テモン（Ｓｂ
２ｏ３）２０ｍｏｌ係からなる酸化物ペースト全塗布し
、１００９°Ｃ以上の温度で１次焼成篇度よりも低い温
度で２時間２次焼成し／こ。このよう【して得た円柱状
焼結体の詞平面ン金属溶射にょ−て電極を形成した。１
次焼成温度と２次焼ｒＭ、温度を種々に変９−た時のＪ
ｌｉｌ耐電を表１に示す評表 １ なお、１次焼成７′晶度が１２００’Ｃ未満ではバリス
タ電圧がｊｊ％ ＜なり過ぎ、甘た１４００”Ｃを超え
るとバリスタ電圧が低くなり過ぎ、バリスタとしての別
層を果たさない。一方、２次焼成幅度が１０００℃未満
では酸化物ペーストが絶縁物として有効な無帽・戊′ａ
層を形成せず、才だ２次焼成温度が１次焼成（′晶Ｉｆ
に近づき過ぎるか寸たは超えると焼結体の収縮が起り、
焼結体と無機質絶縁層の密着が悪くなり好寸しくない。
発明の効果
以上のように本発明は、電圧非直線抵抗器の成形体を１
” ２００℃〜１４００℃で焼成した後、焼結体の１１
１１面に酸化物ペースト’２塗布し、１０００°Ｃ以上
でしかも１次焼成温度よりも低い温度で２次′ｍ成する
ことにより、焼結体と・厖結体側面に形成される無機質
絶縁層の密着をよくし、電圧非直線抵抗器の放電耐量全
向上させることができ、その実用的１曲値は犬なるもの
がある。
” ２００℃〜１４００℃で焼成した後、焼結体の１１
１１面に酸化物ペースト’２塗布し、１０００°Ｃ以上
でしかも１次焼成温度よりも低い温度で２次′ｍ成する
ことにより、焼結体と・厖結体側面に形成される無機質
絶縁層の密着をよくし、電圧非直線抵抗器の放電耐量全
向上させることができ、その実用的１曲値は犬なるもの
がある。
図は避′…器等に用いられる電圧非直線抵抗器の断面図
である。
である。
Claims (1)
- １ｔｌｌ Ｕｌｓに無機質絶縁ＪＺヲ形成してなる円柱
状の成形体を１２００’Ｃ〜１４００°Ｃで焼成した後
、その焼結体の側面に酸化物ペーストラ塗布し、１００
０℃以上でかつ焼成篇匿よりも低い温度で２次・１ノ鵬
は行うこと全特徴とする電圧非直線抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58011630A JPS59136902A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58011630A JPS59136902A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59136902A true JPS59136902A (ja) | 1984-08-06 |
| JPH0425682B2 JPH0425682B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=11783250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58011630A Granted JPS59136902A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59136902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117402A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体の製造方法 |
| JPH02229402A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-12 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5213691A (en) * | 1975-07-24 | 1977-02-02 | Marcon Electronics Co Ltd | Method to manufacture a non-linear voltage resistor |
| JPS5213692A (en) * | 1975-07-23 | 1977-02-02 | Marcon Electronics Co Ltd | Non-linear voltage resistor |
-
1983
- 1983-01-26 JP JP58011630A patent/JPS59136902A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5213692A (en) * | 1975-07-23 | 1977-02-02 | Marcon Electronics Co Ltd | Non-linear voltage resistor |
| JPS5213691A (en) * | 1975-07-24 | 1977-02-02 | Marcon Electronics Co Ltd | Method to manufacture a non-linear voltage resistor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117402A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体の製造方法 |
| JPH02229402A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-12 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0425682B2 (ja) | 1992-05-01 |
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