JPS59135747A - 大規模集積回路装置 - Google Patents

大規模集積回路装置

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Publication number
JPS59135747A
JPS59135747A JP58011168A JP1116883A JPS59135747A JP S59135747 A JPS59135747 A JP S59135747A JP 58011168 A JP58011168 A JP 58011168A JP 1116883 A JP1116883 A JP 1116883A JP S59135747 A JPS59135747 A JP S59135747A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output buffer
wiring
cell
input
gate
Prior art date
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Pending
Application number
JP58011168A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Terai
寺井 正幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58011168A priority Critical patent/JPS59135747A/ja
Publication of JPS59135747A publication Critical patent/JPS59135747A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は大規模集積回路装置、特にある論理機能をも
った複数個のゲートセル−給電するだめの電源配線およ
びグランド配線に関するものである。
1従来技術〕 第1図は従来の大規模集積回路装置5f−示す平面図で
ある。同図においで、(1)はゲ−トセル、(2)はこ
のゲートセル(11の並びであるセル列、(3)は人出
カハツファセル、(4)および(5)はゲートセル+1
1の間あるいはゲートセル+11と入出力バッファセル
・(3)間に存在する横チャネルおよび縦チャネル、(
6)および(7)はゲートセルil+へ電力を供給する
ため、ゲートセルtl+の周辺部に配置した電源配線お
よびグランド配線である。
次に上記構成による大規模集積回路装置の設iH方式に
ついて説明する。まず、複数個のゲートセル(1)を規
μり止し7く配列したのち、峰の周囲に人出カバソファ
(3)を配置する。そして、これらのゲートセル(1)
、セル列(2)、および入出力バラノアセル(3)への
電力供給は電源配線(6)およびグランド配線(7)に
よって行なう。そして、前記ゲー トセルtlllll
およびゲートセルfi+と入出力バッフアセ/lべ3)
間の信号配線(図示せぬ)は横チャネル(40・・よび
縦チャイ・ル(5)内で行なうことにより、多fin類
の論理回路を実現することができる。
しかし2ながら、従来の大規模集積回路j−′、−1i
″I“で(、j電源配線およびグランド配線がゲ−l・
セル…の周辺部に配置されるため、ゲートセル間および
ゲート−セルと入出力バッファセル間の信号配線を横チ
ャネルおよび縦ヂーヤ不ル内で行なう際に、電源配線お
よびグランド配線が障害物となり、その取シ扱いが複雑
になる欠点があった。
〔発明の概要〕
したがって、この発明の目的は電源配線およびグランド
配線がゲートセル間およびゲートセルと入出カバソファ
セル間の信号配線に対して障害物とならないようにして
、41″号配線を容易に配置することができる大規模集
積回路装置を掃供するものである。
このような目的を達成するため、この発明はゲートセル
および入出力バッファセルに電力を供給する電源配線お
よびグランド配線を前記入出力バッファセルの周辺部に
配置するものであり、以下実施例を用いて詳細ぐこ説明
する。
〔発明の実施例〕
第2図はこの発明に係る大規模集積回路装置の−実施し
リを示す平面図である。同図においで、(8)および(
9)は前記入出力バツ7アセル(3)の内側周辺部に配
置された電源配線およびグランド配線である。
次に上記構成による大規模集積回路装置6の設計方式に
ついて説明する。まず、成る論理機能をもったゲートセ
ル(1)を規則正しく複数個配置したのち、その周囲に
入出力バッファセル(3)を配置する。
そして、これらのゲートセル(1)、セル列(2)およ
び入出力バッファセル(3)へ電力を供給する電源配線
(8)およびグランド配線(9)を入出力バッファセル
(3)の内側周辺部(・で配置する。次に、ゲートセル
i11問およびゲートセルは)と入出力バッファセル(
3)間の信号配線(図示せず)は前記電源配線(8)お
よびグランド配線(9)と煙路しないように、横チャネ
ル(4)および縦チャネル(5)に配置することにより
、多錘類の論理回路を実現することができる。この、し
うに、電源配線(8)およびグランド配線(9)を入出
力バッファセル(3)の内側周辺部に配置し、信号配線
(図示せず)をこの入出力バッファに3)の内側周辺部
の更に内側にある横チャネル(4)および縦チャネル(
5)に配置するだめ、信号配線(図示せず)に対し、電
源配線(8)およびグランド配線(9)が障害物となら
ないので、信号配線(図示せず)を容易に配置すること
ができる。
なお、」−述の実施例では電源配線およびグランド配線
を入出力バッファセルの内側周辺部に配置したが、外側
周辺部に配置しても同様にできることはもちろんである
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように、この発明に係る大規模集積
回路装置によれば信号配線に対し、電源配線およびグラ
ンド配線が障害物とならないので、信号配線を容易に配
置することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の大規模集積回路装置を示す平面図、第2
図はこの発明に係る大規模集積回路装置の一実施例を示
す平面図である。 [11・・・・ゲートセル、(21−・・・セル列、(
3)・・・・入出力バッファセル、(4)・・・・横チ
ャネル、(5)・・・・縦チャネル、(6)および(8
)・・・・電源配線、(7)および(9)・・・・グラ
ンド配線。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人  葛  野  信  −

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 成る論理機能を持ったゲートセルが規則正しく複数個配
    列され、その周囲に入出力バッファセルを配置した大規
    模集積回路装置において、前記ゲートセルおよび入出力
    バッファセルに電力を供給する電源配線およびグランド
    配線を^11記入出力バツファセルの周辺部に配置した
    ことを特徴とする大規模集積回路装置。
JP58011168A 1983-01-24 1983-01-24 大規模集積回路装置 Pending JPS59135747A (ja)

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JPS59135747A true JPS59135747A (ja) 1984-08-04

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63196059A (ja) * 1987-02-10 1988-08-15 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
US4914503A (en) * 1986-08-12 1990-04-03 Fujitsu Limited Semiconductor device
US4924290A (en) * 1987-08-31 1990-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having improved multilayered wirings
US5293334A (en) * 1990-11-30 1994-03-08 Kabushiki Kaisha Tobshiba Pattern layout of power source lines in semiconductor memory device

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US4924290A (en) * 1987-08-31 1990-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having improved multilayered wirings
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