JPS59135728A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS59135728A JPS59135728A JP954783A JP954783A JPS59135728A JP S59135728 A JPS59135728 A JP S59135728A JP 954783 A JP954783 A JP 954783A JP 954783 A JP954783 A JP 954783A JP S59135728 A JPS59135728 A JP S59135728A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- rectangular
- patterns
- cross
- section
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＜ａｌ 発明の技術分野
本発明は電子ビーム蕗九方法、侍に”Ｊ変寸法矩ｔＳビ
ーム方式の露光において、使用−！る電子ビームの断面
寸法の社ＩＩＩＩ］を容易に央力出することかｉ’Ｊ
７４にｌ電子ビーム蕗元方法に関する。
ーム方式の露光において、使用−！る電子ビームの断面
寸法の社ＩＩＩＩ］を容易に央力出することかｉ’Ｊ
７４にｌ電子ビーム蕗元方法に関する。
（１））技術の背景
半畳体集槓回路装置の大規模化のためＶこ、てのパター
ンの微細化と高密度化が推進さｔじ（いＱか、このパタ
ーンＪａ：実現する微＋ｔ＋ｉＩｉ加」−伐剣は、レジ
ストケバターニングする技部Ｊと、こ扛螢マスクとして
半導体基坏寺オエノチングするづ又術とＱ俵合技術でめ
るｅ 元の波長（約υ、ｂ〔μｍＪ）による１ｉ’Ｊ Ａすを
超えΦ超微細なバターニングを実況する技術として電子
ビーム庫九万汰が芙用化されつつわる。“１Ｑ−ｉ−ビ
ーム路元方Ｉ１．：は、（イ）触塚力が光に比へ℃市く
、最小線１陥０］〔μｍ）程度までの微細図形葡抽１１
…ｊすることかできる。（ロ）パターンの位置相゛Ｉ圧
か尚く、祝野或いはスト；７１ノの継さ゛積度が尚いｃ
＞ （”）ｒｉｉｌｉｊ己（ロ）の特徴によって視野金
継いで犬ぎｌパターンケ描画することができ心。に）コ
ンピュータ処理こ゛人カデータ？加」二でさゐ。０つ元
系）′（、に比較してよ４−ＩＶ叡か少ない、などの長
所？有し王、率に薗Ｍ塚力であるのみならず、パターン
ジェネレータとしての磯ｎ目及び製作時間が短縮される
利点を筒えでいる。
ンの微細化と高密度化が推進さｔじ（いＱか、このパタ
ーンＪａ：実現する微＋ｔ＋ｉＩｉ加」−伐剣は、レジ
ストケバターニングする技部Ｊと、こ扛螢マスクとして
半導体基坏寺オエノチングするづ又術とＱ俵合技術でめ
るｅ 元の波長（約υ、ｂ〔μｍＪ）による１ｉ’Ｊ Ａすを
超えΦ超微細なバターニングを実況する技術として電子
ビーム庫九万汰が芙用化されつつわる。“１Ｑ−ｉ−ビ
ーム路元方Ｉ１．：は、（イ）触塚力が光に比へ℃市く
、最小線１陥０］〔μｍ）程度までの微細図形葡抽１１
…ｊすることかできる。（ロ）パターンの位置相゛Ｉ圧
か尚く、祝野或いはスト；７１ノの継さ゛積度が尚いｃ
＞ （”）ｒｉｉｌｉｊ己（ロ）の特徴によって視野金
継いで犬ぎｌパターンケ描画することができ心。に）コ
ンピュータ処理こ゛人カデータ？加」二でさゐ。０つ元
系）′（、に比較してよ４−ＩＶ叡か少ない、などの長
所？有し王、率に薗Ｍ塚力であるのみならず、パターン
ジェネレータとしての磯ｎ目及び製作時間が短縮される
利点を筒えでいる。
半導体４！、：置の製造工程において、電子ビーフ・露
元方法はｉｌＪ述の利点かｌ：ｌ）、（１）レチクル描
画（拡大）（１１）マスターマスク描画（等倍）及び０
１ｖワ工−ハ直接描画のｆｉ’Ｊれにも適用される。
元方法はｉｌＪ述の利点かｌ：ｌ）、（１）レチクル描
画（拡大）（１１）マスターマスク描画（等倍）及び０
１ｖワ工−ハ直接描画のｆｉ’Ｊれにも適用される。
（Ｃ） 従来技術と問題点
亀イービーム線光方沃において超倣卸１ ｆ（バターニ
ングと描画時間の短縮とが司能と１９、こｔ′Ｌが実用
化き扛るに３゛リ−っｋのは、描画凶形盆汁、α（ｊ法
の矩形要素に分割して描画する用震寸欣ψ形ビーム力式
の露光技術に貝９ところが多い。
ングと描画時間の短縮とが司能と１９、こｔ′Ｌが実用
化き扛るに３゛リ−っｋのは、描画凶形盆汁、α（ｊ法
の矩形要素に分割して描画する用震寸欣ψ形ビーム力式
の露光技術に貝９ところが多い。
電子光ｍ ｉ ｖｃよって照射レンズ２のは下に置かれ
た第１成形窓（アバーアーア）３ケ照射する。この第１
成形窓８の塚？成形レンズ４によって第２成形窓５上に
結像させる。第２成形窓５μ通當第１成形窓８と同じ形
状（ｉ１″、Ｎ Ｌでいる。−ｔこで第１成形窓８の下
方に設けられた成形用偏量に、＋６に作動込せると、第
１成形窓８の像は図に７Ｊ＜す、、［：）ｉ’ｎ肚意の
方向に変位する。このようにして第２成形窓５全通過す
る電子ビームの断面は任意の大きさの矩形ビームに成形
される。この矩形ビームｋ Ｒｔ’ｒ少レンズしによっ
て必要な大＠さに動少し、投影レンズ６により試料９面
上に投影するか、試料９面上の矩形ビーム位ｌｊｔは位
ｍｔ決め偏向器Ｊ−ＩＪ ｔｌこよって設定され、位置
決め偏向器１０と同期して動作するブランキングミ極１
１にエフ１−オン−，１ノされｍ元が付わ２’Ｌる。ｌ
ま）・、第１図（１〕）に谷部Ｚ（ＸＣおける電子ビー
ムの断面形状ケ小）。
た第１成形窓（アバーアーア）３ケ照射する。この第１
成形窓８の塚？成形レンズ４によって第２成形窓５上に
結像させる。第２成形窓５μ通當第１成形窓８と同じ形
状（ｉ１″、Ｎ Ｌでいる。−ｔこで第１成形窓８の下
方に設けられた成形用偏量に、＋６に作動込せると、第
１成形窓８の像は図に７Ｊ＜す、、［：）ｉ’ｎ肚意の
方向に変位する。このようにして第２成形窓５全通過す
る電子ビームの断面は任意の大きさの矩形ビームに成形
される。この矩形ビームｋ Ｒｔ’ｒ少レンズしによっ
て必要な大＠さに動少し、投影レンズ６により試料９面
上に投影するか、試料９面上の矩形ビーム位ｌｊｔは位
ｍｔ決め偏向器Ｊ−ＩＪ ｔｌこよって設定され、位置
決め偏向器１０と同期して動作するブランキングミ極１
１にエフ１−オン−，１ノされｍ元が付わ２’Ｌる。ｌ
ま）・、第１図（１〕）に谷部Ｚ（ＸＣおける電子ビー
ムの断面形状ケ小）。
目ｆ変寸法矩ルビーム万式においては、描画図形が電子
ビームの使用し得る最大寸法（現在−辺の長さ５（ｌｚ
ｍ）乃主１０〔μｍ）程贋９より人さいときには、通當
は最大もしくは最大に近い寸法の矩形のｊ１元金描画図
形の一隅よりｊＩＡ次進行し７て合力向の終端の露光で
寸法を調整する。−また描画図形が吻状でめっで線の幅
方向は細く、長さ方向は′電子ビームの最大寸法以上で
ある嚇せに（ユ、幅方向については電子ビーム金ノヅ■
装の寸法とし、Ｊ（さ方向については前記の方法が杓な
わ７する。これらの場合の最後の線光もしくは縦横とも
に′電子ビームの最大寸法以下である場合には、′１４
Ｌｆビームの矩形ｋ Ｊ９ｆ安＼１゛法に合致させで露
光が行なわれる。
ビームの使用し得る最大寸法（現在−辺の長さ５（ｌｚ
ｍ）乃主１０〔μｍ）程贋９より人さいときには、通當
は最大もしくは最大に近い寸法の矩形のｊ１元金描画図
形の一隅よりｊＩＡ次進行し７て合力向の終端の露光で
寸法を調整する。−また描画図形が吻状でめっで線の幅
方向は細く、長さ方向は′電子ビームの最大寸法以上で
ある嚇せに（ユ、幅方向については電子ビーム金ノヅ■
装の寸法とし、Ｊ（さ方向については前記の方法が杓な
わ７する。これらの場合の最後の線光もしくは縦横とも
に′電子ビームの最大寸法以下である場合には、′１４
Ｌｆビームの矩形ｋ Ｊ９ｆ安＼１゛法に合致させで露
光が行なわれる。
先は一説１ｊｌｌ した可変寸法矩形ビーム方式の電子
ビーム蕗冗装置において、第２成〕１φ窓５は電子ビー
ムの照射を受り枳）この照射によつ一〇装置ピづに存在
する例えは真空ｔｉＬｄ−用オイル等の汚染物質が付層
して第２成形窓５が汚染作れるか、特に窓の端面の汚染
付着が間！７只となめ。ナなわし縮小式れた電子ビーム
断面矩形の％２成形窓５によって画定される辺に付層し
た汚染′＋７／Ｊ質による遅畝が現われ−Ｃ矩形寸法の
誤差及び不整ルをテ（−する力・、電子ビこの他にも矩
）し寸法の誤差り要因は多く、描画するパターンの精密
化、微細化？推：１Ｎｉ−ｊ 、／）７ｊめには、血１
−ビーム露光装置の初期調望か１２実際の蕗毘処理に到
る各Ｊ９階において、使用すめ亀子ビーノ、の断面形状
及び寸法を評価、確認すんことが必要であるｅ （ｄ） 発明のし）的 本発明は口」変り」゛法事形ビーム方式の亀ナビーム露
光方法（ｌτおいで、露光に使用する型皿ｆビームの断
面寸法の評価を容易に行なうこと力為でさ４）評イ１カ
方法？提但することを目的と′ｊゐＯ ＜ｅ＞ 発明の構成 本発明の前記目的は、第１の矩形図形を第１の寸法の矩
形断面？市する電子ビームにエラ”ＣＪδ１１由１し、
該第１の矩形図形と一辺を共■する第２の矩形図形ケ第
２のす法の矩形断面２Ｍする隠イ″ビームによって描画
［５，て、現像処理によつ°（ＩＪ ６ ｔする図形の
−ｆｉ（（ｅ共旬する辺に十何なる方間の・ｊ−法ｔｖ
ｕ記第１の矩形図形とＭＩＪ記第２の矩ノ杉図Ｊしと（
ハ）一つＶ）で比較することによって、削１己電子ヒー
ムの１ル断面の寸法の評１ＩｔＩｌ會行なうことにより
達成さＩ″１．るて、（ｆ） 発明の実施例 以下本発明會実施例により図面を浴照して具体的に説明
する。
ビーム蕗冗装置において、第２成〕１φ窓５は電子ビー
ムの照射を受り枳）この照射によつ一〇装置ピづに存在
する例えは真空ｔｉＬｄ−用オイル等の汚染物質が付層
して第２成形窓５が汚染作れるか、特に窓の端面の汚染
付着が間！７只となめ。ナなわし縮小式れた電子ビーム
断面矩形の％２成形窓５によって画定される辺に付層し
た汚染′＋７／Ｊ質による遅畝が現われ−Ｃ矩形寸法の
誤差及び不整ルをテ（−する力・、電子ビこの他にも矩
）し寸法の誤差り要因は多く、描画するパターンの精密
化、微細化？推：１Ｎｉ−ｊ 、／）７ｊめには、血１
−ビーム露光装置の初期調望か１２実際の蕗毘処理に到
る各Ｊ９階において、使用すめ亀子ビーノ、の断面形状
及び寸法を評価、確認すんことが必要であるｅ （ｄ） 発明のし）的 本発明は口」変り」゛法事形ビーム方式の亀ナビーム露
光方法（ｌτおいで、露光に使用する型皿ｆビームの断
面寸法の評価を容易に行なうこと力為でさ４）評イ１カ
方法？提但することを目的と′ｊゐＯ ＜ｅ＞ 発明の構成 本発明の前記目的は、第１の矩形図形を第１の寸法の矩
形断面？市する電子ビームにエラ”ＣＪδ１１由１し、
該第１の矩形図形と一辺を共■する第２の矩形図形ケ第
２のす法の矩形断面２Ｍする隠イ″ビームによって描画
［５，て、現像処理によつ°（ＩＪ ６ ｔする図形の
−ｆｉ（（ｅ共旬する辺に十何なる方間の・ｊ−法ｔｖ
ｕ記第１の矩形図形とＭＩＪ記第２の矩ノ杉図Ｊしと（
ハ）一つＶ）で比較することによって、削１己電子ヒー
ムの１ル断面の寸法の評１ＩｔＩｌ會行なうことにより
達成さＩ″１．るて、（ｆ） 発明の実施例 以下本発明會実施例により図面を浴照して具体的に説明
する。
本発明は電子ビームｇ光装置の初期肖整から実際の露光
処理に到る任意の段階に壊・いて適用することが用北で
あるが、半導体装置のマスターマスク装作のための電子
ビーム霧光に際して適用する実施例Ｖζ“）いて欣明ず
心。
処理に到る任意の段階に壊・いて適用することが用北で
あるが、半導体装置のマスターマスク装作のための電子
ビーム霧光に際して適用する実施例Ｖζ“）いて欣明ず
心。
第２図（ａ）は／ド発明の実施ψＵであるマスターマス
ク（（シｐいて、＋ｔｊ−１−ビーノ・銘ブじ〕・ター
ン奮俣人的に小す半面１；Ｑ ”Ｃｔ＃ ｂ ｏ図にお
いｒ２１はマスク基板２２はマスク木本の１旧でＬＬり
る半導体系ｆのノくターン、２巳及び２８′は木兄り」
の柏原とすあモニターパターンで必る。
ク（（シｐいて、＋ｔｊ−１−ビーノ・銘ブじ〕・ター
ン奮俣人的に小す半面１；Ｑ ”Ｃｔ＃ ｂ ｏ図にお
いｒ２１はマスク基板２２はマスク木本の１旧でＬＬり
る半導体系ｆのノくターン、２巳及び２８′は木兄り」
の柏原とすあモニターパターンで必る。
モニターパターン２Ｂと２８′とは４１」互に同−乃芋
訓似しているが、その配置が直父してＶ）る。−ｆ：の
−・つりバター／ｚ８の一例ケ第２凶（ｂ）に、ての部
分拡大図を第２図（Ｃ１に示−１−ｏこれらの１にあ・
し）て、２４は各辺が１０〔μＩ〕〕〕の正方形の図形
で必工 っ−（、各辺がＦＪＬμｍＪｖｌｆ力形萌面の亀−子ビ
ームによって描画されている３、２５乃至ｚ９もそれぞ
扛各辺か１０〔μｍ）の正方形の凶ルでわんか描画に用
いた電子ビームの断面槙力１−）４７＋：Ｄ、２５μ２
．５（μ１ｎＪＸ５（／ｊｍ〕、２６ｒＪｌ（／Ａｌｎ
）Ｘｂ ［、ｕｍ）、２７は０．５〔μ＋ｎ）Ｘ５（μ
ｍ〕、２８は０．２〔μｍ）Ｘ５（μｍ）、２１１Ｕ、
ｌ［μｍ） Ｘ ５ （μｍ）の矩形断面の電子ビーム
によっで描画している０ これらの描画に用いた電子ビームの断面の寸法に誤差が
ある場合には、露光されない間隙部分もしくは二本に處
元された部分が前記図形２手乃至２９に含まれることと
なり、レジストが露光不足もしくは露光過剰の状態とな
る。
訓似しているが、その配置が直父してＶ）る。−ｆ：の
−・つりバター／ｚ８の一例ケ第２凶（ｂ）に、ての部
分拡大図を第２図（Ｃ１に示−１−ｏこれらの１にあ・
し）て、２４は各辺が１０〔μＩ〕〕〕の正方形の図形
で必工 っ−（、各辺がＦＪＬμｍＪｖｌｆ力形萌面の亀−子ビ
ームによって描画されている３、２５乃至ｚ９もそれぞ
扛各辺か１０〔μｍ）の正方形の凶ルでわんか描画に用
いた電子ビームの断面槙力１−）４７＋：Ｄ、２５μ２
．５（μ１ｎＪＸ５（／ｊｍ〕、２６ｒＪｌ（／Ａｌｎ
）Ｘｂ ［、ｕｍ）、２７は０．５〔μ＋ｎ）Ｘ５（μ
ｍ〕、２８は０．２〔μｍ）Ｘ５（μｍ）、２１１Ｕ、
ｌ［μｍ） Ｘ ５ （μｍ）の矩形断面の電子ビーム
によっで描画している０ これらの描画に用いた電子ビームの断面の寸法に誤差が
ある場合には、露光されない間隙部分もしくは二本に處
元された部分が前記図形２手乃至２９に含まれることと
なり、レジストが露光不足もしくは露光過剰の状態とな
る。
レジストの現像処理全行ない、前記図形２４乃至２ｇの
レジストパターンケ比較すると第８図（ａＪ乃全（Ｃ）
の如き状況となる。
レジストパターンケ比較すると第８図（ａＪ乃全（Ｃ）
の如き状況となる。
場合を下し、この場合には谷図形２４乃至２９の絽元址
か均一であること、すなわち−子ビームＷ［面寸法が＃
型性↓く実現されていることが知らｎる。
か均一であること、すなわち−子ビームＷ［面寸法が＃
型性↓く実現されていることが知らｎる。
第８図（ｂ）においては図形２４のレジストツクターン
に比較して例えば図形２７乃至２９のレジストパターン
幅が広い場合？示し、この場１↑には図形２７乃至２９
は露光過剰でめんこと、すなわち電子ビーム断面寸法が
小寸法に↓・いて過大であることが知られる。
に比較して例えば図形２７乃至２９のレジストパターン
幅が広い場合？示し、この場１↑には図形２７乃至２９
は露光過剰でめんこと、すなわち電子ビーム断面寸法が
小寸法に↓・いて過大であることが知られる。
第３しＩ（Ｃ）においてｔま図形２４のレンズトノ（タ
ーンに比較して例えば図形２７乃至２９のレジストパタ
ーン幅が伏い場合’ｃ７Ｆ、ｌ、、この場合には電子ビ
ーム断面・ｊ°法が小寸法において過小であることが知
られる。
ーンに比較して例えば図形２７乃至２９のレジストパタ
ーン幅が伏い場合’ｃ７Ｆ、ｌ、、この場合には電子ビ
ーム断面・ｊ°法が小寸法において過小であることが知
られる。
この過大もしくは過小は、現任便用町ｌ］シでめるレジ
ストの例として、ポジ型のポリブデンー１、ザルフＡン
糸（ＰＢＳ）もしクハトリフルオロエチルクロロアクリ
レート糸（ＥＢ几−９）、又はネガ型のポリグリンジル
メククリレート糸（ＰＧＭＡ）レジストなどを用いるな
らは、±５％程ノ迂まで検出することかｕＪ能である０
、 以上説明した如きモニターノ（ターン？電子ビーム断面
矩形の互に直角な２辺の方向すなわち走査方向に、前記
の）・ターン２３及び２８′の如く配置することによっ
て電子ビームの形状、寸法全容易に評価することができ
る。
ストの例として、ポジ型のポリブデンー１、ザルフＡン
糸（ＰＢＳ）もしクハトリフルオロエチルクロロアクリ
レート糸（ＥＢ几−９）、又はネガ型のポリグリンジル
メククリレート糸（ＰＧＭＡ）レジストなどを用いるな
らは、±５％程ノ迂まで検出することかｕＪ能である０
、 以上説明した如きモニターノ（ターン？電子ビーム断面
矩形の互に直角な２辺の方向すなわち走査方向に、前記
の）・ターン２３及び２８′の如く配置することによっ
て電子ビームの形状、寸法全容易に評価することができ
る。
（ｇ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれは、可変寸法矩形ビーム方
式の電子ビーム露光方法において、露光に使用する軍、
子ビームの断面寸法の評１１′１１ｉ’ｊｒ−％ Ｋ装
置の調整ｋＬｌ的とする場合は勿論’Ａｈ ’８’；の
露光処理の際にも特別の装置もしくは土程會女−！るこ
となく各局に実施することかでき、半導体装ｔＭｔ、＋
１に微細なバターニンク嘉必要とちれる高果棟密度の集
積回路装置の製造に人きく寄与すゐ。
式の電子ビーム露光方法において、露光に使用する軍、
子ビームの断面寸法の評１１′１１ｉ’ｊｒ−％ Ｋ装
置の調整ｋＬｌ的とする場合は勿論’Ａｈ ’８’；の
露光処理の際にも特別の装置もしくは土程會女−！るこ
となく各局に実施することかでき、半導体装ｔＭｔ、＋
１に微細なバターニンク嘉必要とちれる高果棟密度の集
積回路装置の製造に人きく寄与すゐ。
第１図に弓要寸法矩形電子と一ム露光装置の一例？７ｊ
りす俣式図（ａ）及び該（ａ１図の谷（立直におｋｊる
電子ビームＶ世丁面形状全示す図（ｂ）、第２図（ａ）
／）至（Ｃ）はマスターマスクにかかる本発明の実＃
１−Ｊの蕗ノしパターンを７ｒ：９″−図、第３図（ａ
）乃至（Ｃ）は呟実施秒１ｊの現塚されたレンズトノく
ターンの例イ／Ｐ、ｊ図−Ｖめる。 図Ｖごおい１．■は微小電子光源、２Ｑユ１１成付Ｊレ
ンズ、８は第１成形窓、４に成形レンズ、５ぐよ掬↓２
成プレ窓、６は成形用偏同器、７は綱６少レンズ、ｂは
投影レンズ、９は試料、１０（は位置決め偏１ｉｊＪ
ンｉ、１１にブランキング電極、２１よマスク基板、２
２は半導体系士の）くターン、２８及び２８′はモニタ
ーパターン、２４乃至２９はモニターノくターフ２８の
各要素音生ず０ 振−だＦＪ
りす俣式図（ａ）及び該（ａ１図の谷（立直におｋｊる
電子ビームＶ世丁面形状全示す図（ｂ）、第２図（ａ）
／）至（Ｃ）はマスターマスクにかかる本発明の実＃
１−Ｊの蕗ノしパターンを７ｒ：９″−図、第３図（ａ
）乃至（Ｃ）は呟実施秒１ｊの現塚されたレンズトノく
ターンの例イ／Ｐ、ｊ図−Ｖめる。 図Ｖごおい１．■は微小電子光源、２Ｑユ１１成付Ｊレ
ンズ、８は第１成形窓、４に成形レンズ、５ぐよ掬↓２
成プレ窓、６は成形用偏同器、７は綱６少レンズ、ｂは
投影レンズ、９は試料、１０（は位置決め偏１ｉｊＪ
ンｉ、１１にブランキング電極、２１よマスク基板、２
２は半導体系士の）くターン、２８及び２８′はモニタ
ーパターン、２４乃至２９はモニターノくターフ２８の
各要素音生ず０ 振−だＦＪ
Claims (1)
- 第１の矩ル図形を第１の一士法の矩形断面１０゛る１子
ヒームによって描画し、該第１の矩形図形と一辺を共１
ｇ−ｊ−る第２の矩形図形τ第２のりｊ”伝の矩形即丁
面ゲ巾す／ｂ電子ビームによ−って描画して、現像処理
によ−）て得られる図形のｆ４ｔＪ ｊｉｅ共勺する辺
に平行なる方法の寸法ｒ前ａＬ第■の矩形図形と６１１
ｉＬ第２の矩形図形とについて比較することによ一ノて
、Ｕσｄ市ａ子ビームＶ矩形断囲の・ノー法の評１曲仝
竹なうこと′？ｒ：付似とする出１ナビーム嬉几刀Ｙ人
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP954783A JPS59135728A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP954783A JPS59135728A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135728A true JPS59135728A (ja) | 1984-08-04 |
| JPH047090B2 JPH047090B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=11723297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP954783A Granted JPS59135728A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59135728A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843603A (en) * | 1995-08-25 | 1998-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of evaluating shaped beam of charged beam writer and method of forming pattern |
| JP2017143187A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成形アパーチャアレイの評価方法 |
-
1983
- 1983-01-24 JP JP954783A patent/JPS59135728A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843603A (en) * | 1995-08-25 | 1998-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of evaluating shaped beam of charged beam writer and method of forming pattern |
| JP2017143187A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成形アパーチャアレイの評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047090B2 (ja) | 1992-02-07 |
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