JPS5913422A - ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのドライブ回路 - Google Patents
ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのドライブ回路Info
- Publication number
- JPS5913422A JPS5913422A JP57123550A JP12355082A JPS5913422A JP S5913422 A JPS5913422 A JP S5913422A JP 57123550 A JP57123550 A JP 57123550A JP 12355082 A JP12355082 A JP 12355082A JP S5913422 A JPS5913422 A JP S5913422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- turned
- thyristor
- current
- gto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はター１− ターン・オフ （Ｑａ ｔｏ −
Ｔｕｒ ｎ −Ｏｆ ｆ 、ＧＴＯ）サイリスタのオン
オフ制御の特性を改善したゲート・ターン・オフ・サイ
リスタのゲートのドライブ回路に関するものである。
Ｔｕｒ ｎ −Ｏｆ ｆ 、ＧＴＯ）サイリスタのオン
オフ制御の特性を改善したゲート・ターン・オフ・サイ
リスタのゲートのドライブ回路に関するものである。
従来ＧＴＯサイリスクのドライブ回路としては正負の電
源を用いる方式、或いは１電源でコンデンサやインダク
タンスを併用する方法などが知られているが、極性の異
なる２種の電源を用いるのは実用上不便であり、またコ
ンデンサやインダクタンスを用いる方法はドライブ回路
が複雑になったり、スイッチング可能な電流容量が十分
取れない欠点があった。
源を用いる方式、或いは１電源でコンデンサやインダク
タンスを併用する方法などが知られているが、極性の異
なる２種の電源を用いるのは実用上不便であり、またコ
ンデンサやインダクタンスを用いる方法はドライブ回路
が複雑になったり、スイッチング可能な電流容量が十分
取れない欠点があった。
本発明は従来の上記した欠点を除去することを目的とし
、１電源で良く、しかも電流容量の大きなドライブ回路
を提供しようとするものである。
、１電源で良く、しかも電流容量の大きなドライブ回路
を提供しようとするものである。
以下本発明をその実施例により図面と共に説明する。第
１図において、ＳｌけＧＴＯサイリスタ、Ｑｌけｐｎｐ
）ランジスタＱ２はｎｐｎ ）ランジスタＬ１は負荷、
Ｔ１はゲートパルス信号入力端子、Ｉ２は制御用電源端
子、Ｉ３は負荷用電源端子、Ａ、に、ＧｉそれぞれＧＴ
Ｏサイリスタのアノード、カソード、ゲートである。Ｒ
１は電流制限用抵抗、Ｉ１はＧＴＯサイリスタＳ１のタ
ーンオン時のゲート電流、Ｉ２はターンオン時の負荷電
流（アノード電流）Ｉ３は同じくター／オフ時のゲート
電流である。
１図において、ＳｌけＧＴＯサイリスタ、Ｑｌけｐｎｐ
）ランジスタＱ２はｎｐｎ ）ランジスタＬ１は負荷、
Ｔ１はゲートパルス信号入力端子、Ｉ２は制御用電源端
子、Ｉ３は負荷用電源端子、Ａ、に、ＧｉそれぞれＧＴ
Ｏサイリスタのアノード、カソード、ゲートである。Ｒ
１は電流制限用抵抗、Ｉ１はＧＴＯサイリスタＳ１のタ
ーンオン時のゲート電流、Ｉ２はターンオン時の負荷電
流（アノード電流）Ｉ３は同じくター／オフ時のゲート
電流である。
次にこの実施例の動作を説明する。今、ゲートパルス信
号入力端子Ｔ１に電圧ｖ２なる信号が入力するトＮＰ
Ｎ ）ランジスタＱ２がＯＮになり、制御用電源Ｔ２．
抵抗Ｒ１を介してグー）ＯＮ電流工。
号入力端子Ｔ１に電圧ｖ２なる信号が入力するトＮＰ
Ｎ ）ランジスタＱ２がＯＮになり、制御用電源Ｔ２．
抵抗Ｒ１を介してグー）ＯＮ電流工。
が流入し、ＧＴｏサイリスタＳ１はＯＮになり負荷電流
Ｉ２が流れる。この時、ＰＮＰ）ランジスタＱ、は当然
ＯＦＦになっている。
Ｉ２が流れる。この時、ＰＮＰ）ランジスタＱ、は当然
ＯＦＦになっている。
次に信号入力端子Ｔ１にｖｌなる信号が入力すると、第
１のＮＰＮＩ−ランジスタＱ２がＯＦＦになりゲートＯ
Ｎ、電流工、はストップする。この時、第２のＰＮＰト
ランジスタＱ１がＯＮになる念め、ゲートＯＦＦ電流工
。が流出してＧＴＯサイリスタＳ１はＯＦＦになる。
１のＮＰＮＩ−ランジスタＱ２がＯＦＦになりゲートＯ
Ｎ、電流工、はストップする。この時、第２のＰＮＰト
ランジスタＱ１がＯＮになる念め、ゲートＯＦＦ電流工
。が流出してＧＴＯサイリスタＳ１はＯＦＦになる。
尚、点線で囲んだ第１のトランジスタ全附加第２のトラ
ンジスタＱ２．ＣＩＴＯサイリスタＳ１は、全て半導体
のため同一のシリコンウェファチップ上に組込みができ
、ドライブ回路つき、ＩＣ化ＧＴＯサイリスタ素子を作
ることも可能である。
ンジスタＱ２．ＣＩＴＯサイリスタＳ１は、全て半導体
のため同一のシリコンウェファチップ上に組込みができ
、ドライブ回路つき、ＩＣ化ＧＴＯサイリスタ素子を作
ることも可能である。
第２図はさらに他の実施例を示すものである。
同図において第１図に示したものと異なるのはＧＴＯサ
イリスタＳ、に直列にダイオードＤ１ヲ設けた点である
。
イリスタＳ、に直列にダイオードＤ１ヲ設けた点である
。
この実施例において、ダイオードＤ１の附加によｐＧＴ
ｏサイリスタＳ１／′ｉそのゲートＧが負にバイアスさ
れたことになり、このためターンオフ時のゲート電流■
３を流れ易くする利点を有する。
ｏサイリスタＳ１／′ｉそのゲートＧが負にバイアスさ
れたことになり、このためターンオフ時のゲート電流■
３を流れ易くする利点を有する。
また、第３図はさらに他の実施例を示すもので０３、Ｑ
４はそれぞれｎｐｎ＋ｐｎｐの、］：’５に：逆極性の
トランジスタ、Ｅはゲート駆動用の直流電源Ｒ２は電流
制限用の抵抗で他の第１図と同一の符号は同一の名称を
表わす。
４はそれぞれｎｐｎ＋ｐｎｐの、］：’５に：逆極性の
トランジスタ、Ｅはゲート駆動用の直流電源Ｒ２は電流
制限用の抵抗で他の第１図と同一の符号は同一の名称を
表わす。
上記構成で、ゲートパルスが電圧ｖ２の時はトランジス
タＱ３が、また電圧ｖ１の時はトランジスタＱ４がそれ
ぞれオンとなり直流電源Ｅをゲートパルスに合せて強制
的に接地することになり、１電源にもかかわらず、効果
的にＧＴＯサイリスタＳ、ヲターンオン或いはターンオ
フ出来る利点を有する。
タＱ３が、また電圧ｖ１の時はトランジスタＱ４がそれ
ぞれオンとなり直流電源Ｅをゲートパルスに合せて強制
的に接地することになり、１電源にもかかわらず、効果
的にＧＴＯサイリスタＳ、ヲターンオン或いはターンオ
フ出来る利点を有する。
以上説明したように本発明によれば、ゲート電流を制御
するトランジスタ全附加するだけで、ＧＴＯサイリスタ
を電流容量の大きな範囲まで効果的にオンオフ制御出来
、しかもそのゲート駆動回路はインバータ等の附加回路
を要せず簡単に出来るので、その工業的価値は大である
。特に本発明を大型電光表示装置等の多数（４万〜１６
万）個の光源を点灯する回路に用いればゲートドライブ
回路を比較的簡単にしかもコスト的に安価に構成出来る
ので効果が大きい。
するトランジスタ全附加するだけで、ＧＴＯサイリスタ
を電流容量の大きな範囲まで効果的にオンオフ制御出来
、しかもそのゲート駆動回路はインバータ等の附加回路
を要せず簡単に出来るので、その工業的価値は大である
。特に本発明を大型電光表示装置等の多数（４万〜１６
万）個の光源を点灯する回路に用いればゲートドライブ
回路を比較的簡単にしかもコスト的に安価に構成出来る
ので効果が大きい。
第１図は本発明の一実施例によるゲート・ターン・オフ
・サイリスタのドライブ回路の回路図、第２図は他の実
施例の回路図、第３図は別の実施例の回路図である。 Ｔ２・・・・・・制御用電源入力端子、Ｑｌ・・・・・
・・ｐｎｐトランジスタ、Ｑ２・・・・・・・ｎｐｎ
）ランジスタ、Ｓｌ・・・・・ＧＴＯサイリスク、Ｔ１
・・・・−・ゲートパルス入力端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
・サイリスタのドライブ回路の回路図、第２図は他の実
施例の回路図、第３図は別の実施例の回路図である。 Ｔ２・・・・・・制御用電源入力端子、Ｑｌ・・・・・
・・ｐｎｐトランジスタ、Ｑ２・・・・・・・ｎｐｎ
）ランジスタ、Ｓｌ・・・・・ＧＴＯサイリスク、Ｔ１
・・・・−・ゲートパルス入力端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
Claims (1)
- ゲート制御用の直流電源と、前記電源に直列接続した互
に異なる極性の第１ 、第２のトランジスタと、前記第
１．第２のトランジスタの接続点にゲートが接続された
ゲート・ターン・オフ争サイリスタと、前記第１．第２
のトランジスタのベースを共通に１駆動するタートノく
ルス入力端子とからなるゲートークーンｅオフψサイリ
スタのドライブ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123550A JPS5913422A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123550A JPS5913422A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのドライブ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913422A true JPS5913422A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14863371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57123550A Pending JPS5913422A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのドライブ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913422A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0158903A2 (en) * | 1984-03-30 | 1985-10-23 | Hitachi, Ltd. | Capacitive load driving device |
| JPS63107223A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | トライアツクトリガ用光結合半導体素子 |
| US4758942A (en) * | 1986-10-08 | 1988-07-19 | Hitachi Ltd. | Turn-off control circuit for a gate turn-off thyristor |
| WO2009004715A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Mitsubishi Electric Corporation | 電力素子の駆動回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922841B1 (ja) * | 1968-04-15 | 1974-06-12 |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP57123550A patent/JPS5913422A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922841B1 (ja) * | 1968-04-15 | 1974-06-12 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0158903A2 (en) * | 1984-03-30 | 1985-10-23 | Hitachi, Ltd. | Capacitive load driving device |
| US4758942A (en) * | 1986-10-08 | 1988-07-19 | Hitachi Ltd. | Turn-off control circuit for a gate turn-off thyristor |
| JPS63107223A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | トライアツクトリガ用光結合半導体素子 |
| JPH0575292B2 (ja) * | 1986-10-23 | 1993-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | |
| WO2009004715A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Mitsubishi Electric Corporation | 電力素子の駆動回路 |
| US8040162B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Switch matrix drive circuit for a power element |
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