JPS5913422A - ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのドライブ回路 - Google Patents
ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのドライブ回路Info
- Publication number
- JPS5913422A JPS5913422A JP57123550A JP12355082A JPS5913422A JP S5913422 A JPS5913422 A JP S5913422A JP 57123550 A JP57123550 A JP 57123550A JP 12355082 A JP12355082 A JP 12355082A JP S5913422 A JPS5913422 A JP S5913422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- turned
- thyristor
- current
- gto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はター1− ターン・オフ (Qa to −
Tur n −Of f 、GTO)サイリスタのオン
オフ制御の特性を改善したゲート・ターン・オフ・サイ
リスタのゲートのドライブ回路に関するものである。
Tur n −Of f 、GTO)サイリスタのオン
オフ制御の特性を改善したゲート・ターン・オフ・サイ
リスタのゲートのドライブ回路に関するものである。
従来GTOサイリスクのドライブ回路としては正負の電
源を用いる方式、或いは1電源でコンデンサやインダク
タンスを併用する方法などが知られているが、極性の異
なる2種の電源を用いるのは実用上不便であり、またコ
ンデンサやインダクタンスを用いる方法はドライブ回路
が複雑になったり、スイッチング可能な電流容量が十分
取れない欠点があった。
源を用いる方式、或いは1電源でコンデンサやインダク
タンスを併用する方法などが知られているが、極性の異
なる2種の電源を用いるのは実用上不便であり、またコ
ンデンサやインダクタンスを用いる方法はドライブ回路
が複雑になったり、スイッチング可能な電流容量が十分
取れない欠点があった。
本発明は従来の上記した欠点を除去することを目的とし
、1電源で良く、しかも電流容量の大きなドライブ回路
を提供しようとするものである。
、1電源で良く、しかも電流容量の大きなドライブ回路
を提供しようとするものである。
以下本発明をその実施例により図面と共に説明する。第
1図において、SlけGTOサイリスタ、Qlけpnp
)ランジスタQ2はnpn )ランジスタL1は負荷、
T1はゲートパルス信号入力端子、I2は制御用電源端
子、I3は負荷用電源端子、A、に、GiそれぞれGT
Oサイリスタのアノード、カソード、ゲートである。R
1は電流制限用抵抗、I1はGTOサイリスタS1のタ
ーンオン時のゲート電流、I2はターンオン時の負荷電
流(アノード電流)I3は同じくター/オフ時のゲート
電流である。
1図において、SlけGTOサイリスタ、Qlけpnp
)ランジスタQ2はnpn )ランジスタL1は負荷、
T1はゲートパルス信号入力端子、I2は制御用電源端
子、I3は負荷用電源端子、A、に、GiそれぞれGT
Oサイリスタのアノード、カソード、ゲートである。R
1は電流制限用抵抗、I1はGTOサイリスタS1のタ
ーンオン時のゲート電流、I2はターンオン時の負荷電
流(アノード電流)I3は同じくター/オフ時のゲート
電流である。
次にこの実施例の動作を説明する。今、ゲートパルス信
号入力端子T1に電圧v2なる信号が入力するトNP
N )ランジスタQ2がONになり、制御用電源T2.
抵抗R1を介してグー)ON電流工。
号入力端子T1に電圧v2なる信号が入力するトNP
N )ランジスタQ2がONになり、制御用電源T2.
抵抗R1を介してグー)ON電流工。
が流入し、GToサイリスタS1はONになり負荷電流
I2が流れる。この時、PNP)ランジスタQ、は当然
OFFになっている。
I2が流れる。この時、PNP)ランジスタQ、は当然
OFFになっている。
次に信号入力端子T1にvlなる信号が入力すると、第
1のNPNI−ランジスタQ2がOFFになりゲートO
N、電流工、はストップする。この時、第2のPNPト
ランジスタQ1がONになる念め、ゲートOFF電流工
。が流出してGTOサイリスタS1はOFFになる。
1のNPNI−ランジスタQ2がOFFになりゲートO
N、電流工、はストップする。この時、第2のPNPト
ランジスタQ1がONになる念め、ゲートOFF電流工
。が流出してGTOサイリスタS1はOFFになる。
尚、点線で囲んだ第1のトランジスタ全附加第2のトラ
ンジスタQ2.CITOサイリスタS1は、全て半導体
のため同一のシリコンウェファチップ上に組込みができ
、ドライブ回路つき、IC化GTOサイリスタ素子を作
ることも可能である。
ンジスタQ2.CITOサイリスタS1は、全て半導体
のため同一のシリコンウェファチップ上に組込みができ
、ドライブ回路つき、IC化GTOサイリスタ素子を作
ることも可能である。
第2図はさらに他の実施例を示すものである。
同図において第1図に示したものと異なるのはGTOサ
イリスタS、に直列にダイオードD1ヲ設けた点である
。
イリスタS、に直列にダイオードD1ヲ設けた点である
。
この実施例において、ダイオードD1の附加によpGT
oサイリスタS1/′iそのゲートGが負にバイアスさ
れたことになり、このためターンオフ時のゲート電流■
3を流れ易くする利点を有する。
oサイリスタS1/′iそのゲートGが負にバイアスさ
れたことになり、このためターンオフ時のゲート電流■
3を流れ易くする利点を有する。
また、第3図はさらに他の実施例を示すもので03、Q
4はそれぞれnpn+pnpの、]:’5に:逆極性の
トランジスタ、Eはゲート駆動用の直流電源R2は電流
制限用の抵抗で他の第1図と同一の符号は同一の名称を
表わす。
4はそれぞれnpn+pnpの、]:’5に:逆極性の
トランジスタ、Eはゲート駆動用の直流電源R2は電流
制限用の抵抗で他の第1図と同一の符号は同一の名称を
表わす。
上記構成で、ゲートパルスが電圧v2の時はトランジス
タQ3が、また電圧v1の時はトランジスタQ4がそれ
ぞれオンとなり直流電源Eをゲートパルスに合せて強制
的に接地することになり、1電源にもかかわらず、効果
的にGTOサイリスタS、ヲターンオン或いはターンオ
フ出来る利点を有する。
タQ3が、また電圧v1の時はトランジスタQ4がそれ
ぞれオンとなり直流電源Eをゲートパルスに合せて強制
的に接地することになり、1電源にもかかわらず、効果
的にGTOサイリスタS、ヲターンオン或いはターンオ
フ出来る利点を有する。
以上説明したように本発明によれば、ゲート電流を制御
するトランジスタ全附加するだけで、GTOサイリスタ
を電流容量の大きな範囲まで効果的にオンオフ制御出来
、しかもそのゲート駆動回路はインバータ等の附加回路
を要せず簡単に出来るので、その工業的価値は大である
。特に本発明を大型電光表示装置等の多数(4万〜16
万)個の光源を点灯する回路に用いればゲートドライブ
回路を比較的簡単にしかもコスト的に安価に構成出来る
ので効果が大きい。
するトランジスタ全附加するだけで、GTOサイリスタ
を電流容量の大きな範囲まで効果的にオンオフ制御出来
、しかもそのゲート駆動回路はインバータ等の附加回路
を要せず簡単に出来るので、その工業的価値は大である
。特に本発明を大型電光表示装置等の多数(4万〜16
万)個の光源を点灯する回路に用いればゲートドライブ
回路を比較的簡単にしかもコスト的に安価に構成出来る
ので効果が大きい。
第1図は本発明の一実施例によるゲート・ターン・オフ
・サイリスタのドライブ回路の回路図、第2図は他の実
施例の回路図、第3図は別の実施例の回路図である。 T2・・・・・・制御用電源入力端子、Ql・・・・・
・・pnpトランジスタ、Q2・・・・・・・npn
)ランジスタ、Sl・・・・・GTOサイリスク、T1
・・・・−・ゲートパルス入力端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図
・サイリスタのドライブ回路の回路図、第2図は他の実
施例の回路図、第3図は別の実施例の回路図である。 T2・・・・・・制御用電源入力端子、Ql・・・・・
・・pnpトランジスタ、Q2・・・・・・・npn
)ランジスタ、Sl・・・・・GTOサイリスク、T1
・・・・−・ゲートパルス入力端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図
Claims (1)
- ゲート制御用の直流電源と、前記電源に直列接続した互
に異なる極性の第1 、第2のトランジスタと、前記第
1.第2のトランジスタの接続点にゲートが接続された
ゲート・ターン・オフ争サイリスタと、前記第1.第2
のトランジスタのベースを共通に1駆動するタートノく
ルス入力端子とからなるゲートークーンeオフψサイリ
スタのドライブ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57123550A JPS5913422A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57123550A JPS5913422A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのドライブ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5913422A true JPS5913422A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14863371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57123550A Pending JPS5913422A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | ゲ−ト・タ−ン・オフ・サイリスタのドライブ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5913422A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0158903A2 (en) * | 1984-03-30 | 1985-10-23 | Hitachi, Ltd. | Capacitive load driving device |
JPS63107223A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | トライアツクトリガ用光結合半導体素子 |
US4758942A (en) * | 1986-10-08 | 1988-07-19 | Hitachi Ltd. | Turn-off control circuit for a gate turn-off thyristor |
WO2009004715A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Mitsubishi Electric Corporation | 電力素子の駆動回路 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4922841B1 (ja) * | 1968-04-15 | 1974-06-12 |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP57123550A patent/JPS5913422A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4922841B1 (ja) * | 1968-04-15 | 1974-06-12 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0158903A2 (en) * | 1984-03-30 | 1985-10-23 | Hitachi, Ltd. | Capacitive load driving device |
US4758942A (en) * | 1986-10-08 | 1988-07-19 | Hitachi Ltd. | Turn-off control circuit for a gate turn-off thyristor |
JPS63107223A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | トライアツクトリガ用光結合半導体素子 |
JPH0575292B2 (ja) * | 1986-10-23 | 1993-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | |
WO2009004715A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Mitsubishi Electric Corporation | 電力素子の駆動回路 |
US8040162B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Switch matrix drive circuit for a power element |
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