JPS59128582A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS59128582A JPS59128582A JP58003848A JP384883A JPS59128582A JP S59128582 A JPS59128582 A JP S59128582A JP 58003848 A JP58003848 A JP 58003848A JP 384883 A JP384883 A JP 384883A JP S59128582 A JPS59128582 A JP S59128582A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- insulating material
- lower transparent
- material layer
- crystal display
- Prior art date
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- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示装置に係わり、絶縁層を利用して駆
動デユーティ比を向上させる液晶表示装置に関する。
動デユーティ比を向上させる液晶表示装置に関する。
絶縁物質層を金属薄膜でサンドイッチに包み、絶縁物質
の電界抵抗変化特性を利用して、等測的に液晶の立ち上
りを急峻にし、マルチプレックス駆動のデユーティ比を
向上させる方法は、既に周知である。
の電界抵抗変化特性を利用して、等測的に液晶の立ち上
りを急峻にし、マルチプレックス駆動のデユーティ比を
向上させる方法は、既に周知である。
しかし、従来は、デユーティ比を上げることに目がいき
、表示体構造が複雑となり、このため、意産性１品質安
定性に欠けるきらいがあった。
、表示体構造が複雑となり、このため、意産性１品質安
定性に欠けるきらいがあった。
本発明は、従来の技術を改良し、量産性にすぐれ、品質
も安定なハイデユーティ液晶表示装置を提供することを
目的とする。
も安定なハイデユーティ液晶表示装置を提供することを
目的とする。
以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する第１図は
、従来のハイデー−ティ液晶表示装置（以下Ｍ工Ｍ表示
体と称する）のパネル断面構造を示したものであり、１
は上の透明基°板、２は下の透明基板であり、通例ガラ
スが用いられる。３および４はＴＮ型液晶を用いる場合
に必要な偏光板であり、ゲストホスト型液晶では不要で
ある。
、従来のハイデー−ティ液晶表示装置（以下Ｍ工Ｍ表示
体と称する）のパネル断面構造を示したものであり、１
は上の透明基°板、２は下の透明基板であり、通例ガラ
スが用いられる。３および４はＴＮ型液晶を用いる場合
に必要な偏光板であり、ゲストホスト型液晶では不要で
ある。
５は上側の透明電極、６は下側の透明電極であり、その
間に液晶層７が封入される。透明電極６は金属帯８と電
気的につながっており、さらに、絶縁物質層９．金属駆
動ライン１０を通して、外部の駆動回路につながる。絶
縁物質層９は、電界の変化によりて固有抵抗も変化する
ような、いわゆるバリスター特性を有する物質、例えば
酸化タンタル、酸化亜鉛化合物等が用いられる。具体的
には、電界が強くなるに従って抵抗値が下るような物質
が用いられるわけである。これによって、等測的に、液
晶層の電界と光透過特性を急峻に改良できる。以上の点
は既に周知であるが、金属、絶縁層、金属、透明電極と
いう構造は加工上かなり歩留りがわるく、コストアップ
になる。このように複雑な構造をとっているのは、第２
図の等価回路に示すように、金属と絶縁物薄膜の境界に
形成される非線形性（ダイオード特性）を打ち消すため
である。第２図中、１１は金属ライン１ｏと絶縁ｑｌｌ
＊９との間に形成されるダイオードであり、非線形の度
合は小さいものの、液晶を本質的に交流駆動する必要か
ら、小さいダイオード特性であっても、液晶にかかる電
圧がひずみ、液晶表示品質を落すのみならず劣化を早め
ることになる。
間に液晶層７が封入される。透明電極６は金属帯８と電
気的につながっており、さらに、絶縁物質層９．金属駆
動ライン１０を通して、外部の駆動回路につながる。絶
縁物質層９は、電界の変化によりて固有抵抗も変化する
ような、いわゆるバリスター特性を有する物質、例えば
酸化タンタル、酸化亜鉛化合物等が用いられる。具体的
には、電界が強くなるに従って抵抗値が下るような物質
が用いられるわけである。これによって、等測的に、液
晶層の電界と光透過特性を急峻に改良できる。以上の点
は既に周知であるが、金属、絶縁層、金属、透明電極と
いう構造は加工上かなり歩留りがわるく、コストアップ
になる。このように複雑な構造をとっているのは、第２
図の等価回路に示すように、金属と絶縁物薄膜の境界に
形成される非線形性（ダイオード特性）を打ち消すため
である。第２図中、１１は金属ライン１ｏと絶縁ｑｌｌ
＊９との間に形成されるダイオードであり、非線形の度
合は小さいものの、液晶を本質的に交流駆動する必要か
ら、小さいダイオード特性であっても、液晶にかかる電
圧がひずみ、液晶表示品質を落すのみならず劣化を早め
ることになる。
このため、金属帯８を設け、絶縁物質層９と金属帯８の
境界に形成されるダイオード１２によって、交流波形の
ひずみを相殺している。１３は絶縁物ＩＸ層の容量成分
、１４はその抵抗成分であるが、駆動交流周波数が低い
ため、容量成分のインピーダンスは無視できる。１５は
液晶層の容量成分、１６はその抵抗成分である。従って
、等何回路上でみれば、ブロック１７が一枚の基板側、
ブロック１８が他方の基板側となる。しかし、現在の液
晶表示体の大量生産方式は、大きな一枚のガラスに上下
のｉ！極を同時に多数個形成し、切断後上下ガラスを重
ね合せて完成する工程をとっているため、Ｍ工Ｍ表示体
のように上下の基板プロセスが異るものは、生産性もよ
く゛ないことになる。
境界に形成されるダイオード１２によって、交流波形の
ひずみを相殺している。１３は絶縁物ＩＸ層の容量成分
、１４はその抵抗成分であるが、駆動交流周波数が低い
ため、容量成分のインピーダンスは無視できる。１５は
液晶層の容量成分、１６はその抵抗成分である。従って
、等何回路上でみれば、ブロック１７が一枚の基板側、
ブロック１８が他方の基板側となる。しかし、現在の液
晶表示体の大量生産方式は、大きな一枚のガラスに上下
のｉ！極を同時に多数個形成し、切断後上下ガラスを重
ね合せて完成する工程をとっているため、Ｍ工Ｍ表示体
のように上下の基板プロセスが異るものは、生産性もよ
く゛ないことになる。
本発明はこうした欠点を改良したもので、上下の基板の
プロセスを同一にし、現有の量産方式が可能でかつ特性
も安定し歩留りも向上する表示方式である。
プロセスを同一にし、現有の量産方式が可能でかつ特性
も安定し歩留りも向上する表示方式である。
第３図は、本発明のハイデユーティ表示構造の等価回路
であり、上の基板側２７と下の基板側２８を対称に形成
している。１９は上の基板上に形成された金属駆動ライ
類と絶縁物質層との境界に形成されるダイオード、２ｏ
は上の基板側の絶縁物質層め容量成分、２１はその抵抗
成分である。２２は液晶層の容量成分、２３は液晶層の
抵抗成分である。２６は下の基板上に形成された金属駆
動ラインと絶縁物質層との境界に形成されるダイオード
であり、ダイオード２６と１９は互に相殺する特性の向
きと大きさをもっている。２４は下の基板側の絶縁物質
層の容量成分、２５はその抵抗成分、である。
であり、上の基板側２７と下の基板側２８を対称に形成
している。１９は上の基板上に形成された金属駆動ライ
類と絶縁物質層との境界に形成されるダイオード、２ｏ
は上の基板側の絶縁物質層め容量成分、２１はその抵抗
成分である。２２は液晶層の容量成分、２３は液晶層の
抵抗成分である。２６は下の基板上に形成された金属駆
動ラインと絶縁物質層との境界に形成されるダイオード
であり、ダイオード２６と１９は互に相殺する特性の向
きと大きさをもっている。２４は下の基板側の絶縁物質
層の容量成分、２５はその抵抗成分、である。
第４図、第５図に本発明に基づいて形成された上下基板
上のパターン図を示した。第４図は下基板のパターンで
あり、２９は金属薄膜ライン上にかぶさる形で形成され
た絶縁物質層の帯である。
上のパターン図を示した。第４図は下基板のパターンで
あり、２９は金属薄膜ライン上にかぶさる形で形成され
た絶縁物質層の帯である。
３０は透明ネサ電極である。第５図は、上基板のパター
ンであり、３１は２９と同様の絶縁物質帯、３２は透明
ネサ電極である。電極３ｏと３２の重なる部分が表示の
画素を形成す右。
ンであり、３１は２９と同様の絶縁物質帯、３２は透明
ネサ電極である。電極３ｏと３２の重なる部分が表示の
画素を形成す右。
第６図は本発明の液晶表示装置のパネル断面を示したも
のであり、５３．３４はそれぞれ上下の透明基板、３５
．３６は偏光板、３７は反射板、５８．４１はそれぞれ
上下の金属薄膜ライン、５９．４２は絶縁物質層、４０
．４５は透明電極、４４は液晶層である。このように、
上下の基板が全く同じプロセス構成となっており、一枚
の大きなガラスに一度に上下のパターンを作り、切断し
て重ねることにより完成品が得られる。表示特性の点で
は、従来のＭ工Ｍ表示体と同等の特性が得られ、加工上
のメリットが活される。本発明の具体化は第６図の実施
例に限定されず、透過光型の構造、あるいはゲストホス
ト型、さらには基板にプラスチックフィルムを使う場合
等にも応用可能である。
のであり、５３．３４はそれぞれ上下の透明基板、３５
．３６は偏光板、３７は反射板、５８．４１はそれぞれ
上下の金属薄膜ライン、５９．４２は絶縁物質層、４０
．４５は透明電極、４４は液晶層である。このように、
上下の基板が全く同じプロセス構成となっており、一枚
の大きなガラスに一度に上下のパターンを作り、切断し
て重ねることにより完成品が得られる。表示特性の点で
は、従来のＭ工Ｍ表示体と同等の特性が得られ、加工上
のメリットが活される。本発明の具体化は第６図の実施
例に限定されず、透過光型の構造、あるいはゲストホス
ト型、さらには基板にプラスチックフィルムを使う場合
等にも応用可能である。
以上に述べた如く、本発明の液晶表示装置は、量産加工
性にすぐれたハイデユーティ表示装置１あり、コストダ
ウンに大いに貢献する。
性にすぐれたハイデユーティ表示装置１あり、コストダ
ウンに大いに貢献する。
第１図は従来のＭ工Ｍ表示体のパネル断面図ズある。
１．２・・・・・・透明基板
３．４・・・・・・偏光板
５．６・・・・・・透明電極
７・・・・・・液晶層 ８・・・・・・金属帯
９・・・・・・絶縁物質層 １０・・・・・・金属駆動ライン 第２図は、第１図のＭＩＭ表示体の等何回路てあり、１
１．１２は金属と絶縁物間に形成されおダイオードであ
る。 第３図は、本発明の液晶表示装置の等何回路である。 ２７・・・・・・上側基板サイド ２８・・・・・・下側基板サイド １９．２（Ｓ・・・・・・金属と絶縁物間に形成される
ダイオード ２０．２１・・・・・・上の絶縁物質層の容量成分と抵
抗成分 ２４．２５・・・・・・下の絶縁物質層の容量成分と抵
抗成分 第４図、第５図は本発明の表示装置のパネルの上下のパ
ターン図である。 第６図は、本発明の液晶表示装置の実施例のパネル断面
図である。 ３３．３４・・・・・・透明基板 ３８．４１・・・・・・金属薄膜ライン３９．４２・・
・・・・絶縁物質層 ４０．４３・・・・・・透明％極 ４４・・・・・・液晶層 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 ′ 第２図 第３図 第４図 第６図
９・・・・・・絶縁物質層 １０・・・・・・金属駆動ライン 第２図は、第１図のＭＩＭ表示体の等何回路てあり、１
１．１２は金属と絶縁物間に形成されおダイオードであ
る。 第３図は、本発明の液晶表示装置の等何回路である。 ２７・・・・・・上側基板サイド ２８・・・・・・下側基板サイド １９．２（Ｓ・・・・・・金属と絶縁物間に形成される
ダイオード ２０．２１・・・・・・上の絶縁物質層の容量成分と抵
抗成分 ２４．２５・・・・・・下の絶縁物質層の容量成分と抵
抗成分 第４図、第５図は本発明の表示装置のパネルの上下のパ
ターン図である。 第６図は、本発明の液晶表示装置の実施例のパネル断面
図である。 ３３．３４・・・・・・透明基板 ３８．４１・・・・・・金属薄膜ライン３９．４２・・
・・・・絶縁物質層 ４０．４３・・・・・・透明％極 ４４・・・・・・液晶層 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 ′ 第２図 第３図 第４図 第６図
Claims (1)
- １、 上下の透明基板、当該透明基板に形成された上下
の透明電極、当該上下の透明電極間に封入され、電界効
果によって表示を行なう液晶層、前記上下の透明電極の
各々に緩続され、電界変化に対して固有抵抗が変化する
、いわゆるバリスター特性をもった上下の絶縁物質層、
前記上下の透明基板上に形成され、前記絶縁物質層につ
ながった上下の金属薄膜ラインから構成され、前記液晶
層が上下の絶縁物質層を介して上下の透明電−極によっ
て駆動され、金属薄膜ラインと絶縁物質層間に形成され
る非線形特性が上下で打消すようにしたことを特徴とす
る液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003848A JPS59128582A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003848A JPS59128582A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59128582A true JPS59128582A (ja) | 1984-07-24 |
Family
ID=11568599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58003848A Pending JPS59128582A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59128582A (ja) |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP58003848A patent/JPS59128582A/ja active Pending
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