JPH11119239A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH11119239A JPH11119239A JP10179325A JP17932598A JPH11119239A JP H11119239 A JPH11119239 A JP H11119239A JP 10179325 A JP10179325 A JP 10179325A JP 17932598 A JP17932598 A JP 17932598A JP H11119239 A JPH11119239 A JP H11119239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- counter electrode
- electrode
- liquid crystal
- crystal display
- pixel electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 16
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Geometry (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示素子の透過率を増加させ、画素電極
とカウンタ電極とを同一平面に形成して液晶表示素子の
応答速度を増加させ、液晶表示素子の開口率を増加さ
せ、信号線による液晶配列の歪みを防止することを目的
とする。 【解決手段】 基板の上面に第１方向へ伸張する第１カ
ウンタ電極と、基板の上面に配置されたコンタクトホー
ルを含む絶縁層と、前記第１方向に対し垂直の第２方向
へ伸張するボディーと、ボディーから前記第１カウンタ
電極と平行に伸張する多数のブランチとを含む画素電極
が配置され、絶縁層の上面には一段が第１カウンタ電極
と重畳し画素電極のボディーと平行に伸張するボディー
と、前記ボディーから第１方向へ伸張し画素電極のブラ
ンチと所定間隔をおいて組む多数のブランチとを含む第
２カウンタ電極が配置される構成とする。
とカウンタ電極とを同一平面に形成して液晶表示素子の
応答速度を増加させ、液晶表示素子の開口率を増加さ
せ、信号線による液晶配列の歪みを防止することを目的
とする。 【解決手段】 基板の上面に第１方向へ伸張する第１カ
ウンタ電極と、基板の上面に配置されたコンタクトホー
ルを含む絶縁層と、前記第１方向に対し垂直の第２方向
へ伸張するボディーと、ボディーから前記第１カウンタ
電極と平行に伸張する多数のブランチとを含む画素電極
が配置され、絶縁層の上面には一段が第１カウンタ電極
と重畳し画素電極のボディーと平行に伸張するボディー
と、前記ボディーから第１方向へ伸張し画素電極のブラ
ンチと所定間隔をおいて組む多数のブランチとを含む第
２カウンタ電極が配置される構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関
し、特に、同一基板に第１及び第２部分からなるカウン
タ電極と画素電極とが具備された液晶表示素子に関す
る。
し、特に、同一基板に第１及び第２部分からなるカウン
タ電極と画素電極とが具備された液晶表示素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は透明な一対の絶縁基板
と、前記一対の基板のいずれか一つに形成された薄膜ト
ランジスタ及び画素電極と、他の基板に形成されたカラ
ーフィルタとカウンタ電極とを具備する。一対の絶縁基
板間には液晶物質が封入される。液晶表示素子に電源が
印加されれば、画素電極とカウンタ電極との間に電界が
形成され、この電界にそって液晶分子が再配列される。
と、前記一対の基板のいずれか一つに形成された薄膜ト
ランジスタ及び画素電極と、他の基板に形成されたカラ
ーフィルタとカウンタ電極とを具備する。一対の絶縁基
板間には液晶物質が封入される。液晶表示素子に電源が
印加されれば、画素電極とカウンタ電極との間に電界が
形成され、この電界にそって液晶分子が再配列される。
【０００３】横電極駆動モードＴＦＴは、ＴＮ(Twisted
Nematic) モード液晶表示素子の狭い視野角の問題及び
低いコントラスト比を改善するために提案されたもの
で、下部基板に画素電極とカウンタ電極とを形成する。
この画素電極とカウンタ電極との間に下部基板と平行な
電界が形成され、当該電界にそって液晶分子が再配列さ
れる。
Nematic) モード液晶表示素子の狭い視野角の問題及び
低いコントラスト比を改善するために提案されたもの
で、下部基板に画素電極とカウンタ電極とを形成する。
この画素電極とカウンタ電極との間に下部基板と平行な
電界が形成され、当該電界にそって液晶分子が再配列さ
れる。
【０００４】かかる横電極駆動モード液晶表示素子の単
位セルを図１に示す。下部基板１１上に走査線１２がＸ
軸方向へ配列される。信号線１３はＹ軸方向へ配列さ
れ、走査線１２と垂直交差する。走査線１２と信号線１
３との間には絶縁層１７（図２等参照）が形成されてい
る。また、走査線１２と信号線１３との交差点にはチャ
ンネル層１４ａを含む薄膜トランジスタが形成されてい
る。走査線１２と信号線１３により限定された空間に
は、四角枠状のカウンタ電極１５が配置される。カウン
タ電極１５は、走査線１２と平行し、信号線１３と重畳
する第１及び第２部分１５ａ，１５ｂと、前記信号線１
３に平行な第３及び第４部分１５ｃ，１５ｄとからな
る。画素電極１６は走査線１２と平行しカウンタ電極の
第１及び第２部分と重畳する第１及び第２部分１６ａ，
１６ｃと、これらの中央部分を連結して前記空間を２等
分する第３部分１６ｃとからなる。一方、薄膜トランジ
スタ１４のソース電極は画素電極１６の第２部分１６ｃ
と一体である。画素電極は不透明金属を使用する。
位セルを図１に示す。下部基板１１上に走査線１２がＸ
軸方向へ配列される。信号線１３はＹ軸方向へ配列さ
れ、走査線１２と垂直交差する。走査線１２と信号線１
３との間には絶縁層１７（図２等参照）が形成されてい
る。また、走査線１２と信号線１３との交差点にはチャ
ンネル層１４ａを含む薄膜トランジスタが形成されてい
る。走査線１２と信号線１３により限定された空間に
は、四角枠状のカウンタ電極１５が配置される。カウン
タ電極１５は、走査線１２と平行し、信号線１３と重畳
する第１及び第２部分１５ａ，１５ｂと、前記信号線１
３に平行な第３及び第４部分１５ｃ，１５ｄとからな
る。画素電極１６は走査線１２と平行しカウンタ電極の
第１及び第２部分と重畳する第１及び第２部分１６ａ，
１６ｃと、これらの中央部分を連結して前記空間を２等
分する第３部分１６ｃとからなる。一方、薄膜トランジ
スタ１４のソース電極は画素電極１６の第２部分１６ｃ
と一体である。画素電極は不透明金属を使用する。
【０００５】図２（ａ）は、図１の矢視Ｉ−Ｉ線に沿う
断面図であって、下部基板１１の上面にカウンタ電極の
第３部分１５ｃ及び第４部分１５ｄが位置し、カウンタ
電極が形成された基板１１の上面に絶縁層１７が配置さ
れる。カウンタ電極の第３部分１５ｃと第４部分１５ｄ
間の中央には画素電極の第３部分１６ｂが配置され、カ
ウンタ電極の第４部分１５ｄの左側には信号線１３が隣
接するように配置される。すなわち、絶縁層１７を挟ん
で画素電極とカウンタ電極とが形成されているので、画
素電極とカウンタ電極との間には段差が形成される。
断面図であって、下部基板１１の上面にカウンタ電極の
第３部分１５ｃ及び第４部分１５ｄが位置し、カウンタ
電極が形成された基板１１の上面に絶縁層１７が配置さ
れる。カウンタ電極の第３部分１５ｃと第４部分１５ｄ
間の中央には画素電極の第３部分１６ｂが配置され、カ
ウンタ電極の第４部分１５ｄの左側には信号線１３が隣
接するように配置される。すなわち、絶縁層１７を挟ん
で画素電極とカウンタ電極とが形成されているので、画
素電極とカウンタ電極との間には段差が形成される。
【０００６】図２（ｂ）は図１のII-II に沿う断面図で
あって、カウンタ電極の第１部分１５ａが下部基板１１
上に形成され、カウンタ電極の第１部分の上面には絶縁
層と画素電極の第１部分１６ａが順次的に積層される。
あって、カウンタ電極の第１部分１５ａが下部基板１１
上に形成され、カウンタ電極の第１部分の上面には絶縁
層と画素電極の第１部分１６ａが順次的に積層される。
【０００７】電圧印加時、カウンタ電極１５と画素電極
１６間に下部基板１１に平行な電界が形成され、この電
界にそって液晶分子が再配列される。横電極駆動モード
液晶表示素子は基板に平行な電界を利用するので、視野
角が改善されるという効果がある。
１６間に下部基板１１に平行な電界が形成され、この電
界にそって液晶分子が再配列される。横電極駆動モード
液晶表示素子は基板に平行な電界を利用するので、視野
角が改善されるという効果がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１に示した
横電極駆動モード液晶表示素子は次のような問題点があ
る。第一に、図２（ｂ）に示したように、走査線１２と
平行な部分、即ちカウンタ電極１５と画素電極１６とが
重畳する部分１５ａ; １６ａ、１５ｂ;１６ｃではこれ
ら間に絶縁層１７が形成されているので、電界は形成さ
れない。従って、この部分の液晶の再配列は行われない
ことから液晶表示素子の透過率が低下するという短所が
ある。
横電極駆動モード液晶表示素子は次のような問題点があ
る。第一に、図２（ｂ）に示したように、走査線１２と
平行な部分、即ちカウンタ電極１５と画素電極１６とが
重畳する部分１５ａ; １６ａ、１５ｂ;１６ｃではこれ
ら間に絶縁層１７が形成されているので、電界は形成さ
れない。従って、この部分の液晶の再配列は行われない
ことから液晶表示素子の透過率が低下するという短所が
ある。
【０００９】第二に、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示し
たように、カウンタ電極と画素電極が同じ平面に形成さ
れず絶縁層を挟んで形成されるので、カウンタ電極と画
素電極が同一基板に形成される場合に比し、下部基板１
１に平行な電界の大きさが弱く、上部基板( 図示せず)
へ行く程フリンジ(fringe)フィールドが大きくなるの
で、液晶表示素子の応答速度が低下( 遅い) するという
問題がある。
たように、カウンタ電極と画素電極が同じ平面に形成さ
れず絶縁層を挟んで形成されるので、カウンタ電極と画
素電極が同一基板に形成される場合に比し、下部基板１
１に平行な電界の大きさが弱く、上部基板( 図示せず)
へ行く程フリンジ(fringe)フィールドが大きくなるの
で、液晶表示素子の応答速度が低下( 遅い) するという
問題がある。
【００１０】第三に、画素電極は不透明金属を使用する
ので、ＬＣＤの開口率が低くなり、所望の輝度を得るた
めに強いバックライトを使用しなければならないので、
消費電力が増加するという問題がある。
ので、ＬＣＤの開口率が低くなり、所望の輝度を得るた
めに強いバックライトを使用しなければならないので、
消費電力が増加するという問題がある。
【００１１】第四に、図２（ａ）に示したように、信号
線１３がカウンタ電極１５ｄに隣接するように配置され
るので、液晶表示素子の駆動時において、信号線１３を
通過する信号により、画素電極とカウンタ電極との間に
形成された電界が影響され、画素電極とカウンタ電極間
の液晶分子配列が歪んで視野角特性を低下させるという
問題がある。
線１３がカウンタ電極１５ｄに隣接するように配置され
るので、液晶表示素子の駆動時において、信号線１３を
通過する信号により、画素電極とカウンタ電極との間に
形成された電界が影響され、画素電極とカウンタ電極間
の液晶分子配列が歪んで視野角特性を低下させるという
問題がある。
【００１２】従って本発明の目的は、第１に、液晶表示
素子の透過率を増加させることを目的とし、第２に画素
電極とカウンタ電極とを同一平面に形成して液晶表示素
子の応答速度を増加させることを目的とし、第３に、液
晶表示素子の開口率を増加させることを目的とし、第４
に液晶表示素子において、信号線による液晶表示素子の
液晶配列の歪みを防止することである。
素子の透過率を増加させることを目的とし、第２に画素
電極とカウンタ電極とを同一平面に形成して液晶表示素
子の応答速度を増加させることを目的とし、第３に、液
晶表示素子の開口率を増加させることを目的とし、第４
に液晶表示素子において、信号線による液晶表示素子の
液晶配列の歪みを防止することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、信号線に隣接した部分の第１カウンタ電極は絶縁層
を介して画素電極と共にキャパシタを形成する。液晶分
子配列を誘導する電界を実質的に形成する第２カウンタ
電極は信号線から遠く離隔される。走査線に平行なカウ
ンタ電極（第１カウンタ電極及び第２カウンタ電極）は
画素電極と重畳しない代わりに、不透明金属からなる第
１カウンタ電極と透明金属からなる第２カウンタ電極と
がコンタクトホールにより連結する。画素電極と第２カ
ウンタ電極は走査線と平行な多数のブランチ(banch) を
持つ櫛状であり、これらブランチは相与合わさる構造で
ある。一方、画素電極と第２カウンタ電極とは透明金属
からなる。
に、信号線に隣接した部分の第１カウンタ電極は絶縁層
を介して画素電極と共にキャパシタを形成する。液晶分
子配列を誘導する電界を実質的に形成する第２カウンタ
電極は信号線から遠く離隔される。走査線に平行なカウ
ンタ電極（第１カウンタ電極及び第２カウンタ電極）は
画素電極と重畳しない代わりに、不透明金属からなる第
１カウンタ電極と透明金属からなる第２カウンタ電極と
がコンタクトホールにより連結する。画素電極と第２カ
ウンタ電極は走査線と平行な多数のブランチ(banch) を
持つ櫛状であり、これらブランチは相与合わさる構造で
ある。一方、画素電極と第２カウンタ電極とは透明金属
からなる。
【００１４】具体的な実施の形態において、本発明に係
る液晶表示素子の基板の上面に第１方向へ伸張する第１
カウンタ電極が配置される。第１カウンタ電極が形成さ
れた基板の対面にコンタクトホールを含む絶縁層が配置
される。絶縁層の上面には前記第１カウンタ電極から所
定距離をおいて離隔され前記第１方向に対し垂直の第２
方向へ伸張するボディーと、前記ボディーから前記第１
カウンタ電極と平行に伸張する多数のブランチとを含む
画素電極が配置される。また、絶縁層の上面には一段が
第１カウンタ電極と重複して画素電極のボディーと平行
に伸張するボディーと、ボディーから第１方向へ伸張し
て画素電極のブランチと所定間隔をおいて相組み合わさ
れる多数のブランチを含む第２カウンタ電極が配置され
る。第２カウンタ電極はコンタクトホールを通じて第１
カウンタ電極と連結する。蓄積電極が画素電極のボディ
ーと絶縁層を挟んで重複されるように第１カウンタ電極
から第２方向へ伸張する。信号線は画素電極のボディー
に隣接して第２方向へ伸張する。走査線は、第１方向へ
伸張して前記第２カウンタ電極の最外のブランチのいず
れか一つから離隔配置される。ここで、画素電極と前記
第２カウンタ電極は透明金属からなり、特にＩＴＯ(ind
ium tin oxide)からなる。第１カウンタ電極は、MoW 、
Mo/Al またはAlNdのような不透明金属からなる。画素電
極および前記第２カウンタ電極のブランチの幅は約８μ
ｍ以下、望ましくは約６μｍであり、画素電極のブラン
チと第２カウンタ電極のブランチ間の間隔は約１０μｍ
以下、望ましくは約５μｍである。
る液晶表示素子の基板の上面に第１方向へ伸張する第１
カウンタ電極が配置される。第１カウンタ電極が形成さ
れた基板の対面にコンタクトホールを含む絶縁層が配置
される。絶縁層の上面には前記第１カウンタ電極から所
定距離をおいて離隔され前記第１方向に対し垂直の第２
方向へ伸張するボディーと、前記ボディーから前記第１
カウンタ電極と平行に伸張する多数のブランチとを含む
画素電極が配置される。また、絶縁層の上面には一段が
第１カウンタ電極と重複して画素電極のボディーと平行
に伸張するボディーと、ボディーから第１方向へ伸張し
て画素電極のブランチと所定間隔をおいて相組み合わさ
れる多数のブランチを含む第２カウンタ電極が配置され
る。第２カウンタ電極はコンタクトホールを通じて第１
カウンタ電極と連結する。蓄積電極が画素電極のボディ
ーと絶縁層を挟んで重複されるように第１カウンタ電極
から第２方向へ伸張する。信号線は画素電極のボディー
に隣接して第２方向へ伸張する。走査線は、第１方向へ
伸張して前記第２カウンタ電極の最外のブランチのいず
れか一つから離隔配置される。ここで、画素電極と前記
第２カウンタ電極は透明金属からなり、特にＩＴＯ(ind
ium tin oxide)からなる。第１カウンタ電極は、MoW 、
Mo/Al またはAlNdのような不透明金属からなる。画素電
極および前記第２カウンタ電極のブランチの幅は約８μ
ｍ以下、望ましくは約６μｍであり、画素電極のブラン
チと第２カウンタ電極のブランチ間の間隔は約１０μｍ
以下、望ましくは約５μｍである。
【００１５】図４を参照しながら本発明に係る横電極駆
動モード液晶表示素子の構造を説明する。走査線２はＸ
軸方向へ伸張配列される。信号線５はＹ軸方向へ伸張配
列され走査線２と垂直交差する。第１カウンタ電極３は
不透明金属からなり、走査線２と平行に伸張する。蓄積
電極３ａは前記第１カウンタ電極と連結して前記信号線
５に平行に隣接配置される。L/d＞1 である状態で、単
位画素の横が２８０．５μｍで、縦が２１０．５μｍで
ある１８．１”パネルを用いる場合、蓄積電極３ａは信
号線５から約２μｍ以上離隔される。ここで、L は画素
電極とカウンタ電極間の距離で、ｄはセルギャップであ
る。第２カウンタ電極は透明金属からなり走査線２と平
行する。
動モード液晶表示素子の構造を説明する。走査線２はＸ
軸方向へ伸張配列される。信号線５はＹ軸方向へ伸張配
列され走査線２と垂直交差する。第１カウンタ電極３は
不透明金属からなり、走査線２と平行に伸張する。蓄積
電極３ａは前記第１カウンタ電極と連結して前記信号線
５に平行に隣接配置される。L/d＞1 である状態で、単
位画素の横が２８０．５μｍで、縦が２１０．５μｍで
ある１８．１”パネルを用いる場合、蓄積電極３ａは信
号線５から約２μｍ以上離隔される。ここで、L は画素
電極とカウンタ電極間の距離で、ｄはセルギャップであ
る。第２カウンタ電極は透明金属からなり走査線２と平
行する。
【００１６】画素電極７は蓄積電極３ａと重畳し、信号
線５と平行に伸張する第１部分７１と、前記第１部分７
１から走査線２と平行に伸張する多数のブランチ７２，
７３，７４からなる第２部分とを含む櫛状を有する。画
素電極７の第１部分７１の一段は第１カウンタ電極３か
ら所定距離をおいて離隔され、他段はドレイン電極６と
接触される。１８．１”パネルを用いる場合、第１カウ
ンタ電極３は第１部分７１と約５μｍ離隔され、この離
隔距離は駆動電圧を考慮して決まる。ブランチ７２は画
素電極の第１部分７１の一段と連結し、ブランチ７４は
走査線２から所定距離をおいて離隔される。１８．１”
パネルを用いる場合、ブランチ７４と走査線２との離隔
距離は約１６μｍである。ブランチ７３は両端のブラン
チ７２，７４間に配置される。１８．１”パネルを用い
て画素電極のブランチ数が１１個である場合、ブランチ
間の距離は約１６μｍである。ここで、画素電極は透明
導電性物質、例えば、ＩＴＯからなる。一方、以下で
は、画素電極の第１部分７１は "ボディー" といい、画
素電極の第２部分７２，７３，７４は "ブランチ"とい
う。
線５と平行に伸張する第１部分７１と、前記第１部分７
１から走査線２と平行に伸張する多数のブランチ７２，
７３，７４からなる第２部分とを含む櫛状を有する。画
素電極７の第１部分７１の一段は第１カウンタ電極３か
ら所定距離をおいて離隔され、他段はドレイン電極６と
接触される。１８．１”パネルを用いる場合、第１カウ
ンタ電極３は第１部分７１と約５μｍ離隔され、この離
隔距離は駆動電圧を考慮して決まる。ブランチ７２は画
素電極の第１部分７１の一段と連結し、ブランチ７４は
走査線２から所定距離をおいて離隔される。１８．１”
パネルを用いる場合、ブランチ７４と走査線２との離隔
距離は約１６μｍである。ブランチ７３は両端のブラン
チ７２，７４間に配置される。１８．１”パネルを用い
て画素電極のブランチ数が１１個である場合、ブランチ
間の距離は約１６μｍである。ここで、画素電極は透明
導電性物質、例えば、ＩＴＯからなる。一方、以下で
は、画素電極の第１部分７１は "ボディー" といい、画
素電極の第２部分７２，７３，７４は "ブランチ"とい
う。
【００１７】第２カウンタ電極８は画素電極７と組む構
造であって、画素電極７のように、櫛状を有する。第２
カウンタ電極８は第１カウンタ電極３の上部から走査線
２に向けて信号線５と平行に伸張する第１部分８５( 以
下、 "ボディー"という）と、ボディー８５から画素電
極のボディー７１に向けて画素電極のブランチ等と組ん
で走査線２に平行に伸張する多数のブランチ８１，８
２，８３，８４からなる第２部分（ブランチ) を含む。
最外のブランチのいずれか一つ８１は第１カウンタ電極
３の第１部分３ｂの上部に形成され、他の一つの最外の
ブランチ８４は走査線２と画素電極の最外のブランチ７
４間に配置される。第１カウンタ電極の第１部分３ｂと
第２カウンタ電極のブランチ８１とはコンタクトホール
Ｃにより連結する。
造であって、画素電極７のように、櫛状を有する。第２
カウンタ電極８は第１カウンタ電極３の上部から走査線
２に向けて信号線５と平行に伸張する第１部分８５( 以
下、 "ボディー"という）と、ボディー８５から画素電
極のボディー７１に向けて画素電極のブランチ等と組ん
で走査線２に平行に伸張する多数のブランチ８１，８
２，８３，８４からなる第２部分（ブランチ) を含む。
最外のブランチのいずれか一つ８１は第１カウンタ電極
３の第１部分３ｂの上部に形成され、他の一つの最外の
ブランチ８４は走査線２と画素電極の最外のブランチ７
４間に配置される。第１カウンタ電極の第１部分３ｂと
第２カウンタ電極のブランチ８１とはコンタクトホール
Ｃにより連結する。
【００１８】なお、このような横電極駆動モード液晶表
示素子の製造段階を説明する。図３（ａ）を見ると、下
部基板１の上部に走査線２と第１カウンタ電極３が配置
される。第１カウンタ電極３は走査線２と平行し、走査
線２から単位セルに限定された距離だけ離隔される。１
８．１”パネルを用いる場合、前記距離は約２８０．５
μｍである。蓄積電極３ａは前記第１カウンタ電極３か
ら前記走査線２に向けて突出される。第１カウンタ電極
は透明導電性物質または不透明導電性物質から形成する
ことができ、特に第１カウンタ電極はＬＣＤの応答速度
を増加させるために不透明金属からなる。
示素子の製造段階を説明する。図３（ａ）を見ると、下
部基板１の上部に走査線２と第１カウンタ電極３が配置
される。第１カウンタ電極３は走査線２と平行し、走査
線２から単位セルに限定された距離だけ離隔される。１
８．１”パネルを用いる場合、前記距離は約２８０．５
μｍである。蓄積電極３ａは前記第１カウンタ電極３か
ら前記走査線２に向けて突出される。第１カウンタ電極
は透明導電性物質または不透明導電性物質から形成する
ことができ、特に第１カウンタ電極はＬＣＤの応答速度
を増加させるために不透明金属からなる。
【００１９】図３（ｂ）を参照すれば、走査線２の上部
の所定部分にはチャンネル層４が形成され、チャンネル
層４の一側端部にはドレイン電極６が形成される。信号
線５は第１カウンタ電極と垂直交差され蓄積電極３ａと
平行に伸張してチャンネル層４の他側を通る。チャンネ
ル層の他側と重畳される信号線５にはソース電極が形成
される。即ち、走査線２と信号線５とが交差される部分
ではチャンネル層４，ドレイン電極６及びソース電極か
らなる薄膜トランジスタが形成される。ここで、走査線
２とチャンネル層４，信号線５及びドレイン電極６間に
はゲート絶縁膜が介在され、走査線２と信号線５，及び
ドレイン電極６が短絡されることを防止する。一方、走
査線２，信号線５及びドレイン電極６は不透明導電性物
質で形成される。特に、走査線２はMoW またはMo/Al の
ような金属で、信号線５とドレイン電極６はMo/Al/Moの
ような金属で形成される。
の所定部分にはチャンネル層４が形成され、チャンネル
層４の一側端部にはドレイン電極６が形成される。信号
線５は第１カウンタ電極と垂直交差され蓄積電極３ａと
平行に伸張してチャンネル層４の他側を通る。チャンネ
ル層の他側と重畳される信号線５にはソース電極が形成
される。即ち、走査線２と信号線５とが交差される部分
ではチャンネル層４，ドレイン電極６及びソース電極か
らなる薄膜トランジスタが形成される。ここで、走査線
２とチャンネル層４，信号線５及びドレイン電極６間に
はゲート絶縁膜が介在され、走査線２と信号線５，及び
ドレイン電極６が短絡されることを防止する。一方、走
査線２，信号線５及びドレイン電極６は不透明導電性物
質で形成される。特に、走査線２はMoW またはMo/Al の
ような金属で、信号線５とドレイン電極６はMo/Al/Moの
ような金属で形成される。
【００２０】図４を見ると、図３（ｂ）の結果物上に画
素電極７と第２カウンタ電極８とが配置される。画素電
極７は蓄積電極３ａと重畳し信号線５と平行に伸張する
ボディー７１と、前記ボディー７１から走査線２と平行
に伸張する多数のブランチ７２，７３，７４を含む櫛状
を有する。画素電極７のボディー７１の一段は第１カウ
ンタ電極３から所定距離をおいて離隔され、他段はドレ
イン電極６と接触される。１８．１”パネルから画素電
極のボディー７１と第１カウンタ電極３は約５μｍ離隔
される。ブランチ７２は画素電極のボディー７の一段と
連結し、ブランチ７４は走査線２から所定距離、例えば
１８．１”パネルでは約１６μｍ離隔される。ブランチ
７３は両端のブランチ７２，７４間に配置される。ここ
で、画素電極は透明導電性物質、例えば、ＩＴＯからな
る。
素電極７と第２カウンタ電極８とが配置される。画素電
極７は蓄積電極３ａと重畳し信号線５と平行に伸張する
ボディー７１と、前記ボディー７１から走査線２と平行
に伸張する多数のブランチ７２，７３，７４を含む櫛状
を有する。画素電極７のボディー７１の一段は第１カウ
ンタ電極３から所定距離をおいて離隔され、他段はドレ
イン電極６と接触される。１８．１”パネルから画素電
極のボディー７１と第１カウンタ電極３は約５μｍ離隔
される。ブランチ７２は画素電極のボディー７の一段と
連結し、ブランチ７４は走査線２から所定距離、例えば
１８．１”パネルでは約１６μｍ離隔される。ブランチ
７３は両端のブランチ７２，７４間に配置される。ここ
で、画素電極は透明導電性物質、例えば、ＩＴＯからな
る。
【００２１】第２カウンタ電極８は画素電極７と組む構
造であって、画素電極７のように、櫛状を有する。第２
カウンタ電極８は第１カウンタ電極３の上部から走査線
２に向けて信号線５と平行に伸張するボディー８５と、
ボディー８５から画素電極のボディー７１に向けて画素
電極のブランチ等と組んで走査線２に平行に伸張する多
数のブランチ８１、８２、８３、８４を含む。最外のブ
ランチのいずれか一つ８１は第１カウンタ電極３の上部
に形成され、残り一つの最外のブランチ８４は走査線２
と画素電極の最外のブランチ７４間に配置される。第１
カウンタ電極３と第２カウンタ電極のブランチ８１とは
コンタクトホールＣにより連結する。ここで、第２カウ
ンタ電極は透明導電性物質、例えば、ＩＴＯからなる。
造であって、画素電極７のように、櫛状を有する。第２
カウンタ電極８は第１カウンタ電極３の上部から走査線
２に向けて信号線５と平行に伸張するボディー８５と、
ボディー８５から画素電極のボディー７１に向けて画素
電極のブランチ等と組んで走査線２に平行に伸張する多
数のブランチ８１、８２、８３、８４を含む。最外のブ
ランチのいずれか一つ８１は第１カウンタ電極３の上部
に形成され、残り一つの最外のブランチ８４は走査線２
と画素電極の最外のブランチ７４間に配置される。第１
カウンタ電極３と第２カウンタ電極のブランチ８１とは
コンタクトホールＣにより連結する。ここで、第２カウ
ンタ電極は透明導電性物質、例えば、ＩＴＯからなる。
【００２２】画素電極７のブランチ等７２，７３，７４
と第２カウンタ電極８のブランチ等８１，８２，８３、
８４との幅は約８μｍ以下、望ましくは６μｍで、画素
電極のブランチと第２カウンタ電極のブランチとの間隔
は約１０μｍ以下、望ましくは約５μｍである。
と第２カウンタ電極８のブランチ等８１，８２，８３、
８４との幅は約８μｍ以下、望ましくは６μｍで、画素
電極のブランチと第２カウンタ電極のブランチとの間隔
は約１０μｍ以下、望ましくは約５μｍである。
【００２３】図５（ａ）は図１の矢視II-II 線に沿う断
面図であって、第１カウンタ電極３と第２カウンタ電極
のブランチ８１とはコンタクトホールＣにより連結す
る。画素電極７のブランチ７２と第２カウンタ電極のブ
ランチ８２とは全部絶縁層２０の上面で一定の間隔をお
いて配列される。
面図であって、第１カウンタ電極３と第２カウンタ電極
のブランチ８１とはコンタクトホールＣにより連結す
る。画素電極７のブランチ７２と第２カウンタ電極のブ
ランチ８２とは全部絶縁層２０の上面で一定の間隔をお
いて配列される。
【００２４】図５（ｂ）は図４の矢視IV-IV 線に沿う断
面図であって、信号線５に隣接した蓄積電極３ａと画素
電極のボディー７１とは絶縁層２０を介して積層されキ
ャパシタを形成する。
面図であって、信号線５に隣接した蓄積電極３ａと画素
電極のボディー７１とは絶縁層２０を介して積層されキ
ャパシタを形成する。
【００２５】液晶表示素子に外部電圧が印加されれば、
画素電極と第２カウンタ電極間に電界が形成され液晶分
子を再配列させる。
画素電極と第２カウンタ電極間に電界が形成され液晶分
子を再配列させる。
【００２６】以上の説明は、特定の実施の形態に限って
本発明を説明したものであるが、本発明はこれに限ら
ず、本発明の思想から逸脱しない範囲内で多様に変形可
能であることは当業者にとって当然である。
本発明を説明したものであるが、本発明はこれに限ら
ず、本発明の思想から逸脱しない範囲内で多様に変形可
能であることは当業者にとって当然である。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明からあきらかなように本発明
においては、第一に、画素電極７と第２カウンタ電極８
とは透明導電性物質からなっているので、液晶表示素子
の光透過率及び開口率が改善される。
においては、第一に、画素電極７と第２カウンタ電極８
とは透明導電性物質からなっているので、液晶表示素子
の光透過率及び開口率が改善される。
【００２８】第二に、走査線２と平行な部分では画素電
極とカウンタ電極が絶縁層を介して重畳されない代わり
に、第１カウンタ電極と第２カウンタ電極とがコンタク
トホールを通じて連結する。従って、走査線２に平行す
る部分に位置する液晶分子が電界に対し反応しないとい
う現象は発生しない。
極とカウンタ電極が絶縁層を介して重畳されない代わり
に、第１カウンタ電極と第２カウンタ電極とがコンタク
トホールを通じて連結する。従って、走査線２に平行す
る部分に位置する液晶分子が電界に対し反応しないとい
う現象は発生しない。
【００２９】第三に、図５（ｂ）に示したように、信号
線５に隣接する蓄積電極３ａは絶縁層２０及び画素電極
７１と共にキャパシタを形成し、液晶に加えた電圧を一
定時間維持させる。また、液晶分子を配列させる電界を
形成する第２カウンタ電極８のブランチ８１，８２，８
３，８４と画素電極７のブランチ７２，７３，７４が信
号線５に対し垂直に配列されるので、液晶分子らが信号
線による干渉を受けることを減らすことができ、液晶分
子の異常配列が著しく防止される。
線５に隣接する蓄積電極３ａは絶縁層２０及び画素電極
７１と共にキャパシタを形成し、液晶に加えた電圧を一
定時間維持させる。また、液晶分子を配列させる電界を
形成する第２カウンタ電極８のブランチ８１，８２，８
３，８４と画素電極７のブランチ７２，７３，７４が信
号線５に対し垂直に配列されるので、液晶分子らが信号
線による干渉を受けることを減らすことができ、液晶分
子の異常配列が著しく防止される。
【００３０】第四に、図５（ａ）に示したように、液晶
分子を配列させる電界を形成する画素電極と第２カウン
タ電極は全部絶縁層２０の上面、すなわち画素電極と第
２カウンタ電極間に絶縁層がなく同一平面に形成され
る。したがって、平行場の強さが絶縁層により弱化され
ないのでＬＣＤの応答速度が増加する、等の優れた効果
を奏する。
分子を配列させる電界を形成する画素電極と第２カウン
タ電極は全部絶縁層２０の上面、すなわち画素電極と第
２カウンタ電極間に絶縁層がなく同一平面に形成され
る。したがって、平行場の強さが絶縁層により弱化され
ないのでＬＣＤの応答速度が増加する、等の優れた効果
を奏する。
【図１】従来技術に係る横電極駆動モード液晶表示素子
の平面図である。
の平面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、図１の液晶表示素子の矢
視I-I 線，II-II 線に沿う断面図である。
視I-I 線，II-II 線に沿う断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は、本発明に係る横電極駆動モ
ード液晶表示素子の平面図である。
ード液晶表示素子の平面図である。
【図４】本発明に係る横電極駆動モード液晶表示素子の
平面図である。
平面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は図４の液晶表示素子の矢視
III-III 線，IV-IV線に沿う断面図である。
III-III 線，IV-IV線に沿う断面図である。
２ 走査線 ５ 信号線 ３ 第１カウンタ電極 ３ａ 蓄積電極 ７ 画素電極 ８ 第２カウンタ電極 ２０ 絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 香 律 大韓民国 京畿道 利川市 夫鉢邑 牙美 里 山 １ 48−１ 現代電子社員 アパ ート 109−102
Claims (15)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板の上面に形成された第１方向へ伸張する第１カ
ウンタ電極と、 前記第１カウンタ電極が形成された前記基板の上面に形
成されコンタクトホールを含む絶縁層と、 前記絶縁層の上面に形成され前記第１カウンタ電極から
所定距離をおいて離隔され前記第１方向に対し垂直の第
２方向へ伸張するボディーと、前記ボディーから前記第
１カウンタ電極と平行に伸張する多数のブランチとを含
む画素電極と、 前記絶縁層の上面に形成され、一段が前記第１カウンタ
電極と重畳し前記画素電極のボディーと平行に伸張する
ボディーと、前記ボディーから前記第１方向へ伸張して
前記画素電極のブランチと所定間隔をおいて組む多数の
ブランチとを含み、前記コンタクトホールを通じて前記
第１カウンタ電極と連結する第２カウンタ電極とを具備
することを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記画素電極のボディーと前記絶縁層を
挟んで重畳するように前記第１カウンタ電極から前記第
２方向へ伸張する蓄積電極をさらに具備する請求項１記
載の液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記画素電極のボディーに隣接し前記第
２方向へ伸張する信号線を更に具備する請求項１記載の
液晶表示素子。 - 【請求項４】 前記画素電極と前記第２カウンタ電極と
は透明導電性物質からなる請求項１記載の液晶表示素
子。 - 【請求項５】 前記第１カウンタ電極は不透明導電性物
質からなる請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項６】 前記第１方向へ伸張し、前記第２カウン
タ電極の最外のブランチのいずれか一つから離隔配置さ
れた走査線を更に具備する請求項１記載の液晶表示素
子。 - 【請求項７】 前記透明導電性物質はＩＴＯである請求
項４記載の液晶表示素子。 - 【請求項８】 前記画素電極及び前記第２カウンタ電極
のブランチの幅は約８μｍ以下である請求項１記載の液
晶表示素子。 - 【請求項９】 前記所定間隔は約１０μｍ以下である請
求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項１０】 基板と、 前記基板の上面に形成され第１方向へ伸張する走査線
と、 前記走査線から所定距離をおいて離隔され前記第１方向
へ伸張する第１カウンタ電極と、 前記第１カウンタ電極から前記走査線に向けて前記第１
方向に対し垂直の第２方向へ伸張する蓄積電極と、 前記走査線と前記第１カウンタ電極が形成された前記基
板の上面に形成されコンタクトホールを含む絶縁層と、 前記絶縁層の上面に形成され、前記走査線と交差しなが
ら前記第２方向へ伸張する信号線と、 前記絶縁層の上面に形成され、前記第２方向へ伸張して
蓄積電極と重畳するボディーと、前記ボディーから前記
第１方向へ伸張する多数のブランチとを含む画素電極
と、 前記絶縁層の対面に形成され、一段が前記第１カウンタ
電極と重畳して前記画素電極のボディーと平行に伸張す
るボディーと、前記ボディーから前記第１方向へ伸張し
て前記画素電極のブランチと所定間隔をおいて組む多数
のブランチとを含み、 前記コンタクトホールを通じて前記第１カウンタ電極と
連結する第２カウンタ電極とを具備することを特徴とす
る液晶表示素子。 - 【請求項１１】 前記画素電極と前記第２カウンタ電極
とは透明導電性物質からなる請求項１０記載の液晶表示
素子。 - 【請求項１２】 前記透明導電性物質はＩＴＯである請
求項１１記載の液晶表示素子。 - 【請求項１３】 前記第１カウンタ電極は不透明金属か
らなる請求項１０記載の液晶表示素子。 - 【請求項１４】 前記画素電極及び前記第２カウンタ電
極のブランチの幅は約８μｍ以下である請求項１０記載
の液晶表示素子。 - 【請求項１５】 前記所定間隔は約１０μｍ以下である
請求項１０記載の液晶表示素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970027411A KR100293806B1 (ko) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 액정표시소자 |
| KR1997/P27411 | 1997-06-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119239A true JPH11119239A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3465013B2 JP3465013B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=19511252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17932598A Expired - Lifetime JP3465013B2 (ja) | 1997-06-25 | 1998-06-25 | 液晶表示素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5969782A (ja) |
| JP (1) | JP3465013B2 (ja) |
| KR (1) | KR100293806B1 (ja) |
| DE (1) | DE19828391B4 (ja) |
| TW (1) | TW513596B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100417992C (zh) * | 2004-03-10 | 2008-09-10 | Nec液晶技术株式会社 | 液晶显示设备 |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100225910B1 (ko) * | 1996-04-04 | 1999-10-15 | 구자홍 | 액정표시장치(liquid crystal display device) |
| KR100209531B1 (ko) | 1996-06-22 | 1999-07-15 | 구자홍 | 액정표시장치 |
| US6812985B1 (en) | 1996-09-23 | 2004-11-02 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US6972818B1 (en) | 1997-05-19 | 2005-12-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
| KR100257369B1 (ko) * | 1997-05-19 | 2000-05-15 | 구본준 | 횡전계방식액정표시장치 |
| KR100257370B1 (ko) | 1997-05-19 | 2000-05-15 | 구본준 | 횡전계방식액정표시장치 |
| US6184961B1 (en) * | 1997-07-07 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains |
| KR100251512B1 (ko) | 1997-07-12 | 2000-04-15 | 구본준 | 횡전계방식 액정표시장치 |
| US6697140B2 (en) | 1997-07-29 | 2004-02-24 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device wherein portions of second gate line overlaps with data electrode |
| KR100255931B1 (ko) | 1997-08-14 | 2000-05-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식 액정표시소자 |
| US6549258B1 (en) | 1997-09-04 | 2003-04-15 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Hybrid switching mode liquid crystal display device |
| KR100293434B1 (ko) | 1997-09-08 | 2001-08-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식액정표시소자 |
| KR100482458B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2005-08-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막트랜지스터액정표시소자및그제조방법 |
| JP3019053B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100293436B1 (ko) | 1998-01-23 | 2001-08-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식액정표시장치 |
| US20040109103A1 (en) * | 1998-06-30 | 2004-06-10 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR100344844B1 (ko) | 1998-07-07 | 2002-11-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자및그제조방법 |
| KR100320416B1 (ko) * | 1998-08-26 | 2002-09-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식액정표시소자 |
| KR100311210B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2002-09-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 액정 표시 장치 |
| JP4094759B2 (ja) * | 1999-02-05 | 2008-06-04 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| KR100507271B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2005-08-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100595294B1 (ko) | 1999-12-14 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 칼라필터 기판의 제조방법 |
| KR100504531B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2005-08-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 |
| KR20070103518A (ko) * | 2000-04-05 | 2007-10-23 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 액정표시패널 |
| KR100777691B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2007-11-21 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| JP2002090714A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR20020037554A (ko) * | 2000-11-14 | 2002-05-22 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100683146B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-02-15 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 잔상 개선구조를 갖는 액정 디스플레이 패널 |
| JP2002268084A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
| JP4718712B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2011-07-06 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR20020085244A (ko) * | 2001-05-07 | 2002-11-16 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 액정표시장치 |
| GB0112563D0 (en) * | 2001-05-23 | 2001-07-18 | Koninl Philips Electronics Nv | Active plate |
| GB0112561D0 (en) * | 2001-05-23 | 2001-07-18 | Koninl Philips Electronics Nv | Active plate |
| KR100446383B1 (ko) * | 2001-05-25 | 2004-09-01 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 |
| KR100507280B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2005-08-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치 |
| JP4252775B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2009-04-08 | アルプス電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100919185B1 (ko) * | 2002-08-21 | 2009-09-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR100870668B1 (ko) * | 2002-10-01 | 2008-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정 표시 소자 |
| KR100895016B1 (ko) * | 2002-10-04 | 2009-04-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
| KR100909413B1 (ko) * | 2002-10-04 | 2009-07-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
| KR100895017B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2009-04-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 개구율이 향상된 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR100961960B1 (ko) | 2003-11-18 | 2010-06-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치, 박막 다이오드 표시판 및 그 제조 방법 |
| TW200706955A (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-16 | Innolux Display Corp | In-plane switching liquid crystal display device |
| JP5093714B2 (ja) * | 2006-07-25 | 2012-12-12 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| US7690254B2 (en) | 2007-07-26 | 2010-04-06 | Honeywell International Inc. | Sensor with position-independent drive electrodes in multi-layer silicon on insulator substrate |
| KR101534010B1 (ko) * | 2007-08-07 | 2015-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| JP6004560B2 (ja) * | 2011-10-06 | 2016-10-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN105404062B (zh) | 2016-01-04 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3674342A (en) * | 1970-12-29 | 1972-07-04 | Rca Corp | Liquid crystal display device including side-by-side electrodes on a common substrate |
| JPS5526447B2 (ja) * | 1972-06-05 | 1980-07-14 | ||
| DE2443733A1 (de) * | 1974-09-12 | 1976-03-25 | Siemens Ag | Anordnung zur modulation von licht |
| US3981559A (en) * | 1974-11-25 | 1976-09-21 | Rca Corporation | Liquid crystal display |
| JPH04174417A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Sharp Corp | カラー液晶表示装置 |
| FR2693305B1 (fr) * | 1992-07-02 | 1994-09-30 | Sagem | Dispositif de visualisation à cristaux liquides, à matrice active. |
| EP0916992B1 (en) * | 1992-09-18 | 2003-11-26 | Hitachi, Ltd. | A liquid crystal display device |
| JPH07191336A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| TW289097B (ja) * | 1994-08-24 | 1996-10-21 | Hitachi Ltd | |
| WO1998027454A1 (fr) * | 1996-12-18 | 1998-06-25 | Hitachi, Ltd. | Visuel a cristaux liquides a systeme de champs transversal electrique permettant d'ameliorer le rapport d'ouverture |
-
1997
- 1997-06-25 KR KR1019970027411A patent/KR100293806B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-06-24 US US09/103,484 patent/US5969782A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-24 TW TW087110196A patent/TW513596B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-25 DE DE19828391A patent/DE19828391B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-25 JP JP17932598A patent/JP3465013B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100417992C (zh) * | 2004-03-10 | 2008-09-10 | Nec液晶技术株式会社 | 液晶显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990003530A (ko) | 1999-01-15 |
| DE19828391B4 (de) | 2006-02-02 |
| JP3465013B2 (ja) | 2003-11-10 |
| US5969782A (en) | 1999-10-19 |
| DE19828391A1 (de) | 1999-01-07 |
| TW513596B (en) | 2002-12-11 |
| KR100293806B1 (ko) | 2001-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11119239A (ja) | 液晶表示素子 | |
| US6856371B2 (en) | In plane fringe field switching mode LCD realizing high screen quality | |
| JP3723911B2 (ja) | フリンジフィールド駆動液晶表示装置 | |
| JP3613573B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| KR100482468B1 (ko) | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치 | |
| JP2701698B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2701832B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US6839117B1 (en) | Compensating electrode structure of a display device | |
| WO2013001980A1 (ja) | 液晶表示パネル及び液晶表示装置 | |
| WO2013161636A1 (ja) | 液晶表示パネル、液晶表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板 | |
| JP3006586B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| US20050190313A1 (en) | Liquid crystal display and storage capacitor therefor | |
| KR100484411B1 (ko) | 보상전극구조를 갖는 아이피에스-엘씨디 및 그의제조방법 | |
| US20040109119A1 (en) | In-plane switching liquid crystal display with high aperture ratio | |
| JP3467509B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20020009144A (ko) | 액정 표시장치 | |
| JP2001033815A (ja) | 液晶パネル | |
| KR20040077017A (ko) | 액정 표시 장치 | |
| JP5143583B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| KR20020080860A (ko) | 프린지 필드 구동 액정표시장치 | |
| US6052163A (en) | Thin film transistor and liquid crystal display device | |
| JP5246758B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| US6888603B2 (en) | IPS-LCD with a compensation structure for reducing transmittance difference | |
| KR19980031798A (ko) | 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100827460B1 (ko) | 프린지 필드 구동 액정표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| S202 | Request for registration of non-exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |