JPS5912749Y2 - バイアス電流可変回路 - Google Patents
バイアス電流可変回路Info
- Publication number
- JPS5912749Y2 JPS5912749Y2 JP1975158019U JP15801975U JPS5912749Y2 JP S5912749 Y2 JPS5912749 Y2 JP S5912749Y2 JP 1975158019 U JP1975158019 U JP 1975158019U JP 15801975 U JP15801975 U JP 15801975U JP S5912749 Y2 JPS5912749 Y2 JP S5912749Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- current
- bias current
- scr
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案はバイアス電流可変回路に関するもので、その
目的とするところは音声信号記録において低速記録を行
なう場合、全幅消去電流を変化させることなくバイアス
電流のみを確実に変化させることのできる回路を提供し
ようとするものである。
目的とするところは音声信号記録において低速記録を行
なう場合、全幅消去電流を変化させることなくバイアス
電流のみを確実に変化させることのできる回路を提供し
ようとするものである。
磁気テープに音声信号を記録する場合、テープ上での波
長が短かくなるにしたがい最適バイアス電流は少なくな
る。
長が短かくなるにしたがい最適バイアス電流は少なくな
る。
例えば1KHzの信号を記録する場合、送行速度1 c
m/SeCと19cm/secとでは最適バイアス電流
は約%〜Hになる。
m/SeCと19cm/secとでは最適バイアス電流
は約%〜Hになる。
したがって低速記録する時にバイアス量を通常速度に設
定したままであると高い周波数のロスが大きくなるため
バイアス電流の切り換えが必須である。
定したままであると高い周波数のロスが大きくなるため
バイアス電流の切り換えが必須である。
従来のバイアス量切り換え回路の一例を第2図に従って
説明する。
説明する。
1はバイアス切り換えスイッチ、2はバイアス発振回路
で、抵抗r1又はr2とバイアス切り換えスイッチ1を
介して電源に印加されている。
で、抵抗r1又はr2とバイアス切り換えスイッチ1を
介して電源に印加されている。
1□〉7に設定した場合、抵抗r1側にスイッチ1を切
り換えるとバイアス発振回路2に印加される電圧は抵抗
r2側にスイッチ1を切り換えた場合よりも低くなるの
で発振出力は小さくなる。
り換えるとバイアス発振回路2に印加される電圧は抵抗
r2側にスイッチ1を切り換えた場合よりも低くなるの
で発振出力は小さくなる。
バイアス発振回路2の出力は発振トランス3を介して音
声ヘッド6、全幅消去ヘッド5に供給される。
声ヘッド6、全幅消去ヘッド5に供給される。
一方音声信号は記録アンプ4、高抵抗r3を介して音声
ヘッド6に印加される。
ヘッド6に印加される。
このような回路構成を可変スピードビテ゛オテープレコ
ーダに採用し、rl、r2の抵抗比により1 cm/s
ecの低速モードでのバイアス量を通常モードの月に設
定すると全幅消去電流も月に減少し、ビテ゛オドラック
の消去が不完全になる。
ーダに採用し、rl、r2の抵抗比により1 cm/s
ecの低速モードでのバイアス量を通常モードの月に設
定すると全幅消去電流も月に減少し、ビテ゛オドラック
の消去が不完全になる。
上記のような全幅消去電流の減少を起こさず、バイアス
電流のみを変化させる手段としては第3図に示すように
、音声ヘッド6とトリマーコンデンサ7との間にコンテ
゛ンサ8を並列に接続してバイアス電流の一部をコンデ
ンサ8にバイパスさせることにより、音声ヘッド6のバ
イアス電流を減少することができる。
電流のみを変化させる手段としては第3図に示すように
、音声ヘッド6とトリマーコンデンサ7との間にコンテ
゛ンサ8を並列に接続してバイアス電流の一部をコンデ
ンサ8にバイパスさせることにより、音声ヘッド6のバ
イアス電流を減少することができる。
この第3図において、トリマーコンデンサ7の容量C1
、音声ヘッドの配線用シールド線と音声ヘッド6との浮
遊容量をC3、バイパスコンデンサ8の容量C2とし、
第2図A点でのインピーダンスがトリマーコンデンサ7
のインピーダンスに比べて非常に小さいとするとパイパ
スコンデンサ8の導通によるバイアス値は、C十Ca
、 c1+02+c3に減少することができる。
、音声ヘッドの配線用シールド線と音声ヘッド6との浮
遊容量をC3、バイパスコンデンサ8の容量C2とし、
第2図A点でのインピーダンスがトリマーコンデンサ7
のインピーダンスに比べて非常に小さいとするとパイパ
スコンデンサ8の導通によるバイアス値は、C十Ca
、 c1+02+c3に減少することができる。
しかし、第3図においてスイッチ9はシールド線を引き
回すとシールド線自体の容量のため、バイアス量にロス
が生じ、減少比がどれなくなるのでリレースイッチが適
当であるが、コスト及び信頼性の点で半導体スイッチに
劣るものである。
回すとシールド線自体の容量のため、バイアス量にロス
が生じ、減少比がどれなくなるのでリレースイッチが適
当であるが、コスト及び信頼性の点で半導体スイッチに
劣るものである。
そのため第4図に示すようにスイッチに替えてトランジ
スタ10を用いることが考えられるが、次の理由から使
用することができない。
スタ10を用いることが考えられるが、次の理由から使
用することができない。
ベース電流を印加しないときにバイアス電流が負になる
とトランジスタ10のコレクタも負になり、ベース、コ
レクタのPN接合がアースと抵抗R1とを介して順バイ
アスとなり、直流電流が流れてバイアス電流に歪が生ず
る。
とトランジスタ10のコレクタも負になり、ベース、コ
レクタのPN接合がアースと抵抗R1とを介して順バイ
アスとなり、直流電流が流れてバイアス電流に歪が生ず
る。
また、バイアス電流は、零を中心として正極、負極とな
っているが、正極に対して導通動作を行なうが、負極に
対しては充分な動作が得られない。
っているが、正極に対して導通動作を行なうが、負極に
対しては充分な動作が得られない。
この考案は上記のような従来のバイアス切り換え回路の
欠点、難点を解消し、バイアス電流のみを大きく変化さ
せることのできる信頼性の高い回路を得たもので、一実
施例を第1図に示す。
欠点、難点を解消し、バイアス電流のみを大きく変化さ
せることのできる信頼性の高い回路を得たもので、一実
施例を第1図に示す。
5は全幅消去ヘッド、6は音声ヘッド、7はトリマーコ
ンデンサ、8は音声ヘッド6に対し並列に接続したバイ
パスコンデンサ、11はバイパスコンデンサ8と直列に
接続し記録ヘッドのホット側に設けた5CR9R1,R
2は抵抗で、R1は5CR11のゲートに対し並列に接
続されている。
ンデンサ、8は音声ヘッド6に対し並列に接続したバイ
パスコンデンサ、11はバイパスコンデンサ8と直列に
接続し記録ヘッドのホット側に設けた5CR9R1,R
2は抵抗で、R1は5CR11のゲートに対し並列に接
続されている。
5CR11は逆方向もれ電流値をバイアス電流値よりも
大きく設定されており、かつ5CR11のゲートに加え
られる電流はバイパスコンデンサへ送られるバイアス電
流よりも大きく設定されている。
大きく設定されており、かつ5CR11のゲートに加え
られる電流はバイパスコンデンサへ送られるバイアス電
流よりも大きく設定されている。
第1図の実施例の場合
通常のテープ速度の場合19cm/secにおける音声
ヘッドのバイアス電流、300μA、であり、低速のテ
ープ速度1 cm/Secにおけるバイアス電流を10
0μAとし、80KH2のバイアス周波数を用いたとき
を示したもので゛ある。
ヘッドのバイアス電流、300μA、であり、低速のテ
ープ速度1 cm/Secにおけるバイアス電流を10
0μAとし、80KH2のバイアス周波数を用いたとき
を示したもので゛ある。
トリマーコンデンサ7 100PF
バイパスコンデンサ8 470PF
SCRII M21C
抵抗R11にΩ
抵抗R23,3にΩ
ゲート回路への入力電流 4mA
SCR11のゲート電流を流さない場合はトランジスタ
を用いた場合で述べたバイアス電流の歪みは発生しない
。
を用いた場合で述べたバイアス電流の歪みは発生しない
。
通常SCRは一方方向しか電流を導通できないが、第1
図の実施例のように約3mAのゲート電流を流すと、も
れ電流が大きくなるためにバイアスのバイパス電流20
0〜300μAがもれ電流として導通される。
図の実施例のように約3mAのゲート電流を流すと、も
れ電流が大きくなるためにバイアスのバイパス電流20
0〜300μAがもれ電流として導通される。
即ち、SCRの両方的カットオフ特性、およびもれ電流
特性の利用によるゲートオン時の両方的導通特性を利用
したものである。
特性の利用によるゲートオン時の両方的導通特性を利用
したものである。
この考案によるバイアス電流可変回路は上記のようにS
CRの動作特性を利用したリレーを用いたことにより、
バイアス電流のみを大きく変化でき、かつ低コストで信
頼性の高いバイアス切り換え動作が得られる等、その効
果は大きいものである。
CRの動作特性を利用したリレーを用いたことにより、
バイアス電流のみを大きく変化でき、かつ低コストで信
頼性の高いバイアス切り換え動作が得られる等、その効
果は大きいものである。
第1図はこの考案によるバイアス電流可変回路の一実施
例を示す回路図、第2図〜第4図は従来例を示す回路図
である。
例を示す回路図、第2図〜第4図は従来例を示す回路図
である。
Claims (1)
- バイアス発振回路の出力を消去電流として消去ヘッドに
印加するとともに、交流バイアス信号として記録ヘッド
に印加し、前記記録ヘッドに並列になるようバイパスコ
ンデンサとSCRの直列回路を接続し、このSCRの逆
方向もれ電流値をバイアス電流値よりも大きく設定し、
かつ低速記録時に前記SCRのゲートにバイパスさせる
バイアス電流よりも大きい直流電流を加えて前記SCR
をONし、バイアス電流の一部をバイパスさせることに
より交流バイアスレベルを変化するよう構成したことを
特徴とするバイアス電流可変回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1975158019U JPS5912749Y2 (ja) | 1975-11-20 | 1975-11-20 | バイアス電流可変回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1975158019U JPS5912749Y2 (ja) | 1975-11-20 | 1975-11-20 | バイアス電流可変回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5270418U JPS5270418U (ja) | 1977-05-25 |
JPS5912749Y2 true JPS5912749Y2 (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=28637120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1975158019U Expired JPS5912749Y2 (ja) | 1975-11-20 | 1975-11-20 | バイアス電流可変回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5912749Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5339451Y2 (ja) * | 1972-11-11 | 1978-09-25 |
-
1975
- 1975-11-20 JP JP1975158019U patent/JPS5912749Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5270418U (ja) | 1977-05-25 |
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