JPS5912640B2 - 低転位密度りん化ガリウム単結晶の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液体カプセル引上法によって製造されるＧａ
Ｐ単結晶の改良を目的としており、シリコンなどの強還
元性不純物がドープされた低転位密度のＧａＰ単結晶の
製造方法に関するものである。

ＧａＰ単結晶は液体カプセル引上法（以下ＬＥＣ法と記
す）の応用により大型の結晶が得られるようになったが
、約１５００℃という高温に加えて、約５０気圧という
高圧ガス雰囲気のために大きな熱対流が生じ、Ｂ２Ｏ３
カプセル剤の中の温度勾配は約５００°Ｃ／Ｃｍにも達
する。

従ってこれらの雰囲気を経験する成長単結晶は、結晶の
中心部と周辺部の大きな温度差に起因する強い熱応力を
受けこの熱応力が著しい場合には結晶はクラックを生じ
、この熱応力が比較的小さい場合でも、結晶は塑性変形
を引き起し、多数の転位が導入あるいは増殖される。

これらのクラックの発生や転位の導入あるいは増殖を抑
えるために考えられるひとつの方法は、結晶の熱環境を
改善すること、すなわちＢ２Ｏ３に代表される結晶周囲
の温度勾配を小さくして結晶中の熱応力を緩和する方法
である。

この方法は確かにクラックの発生を抑える方法としては
効果的であるが、転位の導入あるいは増殖を抑えるため
にはより一層小さな温度勾配が必要であり、高圧ガス雰
囲気という特殊環境のもとてこのような状態を作り出す
ことは至難である。

従って従来のＧａＰ単結晶の転位密度は、結晶直径が小
さな結晶を例外として結晶直径が３’−ＯｗＩｔ以上と
いうような大きな結晶の場合には、１×１０５〜１×１
０６ｃｒｒＬ−２と非常に高く、５Ｘ１０’ｃＩｒＬ−
２以下の低転位密度結晶を安定して成長させることは殆
んど不可能であった。

例えば、日本産業技術振興協会新材料技術委員会線［化
合物半導体デバイス］株式会社日本産業技術振興協会（
１９７３−９−１，５）の第２５頁（図２．２２）には
、ＬＥＣ法によって製造したＧａＰ単結晶の転位密度は
、直径が１５麿までは約５×１０４ｃＩｒＬ２になる得
るが、直径が約１７７／ａを越えると約１０’ＣＴｒＬ
−２を越えることが示されている。

本発明は上述の難点を解消するもので、転位の導入ある
いは増殖を抑えるために、より好ましい熱環境のもとで
も、成長結晶が塑性変形を起さぬような高温強度を増加
させた新規な低転位密度ＧａＰ単結晶の製造方法を提供
せんとするものであり、結晶の高温強度を低下させてい
るひとつの原因と考えられる、ドーパントを含む不純物
の酸化物、あるいは上記酸化物又は酸素と点状欠陥との
複合体などを強還元性不純物の添加によって取り除き、
結晶の高温強度を増加させて低転位密度ＧａＰ単結晶を
安定して成長させることを特徴とするものである。

上記還元性不純物の他の効果として、単結晶本体とは格
子定数や化学結合力が異なる微細な領域を単結晶中に分
散せしめて高温強度を増加させることも考えられる。

又Ｂ２Ｏ３中の温度勾配としては、前述のように小さい
方が望ましいが、一般には約５００℃／ＣｒＩＬに達す
るので、熱応力による塑性変形を起さない程度例えば約
２００℃、にできる限り小さく設定すべきである。

本発明は、液体カプセル引上法により、りん化ガリウム
単結晶を製造する方法において、りん化ガリウム中で電
気的に活性な少くとも一種のドーパントがドープされ又
はドープされない状態で、ボロンと同等又はそれ以上の
還元性を有する強還元性不純物を、単結晶中の該不純物
濃度が少くとも１×１０１６ｃｒｒＬ−８以上となるよ
うにドープすることによりりん化ガリウム単結晶の高温
強度を増加させるとともに、直径３０麿以上の単結晶が
熱応力により塑性変形を起さない程度に液体カプセル剤
の中の温度勾配を低減することを特徴とする、直径が３
０麿以上で且つ転位密度が５×１０４ＣｒＩｒ′２以下
の低転位密度りん化ガリウム単結晶の製造方法を提供す
るものである。

この発明において、上記強還元性不純物をボロン（Ｂ）
、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａ＃）、マグネシ
ウム（Ｍｇ）のうち少くとも一種とすると良い。

直径が３０ｗ１以上の単結晶を引上げる速度は温度勾配
約２００℃／ｃｒｒＬの条件のもとて約１０績／Ｈｒ（
毎時）が好適である。

この発明において、強還元性不純物としてシリコンが１
×１０１６〜１×１０１９ｃｒｒＬ−３ノ濃度だけＧａ
Ｐ中に残存するようにドープするとよく、さらにドーパ
ントがシリコン自身又はｎ型ドーパントで、且つ３００
°Ｋにおけるキャリアー濃度が１×１０１６〜１×１０
１９ｃｒｒＬ？３とすると良イ。

又この発明において、ドーパントが硫黄（Ｓ）、セレン
（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ ）のうちの少くとも一種で、
且つ３００°Ｋにおけるキャリアー濃度が１×１０１７
〜３×１０１８ＣＩｒＬ−３とすルト良イ。

サラニ又この発明において、ドーパントがｎ型ドーパン
トの亜鉛（Ｚｎ）で、且つ３０ＱＯＫにおけるキャリア
ー濃度が１×１０１７〜５ Ｘ １０１８ＣｒｒＬ−３
であり、シリコンの濃度が亜鉛の濃度を越えないように
しても良い。

特にシリコンが３×１０１７〜５×１０１８ＣＩｒＬ−
３の濃度だけＧａＰ中に残存するようにドープすれば、
本発明の単結晶の直径３５〜５５靭において、転位密度
が２ Ｘ １０’ｌ−２以下のＧａＰ単結晶を製造する
ことができる。

この発明においてドーパントが硫黄で、３００°Ｋにお
けるキャリアー濃度が３×１０１７〜５×１０１８ｃｒ
ＩＬ−３となるようにすると良い。

又この発明において、ドーパントが亜鉛で、３００°Ｋ
におけるキャリアー濃度が３×１０１７〜５×１０１８
ＣｒｒＬ−３で、且ツシリＤ７（７）濃度が亜鉛の濃度
を越えないようにしても良い。

さらに又この発明において、ドーパントがシリコン自身
で、３００°Ｋにおけるキャリアー濃度が３×１０〜５
Ｘ１０Ｃ７［３となるようにしても良い。

以下、本発明を実施例により詳細に説明する。

実施例 １： 第１図は本発明の実施例に用いた高温高圧単結晶引上炉
の概略断面図を示す。

第１図において、１は、アルゴンガス、窒素ガスなどの
不活性ガス２を約１００気圧まで満たすことのできる耐
圧容器で、その内部にヒーター３が設置され、さらにそ
の内部に黒鉛坩堝４および石英坩堝５が坩堝１駆動軸６
の上に設けられている。

ＧａＰ単結晶を成長させる場合には、原料のＧａＰ多結
晶と、液体カプセル剤であるＢ′２０３の脱水された円
板状結晶を石英坩堝５に入れて、耐圧容器１の中に設置
し、窒素ガスを約５０気圧充填して加熱し、ＧａＰの融
液からなる原料液７をＢ２Ｏ３よりなる不活性液体８の
下に形成する。

次に、引上軸９の下部にとりつけられたＧａＰの種結晶
１０を降下させてＧａＰ融液７になじませたのち、引上
＠９を約１０ ｒ、ｐ、ｍ、の速度で回転させながら約
１０ｒＩＬ７ＩＬ／Ｈｒの速度で上昇させるとＧａＰ単
結晶１１が成長する。

第１図において、１２は引上軸９および坩堝軸６と圧力
容器１の間の圧力シールである。

第２図は、第１図に示した黒鉛坩堝４、石英坩堝５、Ｇ
ａＰ原料融敲７、Ｂ２Ｏ３不活性液体８からなる部分の
拡大片側断面図および垂直方向温度分布図である。

第２図の温度分布曲線１３に示すようにＢ２０中の温度
勾配は約２００°Ｃ／ＣｒｒＬであり、一般に知られて
いる温度勾配、例えば米国Ｂｅ１ｌ研のＳ、Ｆ。

Ｎｙｇｒｅｎによる報告（“Ｌ １ｑｕｉｄ Ｅｎｃａ
ｐｓｕｌａｔｅｄＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ Ｇｒｏｗｔ
ｈ ｏｆ ３５ ｍｍ Ｄ ｉａｍｅｔｅｒＳ ｉｎｇ
ｌｅ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｏｆ ＧａＦ２． Ｊ、 ｏ
ｆ ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈ １９（１９７３）Ｐ
、２１〜３２）にみられる数値５００℃／ＣｒｒＬと比
較して著しく改善されている。

これは第１図に示されているように、ヒータ３がＧａＰ
融液７のみを加熱するのではなく、黒鉛ルツボ４及び石
英ルツボ５の全体をも加熱するように構成されているの
で、このような低い温度勾配が得られたのである。

本実施例ではＧａＰ多結晶原料１５０ｇとともにシリコ
ンを２０ｔｔｑドープして、結晶直径３６ｍｍ引上重量
１４５ｇのＧａＰ単結晶（引上方位＜１１１＞）を成長
させた。

このシリコンをドープしたＧａＰ単結晶中のキャリアー
濃度は、ファンデルパラ法によってホール係数を測定し
て求め、結晶先端部で３×１０１６ｃＴｌ−３の値を得
た。

第３図は本実施例により成長させたＧａＰ単結晶の転位
密度分布図であり、分布曲線１４．１５はそれぞれ上記
ＧａＰ単結晶の上部および下部の転位密度分布を示す。

転位密度は、ＧａＰ単結晶の引上方向に垂直な断面（１
１１）Ｐ面を、硝酸銀水溶液：ＨＮＯ３：ＨＦ＝４：
３ ： ２から成るエツチング液を用いて６０℃で、３
分間エツチングし、生じるエッチビットを測定して求め
た。

第３図かられかるように、単結晶の外周部５ｍｍを除け
は、殆んどの部分で５ Ｘ １０’ｌ”−”以下に入っ
ている。

第４図は第３図に示した分布曲線１５上の一点１６の近
傍のエツチングパターンを示す写真であり、シャープな
形の転位ビット１８とともに、いわゆるＳビットなどの
ない、きれいな地肌１７が現われている。

本発明の効果を明らかにするために、本発明によらない
従来の方法でＧａＰ単結晶を成長させる比較を試みた。

装置は本発明の場合と同様第１図に示すものを用いた。

すなわちＧａＰ多結晶原料投入量１５０ｇに、ガリウム
サルファイド（Ｇａｓ）２．４ｍグをドープして、結晶
直径３６澗、１４０ｇの単結晶を成長させ、結晶先端部
のキャリアー濃度１．５Ｘ １０１７（ｍ−３の値を得
た。

第５図はこの結晶の転位密度分布図であり分布曲線１９
．２０はそれぞれ結晶の上部および下部の転位密度分布
を示す。

第６図は第５図の分布曲線１９上の一点２１の近傍のエ
ツチングパターンを示す写真であり、いわゆるＳビット
を含んだ地肌の中に多くの転位ビット（転位密度２．５
Ｘ １０’ｌ ” ）が存在していることが判る。

この従来法では、本発明の場合と同じ装置を用いている
ため、第２図の温度分布曲線１３にみられる改善された
Ｂ２Ｏ３中の温度勾配が得られていたにもかかわらず、
上記のように転位密度の減少はみられなかった。

本実施例でドープしたシリコンの効果は、いわゆるＳビ
ットのないきれいな地肌のエツチングパターンから明ら
かなように、結晶の弱点を形成している結晶中の酸素あ
るいは酸化物をとり除き、結晶の高温強度を増加させた
ことにあると思われる。

また他の効果としては、単結晶本体と格子定数や化学結
合力の異なる微細な領域を単結晶中に分散せしめて、同
様に結晶の高温強度を増加させたことも考えられる。

例えば、熱環境が本実施の程度に改良されておらず、Ｂ
２Ｏ３中の温度勾配が５００℃／ｃＩｒＬにも達する前
記のＳ、Ｆ、 Ｎｙｇｒｅｎの報告では、直径３５敲の
単結晶において、その単結晶周辺の転位密度は１０Ｃｒ
ｒＬ にも達している。

しかし、このような５００℃／Ｃｒｒ１．にも達する温
度勾配においても、シリコンを多量にドープすれば、転
位密度を成る程度低下させ得ることが本発明者等によっ
て確認された。

すなわち、□シリコンの濃度が多い方が低転位密度結晶
は得やすく、このことは結晶の高温強度を増加させる微
細な領域のシリコン濃度が増加したことによるものと考
えられる。

ただし、シリコン量を単に多くしただけでは直径が３０
關以上もの大型のＧａＰ単結晶の転位密度を５Ｘ１０’
ｃｒＩＬ−２以下にすることは極めて困難ないしは不可
能であるので、本発明においてはシリコン濃度を単結晶
中に残留する濃度で１×１０１６ｃｒｒＬ−３以上とす
ると共に、温度勾配を上記径を有するＧａＰ単結晶の熱
応力による塑性変形を起さない程度に低減するのである
。

なお、上記シリコンのような効果を持つ物質としてシリ
コンの他にボロン（Ｂ）、アルミニウム（ＡＯマグネシ
ウム（Ｍｇ）などの強還元性不純物をあげられる。

これらの物質のうち、ボロンとアルミニウムは、あまり
多量にドープすると、ＧａＰの構成元素であるガリウム
と置き代わって格子定数を乱すし、マグネシウムは発光
ダイオードにしたときの効率を落とす原因を作るので、
いずれもドーピング量の確実なコントロールが必要であ
る。

シリコンについてはこのような悪影響が全く見受けられ
ず、かなりの広い濃度範囲にわたって有効であり、最も
使い易いドーパントといえる。

なお、Ｊ、Ｂ、 Ｍｕｆｆｉｎ他の報告“Ｌ １ｑｕｉ
ｄ Ｅｎｃａ−ｐｓｕｌａｔ ｉｏｎ Ｃｒｙｓｔａｌ
Ｐｕｌ ｌ ｉｎｇ ａｔ Ｈｉｇｈ Ｐ ｒｅｓｓ
ｕ−ｒｅｓ 、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ３ 、４（１９６８）Ｐ、２８１
−２８５によれば、石英坩堝またはガラス状カーボン坩
堝を用いて、ＬＥＣ法によってＧａＰ単結晶を成長させ
た所意識的にシリコン（Ｓｉ ）やボロン（Ｂ）をドー
プしなくても、成長結晶中にシリコンが最大１００ ｐ
ｐｍａ （すなわち約５×１０１８ｃ１０１８ｃ、ボロ
ンが最大２０００ｐｐｍａ （すなわち約９．９Ｘ １
０ ｃｌｌＬ−３）検出されたことが報告されている
。

しかしこれらのシリコン、ボロンがＧａＰ結晶の高温強
度を増加させたかどうかについては全く記載がなく、又
同報告第２８４頁の第３図によれば、成長したＧａＰ結
晶の直径は約１５皺にすぎなかったことが分るので、本
発明のような直径３０１１ｇＩｔ以上の太型ＧａＰ単結
晶（断面積で４倍以上）に対して、このような汚染によ
って混入したシリコンやボロンが有効かどうかは全く示
唆されていない。

しかもＧａＰの出発原料としてカーボン不純物が１５０
ｐｐｍａ（７，４Ｘ １０１８ＣｒｒＬ−３）も含マ
レタ結晶ヲ用イテいるため全ての結晶中に大量のカーボ
ン汚染が見られる。

これらカーボン不純物がＧａＰの結晶欠陥（転位等）に
どの様な影響を与えるかについても記載されていない。

実施例 ２： 本実施例では、実施例１と同様に第１図に示す高温高圧
単結晶引上炉を用い、第２図に示す温度分布図の熱還境
の中でＧａＰ単結晶を成長させた。

ＧａＰ多結晶原料投入量は４００ｇとし、シリコンを２
６７７ＩＩｇ、ガリウムサルファイドを２１７７２？ド
ープして３８０ｇの単結晶を成長させた。

結晶直径は最小部３５Ｍ、最大部４６７／ｇ／ｌであっ
た。

ファンデルパラ法によってホール係数を測定して求めた
キャリアー濃度は、結晶先端部で５．５Ｘ １０１７１
３であった。

また結晶先端部を質量分析した結果、シリコンが５．５
ｗｔ、 Ｐ （すなわち４．９×１０１７ＣｒｒＬ−
３）、硫黄が７．５ ｗｔ、 １）ＩＮｎ （すなわち
５．８ｘ １０１７ｃｍ−” ）検出され、キャリアー
濃度の測定値と良い一致を示している。

第７図は本実施例により成長させられたＧａＰ単結晶の
結晶先端部（結晶直径３５ｍ）の中心部のエツチングパ
ターンを示す写真である。

転位密度はこの部分で約３ ｘ １０’ｃｘ−２である
。

本実施例ではｎ型ドーパントとしてシリコンと共に硫黄
をダブルドープした例を示したが、他のｎ型ドーパント
としてセレン、テルルなどが使えることは明らかである
。

また結晶中の濃度範囲については、本実施例で示した値
を越えた範囲、すなわち１×１０１６〜１×１０１９Ｃ
ｒｒＬ−３ノ濃度範囲内で有効テあることは明らかであ
る。

なおＳビットのないきれいな地肌を得るには硫黄の濃度
は１×１０１７〜３×１０１８ＣｒｒＬ−３であること
が望ましい。

実施例 ３： 本実施例ではシリコンとともにｎ型ドーパントである亜
鉛をドープしてＧａＰ単結晶を成長させた。

結晶成長に用いた装置は実施例１および実施例２に示し
たのと同様のもので、ＧａＰ多結晶原料４００ｇにシリ
コンを２６７１Ｑ、亜鉛を３３．４ηドープし、結晶直
径３６〜４５′Ｉ／ｇＩｔ１引上重量−３６０ｇの単結
晶を成長させた。

結晶先端部のキャリアー濃度は２．４Ｘ １０１７に７
［３とほぼ計算通りの値を得た。

第８図は本実施例により成長させられたＧａＰ単結晶め
結晶先端部（結晶直径３７ｗｌ１）の中心部のエツチン
グパターンを示す写真である。

転位密度はこの部分で１×１０４ＣｒｒＬ−２である０ なお亜鉛の濃度範囲としては１×１０１７〜５×１０１
８ＣＩｒＬ−３カ好適テアル。

更にシリコンの濃度範囲としては、３×１０１７〜５Ｘ
１０１８（］、 ３だけドープすると、単結晶の直径
が３５〜５５檎でも転位密度が２ ｘ １０４ｃＥ”以
下になり易いことが分った。

従ってキャリアー濃度としては、やはり３×１０１７〜
５Ｘ１０１８ｃｒｒＬ−３の範囲が好適である。

以上詳述した実施例１．２．３の他にも、本発明はいろ
いろの変形が可能であり、実施例１でも一部述べたよう
に、シリコンと同様の効果をあげうる物質としてボロン
、アルミニウム、マクネシウム等の強還元性不純物を単
独にあるいはシリコンと同時にドープしても良いし、ｎ
型ドーパントとしても実施例２で述べた硫黄以外にセレ
ン、テルルも有効であり、これらｎ型ドーパントと上記
強還元性不純物との組み合わせも種々考えられる。

以上詳述したように、本発明は、液体カプセル引上法に
よって製造されるＧａＰ単結晶にシリコンなどの強還元
性不純物をドープして結晶中の酸素あるいは酸化物をと
り除きかつ結晶の高温強度を増加させるとともに、直径
３０′ＩＩｇＩ１．以上の単結晶が熱応力により塑性変
形を起さない程度に液体カプセル剤の中の温度勾配を低
減させることにより、結晶直径が３０綻以上でかつ転位
密度が５Ｘ１０’ｃｆｒＬ−２以下である大型低転位密
度ＧａＰ単結晶の製造を可能とするものであり、赤色又
は緑色発光素子の効率向上に太いに貢献するものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に使用する高温高圧単結晶引上
炉の概略断面図、第２図は第１図の一部拡大片側断面図
および垂直方向温度分布図である。 第３図は本発明の実施例のシリコンドープ低転位密度Ｇ
ａＰ単結晶の転位密度分布図、第４図は同じ結晶のエツ
チング写真である。 第５図は従来の硫黄ドープＧａＰ単結晶の転位密度分布
図、第６図は同じ結晶のエツチング写真である。 第７図は本発明の他の実施例のシリコン、硫黄ダブルド
ープ低転位密度ＧａＰ単結晶のエツチング写真、第８図
は本発明の他の実施例のシリコン、亜鉛ダブルドープ低
転位密度ＧａＰ単結晶のエツチング写真である。 図においてｊは耐圧容器、２は不活性ガス、３はヒータ
ー、４は黒鉛坩堝、５は石英坩堝、６は坩堝駆動軸、７
はＧａＰ融液、８はＢ２Ｏ３よりなる不活性液体、９は
引上軸、１０はＧａＰ種結晶、１１はＧａＰ成長結晶、
１２は圧力シール、１３は垂直方向温度分布曲線、１４
，１５，１９．２０は転位密度分布曲線、１６．２１は
測定点、１７は転位ビット、１８は結晶の地肌である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 液体カプセル引上法によりりん化ガリウム単結晶を
   製造する方法において、りん化ガリウム中で電気的に活
   性な少くとも一種のドーパントがドープされ又はドープ
   されない状態で、ボロンと同等又はそれ以上の還元性を
   有する強還元性不純物を単結晶中の該不純物濃度が少く
   とも１×１０１６ＣｒｒＬ−３以上となるようにドープ
   することによりりん化ガリウム単結晶の高温強度を増加
   させるとともに、直径３０′ＩＩｇ１．以上の単結晶が
   熱応力により塑性変形を起さない程度に液体カプセル剤
   の中の温度勾配を低減することを特徴とする直径が３０
   龍以上で且つ転位密度が５×１０４ＣｒｒＬ−２以下の
   低転位密度りん化ガリウム単結晶の製造方法。 ２ 直径が３０ｗｌ１以上の単結晶が液体カプセル剤の
   中の温度勾配を約２００℃／ｃｒｒＬの条件の下に約１
   ０Ｗ７Ｘ／Ｈｒの速度で引上げられる特許請求の範囲第
   １項記載の低転位密度りん化ガリウム単結晶の製造方法
   。 ３ 強還元性不純物がシリコンであり、且つシリコンの
   濃度が１×１０１６〜１×１０１９ＣｒｆＬ−３テある
   特許請求の範囲第１項記載の低転位密度りん化ガリウム
   単結晶の製造方法。 ４ ドーパントが、シリコン自身又はｎ型ドーパントで
   、且つ３００°Ｋにおけるキャリアー濃度がＩ Ｘ １
   ０１６〜Ｉ Ｘ １０１９ＣｒｉＬ−である特許請求の
   範囲第３項記載の低転位密度りん化ガリウム単結晶の製
   造方法。 ５ ドーパントが、硫黄、セレン、テルルのうちの少く
   とも一種で、且つ３００°Ｋにおけるキャリアー濃度が
   １×１０１７〜３×１０１８ｃｒｒＬ−３である特許請
   求の範囲第３項記載の低転位密度りん化ガリウム単結晶
   の製造方法。 ６ ドーパントが、ｎ型ドーパントの亜鉛で、且つ３０
   ０°Ｋにおけるキャリアー濃度がＩ Ｘ １０１７〜５
   ×１０１８ＣｒｒＬ−３であり、シリコンの濃度が上記
   亜鉛の濃度を越えない特許請求の範囲第３項記載の低転
   位密度りん化ガリウム単結晶の製造方法。 ７ シリコンの濃度が３×１０１７〜５×１０１８Ｃｒ
   ｒＬ−３であり、単結晶の直径が３５〜５５皺、且つ転
   位密度が２Ｘ１０（］ 以下である特許請求の範囲第
   ３項記載の低転位密度りん化ガリウム単結晶の製造方法
   。 ８ ドーパントが、硫黄で、３００°Ｋにおけるキャリ
   アー濃度が３×１０１７〜５×１０１８ＣｒｒＬ−唸あ
   る特許請求の範囲第７項記載の低転位密度りん化ガリウ
   ム単結晶の製造方法。 ９ ドーパントが、亜鉛で、且つ３０００Ｋにおけるキ
   ャリアー濃度が３Ｘ１０１７〜５ＸＩＱ１８ＣｒｒＬ−
   ３であり、シリコンの濃度が上記亜鉛の濃度を越えない
   特許請求の範囲第７項記載の低転位密度りん化ガリウム
   単結晶の製造方法。 １０ ドーパントが、シリコン自身で、且つ３０００
   Ｋにおけるキャリアー濃度が３×１０１７〜５×１０１
   ８０ＷＬ−３である特許請求の範囲第７項記載の低転位
   密度りん化ガリウム単結晶の製造方法。