JPS59123259A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS59123259A JPS59123259A JP57229047A JP22904782A JPS59123259A JP S59123259 A JPS59123259 A JP S59123259A JP 57229047 A JP57229047 A JP 57229047A JP 22904782 A JP22904782 A JP 22904782A JP S59123259 A JPS59123259 A JP S59123259A
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学フィルタを固体撮像素子に接着積層した固
体撮像素子による固体撮像装置に関する。
体撮像素子による固体撮像装置に関する。
固体撮像装置、例えば電荷転送機能を利用した２次元Ｃ
ＣＤ撮像装置と赤、青、緑あるいは黄。
ＣＤ撮像装置と赤、青、緑あるいは黄。
シアン等のドツト状あるいはストライプ状色フィルタと
を組合せ、単一撮像装置でカラー撮像を行なういわゆる
単板カラー撮像が固体撮像装置の急速な進歩と共に盛ん
に行なわれている。このような単板カラー撮像用装置に
は、例えばシリコン半導体で形成された固体撮像素子上
に直接色フィルタを形成したオンチップ型と、予め透明
基板、例えばガラス基板上に色フィルタを形成し、この
色フィルタを固体撮像素子に接着剤によって接着積層す
る接着型とがある。しかしながら、色フィルタを固体撮
像素子上に直接形成するオンチップ型では製造工程に困
難な点が多く、現在のところ製造歩留まりが低いため多
くの単板カラー撮像装置では接着積層による方法が主流
となっている。
を組合せ、単一撮像装置でカラー撮像を行なういわゆる
単板カラー撮像が固体撮像装置の急速な進歩と共に盛ん
に行なわれている。このような単板カラー撮像用装置に
は、例えばシリコン半導体で形成された固体撮像素子上
に直接色フィルタを形成したオンチップ型と、予め透明
基板、例えばガラス基板上に色フィルタを形成し、この
色フィルタを固体撮像素子に接着剤によって接着積層す
る接着型とがある。しかしながら、色フィルタを固体撮
像素子上に直接形成するオンチップ型では製造工程に困
難な点が多く、現在のところ製造歩留まりが低いため多
くの単板カラー撮像装置では接着積層による方法が主流
となっている。
所で、このような色フイルタ接着積層型装置では、フレ
アと呼ばれる黒レベルを変動させる好ましく無い現象が
多い欠点がある。このフレアは撮像管では光導電膜で吸
収されずに反射された光がフェースプレートガラスの大
気との界面で反射し再び光導電膜に入射して生じ、本来
の黒レベルを持ち上吠撮像再生画像のコントラストを低
下させたシ、カラー撮像では色の飽和度を低下させる等
画質を大幅に低下させる。一方、固体撮像装置、特に色
フイルタ等光学フィルタを接着積層し７た固体撮像素子
を用いた時のフレアは、撮像管のフェースプレートより
はるかに薄い光学フィルタ基板と反射率の高い固体撮像
素子の表面構造とさらにパッケージキャップによって撮
像管よ）非常に多くなる。これを図面を用いて説明しよ
う。
アと呼ばれる黒レベルを変動させる好ましく無い現象が
多い欠点がある。このフレアは撮像管では光導電膜で吸
収されずに反射された光がフェースプレートガラスの大
気との界面で反射し再び光導電膜に入射して生じ、本来
の黒レベルを持ち上吠撮像再生画像のコントラストを低
下させたシ、カラー撮像では色の飽和度を低下させる等
画質を大幅に低下させる。一方、固体撮像装置、特に色
フイルタ等光学フィルタを接着積層し７た固体撮像素子
を用いた時のフレアは、撮像管のフェースプレートより
はるかに薄い光学フィルタ基板と反射率の高い固体撮像
素子の表面構造とさらにパッケージキャップによって撮
像管よ）非常に多くなる。これを図面を用いて説明しよ
う。
第１図は従来の固体撮像装置の一例の断面図である。
第１図において、１はパッケージで固体撮像素子２を収
納、固着する。３はパッケージ１の光入射側にある透明
なガラスキャップで、パッケージ１を気密封止する。４
はガラス基板上に色フィルタ層を形成した色フィルタで
通常ガラス基板は０．５〜１罷程度の厚さである。所で
、固体撮像素子、例えば２次元インターライン転送方式
ＣＣＤ撮像素子では、有効撮像領域内の５０％程度の面
積を占める垂直転送ＣＣＤでの光電交換を防止する必要
から、垂直転送ＣＣＤ上には遮光層が不可欠である。こ
のような遮光層は配線との共通化のためアルミニウム薄
膜が用いられるのが常である。しかし、このアルミニウ
ム薄膜は９０係程度の光を反射するため、有効撮像領域
への入射光８の５０饅程度は反射光１０として固体撮像
素子２の表面から色フィルタ４へ逆もどりする。例えば
、色フィルタ４が透過率の良い黄、シアン等の補色フィ
ルタであれば反射光１０はあまり減衰することなく色フ
ィルタのガラス界面５に到達する。このガラス界面５で
はパッケージ内が窒素ガスで充満しているとするとガラ
スと窒素との屈折率の差から通常４係程度の反射を生じ
るため、固体撮像素子の表面からの反射光の一部は再び
固体撮像素子へ入射することになる。このような反射は
キャップガラス３のガラス界面７でも生じるため色フイ
ルタ接着積層型固体撮像素子による固体撮像装置では、
オンチップ型素子による場合あるいは撮像管に比ベフレ
アが多くなるという欠点があった。
納、固着する。３はパッケージ１の光入射側にある透明
なガラスキャップで、パッケージ１を気密封止する。４
はガラス基板上に色フィルタ層を形成した色フィルタで
通常ガラス基板は０．５〜１罷程度の厚さである。所で
、固体撮像素子、例えば２次元インターライン転送方式
ＣＣＤ撮像素子では、有効撮像領域内の５０％程度の面
積を占める垂直転送ＣＣＤでの光電交換を防止する必要
から、垂直転送ＣＣＤ上には遮光層が不可欠である。こ
のような遮光層は配線との共通化のためアルミニウム薄
膜が用いられるのが常である。しかし、このアルミニウ
ム薄膜は９０係程度の光を反射するため、有効撮像領域
への入射光８の５０饅程度は反射光１０として固体撮像
素子２の表面から色フィルタ４へ逆もどりする。例えば
、色フィルタ４が透過率の良い黄、シアン等の補色フィ
ルタであれば反射光１０はあまり減衰することなく色フ
ィルタのガラス界面５に到達する。このガラス界面５で
はパッケージ内が窒素ガスで充満しているとするとガラ
スと窒素との屈折率の差から通常４係程度の反射を生じ
るため、固体撮像素子の表面からの反射光の一部は再び
固体撮像素子へ入射することになる。このような反射は
キャップガラス３のガラス界面７でも生じるため色フイ
ルタ接着積層型固体撮像素子による固体撮像装置では、
オンチップ型素子による場合あるいは撮像管に比ベフレ
アが多くなるという欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、光学フィルタ接着
積層型で、フレアによる黒レベル変動の非常に少ない固
体撮像装置を提供するものである。
積層型で、フレアによる黒レベル変動の非常に少ない固
体撮像装置を提供するものである。
本発明によれば、半導体基板上に形成された固体撮像素
子と、前記固体撮像素子を保持収納するパッケージと、
前記固体撮像素子上に設けられた透明基板上に少なくと
も色フィルタ層あるいは光遮断フィルタ層を形成した光
学フィルタと、前記パッケージの光入射面上に設けられ
た気密封止用透明キャップと、前記光学フィルタと透明
キャップとの間隙に充填され屈折率が前記光学フィルタ
透明基板並びに透明キャップと実質的に等しい透明樹脂
層とを少なくとも備えることによってフレアの少ない固
体撮像装置が得られる。
子と、前記固体撮像素子を保持収納するパッケージと、
前記固体撮像素子上に設けられた透明基板上に少なくと
も色フィルタ層あるいは光遮断フィルタ層を形成した光
学フィルタと、前記パッケージの光入射面上に設けられ
た気密封止用透明キャップと、前記光学フィルタと透明
キャップとの間隙に充填され屈折率が前記光学フィルタ
透明基板並びに透明キャップと実質的に等しい透明樹脂
層とを少なくとも備えることによってフレアの少ない固
体撮像装置が得られる。
次に、本発明のｌ実施例について図面を用いて説明する
。
。
第２図は本発明の一実施例の断面図である。
第２図において、１１はセラミックパッケージ、１２は
固体撮像素子、１３は透明ガラスによるキャップで、こ
のキャップ１３により固体撮像素子１２はパッケージ１
１内に気密封止されている。
固体撮像素子、１３は透明ガラスによるキャップで、こ
のキャップ１３により固体撮像素子１２はパッケージ１
１内に気密封止されている。
固体撮像素子１２上には透明ガラス基板上に、黄。
シアンの補色型のドツト状フィルタ層２０を形成した色
フィルタ１４が接着積層されている。また、透明ガラス
によるキャップ１３と色フィルタ１４との間隙にはキャ
ップ１３並びに色フィルタ１４のガラスとほぼ等しい１
，５程度の屈折率を持った透明樹脂２０が充填されてい
る。
フィルタ１４が接着積層されている。また、透明ガラス
によるキャップ１３と色フィルタ１４との間隙にはキャ
ップ１３並びに色フィルタ１４のガラスとほぼ等しい１
，５程度の屈折率を持った透明樹脂２０が充填されてい
る。
このような本発明の固体撮像装置では、色フィルタ１４
のガラス界面１５とキャップ１３のガラス界面１７はそ
れぞれ屈折率のほぼ等しい透明樹脂と接しているため、
これらの界面での光反射は生じることが無くなる。その
ため固体撮像素子１２の表面１９で反射した光は、補色
色フィルタ層１６゜色フィルタ１４．透明樹脂２０を反
射なしで通過しキャップ１３に進入し、唯一の光反射を
生じるガラス界面１８で４係程度の反射光を生じるのみ
でキャップ１３を通過放出される。このガラス界面１８
での反射光の影響は固体撮像素子１２からキャップ１３
のガラス界面１８が数龍とはなれているためこのガラス
界面１８での反射光は必ずしも固体撮像素子１２へ再び
戻らず、一部は周辺部へ逃げるためフレアとして現われ
る影響は非常は少なくなる。また、このキャップ１３の
ガラス界面１８は固体撮像装置として容易に反射防止膜
の形成が可能な面であるため、このような反射防止膜を
ガラス界面１８に施せば光反射面は全く無くなシ、フレ
アの無い固体撮像装置を実現することも可能である。
のガラス界面１５とキャップ１３のガラス界面１７はそ
れぞれ屈折率のほぼ等しい透明樹脂と接しているため、
これらの界面での光反射は生じることが無くなる。その
ため固体撮像素子１２の表面１９で反射した光は、補色
色フィルタ層１６゜色フィルタ１４．透明樹脂２０を反
射なしで通過しキャップ１３に進入し、唯一の光反射を
生じるガラス界面１８で４係程度の反射光を生じるのみ
でキャップ１３を通過放出される。このガラス界面１８
での反射光の影響は固体撮像素子１２からキャップ１３
のガラス界面１８が数龍とはなれているためこのガラス
界面１８での反射光は必ずしも固体撮像素子１２へ再び
戻らず、一部は周辺部へ逃げるためフレアとして現われ
る影響は非常は少なくなる。また、このキャップ１３の
ガラス界面１８は固体撮像装置として容易に反射防止膜
の形成が可能な面であるため、このような反射防止膜を
ガラス界面１８に施せば光反射面は全く無くなシ、フレ
アの無い固体撮像装置を実現することも可能である。
上記実施例では補色ドツト状フィルタをガラス基板上に
形成した色フィルタの場合について示したが、その他ｙ
すえは光学的黒を与えるような光遮断フィルタ層のみを
持った光学フィルタによる場合も同様に本発明が適用さ
れることは云うまでもない。
形成した色フィルタの場合について示したが、その他ｙ
すえは光学的黒を与えるような光遮断フィルタ層のみを
持った光学フィルタによる場合も同様に本発明が適用さ
れることは云うまでもない。
以上詳細に群間したように、本発明によれば、フレアに
よる黒レベル変動の非常に少ない固体撮像装置が得られ
るのでその効果は大きい。
よる黒レベル変動の非常に少ない固体撮像装置が得られ
るのでその効果は大きい。
第１図は従来の固体撮像装置の一例の断面図、第２図は
本発明の一実施例の断面図である。 １．１１・・・・・・パッケージ、２，１２・・川・固
体撮像素子、３．１３・・・・・・ガラスキャンプ、４
．１４・・・・・・色フィルタ、５．１５・・・・・・
色フイルタガラス界面、６．１６・・印・色フィルタ層
、７．１７・・団・キャップガラス界面、８・・・・・
・入射光、９．１９・・・・・・同体撮像素子表面、１
ｏ・・・・・・反射光、１８・・・・・・キャップガラ
ス界面、２０・・印・透明樹脂。
本発明の一実施例の断面図である。 １．１１・・・・・・パッケージ、２，１２・・川・固
体撮像素子、３．１３・・・・・・ガラスキャンプ、４
．１４・・・・・・色フィルタ、５．１５・・・・・・
色フイルタガラス界面、６．１６・・印・色フィルタ層
、７．１７・・団・キャップガラス界面、８・・・・・
・入射光、９．１９・・・・・・同体撮像素子表面、１
ｏ・・・・・・反射光、１８・・・・・・キャップガラ
ス界面、２０・・印・透明樹脂。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された固体撮像素子と、前記固体撮
像素子を保持収能するパッケージと、前記固体撮像素子
上に設けられた透明基板上に少なくとも色フィルタ層あ
るいは光遮断フィルタ層を形成した光学フィルタと、前
記パッケージの光入射面上に設けられた気密封止用透明
キャップと、前記光学フィルタと透明キャップとの間隙
に充填され屈折率が前記光学フィルタ透明基板並びに透
明キャップと実質的に等しい透明樹脂層とを少なくとも
備えたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229047A JPS59123259A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229047A JPS59123259A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59123259A true JPS59123259A (ja) | 1984-07-17 |
Family
ID=16885909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57229047A Pending JPS59123259A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59123259A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61119361U (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-28 | ||
| JPS6321878A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-29 | Canon Inc | 光半導体装置 |
| JPH0475381A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びそれを用いたイメージセンサー |
| FR2683390A1 (fr) * | 1991-10-30 | 1993-05-07 | Sodern | Detecteur d'images a lumiere parasite reduite et application a un senseur de terre. |
| JPH081454U (ja) * | 1996-03-27 | 1996-10-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5770889A (en) * | 1995-12-29 | 1998-06-23 | Lsi Logic Corporation | Systems having advanced pre-formed planar structures |
| US5834799A (en) * | 1989-08-28 | 1998-11-10 | Lsi Logic | Optically transmissive preformed planar structures |
| WO2010076063A3 (de) * | 2009-01-02 | 2011-08-11 | Robert Bosch Gmbh | Bildsensor und verfahren zur herstellung eines bildsensors |
| WO2017052089A1 (ko) * | 2015-09-23 | 2017-03-30 | (주)파트론 | 센서 패키지 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57229047A patent/JPS59123259A/ja active Pending
Cited By (11)
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