JPS62262001A - カラ−固体撮像装置 - Google Patents
カラ−固体撮像装置Info
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- JPS62262001A JPS62262001A JP61103868A JP10386886A JPS62262001A JP S62262001 A JPS62262001 A JP S62262001A JP 61103868 A JP61103868 A JP 61103868A JP 10386886 A JP10386886 A JP 10386886A JP S62262001 A JPS62262001 A JP S62262001A
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- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ビデオカメラ等に使用されるカラー固体撮像
装置に関するものである。
装置に関するものである。
(従来の技術)
従来のカラー固体撮像装置は、固体撮像索子の上に接着
剤を用いて色分割フィルタを貼ったり、あるいは、固体
撮像素子の受光面上に色分離フィルタを直接形成してカ
ラー化している。
剤を用いて色分割フィルタを貼ったり、あるいは、固体
撮像素子の受光面上に色分離フィルタを直接形成してカ
ラー化している。
従来のカラー固体撮像装置について、第2図により説明
する。同図はモノクロームの固体撮像素子の受光面上に
1色分離フィルタを直接形成したカラー固体撮像装置の
断面図で、3種類の色分離フィルタ1a、1bおよび1
cがそれぞれ中間膜2a 、 2bおよび2cで覆われ
て、モノクロームの固体撮像素子のペース膜3の上に順
次積層する形で形成されている。モノクロームの固体撮
像索子は、パッシベーション膜4の下に、遮光用アルミ
ニウム5で遮光された2個のポリシリコン電極6および
7が酸化膜8の中に形成され、この酸化膜8の下に、光
電変換素子9および上記のポリシリコン電極6および7
が転送電極となるC CD (Charge Coup
ledDevice) 10が形成されている。
する。同図はモノクロームの固体撮像素子の受光面上に
1色分離フィルタを直接形成したカラー固体撮像装置の
断面図で、3種類の色分離フィルタ1a、1bおよび1
cがそれぞれ中間膜2a 、 2bおよび2cで覆われ
て、モノクロームの固体撮像素子のペース膜3の上に順
次積層する形で形成されている。モノクロームの固体撮
像索子は、パッシベーション膜4の下に、遮光用アルミ
ニウム5で遮光された2個のポリシリコン電極6および
7が酸化膜8の中に形成され、この酸化膜8の下に、光
電変換素子9および上記のポリシリコン電極6および7
が転送電極となるC CD (Charge Coup
ledDevice) 10が形成されている。
このような構成のカラー固体撮像装置の動作を説明する
。カラー固体撮像装置に光が照射されると、色分離フィ
ルタla、lbおよび1cによって濾過された限定され
た波長帯域の光が、それぞれの光電変換素子9に照射さ
れる。
。カラー固体撮像装置に光が照射されると、色分離フィ
ルタla、lbおよび1cによって濾過された限定され
た波長帯域の光が、それぞれの光電変換素子9に照射さ
れる。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記のようにモノクロームの固体撮像素
子の受光面に直接形成したり、あるいは接着剤を用いて
貼り合わせる色分離フィルタは、主に有機材料からなる
ため、カラー固体撮像装置のパッケージ封止温度が制限
されるという問題があった。
子の受光面に直接形成したり、あるいは接着剤を用いて
貼り合わせる色分離フィルタは、主に有機材料からなる
ため、カラー固体撮像装置のパッケージ封止温度が制限
されるという問題があった。
パッケージの信頼性を高くするには、パッケージ封止温
度を高く設定する方が良く、例えば、フリットシールは
、400℃以上の温度で封止する必要があり、この場合
には有機材料のフィルタは使用できない。
度を高く設定する方が良く、例えば、フリットシールは
、400℃以上の温度で封止する必要があり、この場合
には有機材料のフィルタは使用できない。
本発明は上記の問題点を解決するもので、耐熱性の色分
離フィルタからなるカラー固体撮像装置を提供するもの
である。
離フィルタからなるカラー固体撮像装置を提供するもの
である。
(問題点を解決するための手段)
上記の問題点を解決するために、本発明は、色分離フィ
ルタを光吸収膜の膜厚に差を設けた純粋の無機材料で形
成するものである。
ルタを光吸収膜の膜厚に差を設けた純粋の無機材料で形
成するものである。
(作 用)
この構成は、光の波長により光吸収膜材料の光吸収係数
が異なることを利用して色分離を行わせたものである。
が異なることを利用して色分離を行わせたものである。
光が物質に入射されると、次式に従って減衰する。
I (z) = I (o)exp(−a z)ここで
、 2: 光の入射面からの深さα : 光吸収係数 I (o) :深さ0における光強度 I (z) :深さ2における光強度 すなわち、光吸収膜材料の光吸収係数は光の波長により
異なるので、光吸収係数の大きい波長の光は入射面から
浅い所で吸収されてしまうことになる。この効果を利用
し、光吸収係数の小さい波長の光を検出する光電変換素
子の上には厚い光吸収膜を設<’t、光吸収係数のより
大きい波長の光を検出する光電変換素子の上には薄い光
吸収膜を設けるか、あるいは光吸収膜を設けないことに
よって色分離を行うことができる。
、 2: 光の入射面からの深さα : 光吸収係数 I (o) :深さ0における光強度 I (z) :深さ2における光強度 すなわち、光吸収膜材料の光吸収係数は光の波長により
異なるので、光吸収係数の大きい波長の光は入射面から
浅い所で吸収されてしまうことになる。この効果を利用
し、光吸収係数の小さい波長の光を検出する光電変換素
子の上には厚い光吸収膜を設<’t、光吸収係数のより
大きい波長の光を検出する光電変換素子の上には薄い光
吸収膜を設けるか、あるいは光吸収膜を設けないことに
よって色分離を行うことができる。
(実施例)
本発明の一実施例を第1図により説明する。同図は本発
明によるカラー固体撮像装置の断面図で。
明によるカラー固体撮像装置の断面図で。
第2図に示した従来例と同じ構成部品には同一記号を付
し、その説明を省略する。
し、その説明を省略する。
本発明によるカラー固体撮像装置は、受光面にパッシベ
ーション膜4を形成する前に、まず、LPGVD(減圧
化学的気相成長法)によりポリシリコン膜を形成した後
、全面にフオトレジス1〜を塗布する。次に、光りソグ
ラフィ法により、光電変換素子9aの上を除いてフォ1
−レジス1へを除去し、残したフォ1−レジス1−をマ
スクとして利用し、上記のポリシコン膜をエツチングす
る。次に、残っているフォI−レジストを除去すると、
光電変換素子9aの上面に光吸収膜11aが形成される
。
ーション膜4を形成する前に、まず、LPGVD(減圧
化学的気相成長法)によりポリシリコン膜を形成した後
、全面にフオトレジス1〜を塗布する。次に、光りソグ
ラフィ法により、光電変換素子9aの上を除いてフォ1
−レジス1へを除去し、残したフォ1−レジス1−をマ
スクとして利用し、上記のポリシコン膜をエツチングす
る。次に、残っているフォI−レジストを除去すると、
光電変換素子9aの上面に光吸収膜11aが形成される
。
その後、同様な工程を繰返し、光吸収膜11bおよびl
lcを順次形成する。その際、LPGVDによりポリシ
コン膜の厚さに段差を設けることにより、光吸収膜11
a、llbおよびllcの厚さをそれぞれ10000人
、5000人および0人とすると、それぞれ赤色透過フ
ィルタ、青色遮断フィルタおよび金色透過フィルタとな
る。
lcを順次形成する。その際、LPGVDによりポリシ
コン膜の厚さに段差を設けることにより、光吸収膜11
a、llbおよびllcの厚さをそれぞれ10000人
、5000人および0人とすると、それぞれ赤色透過フ
ィルタ、青色遮断フィルタおよび金色透過フィルタとな
る。
このような構成のカラー固体撮像装置の動作について説
明する。カラー固体撮像装置に光が照射されると、光吸
収膜11cおよびllbの下の光電変換素子9cおよび
9bの信号電荷の差によって青色信号が、光吸収膜11
bおよびllaの下の光電変換素子9bおよび9aの信
号電荷の差によって緑色信号が、また、光吸収膜1.1
aの下の光電変換素子9aの信号電荷によって赤色信号
がそれぞれ取り出される。
明する。カラー固体撮像装置に光が照射されると、光吸
収膜11cおよびllbの下の光電変換素子9cおよび
9bの信号電荷の差によって青色信号が、光吸収膜11
bおよびllaの下の光電変換素子9bおよび9aの信
号電荷の差によって緑色信号が、また、光吸収膜1.1
aの下の光電変換素子9aの信号電荷によって赤色信号
がそれぞれ取り出される。
なお、本実施例では光吸収膜11a、llbおよびll
cの材料としてポリシリコンとしたが、これに限定する
ものでなく、光の波長により光吸収係数の異なる性質を
持つ材料ならば何でもよい。
cの材料としてポリシリコンとしたが、これに限定する
ものでなく、光の波長により光吸収係数の異なる性質を
持つ材料ならば何でもよい。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、受光面上に形成
する光吸収膜の厚さを変化させることにより、光の波長
による光吸収係数の相異を利用してフィルタとすること
ができる。また、光吸収膜は、LPCVA技術、光りソ
プラノィ技術を用いて精度良く、シかも低温で形成する
ことができ。
する光吸収膜の厚さを変化させることにより、光の波長
による光吸収係数の相異を利用してフィルタとすること
ができる。また、光吸収膜は、LPCVA技術、光りソ
プラノィ技術を用いて精度良く、シかも低温で形成する
ことができ。
さらに、光吸収膜をパッシベーション膜の下に形成する
ため、パッシベーション膜を平滑化する必要がない。
ため、パッシベーション膜を平滑化する必要がない。
さらに、光吸収材料として無機材料が使用できるので、
パッケージ封止温度を高温にすることが可能となり、安
価で信頼性の高いカラー固体撮像装置が得られる。
パッケージ封止温度を高温にすることが可能となり、安
価で信頼性の高いカラー固体撮像装置が得られる。
第1図は本発明によるカラー固体撮像装置の断面図、第
2図は従来のカラー固体袋ffl撮像の断面図である。 Ia、lb、Ic −色分離フィルタ、2a、2b、2
c・・・中間膜、 3 ・・・ベース膜、 4・・・パ
ッシベーション膜、 5 ・・・遮光用アルミニウム、
6,7 ・・・ポリシリコン電極、 8・・・酸化膜
、 9.9a、9b、9c・・・光電変換素子、10−
CCD、 lla、llb、1ie−光吸収膜。 第1図
2図は従来のカラー固体袋ffl撮像の断面図である。 Ia、lb、Ic −色分離フィルタ、2a、2b、2
c・・・中間膜、 3 ・・・ベース膜、 4・・・パ
ッシベーション膜、 5 ・・・遮光用アルミニウム、
6,7 ・・・ポリシリコン電極、 8・・・酸化膜
、 9.9a、9b、9c・・・光電変換素子、10−
CCD、 lla、llb、1ie−光吸収膜。 第1図
Claims (3)
- (1)複数個の光電変換素子の上方に形成された厚さの
異なる光吸収膜によって、色分離フィルタとしたことを
特徴とするカラー固体撮像装置。 - (2)光吸収膜が同一材料で形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第(1)項記載のカラー固体撮像
装置。 - (3)光吸収膜の上にパッシベーション膜が形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項又は第
(2)項記載のカラー固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10386886A JPH07117607B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | カラ−固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10386886A JPH07117607B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | カラ−固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62262001A true JPS62262001A (ja) | 1987-11-14 |
JPH07117607B2 JPH07117607B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=14365416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10386886A Expired - Lifetime JPH07117607B2 (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | カラ−固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07117607B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01209405A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラー固体撮像素子 |
JPH09181288A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-07-11 | Lg Semicon Co Ltd | カラー固体撮像素子 |
JP2015215624A (ja) * | 2009-10-28 | 2015-12-03 | アレンティック マイクロサイエンス インコーポレイテッド | 顕微撮像法 |
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US12022236B2 (en) | 2022-11-04 | 2024-06-25 | Alentic Microscience Inc. | Detecting and using light representative of a sample |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPS56165362A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-18 | Hitachi Ltd | Manufacture of solid state color image pickup element |
JPS59124763A (ja) * | 1983-01-04 | 1984-07-18 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP10386886A patent/JPH07117607B2/ja not_active Expired - Lifetime
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US10114203B2 (en) | 2009-10-28 | 2018-10-30 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
US10345564B2 (en) | 2009-10-28 | 2019-07-09 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
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US9720217B2 (en) | 2009-10-28 | 2017-08-01 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
US10900999B2 (en) | 2009-10-28 | 2021-01-26 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
US10620234B2 (en) | 2009-10-28 | 2020-04-14 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
US10866395B2 (en) | 2009-10-28 | 2020-12-15 | Alentic Microscience Inc. | Microscopy imaging |
JP2018028683A (ja) * | 2009-10-28 | 2018-02-22 | アレンティック マイクロサイエンス インコーポレイテッド | 顕微撮像法 |
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US11598699B2 (en) | 2013-02-06 | 2023-03-07 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for quantitative microscopy |
US10809512B2 (en) | 2013-06-26 | 2020-10-20 | Alentic Microscience Inc. | Sample processing improvements for microscopy |
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US12022236B2 (en) | 2022-11-04 | 2024-06-25 | Alentic Microscience Inc. | Detecting and using light representative of a sample |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07117607B2 (ja) | 1995-12-18 |
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