JP2012137479A - ウエハーレベルパッケージ焦点面アレイ - Google Patents
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- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 201
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/184—Infrared image sensors
-
- H—ELECTRICITY
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/804—Containers or encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
【解決手段】ウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイの製造方法は、検出器ウエハーを形成する。該形成は、複数の検出器アレイ及び複数の読出し回路を形成する。該方法は又、蓋ウエハーを形成する。該形成は、磁気閉じ込めチョクラルスキー(MCZ)ウエハーの表面を研磨し、MCZウエハーにチョクラルスキー・ウエハーを接合し、且つチョクラルスキー・ウエハー内に複数のポケットを形成する。各ポケットはMCZウエハーの研磨面の一部を露出させる。更に、各検出器アレイ及び読出し回路が異なるポケット内で封止されるように蓋ウエハーと検出器ウエハーとを接合する。これにより、複数のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイが形成される。更に、複数のウエハーレベルパッケージ焦点面アレイからウエハーレベルパッケージ焦点面アレイを分離する。
【選択図】図3A
Description
Claims (18)
- ウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイを製造する方法であって:
検出器ウエハーを形成する工程であり:
複数の検出器アレイを形成し、各検出器アレイが、複数の個別の検出器の2次元アレイを有し;且つ
複数の読出し回路を形成し、各読出し回路が、異なる1つの検出器アレイと結合される;
ことを有する、検出器ウエハーを形成する工程;
蓋ウエハーを形成する工程であり:
磁気閉じ込めチョクラルスキー(MCZ)ウエハーの少なくとも一方の表面を研磨し;
チョクラルスキー・ウエハーと前記MCZウエハーとを接合し;且つ
前記チョクラルスキー・ウエハー内に複数のポケットを形成し、各ポケットが、前記MCZウエハーの研磨された前記少なくとも一方の表面の一部を露出させる;
ことを有する、蓋ウエハーを形成する工程;
各々の前記検出器アレイ及び前記読出し回路が、異なる1つのポケット内で封止されるように、前記蓋ウエハーと前記検出器ウエハーとを接合し、複数のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイを形成する工程;及び
前記複数のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイから、少なくとも1つのウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイを分離する工程;
を有する方法。 - 磁気閉じ込めチョクラルスキー(MCZ)ウエハーの少なくとも一方の表面を研磨する工程;
チョクラルスキー・ウエハーと前記MCZウエハーとを接合する工程;及び
前記チョクラルスキー・ウエハー内に複数のポケットを形成する工程であり、該複数のポケットは、対応する複数の焦点面アレイを覆うように構成され、各ポケットは、前記MCZウエハーの、研磨された前記少なくとも一方の表面の、異なる一部を露出させる、工程;
を有する方法。 - 前記対応する複数の焦点面アレイを、接合された前記MCZウエハー及び前記チョクラルスキー・ウエハーで覆うことで、対応する複数のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイを形成する工程、を更に有する請求項2に記載の方法。
- 少なくとも1つのウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイを、残りの複数のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイから分離する工程、を更に有する請求項3に記載の方法。
- 前記MCZウエハーに、少なくとも1つの、光透過材料のコーティングを設ける工程、を更に有し、前記光透過材料のコーティング及び前記MCZウエハーは、およそ7μmと14μmとの間の波長を有する光が前記対応する複数の焦点面アレイに到達することを可能にする、請求項3に記載の方法。
- 前記MCZウエハーの第2の表面を研磨する工程、を更に有する請求項2に記載の方法。
- 前記チョクラルスキー・ウエハー内の前記複数のポケットは、前記チョクラルスキー・ウエハーと前記MCZウエハーとが接合される前に形成される、請求項2に記載の方法。
- 前記チョクラルスキー・ウエハーと前記MCZウエハーとを接合する工程に先立って、前記MCZウエハーの研磨された前記少なくとも一方の表面に熱酸化膜を成長させる工程、を更に有する請求項2に記載の方法。
- 前記チョクラルスキー・ウエハー内に複数のポケットを形成する工程は、反応性イオンエッチングを用いて前記チョクラルスキー・ウエハー内に複数のポケットをエッチングすることを有する、請求項2に記載の方法。
- 前記チョクラルスキー・ウエハーと前記MCZウエハーとを接合する工程に先立って反射防止膜を設ける工程、を更に有する請求項2に記載の方法。
- 前記チョクラルスキー・ウエハーと前記MCZウエハーとを接合する工程の後に反射防止膜を設ける工程、を更に有する請求項2に記載の方法。
- 検出器の2次元アレイ及び読出し回路を有する焦点面アレイ;
前記焦点面アレイに結合され、前記検出器の2次元アレイ及び前記読出し回路を取り囲むチョクラルスキー層;及び
前記チョクラルスキー層に結合され、且つ少なくとも前記焦点面アレイの前記検出器の2次元アレイ及び前記読出し回路を空洞内に封止するように構成された、磁気閉じ込めチョクラルスキー(MCZ)シリコン層;
を有するウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイ。 - 前記MCZシリコン層と前記チョクラルスキー層とを接合するように構成された熱酸化膜、を更に有する請求項12に記載のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイ。
- 前記MCZシリコン層は少なくとも1つの研磨面を有する、請求項12に記載のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイ。
- 前記MCZシリコン層に設けられた少なくとも1つの材料コーティングを更に有し、前記少なくとも1つの材料コーティング及び前記MCZシリコン層は、およそ7μmと14μmとの間の波長を有する光が前記検出器アレイに到達することを可能にするように構成される、請求項12に記載のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイ。
- 前記MCZシリコン層はMCZウエハーの一部であり、前記MCZウエハーは、検出器ウエハー上に形成された複数の焦点面アレイのカバーとなるように構成される、請求項12に記載のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイ。
- 前記検出器アレイに結合された前記チョクラルスキー層はチョクラルスキー・ウエハーの一部であり、前記チョクラルスキー・ウエハーは、検出器ウエハー上に形成された複数の焦点面アレイを個別に取り囲むように構成される、請求項12に記載のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイ。
- 前記チョクラルスキー・ウエハーは、当該チョクラルスキー・ウエハー内にエッチングされた複数のポケットを有し、前記複数のポケットの各ポケットは、前記検出器ウエハー上に形成された、異なる1つの焦点面アレイを取り囲むように構成される、請求項17に記載のウエハーレベルパッケージされた焦点面アレイ。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41656310P | 2010-11-23 | 2010-11-23 | |
US61/416,563 | 2010-11-23 | ||
US13/298,955 US8608894B2 (en) | 2010-11-23 | 2011-11-17 | Wafer level packaged focal plane array |
US13/298,955 | 2011-11-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012137479A true JP2012137479A (ja) | 2012-07-19 |
JP5759345B2 JP5759345B2 (ja) | 2015-08-05 |
Family
ID=46021583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011254999A Active JP5759345B2 (ja) | 2010-11-23 | 2011-11-22 | ウエハーレベルパッケージ焦点面アレイを製造する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8608894B2 (ja) |
JP (1) | JP5759345B2 (ja) |
DE (1) | DE102011119158B4 (ja) |
FR (1) | FR2967819B1 (ja) |
IL (1) | IL216514A0 (ja) |
TW (1) | TWI471897B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8980676B2 (en) * | 2012-06-25 | 2015-03-17 | Raytheon Company | Fabrication of window cavity cap structures in wafer level packaging |
US9443923B2 (en) | 2014-05-07 | 2016-09-13 | Raytheon Company | Substrate for molecular beam epitaxy (MBE) HgCdTe growth |
US9570321B1 (en) | 2015-10-20 | 2017-02-14 | Raytheon Company | Use of an external getter to reduce package pressure |
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-
2011
- 2011-11-17 US US13/298,955 patent/US8608894B2/en active Active
- 2011-11-21 IL IL216514A patent/IL216514A0/en active IP Right Grant
- 2011-11-22 JP JP2011254999A patent/JP5759345B2/ja active Active
- 2011-11-22 DE DE102011119158.9A patent/DE102011119158B4/de active Active
- 2011-11-22 TW TW100142708A patent/TWI471897B/zh active
- 2011-11-23 FR FR1160677A patent/FR2967819B1/fr active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2967819B1 (fr) | 2017-02-17 |
FR2967819A1 (fr) | 2012-05-25 |
US20120139072A1 (en) | 2012-06-07 |
TWI471897B (zh) | 2015-02-01 |
DE102011119158B4 (de) | 2024-02-29 |
DE102011119158A1 (de) | 2012-05-24 |
US8608894B2 (en) | 2013-12-17 |
TW201232603A (en) | 2012-08-01 |
IL216514A0 (en) | 2012-03-29 |
JP5759345B2 (ja) | 2015-08-05 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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