KR20150105245A - 적외선 센서 모듈 - Google Patents

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KR20150105245A
KR20150105245A KR1020150031432A KR20150031432A KR20150105245A KR 20150105245 A KR20150105245 A KR 20150105245A KR 1020150031432 A KR1020150031432 A KR 1020150031432A KR 20150031432 A KR20150031432 A KR 20150031432A KR 20150105245 A KR20150105245 A KR 20150105245A
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substrate
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칼 반 부겐후트
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멜렉시스 테크놀로지스 엔브이
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Abstract

적외선을 센싱하기 위한 센서 어셈블리(100) 및 이의 제조가 기술된다. 센서는, 기판 평면에서 연장되는 기판(160) 상에 또는 내장된 적어도 하나의 센싱 소자(150)와, 적어도 하나의 센싱 소자(150)를 커버하기 위한 캡(110) - 캡(110)은 센서 어셈블리상에 방사선 입사를 수신하기 위한 상부 벽(101) 및 센싱 소자(150)를 호스팅하기 위해, 캡과 기판 사이의 캐비티(120)를 형성하도록 구성된 복수의 캐비티 벽(130)을 포함함 - 을 포함한다. 적어도 하나의 상기 캐비티 벽(130)은 입사 방사선에 대해 상기 캐비티 벽 상에 내부 전반사를 유도하기 위하여, 수신하는 상부 벽(101)에 대해 각도(181)와 마주한다.

Description

적외선 센서 모듈{INFRARED SENSOR MODULE}
본 발명은 방사선 센서의 영역에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로는, 제한된 시계(FOV)를 가진 적외선 센서 어셈블리 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
적외선을 센싱하기 위한 센서(IR 센서)는 가령, 가스 검출기, 모션 검출기, 온도계등과 같은 다양한 활용 범위를 가진다. 어떤 활용 범위에 있어서, 센서는 이치에 맞도록 작은 패키징 크기를 유지하면서 높은 정확성을 요구한다. 또한, 센서의 정확성은 노이즈가 회피될 수 있는 지의 정도와 관련된다. 적외선 센서 내의 노이즈의 소스는, 가령, 상정하지 않은 파장 범위로부터의 방사선의 검출, 센서 자체등의 근처 회로에 의한 외란 이다. 이러한 모든 신호는 측정될 관심의 소스로부터 수신된 신호에 바람직하기 않게 노이즈를 추가한다. 가시광으로부터의 노이즈는 종종 소스와 센싱 소자, 가령 반도체 캡 사이에 필터를 두어서 해결되고, 이는 가시광은 막고 적외선은 전송한다. 패키징 크기는 약간만 증가하고, 필터링은 필터의 두께에 비례하여 개선된다.
노이즈의 또 다른 소스는, 센싱 소자와 일렬이 위치된 적외선 소스로부터 직접 또는 스트레이 방사의 검출이고, 이들 소스로부터의 비스듬한 적외선이 여전히 센서에 도달할 수 있다. 이러한 방사선의 검출은 피해야하는데, 왜냐하면, 이는 방사선 소스의 위치의 검출을 모호하게 하여서, 센서의 레졸루션을 낮추기 때문이다. 이러한 방사선을 피하기 위한 명백한 방법은 소스와 센싱 소자 사이에 어퍼처 또는 다이어프램을 추가하여서, 시계(FOV)가 어퍼처 크기 및 센싱 소자와 어퍼쳐 사이의 거리에 따라 감소된다. 그럼에도 불구하고, 패키징된 센서의 제한된 크기에 의한 다이어프램 및 어퍼처의 사용에 있어서, 여러 기술적, 공간적 및 상업적 제한이 있다. 어퍼처는 그 자체가 노이즈의 소스가 될 수 있는데, 가령, 어퍼처의 온도가 증가할 때이다. 냉각 시스템 또는 튜불러 어퍼처의 도입은 이러한 노이즈를 감소시키나, 패키징된 센서의 크기를 증가시키고, 여러 활용 분야에 있어서, 이는 심각하게 해로운 것이다.
방사선 소스의 위치를 높은 정확성으로 확인할 수 있는 능력의 증가를 의미하는 레졸루션을 증가시키기 위해, 복수의 접근법이 과거에 적용되어 왔다.
미국 특허 출원 제2008/0061237호는, 여러 노이즈-쉴딩 특징을 포함하는 (산란된 적외선을 통해) 가스를 검출하는데 적합한 IR 센서를 개시한다. 장치의 하우징 내에 제1 어퍼처는 시계를 감소시킨다. 센싱 소자("센서 칩")는 효율적으로 가시광을 막고, 부분적으로 필터로부터 센싱 소자를 고립시키는 캐비티를 포함하는 필터("캡 칩")에 의해 커버된다. 그리고 나서, 필터 수용 표면(하우징 어퍼처와 마주보는 "캡 칩"의 영역)은 그 반사도를 변화시키기 위해, "캡 칩" 어퍼처가 될 작은 중앙 영역을 제외하고, 가령, 코팅 또는 패턴 또는 에칭 처리된다. 그러므로, FOV는 추가로 감소된다. IR 센서의 생산은 캡 표면 영역의 처리 및 FOV의 제한을 위한 추가적인 제조 단계를 요구함에도 불구하고, 바람직하지 않은 방사선의 필터링은 처리에서 사용되는 물질 및 기술의 품질에 매우 의존적이다.
미국 특허 제2005081905A1호는 서모파일 및 캡을 가진 적외선 검출기를 개시한다. 캡의 내부 표면과 외부 표면은 반사 방지 코팅물을 가진다. 금속 쉴드층은 인캡슐레이션의 외부 표면상에 코팅될 수 있다.
여전히 개선 또는 대안의 여지가 있다.
우수한 레졸루션으로 적외선을 센싱하는데 적합한 센서 어셈블리를 제공하는 것이 본 발명의 실시예의 목적이다.
상기 목적은 본 발명에 따른 방법 및 장치에 의해 달성된다.
제1 태양에서, 본 발명은 적외선을 센싱하기 위한 적외선 센서 어셈블리에 관한 것으로, 센서 어셈블리는, 기판 평면에서 실질적으로 연장되는 기판 상에 또는 내장된 적어도 하나의 센싱 소자와, 적어도 하나의 센싱 소자를 커버하기 위한 캡 - 캡은 센서 어셈블리상에 방사선 입사를 수신하기 위한 상부 벽 및 센싱 소자를 호스팅하기 위해, 캡과 기판 사이의 캐비티를 형성하도록 구성된 복수의 캐비티 벽을 포함함 - 을 포함하되, 적어도 하나의 상기 캐비티 벽은, 상기 적어도 하나의 상기 캐비티 벽상의 내부 전반사를 유도하기 위하여, 수신하는 상부 벽에 대한 각도와 마주하고, 적어도 하나의 상기 캐비티 벽은 반사 코팅물을 포함한다.
"반사 코팅물"은 적외선에 대해 적어도 0.7, 바람직하게는 적어도 0.8 또는 그 보다 높은 반사 계수를 가진 코팅물을 의미한다.
본 발명의 실시예의 이점은, 높은 신호대노이즈 비율, 간단한 생산 및 제한된 시계(FOV)를 가진 센서 어셈블리를 얻는다는 것이다.
본 발명의 실시예의 이점은, 패키징 크기를 증가시키는 소자(가령, 다이어프램)의 도입을 회피할 수 있다는 것이다.
본 발명의 실시예의 이점은, 장치의 민감도는 그 장치의 시계를 제한함에 의해, 센싱 소자의 주변 영역으로부터 기생 복사(parasitic radiation)를 줄임에 의해 증가된다. 본 발명의 실시예의 추가적인 이점은, 센서 어셈블리가 여분의 쌓여진 소자 또는 어퍼처가 필요하지 않다는 것이다.
적어도 하나의 캐비티 벽, 바람직하게는 모든 캐비티 벽은, 기판에 실질적으로 수직인 방향으로 광 입사를 위해 내부 전반사(TIR)를 야기하는 방향성(기울기)을 가진다. TIR은 캐비티 주변의 영역으로부터 노이즈 방사선의 진입을 피하는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예의 이점은, 시계의 제한은 내부 전반사(TIR)를 통해 실질적으로 수행될 수 있고, 경사진 캐비티 벽에 대해 내부 전반사에 의해 반사되지 않을 방사선은 반사 코팅물 때문에 법선 반사에 의해 반사되어서, 실질적으로 전반사를 야기한다.
캐비티 벽(캡의 경사진 내부 벽)은 바람직하게 방사선 입사의 각도의 더 넓은 범위에 대해 반사를 촉진하는 반사 코팅물을 포함하는데, 내부 전반사는 얻어지지 않을 수 있다. 본 발명의 실시예의 이점은, 코팅물이 어떤 파장을 선택적으로 반사하도록 선택되 수 있다는 것이다. 코팅을 위해 사용되는 물질은 방사선 파장의 서로 다른 범위를 걸러내도록 선택될 수 있고, 또는 TIR이 발생하는 각도를 가변할 수 있다.
캡의 내부 경사진 벽 상에 증착된 반사 코팅물을 사용하는 것이 바람직한데, 이는 원하지 않는 경로를 통해(상기 경사진 벽을 통해) 캡으로 방사선이 들어가는 것을 막는데 도움을 주고, 동시에, 센시티브 소자에 의해 부분적으로 반사되었던, 원하지 않는 경로를 통해(가령, 상단의 오프닝을 통해) 들어간 방사선을 내부적으로 다시 반사하고, 방사선의 일부는, 내부 캐비티 벽에 대해 반사한 이후에, 센시티브 소자에 의해 흡수되는 "이차 기호"를 얻게 된다.
적어도 하나의 센싱 소자는, 임의의 타입의 적외선 센싱 소자가 사용될 수 있지만, 가령, 서모 파일일 수 있다.
실시예에서, 반사 코팅물은 금속 코팅물이다.
적합한 물질은 가령, Al 또는 Ti 또는 티타늄 산화 입자를 포함하는 코팅물 또는 니켈 망간니즈(nickel manganese)이다. CMOS 공정과 양립할 수 있는 코팅물 공정을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시예의 이점은, 추가 물질을 센서 어셈블리에 도입하기 위한 엄격한 요구 없이, 제한된 시계가 얻어질 수 있다는 것이다.
일 실시예에서, 굴절률(n0)을 가진 외부 물질, 굴절률(n1)을 가진 캡 물질로 제조된 캡 및 굴절률(n2)을 가진 캐비티 채움 물질로 채워진 캐비티에 대해, 각도는 적어도 하나의 캐비티 벽과 기판 평면으로 만들어진 각도이고, 적어도 하나의 입사 각도(θ) 및 바람직하게는 모든 가능한 입사각에 대해,
Figure pat00001
의 관계를 만족시킨다.
캐비티 채움 물질은 1.0과 상이한 굴절률(n2)을 가질 수 있다.
캐비티는 적외선에 대해 투명한 유체 또는 고체 물질로 채워질 수 있다. 본 발명의 실시예의 이점은, 캡과 캐비티 사이의 굴절은 상기 물질의 선택에 의해 특정한 목적을 위해 상당히 제어될 수 있다는 것이다.
대안적으로, 캐비티는 100 Pa 미만의 압력(낮은 진공)에서의 가스 또는 100 mPa 미만의 압력(높은 진공)에서의 가스를 포함할 수 있는데, 굴절률이 실질적으로 1.0과 같아야 하고, 가령, 1.0과 동일해야 한다.
실시예에서, 캡은 어퍼처를 형성하기 위한 방향으로 배향된 적어도 하나의 추가적인 벽을 포함하는데, 상기 어퍼쳐는 기판 평면의 법선을 따라 방사선 입사를 위해 캐비티를 향한다.
실시예에서, 적어도 하나의 캐비티 벽에 도포되는 반사 코팅물은 추가적인 벽에 걸쳐 부분적으로 연장되고, 추가적인 벽 안에 어퍼처를 형성한다.
이러한 장치의 이점은, 어퍼처가 경사진 벽의 위치(그러므로, 에칭 공정)에 의해 주로 결정되지 않고, 리소그래피에 의해 형성될 수 있는데, 이는 전형적으로 좀 더 정확하다. 이러한 실시예의 이점은 공정 허용 오차가 감소될 수 있다는 것이다.
실시예에서, 캡은 반도체 물질, 가령 실리콘 또는 게르마늄을 포함한다.
(캡의 내부 벽 또는 외부 벽 상의 어떠한 코팅물로부터 이격된) 캡은 반도체 캡, 가령, 게르마늄 또는 좀 더 바람직하게는 실리콘일 수 있고, 이는 적외선에 우수한 투과성을 가진다. 바람직하게는, 이는 기판을 보호할 수 있고, 가령, 가시광을 막는 필터로서의 역할을 할 수 있다.
캡은 내부 전반사를 유도하도록 구성된 캡핑 물질로 제조될 수 있다.
실시예에서, 내부 전반사를 야기하는 배향성을 가진 적어도 하나의 캐비티 벽은 캡의 반도체 물질의 크리스털 평면을 따라 배향된다.
본 발명의 실시예의 이점은, 센서를 고립시키기 위한 캡 내의 캐비티의 형성 및 TIR을 얻기 위한 배향성(기울기)의 형성이 동일한 에칭 단계에서 얻을 수 있다는 것이다.
실시예에서, 내부 전반사를 야기하는 배향성을 가진 적어도 하나의 캐비티 벽은 기판 평면과 약 45° 또는 약 54.7°로 마주한다.
실시예에서, 캡은, 캐비티와 접하지 않은 벽에, 상기 벽의 일부에 걸쳐 연장되는 흡수 및/또는 반사 소자를 포함하고, 방사선이 센싱 소자에 의해 센싱되도록 하기 위한 어퍼처를 형성한다.
캡은, 상부 벽의 외부 표면상에, 흡수 및/또는 반사 소자, 가령, 흡수 및/또는 반사 코팅물을 포함할 수 있는데, 이는 상기 벽의 일부에 걸쳐 연장된다. 이러한 흡수 및/또는 반사 소자 또는 코팅물을 포함하지 않는 상기 벽의 일부는 센싱 소자에 의해 센싱될 방사선을 위한 어퍼처가 형성될 수 있다.
제2 태양에 따르면, 본 발명은 적외선 센서 어셈블리를 제조하는 방법에 관한 것인데, 상기 방법은, 적어도 하나의 센싱 소자를 기판 상에 또는 기판 내에 제공하는 단계 - 기판은 기판 평면으로 연장됨 - 와, 적어도 상부 벽 및 복수의 캐비티 벽을 포함하는 캡을 제공하는 단계 - 캐비티 벽은 반사 코팅물을 포함함 - 와, 캡을 기판상에 위치시키는 단계 - 캡이 적어도 하나의 센싱 소자를 커버하고, 복수의 캐비티 벽이 배열되어 캡 및 센싱 소자를 호스팅하는 기판 사이에 캐비티를 형성함 - 를 포함하되, 적어도 하나의 상기 캐비티 벽은, 방사선 입사를 위해, 상기 적어도 하나의 상기 캐비티 벽 상의 내부 전반사를 유도하기 위하여, 수신하는 상부 벽에 대한 각도와 마주하도록 위치시킨다.
본 방법의 실시예에서, 굴절률(n0)을 가진 외부 물질, 굴절률(n1)을 가진 캡 물질로 제조된 캡 및 굴절률(n2)을 가진 캐비티 채움 물질로 채워진 캐비티에 대해, 각도는 적어도 하나의 캐비티 벽과 기판 평면으로 만들어진 각도이고, 적어도 하나의 입사 각도(θ) 및 바람직하게는 모든 가능한 입사각에 대해,
Figure pat00002
의 관계를 만족시킨다.
실시예에서, 본 방법은, 이방성 습식 에칭을 사용하여 적어도 하나의 캐비티 벽을 형성하는 단계 및 적어도 하나의 캐비티 벽에 반사 코팅물을 도포하는 단계 및 적어도 하나의 상기 캐비티 벽 상에 상기 반사 코팅물을 패턴화하는 단계를 포함한다.
이방성 에칭을 따르면, 캐비티를 형성하는 벽은 기판에 대해 약 45°또는 54.7°의 각도로 배향될 것이고, 이렇게 하여, FOV는 TIR을 통해 그 자체로 캐비티에 의해 제한된다.
본 발명의 실시예의 이점은, 센서를 고립시키기 위한 캡 및 TIR을 얻기 위한 배향성이 동일한 에칭 단계로 얻어질 수 있다는 것이다.
실시예에서, 본 방법은, n2의 굴절률을 가진 캐비티 물질로 캐비티를 채우는 단계를 포함한다.
실시예에서, 본 방법은, 고정 물질을 사용하여 캡을 기판에 고정하는 단계를 포함한다.
본 발명의 특정 및 바람직한 태양은 첨부된 독립항과 종속항에서 제시된다. 종속항에서의 특징은 독립항의 특징과 결합될 수 있고, 청구항에서 단지 명시적으로 제시되지 않고 적절하게, 다른 종속항의 특징과 결합될 수 있다.
본 발명의 이들 및 그 밖의 태양은 이하에 기술된 실시예(들)를 참조하여 명백하고, 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른, 기판 및 내부 전반사를 유도하기 위해 배향된 벽을 가진 캡에 의해 커버된 센싱 소자를 가진 센서 어셈블리의 단면도를 나타내는데, 경사진 벽은 반사 물질에 의해 코팅된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 센서 어셈블리의 단면도를 나타내는데, 추가적으로 흡수 및/또는 반사 소자 가령, 캡의 외부 벽 표면상의 흡수 또는 반사 코팅물이다.
도 3은 도 1 또는 도 2에 도시된 센서 어셈블리를 제조하기 위한 방법에서 사용될 수 있는, 캡의 캐비티 벽에 반사 코팅물을 도포하기 위한 단계의 가능한 순서를 나타낸다.
도면은 단지 개략적이고 비제한적이다. 도면에서, 일부 요소의 크기는 설명적인 목적을 위해, 과장될 수 있고, 스케일대로 도시되지 않을 수 있다. 청구항에서의 임의의 참조 부호는 범위를 제한하려는 것으로 해석되어서는 아니된다. 다양한 도면에서, 동일한 참조 부호는 동일 또는 유사한 요소를 말한다.
본 발명은 특정 실시예 및 특정 도면을 참조하여 기술될 것이나, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 청구항에 의해서만 제한된다. 기술된 도면은 단지 개략적이고 비제한적이다. 도면에서, 일부 요소의 크기는 과장될 수 있고, 설명적인 목적을 위해 스케일대로 도시되지 않을 수 있다. 치수 및 상대적 치수는 본 발명의 실시에서 실제적인 축소에 해당되지 않는다.
더구나, 상세한 설명 및 청구항에서, 제1, 제2 등과 같은 용어는 유사한 요소간에 구별을 위해 사용되는 것이지, 순서, 일시적, 공간적, 순위 또는 그 밖의 다른 방식을 기술하기 위해 반드시 사용될 필요는 없다. 이처럼 사용된 용어는 적절한 상황하에서 교환적일 수 있고, 본원에서 기술된 본 발명의 실시예는 본원에서 기술되거나 설명된 것 이외의 다른 순서로 작동할 수 있다는 것을 이해해야 한다.
청구항에서 사용되는 용어 "포함하는"은 이하에 나열된 수단으로 제한되도록 해석되어서는 아니되고, 다른 요소나 단계를 제외해서는 아니된다는 것을 주의해야 한다. 그러므로, 진술된 특징, 정수, 언급된 바와 같은 단계 또는 구성의 존재를 명시하는 것으로 해석되지, 하나 이상의 다른 특징, 정수, 단계 또는 구성 또는 이러한 그룹을 제외하는 것으로 해석되어서는 아니된다. 그러므로, 표현 "A 및 B를 포함하는 장치"의 범위는 단지 구성 A 및 B 만을 포함하는 장치로 제한되어서는 아니된다. 이는 본 발명에 대해, 장치의 관련 구성은 A와 B라는 것을 의미한다.
본 명세서 전반에 걸쳐 "일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 참조는 특정한 특징, 구조 또는 본 실시예와 함께 기술된 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 그러므로, 본 명세서 전반에 다양한 위치에 있는 구절 "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"의 출현은 모두 동일한 실시예를 언급하는 것 만을 의미하지 않으나, 그럴 수도 있다. 더구나, 특정한 특징, 구조 또는 특성은, 본 개시물의 당업자에게 명백한 바와 같이, 하나 이상의 실시예에서 적절한 방식으로 결합될 수 있다.
마찬가지로, 본 발명의 예시적인 실시예의 설명에서, 본 발명의 다양한 특징은 개시물의 간결성을 위해, 하나 이상의 다양한 창의적인 태양의 이해를 돕기 위해, 하나의 실시예, 특징 또는 설명으로 가끔 그룹지어질 수 있다. 그러나, 개시물의 본 방법은 청구된 발명이 각각의 청구항에 명시적으로 나열된 것 보다 더 많은 특징을 요구하려는 의도를 반영하는 것으로 해석되지 않는다. 그 보다는, 이하의 청구항이 반영하는 바와 같이, 창의적인 태양은 상기 개시된 단일 실시예의 모든 특징보다 적게 있다. 그러므로, 상세한 설명 이후의 청구항은 이 상세한 설명에 명시적으로 포함되고, 각각의 청구항은 본 발명의 별개의 실시예 자체로서 자리 잡고 있다.
더구나, 본원에서 기술된 일부 실시예는 다른 실시예에 포함되지 않은 일부 특징을 포함하고, 서로 다른 실시예의 특징의 조합은 본 발명의 범위 내에 있음을 의미하며, 당업자에 의해 이해되는 바와 같이 서로 다른 실시예를 형성한다. 예를 들어, 이하의 청구항에서, 임의의 청구된 실시예는 임의의 조합으로 사용될 수 있다.
본원에서 제공되는 설명에서, 여러 특정 세부 사항이 제시된다. 그러나, 본 발명의 실시예는 이들 특정 세부 사항 없이 실시될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 다른 예시에서, 잘 알려진 방법, 구조 및 기술이 본 개시물의 이해를 모호하지 않도록 하기 위해 세부 사항이 도시되지 않았다.
본 발명의 실시예의 맥락에서 "센싱 소자"는 신호를 수신하고, 처리하여 측정가능한 출력을 제공하는 소자이다. 특정 실시예에서, 신호는 적외선 영역의 전자기적 방사선을 말하고, 센싱 소자는 집적 회로, MEMS, 수신 신호를 전기 신호 가령, 전압으로 변환할 수 있고, 그리고 나서 상기 전기 신호는 판독가능한 출력장치(가령, 디스플레이)로 전송될 수 있는, 서모파일 또는 유사한 특정 시스템을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, "캡" 참조는 센싱 소자를 보호하는 커버를 말한다. 본 발명의 일부 실시예는 반도체 캡, 가령 실리콘 또는 게르마늄을 포함하는데, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 본 발명의 실시예에서, 캡은 센싱 소자를 고립시키는 캐비티를 포함하는데, 이는 신호대노이즈 비율을 개선하는데 도움이 될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 캡 뿐만 아니라 캐비티는 엄격한 구성 조건 및 기하형상 조건에 따라 맞춤되어서, 특정 조건하에서의 방사선만 센서에 의해 검출될 수 있다. 입사 방사선의 나머지는 광학에서 내부 전반사(TIR)로 알려진 것에 시달려서, 센서로 들어가지 못하고, 결국 시계(FOV)를 효과적으로 감소시키고, 노이즈로부터 센서를 보호한다.
본 발명의 실시예에서, "적외선" 참조는 1000 nm 내지 25000 nm의 파장 범위에서의 방사선을 말하며, 바람직하게는 5000 nm 내지 20000 nm의 파장 범위이다.
본 발명에서, "내부 전반사를 위해 배향된 캐비티 벽" 또는 "배향된 벽" 또는 "경사진 벽" 참조는 기판에 대해 기울어진 각도를 나타내는 캡의 내부 벽을 말한다.
제1 태양에서, 본 발명은 적외선 센서 어셈블리에 관한 것이고, 센싱 소자 및 쌓여진 캡에 의해 형성된 장치를 말한다. 그러므로, 이러한 장치는 적외선 영역에서 방사선을 센싱하기에 특히 적합하다. 본 발명의 실시예는 이에 제한되지 않지만, 도면에 의해, 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 센서 어셈블리가 표준 및 옵션적인 특징을 나타내는 도 1 내지 도 2를 참조하여 기술된다.
센서 어셈블리(100)는 캡(110)을 포함하는데, 캡은 캐비티(120)를 형성하기 위해 배열된 벽을 포함한다.
본 발명의 특정 실시예에서, 캡(110)은 반도체 물질, 가령 게르마늄 또는 좀 더 바람직하게는 실리콘 크리스탈 또는 좀 더 일반적으로 관심 방사선(적외선)에 투과성인 그 밖의 물질로 제조될 수 있다. 바람직하게는, 이러한 물질도 그 밖의 방사선, 특히 가시광에 실질적으로 불투과성(가령, 기껏해야 0.2, 가령 기껏해야 0.1의 투과 계수를 가짐)이고, 이는 IR 센서의 노이즈의 공통 소스이다. 그러므로, 캡은, 굴절률 n1으로 특징지어진 캡 물질로 제조된다.
캡(110)은 고정 수단(140)을 통해 적어도 하나의 센싱 소자(150)를 포함하는 기판(160)에 부착되어서, 캐비티(120)는 센싱 소자를 수용하고 보호한다. 캡과 기판은 고정 수단(140) 가령, 하지만 제한되지 않는, 적합한 접착제, 솔더 볼, 솔더 범프, 본딩 물질 등으로 고정된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 고정 수단(140)은 센싱 소자를 추가로 고립시키고, 캐비티(120)를 밀폐시킨다. 기판(160)은 추가로 집적 회로를 포함할 수 있고, 센싱 소자는 MEMS, 서모파일 또는 방사선을 센싱하기 위한 유사 장치일 수 있다. 캡은 센싱 소자를 열적으로 고립시킬 수 있는 정도로 제공될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 캡(110)은 관심 방사선, 가령, 적외선에 대해 투과성이고, 방사선 파장의 나머지에 대해 실질적으로 불투과성(가령, 기껏해야 0.2, 가령 기껏해야 0.1의 투과 계수를 가짐)이다. 후자는 신호대노이즈 비율을 개선시키는데 도움이 될 수 있다. 센서가 방사선의 소스에 노출될 때, 대부분의 가시광은 캡(110)(가령, 캡 물질 자체에 의해)에서 흡수된다. 적외선은 캡을 지나 캐비티(120)와 캡(110) 사이의 경계인 벽(131)에 도달할 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 캐비티(120)는 기판(160)의 법선과의 각도를 형성하는 기설정된 배향성(180)을 가진 적어도 하나의 벽(130)을 포함한다. 상기 표시된 바와 같이, 캡은 관심 방사선의 파장에 대해 굴절률 n1으로 특징된다. 굴절률은 다양한 파장에 대해 가변할 수 있고, 굴절률에 요구되는 기준이 참조될 때, 관심 파장 범위에 대해 기준이 참조된다. 전형적으로, 캐비티는 굴절률 n2를 가진 캐비티 채움 물질로 채워진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 적어도 하나의 벽(가령, 경사진 벽)의 기설정된 배향성(180)이 선택되어서, 이는 적어도 하나의 캐비티 벽과 기판 평면으로 만들어진 각도와 마주하고, 적어도 하나의 입사 각도(θ) 및 바람직하게는 모든 가능한 입사각에 대해,
Figure pat00003
의 관계를 만족시킨다. 그러므로, 외부 물질은 굴절률(n0)를 가진다.
이러한 설정으로, 센싱 소자에 도달하는 방사선(관심 방사선(172))은 배향된 벽(들)(130)을 통하지 않고, 캐비티로 들어가서 캐비티의 어떤 벽을 통한 관심 소스(170)로부터의 방사선이다. 방사선 소스의 검출이 비교적 높은 레졸루션으로 수행될수 있다는 사실을 초래한다. 센싱 소자(150)는 방사선 소스가 센싱 소자와 정확히 일렬로 위치되지 않을 때, 노이즈로부터 효율적으로 가려진다.
가령, 실리콘 캡 및 공기 채움 캐비티나 진공 캐비티의 경우, 적외선 영역에서 캡에 대한 굴절률(n1)은 3.4에 가까울 것이고, 캐비티에 대한 굴절률(n2)는 약 1.0일 것이다. 내부 전반사(TIR)가 얻을 수 있도록 배향된 실리콘 벽에 대한 배향성이 선택될 수 있다. 방사선이 배향된 벽(들)(130)에 입사되면, 캐비티(120)로 들어가지 않고, 내부 전반사에 의해 반사될 것인 반면, 방사선이 캐비티의 어떤 다른 벽(131)에 입사되면, 방사선은 캐비티로 들어가서 센싱 소자(150)에 의해 검출될 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 배향된 벽(들)(130)의 각도(181)는 일 예시에서 35.3°내지 45°의 값일 수 있다.
바람직한 실시예에서, 추가적인 벽(131)은 캐비티에 포함된다. 상기 추거작인 벽(131)은 기판 평면과 실질적으로 평행하게 배향될 수 있고, 추가 벽(131)의 영역의 투사는 센싱 소자(150)와 바람직하게 일치할 수 있다. 추가적인 벽(131)의 적합한 영역을 선택하여, 투사가 센싱 소자(150)의 영역과 동일 또는 그 보다 작을 수 있고, FOV는 효율적으로 추가 감소될 수 있다. 이러한 방식, 주로 소스(170)로부터의 관심 방사선(172)은 추가적인 벽(131)으로 떨어짐에 의해 센싱 소자에 도달할 것이다. 방사선의 다른 소스는 TIR을 통해 반사될 것이다.
캡(120)의 경사진 내부 벽(130)에는 반사 코팅물(135), 가령, 티타늄 산화물의 코팅물이나 니켈 망간니즈 또는 Al 또는 Ti의 코팅물이 추가로 제공된다. 이러한 코팅물은 캡에 수신되는 방사선의 선택도를 최적화하는데 추가로 도움을 준다. 본 발명의 실시예의 이점은, 입사각이 TIR 조건을 수행하지 않는 방사선이 법선 반사를 통해 실질적으로 추가로 막혀진다는 것이다. 그러므로, 노이즈가 회피된다. 그리고 나서, 시계의 효율적인 제한이 TIR 및/또는 법선 반사를 통해 얻어진다. 본 발명의 실시예의 추가적인 이점은 코팅물이 가령, 가시광(이에 제한되지 않음)과 같은 파장의 범위를 막도록 선택될 수 있다는 것이다.
도 2는 도 1에 도시된 센서 어셈블리의 실시예의 변형예를 도시하는데, 추가적인 패터닝, 반사 요소 또는 코팅물 및 흡수 요소 또는 코팅물 또는 이들의 조합이, 특히 기판 표면에 평행하게, 캡의 상부 외부 표면에, 캐비티와 경계면을 형성하지 않는 표면(101)에 추가될 수 있다. 이러한 패턴화/흡수/반사 특징을 포함하는 표면의 영역은 캡 표면(101)의 형성된 영역일 수 있고, 이는 소스 방사선에 노출된다. 전형적으로, 상기 표면은 캐비티의 내부 상에 표면(131)과 평행하다. 반사 또는 흡수 요소는 막는 요소의 역할을 할 수 있다. 이들 막는 요소(패턴 또는 텍스처, 반사 또는 흡수 요소 또는 이들의 조합 또는 가령, 방사 코팅물 또는 흡수 코팅물)는 추가적인 어퍼처(103)를 형성할 수 있는데, 이는 시계를 더욱 제한하고, 배향된 벽(130)의 TIR의 효율성을 증가시킨다. 이들 요소의 효과는 하나 이상의 배향된 벽(들)(130)에 도달하는 방사선의 양의 감소이다.
반사 코팅물(135)이 추가적인 표면(131)의 일부를 커버하여 그 사이에 어퍼처(136)를 형성하는 경우, 입사 방사선은 서로 센싱 소자와 정렬된, 외부 어퍼처(103)와 내부 어퍼처(136) 모두를 통과한 후에 센싱 소자(150)에 도달할 수 있다. 이러한 방식으로, FOV는 정확하게 결정될 수 있다.
센싱 소자(150)가 방사선을 수신하면, 본 발명의 특정 실시예에서, 그 에너지는, 가령, 서모 파일에서 전위차를 통해 전기 신호로 변환되고, 전기 신호는 가령, 집적회로를 통해 디스플레이로 구동된다.
본 발명의 실시예에서, 배향된 벽이 선택되어서, 배향된 벽(130)으로 떨어지는 모든 입사 방사선이 캐비티 내로 전송되는 대신에, TIR을 통해 반사될 것이다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, TIR은 입사각의 범위에 대해 튜닝된다. TIR은 입사 방사선의 특정 파장 범위에 주로 의존하는 프로세스이다. 어떤 파장을 가진 방사선의 TIR에 대한 각도 조건은 다른 범위의 파장에 대해서는 유효하지 않을 수 있는데, 왜냐하면, 굴절률의 값이 파장으로 변하기 때문이다. 예를 들어, TIR을 통해 근-적외선을 반사하는데 최적화된 배향된 벽의 경우, 상기 벽은 원-IR의 어떤 양을 수신하는 경우가 발생할 수 있다. 관심 방사선(170) 소스로부터의 원하지 않은 방사선(171)이 캐비티 내로 들어갈 수 있다. FOV는 파장의 범위에 대해서만 제한될 것이다. 더 넓은 방사선 스펙트럼에 대해 FOV를 제한하기 위해, 본 발명의 특정 실시예는, 입사 방사선의 중요한 부분에서 TIR를 생성하고, 상이한 파장의 방사선을 반사하는, 반사 요소, 가령, 배향된 벽(130)에 도포된 반사 코팅물도 포함할 수 있다. 이러한 반사 코팅물은 가령, 알루미늄 임자의 코팅물을 포함할 수 있다. 이는 시계가 제한되는 파장의 범위를 증가시킨다.
제2 태양에서, 본 발명은 센서 어셈블리를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 방법은, 본 발명의 실시예가 이에 제한되지 않지만, 제1 태양에서 기술된 바와 같은 센서 어셈블리 장치를 제조하는데 특히 사용될 수 있다.
우선, 센싱 소자(150)가 제공되는데, 전형적으로, 센싱 소자는 기판(160) 상에 또는 내부에 위치된다. 이러한 센싱 소자(150)는 기판 내의 집적 회로 내에 포함된 고체 상태 센서일 수 있고, 서모 파일 일 수 있으며, 그 밖의 적합한 장치일 수 있다. 일부 실시예에서, 복수의 센싱 소자는 적외선(171, 172)이 생성되는 소스(170)의 위치를 확인하기 위하여, 적외선의 일부를 각각 수신하도록 배열되고, 제공될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 센싱 소자(150)가 위치된 기판(160)은 기판 평면에서 실질적으로 연장된다.
둘째로, 캡(110)이 제공된다. 캡은 바람직하게는, Si 캡 또는 Ge 캡일 수 있다. 전형적으로, 캡은 특정 방법으로 에칭될 수 있어서, 캐비티(120)가 캡 내로 유도되어서, 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 복수의 벽(101, 130, 131, 132)을 형성한다. 그리고 나서, 반사 코팅물(135)은 일부 벽에 특정하게 경사진 벽(130)에 도포되고, 도 3을 논의할 때 추가로 좀 더 자세히 기술될 바와 같이, 선택적으로, 추가적인 벽(131)의 일부에도 도포된다.
제1 단계(기판에 센서 소자를 제공함) 및 제2 단계(캡을 제공함)는 순서가 바뀔 수 있다.
제3 단계에서, 캡(110)은 기판(160)상에 위치하고, 거기에 장착되어서, 캡(110)이 적어도 하나의 센싱 소자(150)를 커버하고, 복수의 벽(130, 131)이 배열되어서 캡과 기판 사이의 캐비티가 센싱 소자(150)를 호스팅하도록 한다. 전형적으로, 캐비티는 캐비티 채움 물질로 채워질 수 있다. 이는 별개의 단계로 도포될 수 있고, 제2 단계에서 수행될 수 있으며, 사용된 물질이 공기라면, 자동으로 수행도리 수 있다.
캐비티는 기판에 대해 배향성을 가지고 적어도 하나의 벽(130)을 포함하여, 입사 방사선(171)이 벽(130)에 떨어져서, 전형적으로 내부 전반사(TIR)를 받게 되어서, 캐비티(120)로 들어가지 않기 때문에 센싱 소자(150)에 도달하지 않도록 포지셔닝이 되도록 한다. 이는 가령, 다음과 같이 정의된 배향성을 가진 벽(130)을 배향하여 얻을 수 있다. 굴절률(n0)을 가진 외부 물질, 굴절률(n1)을 가진 캡 물질로 제조된 캡 및 굴절률(n2)을 가진 캐비티 채움 물질로 채워진 캐비티에 대해, 각도는 적어도 하나의 캐비티 벽과 기판 평면으로 만들어진 각도이고, 적어도 하나의 입사 각도(θ) 및 바람직하게는 모든 가능한 입사각에 대해,
Figure pat00004
의 관계를 만족시킨다.
캐비티(120)는 가령, 습식 에칭과 같은 에칭에 의해 캡(110) 내에 생성될 수 있다. 본 방법의 바람직한 실시예에서, 캡은 모노크리스털링이고, 캐비티는 가령, 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 또는 포타슘 히드록사이드(KOH)를 사용하여, 이방성 에칭을 사용하여 에칭될 수 있어서, 배향된 벽(130)(기판에 대해 경사진) 및 어떤 평면 배향을 따르는 추가적인 벽(131)(기판에 평행)을 생성할 수 있다. 예를 들어, 캡이 (100) 배향성을 따르고, 에칭이 (111) 평면을 따른다면, 배향된 벽은 기판 평면에 대해 54.7°의 각도(또는 기판 평면의 법선에 대해 35.3°)를 마주할 것이다. 그 밖의 적합한 조건 및 에칭 온도에 대해, 배향된 벽의 마주한 각도는, 가령 45°로 상이할 수 있다. 배향된 벽(130) 및 추가적인 벽(131) 모두인 캐비티 벽은 하나의 고유 에칭 단계로 형성되는 것이 바람직할 수 있다. 추가적인 벽(131)의 마지막 영역은 센싱 소자의 영역에 따라 선택되어서, FOV 제한을 보장한다. 가령, 추가적인 벽(131)의 영역은 센싱 소자의 영역과 동일하거나 그 보다 작을 것이다. 추가적인 벽(131)의 영역은 에칭 시간, 에칭 영역 및 캐비티의 깊이등과 같은 요소에 의해 제어된다.
도 3(a) 내지 도 3(e)는 캡(110)에 반사 코팅물을 도포하기 위한 가능한 방법을 도시한다. 도 3(a)는 상기 기술된 단계(이방성 에칭 이후)에 의해 얻을 수 있는 캡의 예시를 도시한다.
도 3(b)는 반사층, 가령, 금속 코팅물이 캡의 일면, 특히 배향된 벽(130) 및 추가적인 벽(131)에 도포된 이후의 캡을 도시한다. 금속 코팅층은 100 nm 내지 800 nm의 두께, 가령 약 400 nm의 두께를 가질 수 있다.
도 3(c)는 가령, 스핀-코팅 또는 스프레이 코팅에 의해 반사 코팅물의 상부에 포토레지스트 층이 추가된 이후의 캡을 도시한다.
도 3(d)는 포토레지스트의 노출 및 성장 이후의 캡을 도시한다. 도시된 예시에서, 오프닝(138)은 추가적인 벽(131)의 면적보다 작은 크기를 이루지만, 오프닝(138)은 실질적으로 동일한 크기로 이루어질 수도 있다(따라서, 배향된 벽(130)의 모서리로 연장됨).
도 3(e)는 반사층의 에칭 및 포토레지스트의 제거 이후의 캡을 도시한다. 도시된 예시에서, 반사 코팅물은 기판에 장착될 벽 부분(132)에도 도포되나, 이는 의무적이지는 않다. 사용된 장착 기술에 의존하여, 반사 코팅물의 일부는 벽 부분(132)에서 제거되어 기판에 대한 캡의 고정을 개선할 수도 있다.
추가적인 단계(미도시)는, 가령(그러나 이에 제한되지 않음), 캐비티를 포함하는 표면의 반대편(즉, 어셈블리의 외부 표면을 형성하는 캡의 일부)의 캡 표면(101)상의 반사 및 흡수 소자의 에칭, 패터닝 또는 그라인딩이 캡에 대해 수행될 수 있다. 캡 표면(101) 내의 영역(가령, 추가적인 캐비티 벽(131)의 투사 또는 이의 어퍼처(136)와 일치하는 영역)이 투과성으로 남아서(가령, 반사 또는 흡수 물질에 의해 커버되지 않아서), 추가적인 어퍼처(103)(도 2 참조)가 센서의 외부 표면에 형성되고, 추가로, 센싱 소자를 노이즈 방사로부터 가려주고, FOV를 추가로 감소시킨다.
본 발명의 범위를 제한하지 않으면서, 추가적인 광학 소자 또는 추가적인 처리 또는 이의 조합이 FOV 제한을 개선하기위해 포함될 수 있다. 예를 들어, 캡은, 캐비티가 형성된 벽의 반대편 벽 상에 또는 벽 내에, 흡수 또는 반사 요소 또는 둘 다를 포함할 수 있어서, 캡 물질에 방사선이 들어와도, 방사선의 추가적인 FOV의 제한을 할 수 있다. 다른 추가사항도 상정할 수 있는데, 예를 들어, 소자를 보호하기 위한 다이어프램이나 냉각 쉴드를 추가하는 것이다. 벽의 일부는 이러한 특징을 포함할 수 있고, 벽의 또 다른 부분은 이러한 특징을 포함하지 않을 수 있다.
100, 200 적외선 센서 어셈블리
101 상부(외부) 벽
102 패턴/흡수/반사 요소/코팅물
103 외부 벽 상의 어퍼처
110 캡 120 캐비티
130 배향된 벽(=경사진 벽) 131 추가적인 벽
132 기판에 캡을 장착하기 위한 벽 부분
135 반사 코팅물 136 추가적인 벽 상의 어퍼처
138 포토레지스트 내의 오프닝 150 센싱 소자
160 기판 170 IR 소스
171 IR 방사선 180 경사전 벽의 배향성
181 기판의 법선과 경사진 벽(들)의 배향 간의 각도

Claims (15)

  1. 적외선(172)을 센싱하기 위한 적외선 센서 어셈블리(100; 200)에 있어서, 상기 센서 어셈블리는,
    - 기판 평면에서 연장되는 기판(160) 상에 또는 내장된 적어도 하나의 센싱 소자(150)와,
    - 적어도 하나의 센싱 소자(150)를 커버하기 위한 캡(110) - 캡(110)은 센서 어셈블리상에 방사선 입사를 수신하기 위한 상부 벽(101) 및 센싱 소자(150)를 호스팅하기 위해, 캡(110)과 기판(160) 사이의 캐비티를 형성하도록 구성된 복수의 캐비티 벽(130, 131)을 포함함 - 을 포함하되,
    적어도 하나의 상기 캐비티 벽(130)은, 상기 적어도 하나의 상기 캐비티 벽상의 내부 전반사를 유도하기 위하여, 수신하는 상부 벽(101)에 대한 각도(181)와 마주하고,
    적어도 하나의 상기 캐비티 벽(130)은 반사 코팅물(135)을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반사 코팅물은 금속 코팅물인 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리.
  3. 제 1 항에 있어서, 굴절률(n0)을 가진 외부 물질, 굴절률(n1)을 가진 캡 물질로 제조된 캡 및 굴절률(n2)을 가진 캐비티 채움 물질로 채워진 캐비티에 대해, 각도는 적어도 하나의 캐비티 벽과 기판 평면으로 만들어진 각도이고, 적어도 하나의 입사 각도(θ) 및 바람직하게는 모든 가능한 입사각에 대해,
    Figure pat00005
    의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리.
  4. 제 3 항에 있어서, 캐비티 채움 물질은 1.0과 상이한 굴절률(n2)을 가지는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리.
  5. 제 1 항에 있어서, 캡(110)은 어퍼처를 형성하기 위한 방향으로 배향된 적어도 하나의 추가적인 벽(131)을 포함하는데, 상기 어퍼쳐는 기판 평면의 법선을 따라 방사선 입사를 위해 캐비티(120)를 향하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리.
  6. 제 5 항에 있어서, 적어도 하나의 캐비티 벽(130)에 도포되는 반사 코팅물(135)은 추가적인 벽(131)에 걸쳐 부분적으로 연장되고, 추가적인 벽 안에 어퍼처(136)를 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리.
  7. 제 1 항에 있어서, 캡(110)은 반도체 물질, 가령, 실리콘 또는 게르마늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리.
  8. 제 7 항에 있어서, 내부 전반사를 야기하는 배향성(180)을 가진 적어도 하나의 캐비티 벽(130)은 캡의 반도체 물질의 크리스털 평면을 따라 배향되는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리.
  9. 제 7 항에 있어서, 내부 전반사를 야기하는 배향성을 가진 적어도 하나의 캐비티 벽은 기판 평면과 약 45° 또는 약 54.7°로 마주하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리.
  10. 제 1 항에 있어서, 캡(110)은, 캐비티(120)와 접하지 않은 벽(101)에, 상기 벽(101)의 일부에 걸쳐 연장되는 흡수 또는 반사 소자(102)를 포함하고, 방사선이 센싱 소자(105)에 의해 센싱되도록 하기 위한 어퍼처(103)를 형성한 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리.
  11. 적외선 센서 어셈블리(100; 200)를 제조하기 위한 방법에 있어서, 상기 방법은,
    적어도 하나의 센싱 소자(150)를 기판(160) 상에 또는 기판(160) 내에 제공하는 단계 - 기판은 기판 평면으로 연장됨 - 와,
    적어도 상부 벽(101) 및 복수의 캐비티 벽(130)을 포함하는 캡(110)을 제공하는 단계 - 캐비티 벽(130)은 반사 코팅물(135)을 포함함 - 와,
    캡을 기판상에 위치시키는 단계 - 캡(110)이 적어도 하나의 센싱 소자(150)를 커버하고, 복수의 캐비티 벽(130, 131)이 배열되어 캡 및 센싱 소자(150)를 호스팅하는 기판 사이에 캐비티(120)를 형성함 - 를 포함하되,
    적어도 하나의 상기 캐비티 벽(130)은, 방사선 입사를 위해, 상기 적어도 하나의 상기 캐비티 벽(130) 상의 내부 전반사를 유도하기 위하여, 수신하는 상부 벽(101)에 대한 각도(181)와 마주하도록 위치시키는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리를 제조하기 위한 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 굴절률(n0)을 가진 외부 물질, 굴절률(n1)을 가진 캡 물질로 제조된 캡 및 굴절률(n2)을 가진 캐비티 채움 물질로 채워진 캐비티에 대해, 각도는 적어도 하나의 캐비티 벽과 기판 평면으로 만들어진 각도이고, 적어도 하나의 입사 각도(θ) 및 바람직하게는 모든 가능한 입사각에 대해,
    Figure pat00006
    의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리를 제조하기 위한 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 방법은, 이방성 습식 에칭을 사용하여 적어도 하나의 캐비티 벽(130)을 형성하는 단계 및 적어도 하나의 캐비티 벽(130)에 반사 코팅물을 도포하는 단계 및 적어도 하나의 상기 캐비티 벽(130) 상에 상기 반사 코팅물을 패턴화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리를 제조하기 위한 방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 방법은, n2의 굴절률을 가진 캐비티 물질로 캐비티를 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리를 제조하기 위한 방법.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 방법은, 고정 물질을 사용하여 캡(110)을 기판(160)에 고정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서 어셈블리를 제조하기 위한 방법.
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