JP2016017794A - 光学センサとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光学センサにおいて、バラツキが少なく、所望のセンサ視野角を得ることができる。【解決手段】光学面を有する第1の層(13)と、センサ部(10)とを有する第2の層(1)と、第2の層(1)と接合され第2の層(1)に対し第1の層(13)と逆側に位置する第3の層(16)とを備える光学センサの製造方法において、第2の層(1)と第3の層(16)とを接合する接合工程と、接合工程の後、第2の層(1)の一面を研磨する研磨工程と、研磨工程の後、第2の層(1)に光を通過させる貫通孔(12)を設ける工程とを備える。【選択図】図1
Description
本発明は、例えば赤外線センサなどの光学センサとその製造方法に関する。
近年、ボロメータ、サーモパイル、ダイオード等を使用した非冷却型の熱型赤外線アレイセンサ、熱型赤外線ラインセンサ等の光学センサの開発、実用化が盛んに行われている(例えば、特許文献1及び2参照)。
これらのセンサは、中赤外から遠赤外の波長帯に感度を有するため、自動車向けの暗視カメラや、セキュリティ機器向けの人体検知センサ、電気電子機器の節電を目的とした人体検知センサ等に幅広く用いられている。これらの熱型赤外線センサは、主に赤外線吸収層と断熱構造体と温度センサの三つの要素から構成され、断熱構造体上に赤外線吸収層と温度センサを形成する構成が一般的である。断熱構造体は、MEMS(Micro-Electro Mechanical Systems)プロセス等により形成したブリッジ構造体やダイアフラム構造体などが一般的であり、この断熱構造体によって微弱な赤外線に対して十分な感度を得ることができる。また、これらのセンサをレンズと組み合わせて用いることにより、画角や検出範囲を調整し、様々なアプリケーションに適用されている。
図3Aは第1の従来例に係る裏面照射型の赤外線センサの縦断面図である。また、図3Bは図3Aの赤外線センサの平面図である。なお、図3Aは図3BのA−A’線についての縦断面図である。
図3Aにおいて、センサ基板1上に、断熱構造体2と赤外線吸収部3と温度センサ部4が形成されている。断熱構造体2は赤外線センサの感度を高める目的で、センサ基板1との熱絶縁性を向上するために形成されており、断熱構造体2の下部の基板はICP(Inductive Coupling Plasma)エッチング等の方法を用いて除去されている。赤外線吸収部3は赤外線を吸収する材料からなる薄膜で、断熱構造体2上に形成される。図3Aでは、赤外線吸収部3は、Si酸化膜や層間膜、Si窒化膜等を利用する構成となっている。可能であればセンサの裏面側に別途、金黒等の赤外線吸収膜を形成しても良い。温度センサ部4は、赤外線吸収部3で赤外線を吸収したことによる温度変化を捉えるために断熱構造体2条に形成されている。温度センサ部4はサーモパイル、ダイオード、ボロメータ、焦電体等の温度変動を検知できるものであればどのような方式のものでもよい。
図3Bにおいて、断熱構造体2は、4本の梁部5で薄膜部6を中空状態に支持する構成となっている。開口部7は梁部5、薄膜部6の形状を決めている。赤外線吸収部3は、断熱構造体2の薄膜部6と一体の構成となっている。図3Bでは一例として、サーモパイル型の温度センサ部4を示している。温度センサ部4は第1のサーモパイル材料8と第2のサーモパイル材料9とが交互に接続された構成となっている。前述の他方式の温度センサを用いる場合も同様に、断熱構造体2の薄膜部6上に温度センサを形成すればよい。
図4は第2の従来例に係る裏面照射型の赤外線センサの縦断面図である。以下、図4を参照して、当該裏面照射型の赤外線センサの視野角について説明する。
図4において、センサ基板1上に赤外線センサ部10が形成され、その周囲に周辺回路11が形成されている。赤外線センサ部10の詳細は図3A及び図3Bを参照して説明したのでここでは省略する。赤外線センサ部10の下部のセンサ基板1には、断熱構造体を形成するための開口部である貫通孔12が形成されており、この貫通孔12から赤外線が入射する。このとき、センサの視野角Bは、センサ基板1の厚さと、貫通孔12の開口サイズで決まってしまう。赤外線センサ部10の周辺には周辺回路11が形成されており、貫通孔12のサイズを大きくすると周辺回路11の下部までセンサ基板1が除去されてしまい、回路特性に影響が出てしまうため、貫通孔12のサイズを単純に大きくしてセンサの視野角を広げることは出来ない。
また、センサ基板1を研磨して基板厚さを薄くすることが考えられるが、製造工程における基板のハンドリング等に影響が出るため、そのままでは、この方法も採用することが難しい。また、赤外線センサにおいてもさらなる小型化が求められており、赤外線センサ部10を小型化しようとすると、貫通孔12のアスペクト比がさらに大きくなり、センサの視野角がより狭くなってしまうという問題点があった。
図5は第3の従来例に係る赤外線センサの縦断面図である。以下、図5を参照して裏面照射型赤外線センサの視野角とレンズの関係について説明する。
図5に示すように、赤外線集光用のレンズ13をセンサ基板1の裏面側に近接して設置する場合、レンズ13から赤外線センサ部10へと入射する赤外線のうち、貫通孔12よりも外側から赤外線センサ部10へと入射する赤外線は、センサ基板1に遮られて赤外線センサ部10に到達することができない。つまり、赤外線センサ部10の視野角が狭いために、レンズ13からの赤外線を効率よく受けることができない。レンズ13の有効径Cに対して、実質的には赤外線センサの視野角で決まる有効径Dしか使えておらず、赤外線光量の損失が大きい。
以上、図4及び図5を参照して説明したように、貫通孔12のアスペクト比を小さくし、赤外線センサの視野角Bを広げることは難しい。
本発明の目的は、光学センサにおいて、センサ視野角をより大きくすることができる光学センサの製造方法を提供することにある。
本発明に係る光学センサの製造方法は、光学面を有する第1の層と、センサ部とを有する第2の層と、前記第2の層と接合され前記第2の層に対し前記第1の層と逆側に位置する第3の層とを備える光学センサの製造方法において、
前記第2の層と前記第3の層とを接合する接合工程と、
前記接合工程の後、前記第2の層の一面を研磨する研磨工程と、
前記研磨工程の後、前記第2の層に光を通過させる貫通孔を設ける工程と、
を備えることを特徴とする。
前記第2の層と前記第3の層とを接合する接合工程と、
前記接合工程の後、前記第2の層の一面を研磨する研磨工程と、
前記研磨工程の後、前記第2の層に光を通過させる貫通孔を設ける工程と、
を備えることを特徴とする。
従って、本発明に係る光学センサの製造方法によれば、センサ視野角をより大きくすることができる光学センサの製造方法を提供することができる。
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。
図1は本発明の一実施形態に係る裏面照射型の赤外線センサの縦断面図である。図1において、本実施形態に係る赤外線センサは、赤外線センサ部10の裏面側に、所望のセンサ視野角が得られるようにシリコン基板であるセンサ基板1の膜厚を制御するために、加工方法工程を変更していることを特徴としている。具体的には、裏面照射型の光学センサにおいて、センサ基板1を下地ウェハであるパッケージ基板16との接合後にセンサ基板1の裏面をできるだけ薄く研磨する。このことにより他の影響を極力少なくして、バラツキが少なく、所望のセンサ視野角を得ることを特徴としている。
従来技術では、センサ基板1の裏面側に貫通孔12を形成した後、センサ基板1とパッケージ基板16やレンズ13を接合する工程において、貫通孔12をいかに上手く形成し、視野角を得ることが工夫されてきた。
これに対して、本実施形態は、貫通孔12を形成する前にパッケージ基板16を接合部17により貼り合わせ、強度を上げた状態で、赤外線センサ部10の裏面におけるセンサ基板1のアスペクト比をできるだけ落とすため薄く研磨することである。接合せずにただ、薄く削るだけでは、ワレ、欠けなどの不具合が発生する。また、図5の点線の丸の箇所のように、貫通孔12の角にあたる光は、100%ではないにしても、センサ基板1のシリコンを透過して赤外線センサ部10に届く可能性がある。このため有効径Dは、実際にはD+ΔDとなり、バラツキの要因となる。つまり、センサ部にて検知する赤外線光量についてのバラつきが課題として存在する。このときにポリッシュなどの鏡面仕上げではなく、例えば低粒性のラップ剤を用いたラップ仕上げにより、詳細後述する所定のしきい値以上の粗さとなるように、凹凸面からなり光を反射する反射面を有する反射層14が同時に形成され、遮光効果がある。
この反射層14は次の接合部17の強度向上の役割も持つ。センサ部の開口部が貫通孔12によって形成されていることである。したがって、本実施形態では、従来技術と構造を比べたところ、赤外線センサ部10のシリコン膜厚が薄く、アスペクト比が低いことと、反射層14があることが異なるが、その製法フローにおいて、以下に説明するように従来技術と大いに異なる。
図2A〜図2Fは図1の赤外線センサの各工程を示す縦断面図である。図2A〜図2Fを参照して図1の赤外線センサの製造プロセスの工程の一例について説明する。
(1)図2Aは、例えばシリコン基板(第2の層)であるセンサ基板1上に赤外線センサ部10と周辺回路11が形成された状態であり、通常のIC、LSIプロセスが終了した状態である。
(2)図2Bにおいて、センサ基板1の表面側に接合に必要なガラスフリットや金属薄膜などの接合部17を形成する。次いで、センサ基板1に接合部17を介してパッケージ基板16(第3の層)を貼り合わせる。通常このセンサ基板1はウェハレベルパッケージの台に相当し、セラミックやガラス、シリコンが材料で端子となるシリコン貫通電極(Through Silicon Via(TSV))、ガラス貫通電極(Through Glass Via(TGV))や端子メタルを有する。なお、センサ基板1の初期の厚さは600〜700μm程度、パッケージ基板16の厚さは400〜500μm程度となる。
(3)図2Cにおいて、センサ基板1とパッケージ基板16を接合部17を介して貼り合わした状態の後、センサ基板1の裏面から研磨を行う。このとき、研磨面はポリッシュと呼ばれる鏡面仕上げではなく、例えば低粒性のラップ剤(例えば、1200番の研磨剤)を用いて研磨面の粗いラップ仕上げとする。このため、研磨面は光に対して乱反射する凹凸面を有する反射層14が形成される。研磨については、接合前にセンサ基板1とパッケージ基板16の膜厚を確認しておく。接合後の膜厚は2つの基板1,16の和であるから、センサ基板1の研磨後の膜厚が一定になるように、パッケージ基板16の膜厚を加味して研磨量を決定することが望ましい。
(4)図2Dにおいて、接合されたセンサ基板1の裏面が十分薄く(たとえば100〜200μm程度)なった後、裏面に写真製版によりパターンをつけて、ICPエッチング法などでセンサ基板1を貫通させて光を通過させる貫通孔12を形成する。このときの加工条件は、センサ基板1の開口エリアに対して十分薄いためアスペクト比が低いので、もっとも簡単な異方性ドライエッチングの1回の処理のみで加工可能となる。
(5)図2Eにおいて、レンズ13を接合するための接合部15を反射層14の下面に形成する。
(6)別途加工形成された例えば凸レンズであるレンズ(第1の層)13を、接合部15を用いてセンサ基板1の裏面に貼り合わせを行い、3層ウェハレベルの赤外線センサのパッケージが完成する。なお、レンズ13は光を透過させる光学面を有する。
図2Dの工程における凹凸面を有する反射層14を形成するときの好ましい平面粗さの一例については、非特許文献1において定義された平均粗さ(Ra)及び最大粗さ(Rz)を用いて以下のように表すことができる。
(1)平均粗さ(Ra)の平均値は0.33μm、最大値は0.36μm、最小値は0.29μm。
(2)最大粗さ(Rz)の平均値は4.21μm、最大値は4.96μm、最小値は3.56μm。
(2)最大粗さ(Rz)の平均値は4.21μm、最大値は4.96μm、最小値は3.56μm。
これらの粗さは、いわゆるポリッシュと呼ばれる鏡面加工の粗さに比較して、平均粗さ(Ra)を2桁程度大きくなるように上記の粗さ(しきい値)以上に設定することが好ましい。これにより、反射層14の凹凸面を形成して光を乱反射して光の透過を抑えることができる。
以上のように構成された本実施形態に係る赤外線センサの製造方法によれば、裏面照射型の熱型赤外線センサにおいて、パッケージ基板16とセンサ基板1のウェハを接合後、センサ基板1の膜厚を薄くし、かつ研磨面の粗さを粗くする。これにより、通常のシリコンエッチングでも十分な開口が取れ、視野角を得ることができる。また、研磨表面を粗くすることにより、貫通孔12の開口部以外の場所に入った光は、反射層14の反射面で反射吸収され、透過しないため、より精度よく集光される。ここで、研磨表面を適度に粗くすることにより、後工程でのウェハ接合において、密着性が向上するという、2次的な効果も得られる。
なお、接合前にパッケージ基板16と研磨されるセンサ基板1のそれぞれの膜厚を測定し、研磨量を決めることにより、センサ基板1の裏面(シリコン面)から赤外線センサ部10までの距離をパッケージ基板16のバラツキに関係なく、正確にコントロールできる。センサ基板1のウェハに対して薄くなるようにSiエッチングを行うことは、パッケージ基板16の直下の周辺回路11の素子へのエッチングダメージを減らす効果もある。さらに、研磨面が粗いことは、金属やガラスなどの接合部15の接着剤の接触面積が増え、より接合強度が向上するメリットもある。
以上の本実施形態においては、赤外線センサについて説明しているが、本発明はこれに限らず、赤外線に限らず、可視光などを含む光学センサに広く適用することができる。
なお、本実施形態と特許文献2とは以下のように異なる。特許文献2は、ウェハ基板間に形成される気密封止空間に半導体素子などを収容した状態のウェハレベル半導体装置の製造方法に関する。特許文献2では、TSVなどのビアについて完全に貫通させた状態ではなく、ウェハを接合後、研磨する。これはスルーホールを形成するためのエッチング処理などの時間を削減することができるようにするためである(特許文献2の段落0069参照)。この技術はTSVの加工では一般的な技術となっている。すなわち、特許文献2は本発明と比べてウェハ接合後研磨をするところは似ているが、接合後ウェハを薄く仕上げ、貫通孔のアスペクト比を抑え、反射層を同時に形成するという本発明の目的及び効果とはまったく異なる。
裏面照射型の熱型赤外線センサの場合、センサ基板に貫通孔を形成し、基板裏面側から貫通孔を通して赤外線を入射する必要がある。貫通孔の形成は断熱構造体の形成を兼ねているために、貫通孔の開口サイズは断熱構造体のサイズとほぼ同程度であり、比較的アスペクト比が高い貫通孔形状となり、センサの視野角が非常に狭くなる。
また、赤外線センサ部の周辺には回路領域があるため、貫通孔のサイズを大きくしてアスペクト比を小さくすることにも限界がある。また、基板を研磨、あるいはエッチングして薄くし、貫通孔のアスペクト比を小さくすることが考えられるが、ワレなどにより基板のハンドリングが難しくなり、バラツキや工程増の問題があった。
さらに、貫通孔以外のところから入る光を完全に遮断できないので、視野角のバラツキの問題もあった。また後から接合するレンズとの気密性接合強度の確保も問題であった。そのために、従来技術に係る裏面照射型の熱型赤外線センサでは、レンズからセンサへと入射する赤外線が、センサの視野角で制限されてしまい、実質的なレンズの有効径が減少してレンズの集光機能が十分に得られず、センサ部で十分な赤外線光量を得ることができなかったり、バラツキの大きなものになるという問題があった。
上述した本実施形態により、以上の問題点を解決し、光学センサにおいて、バラツキが少なく、所望のセンサ視野角を得ることができる。
1…センサ基板、
10…赤外線センサ部、
11…周辺回路、
12…貫通孔、
13…レンズ、
14…反射層、
15…接合部、
16…パッケージ基板、
17…接合部。
10…赤外線センサ部、
11…周辺回路、
12…貫通孔、
13…レンズ、
14…反射層、
15…接合部、
16…パッケージ基板、
17…接合部。
日本工業標準調査会、JISB0601、「製品の幾何特性仕様(GPS)−表面性状:輪郭曲線方式−用語、定義及び表面性状パラメータ」、一般財団法人日本規格協会原案作成、1952年5月21日制定、2013年3月21日最新改正。
Claims (7)
- 光学面を有する第1の層と、センサ部とを有する第2の層と、前記第2の層と接合され前記第2の層に対し前記第1の層と逆側に位置する第3の層とを備える光学センサの製造方法において、
前記第2の層と前記第3の層とを接合する接合工程と、
前記接合工程の後、前記第2の層の一面を研磨する研磨工程と、
前記研磨工程の後、前記第2の層に光を通過させる貫通孔を設ける工程と、
を備えることを特徴とする光学センサの製造方法。 - 前記研磨工程にて、前記第2の層の一面に凹凸面を形成することを特徴とする請求項1に記載の光学センサの製造方法。
- 前記凹凸面は光の反射面であることを特徴とする請求項2記載の光学センサの製造方法。
- 前記研磨工程にて、前記第2の層の一面の粗さが、所定のしきい値より粗くなるように研磨することを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか1つに記載の光学センサの製造方法。
- 光学面を有する第1の層と、センサ部を有する第2の層と、前記第2の層と接合され前記第2の層に対し前記第1の層と逆側に位置する第3の層とを備える光学センサにおいて、
前記第2の層の一面は凹凸が形成されていることを特徴とする光学センサ。 - 前記第2の層の一面において凹凸が形成されている面は光の反射面であることを特徴とする請求項5記載の光学センサ。
- 前記第2の層の一面において凹凸が形成されている面の粗さは、所定のしきい値より粗いことを特徴とする請求項5又は6記載の光学センサ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2018179860A (ja) * | 2017-04-18 | 2018-11-15 | セイコーNpc株式会社 | 赤外線検出装置の製造方法 |
JP7438936B2 (ja) | 2017-08-31 | 2024-02-27 | テクノロギアン トゥトキムスケスクス ヴェーテーテー オイ | 熱型検出器及び熱型検出器アレイ |
US11988561B2 (en) | 2019-07-09 | 2024-05-21 | Heimann Sensor Gmbh | Method for producing a thermal infrared sensor array in a vacuum-filled wafer-level housing |
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2014
- 2014-07-07 JP JP2014139508A patent/JP2016017794A/ja active Pending
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