JP2007225932A - 赤外線通信用モジュール - Google Patents
赤外線通信用モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007225932A JP2007225932A JP2006047418A JP2006047418A JP2007225932A JP 2007225932 A JP2007225932 A JP 2007225932A JP 2006047418 A JP2006047418 A JP 2006047418A JP 2006047418 A JP2006047418 A JP 2006047418A JP 2007225932 A JP2007225932 A JP 2007225932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- infrared
- surface side
- lens
- base substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】第1の半導体ウェハを用いて形成され赤外線通信用の赤外線放射素子12よび赤外線通信用の赤外線検出素子13が一表面側に設けられたベース基板1と、第2の半導体ウェハを用いて形成されベース基板1の上記一表面側において赤外線放射素子12および赤外線検出素子13を囲む形でベース基板1の上記一表面側に接合されたカバー基板2とを備える。ベース基板1とカバー基板2との外形サイズが同じであり、カバー基板2において赤外線放射素子12および赤外線検出素子13それぞれに対向する各部位に第2の半導体ウェハの一部からなるレンズ部22,23が形成されている。
【選択図】 図1
Description
上述の光学基板202は、当該光学基板202の厚み方向を発光素子212および光ファイバ213の光軸方向に一致させる形で支持基板201の上記一表面側に配置され(つまり、支持基板201の上記一表面側に立設され)、上記厚み方向の一表面側において発光素子212に対向する部位にレンズ部222が形成されるとともに、光ファイバ213に対向する部位にレンズ部223が形成され、他表面側にレンズ部222からの光をレンズ部223側へ反射するミラー224が形成されている。ここにおいて、支持基板201の上記一表面側には、光ファイバ213を位置決めする位置決め溝215や光学基板202を位置決めする位置決め凹部216などが形成されている。なお、図5に示した構成では、光通信用デバイスとして、発光素子212と光ファイバ213とを備えているが、上記特許文献2には、光通信用デバイスとして、発光素子212および光ファイバ213の他にフォトダイオードからなる受光素子を備えた光通信用モジュールも開示されている。
Si+2HF+(2−n)h+→SiF2+2H++ne−
SiF2+2HF→SiF4+H2
SiF4+2HF→SiH2F6
すなわち、第2の半導体ウェハ20の陽極酸化では、Fイオンの供給量とホールh+の供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Fイオンの供給量の方がホールの供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールh+の供給量がFイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、本実施形態のように第2の半導体ウェハ20として導電形がp形のものを用いている場合には、陽極酸化による多孔質化の速度はホールh+の供給量で決まるから、第2の半導体ウェハ20中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部34の厚みが決まることになる。ここで、第2の半導体ウェハ20の上記他表面側では、陽極を兼ねる赤外線反射膜27の開孔部27a,27bそれぞれの開口面に直交する中心線から離れるほど電流密度が徐々に大きくなるような電流密度の面内分布を有することとなり、第2の半導体ウェハ20の上記他表面側に形成される多孔質部34は、赤外線反射膜27の開孔部27a,27bそれぞれの中心線に近くなるほど徐々に薄くなっている。
2 カバー基板
12 赤外線放射素子
13 赤外線検出素子
22 レンズ部
23 レンズ部
24 凹所
25 保護壁部
27 赤外線反射膜
28 多層干渉フィルタ
29 多層干渉フィルタ
72 光ファイバ
73 光ファイバ
Claims (9)
- 第1の半導体ウェハを用いて形成され赤外線通信用の赤外線放射素子および赤外線通信用の赤外線検出素子が一表面側に設けられたベース基板と、第2の半導体ウェハを用いて形成されベース基板の前記一表面側において赤外線放射素子および赤外線検出素子を囲む形でベース基板の前記一表面側に接合されたカバー基板とを備え、ベース基板とカバー基板との外形サイズが同じであり、カバー基板において赤外線放射素子および赤外線検出素子それぞれに対向する各部位に第2の半導体ウェハの一部からなるレンズ部が形成されてなることを特徴とする赤外線通信用モジュール。
- 前記各レンズ部の表面に、所望の波長域の赤外線を透過する多層干渉フィルタが形成されてなることを特徴とする請求項1記載の赤外線通信用モジュール。
- 前記カバー基板は、前記各レンズ部が形成されていない部位に赤外線を反射する赤外線反射膜が形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の赤外線通信用モジュール。
- 前記カバー基板は、前記各レンズ部それぞれにおける前記ベース基板側とは反対側の表面が凸曲面状に形成され、前記ベース基板側とは反対側に前記各レンズ部を囲み前記各レンズ部の頂部よりも突出した保護壁部が形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の赤外線通信用モジュール。
- 前記赤外線放射素子は、前記ベース基板に形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の赤外線通信用モジュール。
- 前記第1の半導体ウェハおよび前記第2の半導体ウェハがシリコンウェハからなることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の赤外線通信用モジュール。
- 前記各レンズ部は、所望のレンズ形状に応じてパターン設計した陽極を前記第2の半導体ウェハの一表面側に形成し、電解液中において前記第2の半導体ウェハの他表面側に対向配置した陰極との間に通電して前記第2の半導体ウェハの前記他表面側を多孔質化することで除去部位となる多孔質部を形成し、当該多孔質部を除去することにより形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の赤外線通信用モジュール。
- 前記各レンズ部は、所望のレンズ形状に応じてパターン設計した絶縁層を前記第2の半導体ウェハの一表面側に形成し、前記第2の半導体ウェハの前記一表面側において絶縁層および前記一表面の露出部位を覆う導電性層からなる陽極を形成した後、電解液中において前記第2の半導体ウェハの他表面側に対向配置した陰極との間に通電して前記第2の半導体ウェハの前記他表面側を多孔質化することで除去部位となる多孔質部を形成し、当該多孔質部を除去することにより形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の赤外線通信用モジュール。
- 前記各レンズ部は、所望のレンズ形状に応じてパターン設計した絶縁層を前記第2の半導体ウェハの一表面側に形成し、第2の半導体ウェハの前記一表面および絶縁層の表面に接する通電用の電解液中に配置した通電用電極と前記第2の半導体ウェハの他表面側で陽極酸化用の電解液中に配置した陰極との間に通電して前記第2の半導体ウェハの前記他表面側を多孔質化することで除去部位となる多孔質部を形成し、当該多孔質部を除去することにより形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の赤外線通信用モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006047418A JP4765663B2 (ja) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | 赤外線通信用モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006047418A JP4765663B2 (ja) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | 赤外線通信用モジュールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007225932A true JP2007225932A (ja) | 2007-09-06 |
JP4765663B2 JP4765663B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=38547814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006047418A Expired - Fee Related JP4765663B2 (ja) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | 赤外線通信用モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4765663B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007292722A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体レンズおよびそれを用いた赤外線検出装置、半導体レンズの製造方法 |
JP2008128912A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出装置およびその製造方法 |
WO2012005852A2 (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-12 | Lightwire, Inc. | Vent structures for encapsulated components on an soi-based photonics platform |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103605192B (zh) * | 2013-11-29 | 2015-07-15 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种光学耦合装置及其制作方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5513960A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Nec Corp | Mesa forming method |
JPH04111367A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 直線状の配光曲線を有する発光ダイオードと発光ダイオードアレー |
JPH0454102U (ja) * | 1990-09-14 | 1992-05-08 | ||
JPH05133803A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-05-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出素子 |
JPH07159660A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Alps Electric Co Ltd | 光通信用発光モジュール |
JPH07294777A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
JPH10209414A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 熱型赤外線イメージセンサ |
JP2000124505A (ja) * | 1999-11-11 | 2000-04-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光モジュ―ル |
JP2000263556A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-26 | Canon Inc | マイクロレンズ用金型の作製方法及びそれを用いたマイクロレンズの作製方法 |
JP2003207695A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Sharp Corp | 光通信モジュール及び一芯双方向光通信モジュール |
JP2005020029A (ja) * | 2004-10-12 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線データ通信モジュールの製造方法 |
JP2005038956A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光部品とその製造方法 |
EP1569276A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-08-31 | Heptagon OY | Micro-optics on optoelectronics |
-
2006
- 2006-02-23 JP JP2006047418A patent/JP4765663B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5513960A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Nec Corp | Mesa forming method |
JPH04111367A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | 直線状の配光曲線を有する発光ダイオードと発光ダイオードアレー |
JPH0454102U (ja) * | 1990-09-14 | 1992-05-08 | ||
JPH05133803A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-05-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出素子 |
JPH07159660A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Alps Electric Co Ltd | 光通信用発光モジュール |
JPH07294777A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
JPH10209414A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 熱型赤外線イメージセンサ |
JP2000263556A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-26 | Canon Inc | マイクロレンズ用金型の作製方法及びそれを用いたマイクロレンズの作製方法 |
JP2000124505A (ja) * | 1999-11-11 | 2000-04-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光モジュ―ル |
JP2003207695A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Sharp Corp | 光通信モジュール及び一芯双方向光通信モジュール |
JP2005038956A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光部品とその製造方法 |
EP1569276A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-08-31 | Heptagon OY | Micro-optics on optoelectronics |
JP2005020029A (ja) * | 2004-10-12 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線データ通信モジュールの製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007292722A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体レンズおよびそれを用いた赤外線検出装置、半導体レンズの製造方法 |
JP2008128912A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出装置およびその製造方法 |
WO2012005852A2 (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-12 | Lightwire, Inc. | Vent structures for encapsulated components on an soi-based photonics platform |
WO2012005852A3 (en) * | 2010-06-29 | 2012-04-12 | Lightwire, Inc. | Vent structures for encapsulated components on an soi-based photonics platform |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4765663B2 (ja) | 2011-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4950513B2 (ja) | 赤外線デバイス集積装置の製造方法 | |
JP4571405B2 (ja) | 電子部品の作製方法 | |
US9343447B2 (en) | Optically pumped sensors or references with die-to-package cavities | |
KR102350757B1 (ko) | 패브리 페로 간섭 필터 | |
WO2017154773A1 (ja) | 光検出装置 | |
JP5260858B2 (ja) | 赤外線検出装置の製造方法 | |
US20100002987A1 (en) | Optical module mounted with wdm filter | |
JP2008128913A (ja) | 赤外線検出装置 | |
JP2001060677A (ja) | 集積化フォトセンサ | |
JP4765663B2 (ja) | 赤外線通信用モジュールの製造方法 | |
US20140285671A1 (en) | Infrared imaging device and infrared imaging module | |
JP2005286004A (ja) | 半導体光検出素子及びその製造方法 | |
JP4579868B2 (ja) | 光集積回路 | |
JP5331759B2 (ja) | 赤外線撮像素子及びその製造方法 | |
JP3918868B2 (ja) | 半導体レンズの製造方法 | |
TWI649588B (zh) | 用於微鏡晶片的安裝體,反射鏡裝置及製造反射鏡裝置的方法 | |
TWI470670B (zh) | 紅外光源 | |
JP2010251588A (ja) | 光送信装置およびその製造方法 | |
JP4877239B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2012103206A (ja) | 赤外線センサモジュールおよびその製造方法 | |
JP5276458B2 (ja) | 赤外線センサ | |
JP7139401B2 (ja) | 光検出装置 | |
JP2013231738A (ja) | 検出装置 | |
JP2011027643A (ja) | 赤外線センサ | |
EP1892772A2 (en) | Multi-channel photocoupling device and producing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100617 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110530 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |