JPS59121982A - 太陽電池装置 - Google Patents
太陽電池装置Info
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- JPS59121982A JPS59121982A JP57228131A JP22813182A JPS59121982A JP S59121982 A JPS59121982 A JP S59121982A JP 57228131 A JP57228131 A JP 57228131A JP 22813182 A JP22813182 A JP 22813182A JP S59121982 A JPS59121982 A JP S59121982A
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- Japan
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- solar cell
- solar cells
- isolation layers
- insulating isolation
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高起電圧を発生しうる太陽電池装置に関する
ものである。
ものである。
従来の太陽電池は、受光面積を変化させることにより出
力電流を変化させることはできる。例えば、3インチウ
エノ・ではIA程度の電流が得られるが、これを4イン
チウエノ・にすることにより2A程度の電流を得るよう
にすることはできる。このように、従来の太陽電池は受
光面積を変化させることにより、出力電流を変化させる
ことは可能であるが、出力電圧を変化させることは不可
能であり、1セルの太陽電池から0.5 V以h(開放
電圧)の高起電圧を発生させることはできなかった。
力電流を変化させることはできる。例えば、3インチウ
エノ・ではIA程度の電流が得られるが、これを4イン
チウエノ・にすることにより2A程度の電流を得るよう
にすることはできる。このように、従来の太陽電池は受
光面積を変化させることにより、出力電流を変化させる
ことは可能であるが、出力電圧を変化させることは不可
能であり、1セルの太陽電池から0.5 V以h(開放
電圧)の高起電圧を発生させることはできなかった。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、1
枚の半導体基板が絶縁分離層で複数の領域に区分されて
いて各領域に太陽電池が形成され、形成された太陽電池
が直列接続されている太陽電池装置をその要旨とするも
のである。
枚の半導体基板が絶縁分離層で複数の領域に区分されて
いて各領域に太陽電池が形成され、形成された太陽電池
が直列接続されている太陽電池装置をその要旨とするも
のである。
すなわち、この太陽電池装置は、上記のように構成され
ているため、高起電圧を得ることができるのである。
ているため、高起電圧を得ることができるのである。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて詳しく説明する
。
。
第1図はこの発明の一実施例の構成図である3、図にお
いて、1枚のウェハにリング状の絶縁分離層A、−=C
が同心円状に設けられており、その同心円の中心を通っ
て線状の絶縁分離層1〜8が設けられている、これらの
リング状絶縁分離層A、−Cおよび線状絶縁分離層1〜
8によりウェハが複数の領域51〜S24に区分され、
その区分された各領域51〜S24に太陽電池が形成さ
れ直列に接続されている。このようにして、太陽電池装
置が構成されている。
いて、1枚のウェハにリング状の絶縁分離層A、−=C
が同心円状に設けられており、その同心円の中心を通っ
て線状の絶縁分離層1〜8が設けられている、これらの
リング状絶縁分離層A、−Cおよび線状絶縁分離層1〜
8によりウェハが複数の領域51〜S24に区分され、
その区分された各領域51〜S24に太陽電池が形成さ
れ直列に接続されている。このようにして、太陽電池装
置が構成されている。
ここで、太陽電池の出力電流を最大にするために、各太
陽電池sl”’ S24の面積は、すべて等しく設定さ
れている。
陽電池sl”’ S24の面積は、すべて等しく設定さ
れている。
このように、この太陽電池装置は、1枚のウェハをリン
グ状絶縁分離層A、−Cおよび線状絶縁分離層1〜8に
より複数の領域51〜S24に区分し、この区分された
各領域に太陽電池を形成して直列接続しているため、高
起電圧が得られるのである。
グ状絶縁分離層A、−Cおよび線状絶縁分離層1〜8に
より複数の領域51〜S24に区分し、この区分された
各領域に太陽電池を形成して直列接続しているため、高
起電圧が得られるのである。
例えば、上記ウェハとして、3インチウェハ(通常3イ
ンチウェハではIA程度の電流が得られ、かつ05■の
出刃電圧が得られる)を用い、これにS1〜S24の太
陽電池を形成して直列接続したとすると、出力電圧およ
び出力電流はつぎのとおりになる。
ンチウェハではIA程度の電流が得られ、かつ05■の
出刃電圧が得られる)を用い、これにS1〜S24の太
陽電池を形成して直列接続したとすると、出力電圧およ
び出力電流はつぎのとおりになる。
出力電圧; 0.5VX24(S1〜S24)−12V
出力電流;1.OA÷24 (51〜S24 ) =0
.04 Aなお、上記の実施例では、1枚のウニ/Sを
24分割しているが、分割数は丘記に限るもので(まな
い。また、分割態様もリング状の絶縁分離層A〜Cと線
状の絶縁分離層1〜8とを組み合せて行うものに限るも
のではない。
出力電流;1.OA÷24 (51〜S24 ) =0
.04 Aなお、上記の実施例では、1枚のウニ/Sを
24分割しているが、分割数は丘記に限るもので(まな
い。また、分割態様もリング状の絶縁分離層A〜Cと線
状の絶縁分離層1〜8とを組み合せて行うものに限るも
のではない。
ところで、1枚のウエノ・を複数の領域に区0分した太
陽電池装置を、物体をその大きさによって選別する選別
装置の選別センサとして用いることもできる。例えば、
第2図に示すように、1枚のウェハにリング状の絶縁分
離層A、Cを同心円状に設けてSl、S2.S3の太陽
電池を形成し、その太陽電池S1 + S2 + S3
に電極” l b l Cを設け、それらの電極λ、b
、cにそれぞれリード線1,2.3を設けて選別センサ
として用いるようにしてもよい。第3図は、この太陽電
池選別センサを利用して物品の形状を選別する例を示し
ている。図において、10は矢印り方向に移行するコン
ベアであり、11は矢印のように平行光線を投射する光
源、12はその光源11の光を受けるセンサ部で、この
センサ部12に第2図の太陽電池選別センサが配設され
ている。この太陽電池選別センサのリード線1,2.3
は制御部13に接続されている。
陽電池装置を、物体をその大きさによって選別する選別
装置の選別センサとして用いることもできる。例えば、
第2図に示すように、1枚のウェハにリング状の絶縁分
離層A、Cを同心円状に設けてSl、S2.S3の太陽
電池を形成し、その太陽電池S1 + S2 + S3
に電極” l b l Cを設け、それらの電極λ、b
、cにそれぞれリード線1,2.3を設けて選別センサ
として用いるようにしてもよい。第3図は、この太陽電
池選別センサを利用して物品の形状を選別する例を示し
ている。図において、10は矢印り方向に移行するコン
ベアであり、11は矢印のように平行光線を投射する光
源、12はその光源11の光を受けるセンサ部で、この
センサ部12に第2図の太陽電池選別センサが配設され
ている。この太陽電池選別センサのリード線1,2.3
は制御部13に接続されている。
14は選別機であり、制御部13と接続線13aで連絡
されており、制御部13からの出力信号によシコンベア
10上を流れてくる物体15をその大きさに従がってラ
イン1a12a13aに区別して流すようになっている
。より詳しく述べると、光源11より投射される平行光
線は物体15が通過する際にさえぎられる。ここで、光
によりさえぎられる面積は物体15の大きさに比例する
ため、大きさが変化するとさえぎられる光の量もそれに
応じて変化する。そのため、センサから出力される電流
が変化する。例えば、第2図の太陽電池選別センサにお
いて、物体が平行光をさえぎらない場合には、Sl、S
2.S3に平行光が当るためリード線1.2.3に電流
が出力される。しかし、物体が光をさえぎる場合であっ
てその物体の大きさが51を隠すだけの大きさである場
合には、Slには光が当らず、S2.S3には光が当る
ため、リード線2および3に電流が出力される、そして
、通過する物体の大きさがさらに大きく太陽電池選別セ
ンサのSlおよびS2を隠す大きさである時には、Sl
r ”2に光が当らすS3のみに光が当るためリード
線3にのみ電流が出力される、したがって、このような
電流の変化を制御部13が検出しそれによって選別機1
4を制御し、コンベア10上を流れや物体15をその大
きさによってライン1 a + 2a、3aに区別して
流しうるのである。このように、太陽電池選別センサを
用いる場合には、従来のメカ的なセンサ(物体に接触す
るセンサ)のように選別回数の増加に伴う接触不良、破
損等のトラブルが起きないため、信頼性が大幅に向上す
るようになる。
されており、制御部13からの出力信号によシコンベア
10上を流れてくる物体15をその大きさに従がってラ
イン1a12a13aに区別して流すようになっている
。より詳しく述べると、光源11より投射される平行光
線は物体15が通過する際にさえぎられる。ここで、光
によりさえぎられる面積は物体15の大きさに比例する
ため、大きさが変化するとさえぎられる光の量もそれに
応じて変化する。そのため、センサから出力される電流
が変化する。例えば、第2図の太陽電池選別センサにお
いて、物体が平行光をさえぎらない場合には、Sl、S
2.S3に平行光が当るためリード線1.2.3に電流
が出力される。しかし、物体が光をさえぎる場合であっ
てその物体の大きさが51を隠すだけの大きさである場
合には、Slには光が当らず、S2.S3には光が当る
ため、リード線2および3に電流が出力される、そして
、通過する物体の大きさがさらに大きく太陽電池選別セ
ンサのSlおよびS2を隠す大きさである時には、Sl
r ”2に光が当らすS3のみに光が当るためリード
線3にのみ電流が出力される、したがって、このような
電流の変化を制御部13が検出しそれによって選別機1
4を制御し、コンベア10上を流れや物体15をその大
きさによってライン1 a + 2a、3aに区別して
流しうるのである。このように、太陽電池選別センサを
用いる場合には、従来のメカ的なセンサ(物体に接触す
るセンサ)のように選別回数の増加に伴う接触不良、破
損等のトラブルが起きないため、信頼性が大幅に向上す
るようになる。
なお、太陽電池選別センサのパターンは、選別する物体
に応じて、第4図に示すように、リング状絶縁分離層A
、−Cをそれぞれすこしづつ下方にずらすように位置さ
せてもよいし、第5図に示すように、半円状にしてもよ
い。
に応じて、第4図に示すように、リング状絶縁分離層A
、−Cをそれぞれすこしづつ下方にずらすように位置さ
せてもよいし、第5図に示すように、半円状にしてもよ
い。
以上のように、この発明の太陽電池装置は、1枚の半導
体基板が絶縁分離層で複数の領域に区分されていて各領
域に太陽電池が形成され、形成された太陽電池が直列接
続されているため、絶縁分離層による分割数を変化させ
ることにより、所望の出力電圧を得ることができる。し
たがって、1セルの太陽電池でモス回路の電源等高電圧
、低電流電源として使用しうるようになり、極めて大き
な効果が得られるようになる。
体基板が絶縁分離層で複数の領域に区分されていて各領
域に太陽電池が形成され、形成された太陽電池が直列接
続されているため、絶縁分離層による分割数を変化させ
ることにより、所望の出力電圧を得ることができる。し
たがって、1セルの太陽電池でモス回路の電源等高電圧
、低電流電源として使用しうるようになり、極めて大き
な効果が得られるようになる。
第1図はこの発明の一実施例の構成図、第2図および第
3図は太陽電池装置を物品の選別に利用する場合の説明
図、第4図および第5図は太陽電池選別センサの変形例
の構成図である。 A、−C・・・リング状絶縁分離層 1〜8・・・線状
絶縁分離層 51〜S24 ・・・太陽電池代理人
弁理士 松 本 武 彦
3図は太陽電池装置を物品の選別に利用する場合の説明
図、第4図および第5図は太陽電池選別センサの変形例
の構成図である。 A、−C・・・リング状絶縁分離層 1〜8・・・線状
絶縁分離層 51〜S24 ・・・太陽電池代理人
弁理士 松 本 武 彦
Claims (3)
- (1)1枚の半導体基板が絶縁分離層で複数の領域に区
分されていて各領域に太陽電池が形成され、形成された
太陽電池が直列接続されている太陽電池装置、。 - (2)複数の領域が、半導体素子に同心円状に設けられ
た複数のリング状絶縁分離層とこの複数のリング状絶縁
分離層のリングの中心を通る複数の線状絶縁分離層とに
より形成されている特許請求の範囲第1項記載の太陽電
池装置。 - (3)複数の領域の受光面の面積が、それぞれ同一にな
るように設定されている特許請求の範囲第1項または第
2項記載の太陽電池装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57228131A JPS59121982A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 太陽電池装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57228131A JPS59121982A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 太陽電池装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59121982A true JPS59121982A (ja) | 1984-07-14 |
Family
ID=16871695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57228131A Pending JPS59121982A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 太陽電池装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59121982A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0444693A2 (en) * | 1990-03-02 | 1991-09-04 | Mitutoyo Corporation | Portable type measuring instrument with solar batteries |
US5128736A (en) * | 1988-01-12 | 1992-07-07 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Light sensitive semiconductor device |
US5716459A (en) * | 1995-12-13 | 1998-02-10 | Hughes Aircraft Company | Monolithically integrated solar cell microarray and fabrication method |
EP2015371A1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-14 | British Telecommunications Public Limited Company | Conversion of optical energy |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5370856A (en) * | 1976-12-07 | 1978-06-23 | Maki Mfg Co Ltd | Shadowing concentration method and apparatus for shape of fruits or vegetables |
JPS5518285A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | Automatic sorter |
JPS5613777A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-10 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric converter |
JPS56137682A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Hitachi Ltd | Solar power-generating device |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57228131A patent/JPS59121982A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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EP0779660A3 (en) * | 1995-12-13 | 1998-11-04 | Spectrolab, Inc. | Monolithically integrated solar cell microarray and fabrication method |
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