SU928269A1

SU928269A1 - Датчик магнитного пол Вальтаса И.А.

Info

Publication number: SU928269A1
Application number: SU792838568A
Authority: SU
Inventors: Исаак Абелевич Вальтас
Priority date: 1979-11-16
Filing date: 1979-11-16
Publication date: 1982-05-15
Also published as: SU1046720A1

Description

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано в устройствах автоматики и измерительной технике.

Известен датчик магнитного поля, * содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными в ее торцах, и областью с повышенной скоростью поверхностной . рекомбинации носителей тока, расположенной на одной из граней пластины и занимающей половину ее площади, выходной электрод, установленный между областями с различными скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока [1] .

Недостатком известного датчика .является сравнительно низкая чувствительность к магнитному полю из-за малого пути прохождения носителей тока и однопорядкового изменения сопротивлений обеих частей пластины.

Цель изобретения - повышение чувствительности датчика магнитного поля.

Для достижения поставленной цели в датчике магнитного поля содержащем полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными на ее торцах, двумя, равными по площади, областями с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, на одной из граней выходной электрод на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопроводящий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикулярной грани токопроводящим растром.

Кроме того, для наибольшего увеличения чувствительности, скорости поверхностной рекомбинации носителей ток.< выбраны из соотношения Sm/Э_г% 20, где S/ - скорость по928269 верхностной рекомбинации носителей тока одной области, S_t - скорость поверхностной рекомбинации носителей тока другой области.

На чертеже изображен предлагаемый датчик.

Датчик содержит полупроводниковую пластину 1, к торцам 2 которой присоединены электроды токовые 3. Грань 4 пластины 1 имеет область 5 с повышенной и область 6 с меньшей скоростями поверхностной рекомбинации носителей тока, занимающие соответствующую половину площади грани 4. На половину грани 7 пластины 1 нанесен токопроводящий раст 8^ крайний проводник 9 которого служит основанием выходного электрода 10. Отношение скоростей поверхностной рекомбинации области 5 и области 6 выбрано не меньшим двадцати. Скорость поверхностной рекомбинации на грани 11, параллельной грани 4, такая же как в области 6.

Датчик работает следующим образом .

При воздействии магнитного поля параллельно грани 4 на пластину 1, по которой между контактами 3 и по растру 8 протекает электрический ток, происходит перераспределение носителей тока в сочетании между гранями 4 и 11. При этом изменение сопротивления части 1 с растром 8 значительно превышает изменение сопротивления другой части пластины 1. Разнос/' ный сигнал частей пластины 1 пропорционален значению напряженности воз4 действующего на датчик магнитного поля.

При отношении скоростей поверхностной рекомбинации насителей тока, 5 не меньшем двадцати, чувствительность на два порядка превышает чувствительность датчика, выбранного в качестве прототипа.

Claims

Изобретение относитс к приборостроению и может быть использовано в устройствах автоматики и измерител ной технике. Известен датчик магинтного пол , содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными в ее торцах, и областью повышенной скоростью поверхностной peкo бинaции носителей тока, распол женной на одной из граней пластины и занимающей половину ее площади выходной электрод, установленный между област ми с различными скорост ми поверхностной рекомбинации носителей тока 1 . Недостатком известного датчика . вл етс сравнительно низка чувствительность к магнитному полю из-за малого пути прохождени носителей тока и однопор дкового изменени со ротивлений обеих частей пластины. Цель изобретени - повышение чувствительности датчика магнитного пол . Дл достижени поставленной цели в датчике магнитного пол содержащем полупроводниковую пластину с токовыми электродами, установленными на ее торцах, двум , равными по площади, област ми с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, на одной из граней выходной электрод на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопровод щий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикул рной грани токопровод щим растром. Кроме того, дл наибольшего увеличени чувствительности, скорости поверхностной рекомбинации носителей токд, выбраны из соотношени Sm/Sjj % 20, где S/ - скорость поверхностной рекомбинации носителей тока одной области, S - скорость поверхностной рекомбинации носителе тока другой области. На чертеже изображен предлагаемый датчик. Датчик содержит полупроводниковую пластину 1, к торцам 2 которой присоединены электроды токовые 3. Грань Ц пластины 1 имеет область 5 с повышенной и область 6 с меньшей скорост ми поверхностной рекомбинации носителей тока, занимающие соответствующую половину площади грани Ц, На половину грани 7 пластины 1 нанесен токопровод щий раст крайний проводник 9 которого служит основанием выходного электрода 10. Отношение скоростей поверхностной рекомбинации области 5 и области 6 выбрано не меньшим двадцати. Скорос поверхностной рекомбинации на грани 11, параллельной грани Ц, така же как в области 6. Датчик работает следующим образом . При воздействии магнитного пол параллельно грани k на пластину 1, которой между контактами 3 и по рас ру 8 протекает электрический ток, происходит перераспределение осителей тока в сочетании между гран ми «и 11. При этом изменение сопро тивлени части 1 с растром 8 значительно превышает изменение сопротив лени другой части пластины 1 . Разн ный сигнал частей пластины 1 пропор ционален значению напр женности воз действующего на датчик магнитного пол . При отношении скоростей поверхностной рекомбинации насителей тока, не меньшем двадцати, чувствительность на два пор дка превышает чувствительность датчика, выбранного в качестве прототипа. Формула изобретени 1.Датчик магнитного пол , содержащий полупроводниковую пластину с токовыми электродами на ее торцах, двум равными по площади,област ми с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока, на одной из граней выходной электрод, отличающийс тем, что, с целью повышени чувствительности, на половине грани полупроводниковой пластины выполнен токопровод щий растр, а область с повышенной скоростью поверхностной рекомбинации носителей тока расположена на одной из граней пластины, перпендикул рной грани с токопровод щим растром.
2.Датчик поп.1,отличающ и и с тем, что скорости поверхностной рекомбинации носителей тока выбраны из соотношени 20 , где Si , S 2. -скорости поверхностной рекомбинации носителей тока соответствующих областей. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № , fcn. G 01 G 33/02, 1975.