JPS59119821A - 幅射線照射装置 - Google Patents
幅射線照射装置Info
- Publication number
- JPS59119821A JPS59119821A JP22838282A JP22838282A JPS59119821A JP S59119821 A JPS59119821 A JP S59119821A JP 22838282 A JP22838282 A JP 22838282A JP 22838282 A JP22838282 A JP 22838282A JP S59119821 A JPS59119821 A JP S59119821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding plate
- rays
- light source
- intensity distribution
- curve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔l)発明の技術分野
本発8JHよ棒状光源、詳しくは棒状光源がらの赤外線
可視光、紫外線の如き輻射線を軸対称楕円型反射鏡で反
射させて線状に集光するとき、第2の焦点線に沿って輻
射強度を自由に変えうる如くに構成した輻射線照射装置
に関する。
可視光、紫外線の如き輻射線を軸対称楕円型反射鏡で反
射させて線状に集光するとき、第2の焦点線に沿って輻
射強度を自由に変えうる如くに構成した輻射線照射装置
に関する。
(2)技術の背景
例えば半導体ウェハのアニール、複写機の光源或いはビ
ニールシートの硬化などに、第1図の斜視図に示される
タングステンランプ、カーボンヒータ、紫外線ランプの
如き棒状光源が用いられ、同図において、1は棒状光源
、2は反射鏡、また矢印を付した線は光路を示す。反射
鏡2は楕円筒型反射鏡で、図にFlで示す前記楕円の第
1の焦点から延びる焦点線に棒状光源を配置すると、光
は、第1の焦点線に共役な図にF2で示す焦点から延び
る第2の焦点線に集光する。
ニールシートの硬化などに、第1図の斜視図に示される
タングステンランプ、カーボンヒータ、紫外線ランプの
如き棒状光源が用いられ、同図において、1は棒状光源
、2は反射鏡、また矢印を付した線は光路を示す。反射
鏡2は楕円筒型反射鏡で、図にFlで示す前記楕円の第
1の焦点から延びる焦点線に棒状光源を配置すると、光
は、第1の焦点線に共役な図にF2で示す焦点から延び
る第2の焦点線に集光する。
(3)従来技術と問題点
第1図の棒状光源において、集光した光の強度分布は、
一般に中央で高(中央では両方の光が集まるから)、両
端部で低(例えば両端のソケットから逃げるから)とな
り、一定にならない。その状態は第2図に示され、同図
において、横軸χは焦点線F2の一方端からの距離、縦
軸I(χ)は光強度を示し、曲線aは第1図の光源を用
いたときの焦点線の光強度を示す。
一般に中央で高(中央では両方の光が集まるから)、両
端部で低(例えば両端のソケットから逃げるから)とな
り、一定にならない。その状態は第2図に示され、同図
において、横軸χは焦点線F2の一方端からの距離、縦
軸I(χ)は光強度を示し、曲線aは第1図の光源を用
いたときの焦点線の光強度を示す。
例えば半導体ウェハをアニールするときは、第1図に示
す位置につ江ハ3をおき、それを矢印Wで示す方向に移
動させて第2の焦点線によりウェハ3を走査するのであ
るが、第2の焦点線の強度が、第2図に曲線すで示され
る如(、ウェハの中央部分で低く、縁部分で高くなるこ
とが希望されることがあり、また場合によっては、第2
図に線Cで示す如く第2の焦点線に沿って一定であるこ
とが要求されることもある。第1図の棒状光源をそのま
ま用いたのでは前記した要求に対応することができない
。
す位置につ江ハ3をおき、それを矢印Wで示す方向に移
動させて第2の焦点線によりウェハ3を走査するのであ
るが、第2の焦点線の強度が、第2図に曲線すで示され
る如(、ウェハの中央部分で低く、縁部分で高くなるこ
とが希望されることがあり、また場合によっては、第2
図に線Cで示す如く第2の焦点線に沿って一定であるこ
とが要求されることもある。第1図の棒状光源をそのま
ま用いたのでは前記した要求に対応することができない
。
(4)発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、棒状光源からの輻射
線を軸対称楕円型反射で第2の焦点線で線状に集光する
とき、第2の焦点線に沿って輻射強度を自由に変更しう
る棒状光源を提供することを目的とする。
線を軸対称楕円型反射で第2の焦点線で線状に集光する
とき、第2の焦点線に沿って輻射強度を自由に変更しう
る棒状光源を提供することを目的とする。
(5)発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、棒状光源から出射し
た輻射線の一部を遮蔽板により遮ることにより前記輻射
線が所望の輻射強度分布で試料面を照射することにした
ことを特徴とする輻射線照射装置を提供することによっ
て達成される。
た輻射線の一部を遮蔽板により遮ることにより前記輻射
線が所望の輻射強度分布で試料面を照射することにした
ことを特徴とする輻射線照射装置を提供することによっ
て達成される。
(6)発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
先ず第2図の線Cに示される如く第2の焦点線において
平坦なすなわち一定の強度分布を得るためには、第3図
の斜視図に示す如く、第2図の曲線aのとる強度I(χ
)に相対的に対応した曲線を縁とする遮蔽板4を光路の
途中に入れて、光を中央で多く端部を少なく、すなわち
、第3図の遮蔽板4の幅をK(χ)としたとき K(χ)OCI(χ)になるように言周整する。なお第
3図と次の第4図において、既に図示した部分と同じ部
分は同一符号を付して表示する。
平坦なすなわち一定の強度分布を得るためには、第3図
の斜視図に示す如く、第2図の曲線aのとる強度I(χ
)に相対的に対応した曲線を縁とする遮蔽板4を光路の
途中に入れて、光を中央で多く端部を少なく、すなわち
、第3図の遮蔽板4の幅をK(χ)としたとき K(χ)OCI(χ)になるように言周整する。なお第
3図と次の第4図において、既に図示した部分と同じ部
分は同一符号を付して表示する。
また、第2図の曲線すに示される強度分布を得たいとき
は、K(χ)を遮蔽板の中央で大にすれば、強度分布は
中央で凹にすることができる。
は、K(χ)を遮蔽板の中央で大にすれば、強度分布は
中央で凹にすることができる。
遮蔽板は第3図に示される如く光路の一方側に配置して
も、または第4図の本発明の他の実施例にみられる如く
光路の両側に配置してもよい。
も、または第4図の本発明の他の実施例にみられる如く
光路の両側に配置してもよい。
なお同図(alは同実施例の側断面図、そのfblは遮
蔽板の平面図を示す。
蔽板の平面図を示す。
第4図(alから理解されうる如く、遮蔽板4は、反射
光のみならず光源からの直接光をも遮るので、かなりの
量の光に当てられる。遮蔽の効率をよくするためには遮
蔽板4を光吸収率の大なるもので作るのであるが、そう
すると遮蔽板4はかなり高温に加熱されるので、遮蔽板
4には冷却水を通して過熱することのないようにする。
光のみならず光源からの直接光をも遮るので、かなりの
量の光に当てられる。遮蔽の効率をよくするためには遮
蔽板4を光吸収率の大なるもので作るのであるが、そう
すると遮蔽板4はかなり高温に加熱されるので、遮蔽板
4には冷却水を通して過熱することのないようにする。
なお、光の強度分布は第2図に示されるものに限られず
、遮蔽板4の縁の形状を適宜選定することにより任意の
強度分布を得ることが可能である。
、遮蔽板4の縁の形状を適宜選定することにより任意の
強度分布を得ることが可能である。
(7)発明の効果
以上詳細に説明した如く、本発明の棒状光源においては
、棒状光源からの輻射線を軸対称楕円型反射鏡で線状に
集光するとき、縁の形状が変化する遮蔽板を輻射線の光
路に配置し輻射線を遮ることにより、第2の焦点線に集
光した輻射線の強度を自由に変えることが可能となり、
半導体装置のアニール、プラスチックの硬化、複写機、
塗装印刷等の均一紫外線照射に有効である。
、棒状光源からの輻射線を軸対称楕円型反射鏡で線状に
集光するとき、縁の形状が変化する遮蔽板を輻射線の光
路に配置し輻射線を遮ることにより、第2の焦点線に集
光した輻射線の強度を自由に変えることが可能となり、
半導体装置のアニール、プラスチックの硬化、複写機、
塗装印刷等の均一紫外線照射に有効である。
第1図は軸対称楕円型反射鏡を用いる棒状光源の斜視図
、第2図は光強度分布を示す線図、第3図は第1図に類
似の本発明実施例の斜視図、第4図(a)は本発明の他
の実施例の側断面図、同 図(blは当該実施例の遮蔽
板の平面図である。 1・・・棒状光源、2−反射鏡、 3・・−ウェハ、4−遮蔽板
、第2図は光強度分布を示す線図、第3図は第1図に類
似の本発明実施例の斜視図、第4図(a)は本発明の他
の実施例の側断面図、同 図(blは当該実施例の遮蔽
板の平面図である。 1・・・棒状光源、2−反射鏡、 3・・−ウェハ、4−遮蔽板
Claims (1)
- 棒状光源から出射した輻射線の一部を遮蔽板により遮る
ことにより前記輻射線が所望の輻射強度分布で試料面を
照射するようにしたことを特徴とする輻射線照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22838282A JPS59119821A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 幅射線照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22838282A JPS59119821A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 幅射線照射装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59119821A true JPS59119821A (ja) | 1984-07-11 |
Family
ID=16875587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22838282A Pending JPS59119821A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 幅射線照射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59119821A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5757482A (en) * | 1980-08-12 | 1982-04-06 | Nippon Electric Co | Heater |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP22838282A patent/JPS59119821A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5757482A (en) * | 1980-08-12 | 1982-04-06 | Nippon Electric Co | Heater |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4504323A (en) | Method for annealing semiconductors with a planar source composed of flash discharge lamps | |
JPS5891422A (ja) | 光ビ−ム均一化装置 | |
JPS6237350A (ja) | 表面熱処理装置 | |
JPS56100412A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
EP0080067A2 (en) | Optical beam concentrator | |
EP0754976A3 (en) | Surface activating process, and device and lamp for performing said process | |
US3600553A (en) | Method and apparatus for heating a plurality of closely spaced discrete zones by a single energy source | |
JP2546712B2 (ja) | 光ビーム加熱加工装置 | |
JPS59119821A (ja) | 幅射線照射装置 | |
US4707773A (en) | Parallel light moving type exposure apparatus | |
JPS6226572B2 (ja) | ||
JPS55150239A (en) | Heat treating method | |
JPS6226571B2 (ja) | ||
WO2004010221A2 (en) | Apparatus and method providing substantially two-dimensionally uniform irradiation | |
JPS57118881A (en) | Laser scanning device | |
CA1224839A (en) | X-ray lithography | |
JPS57124430A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS62143426A (ja) | 光照射装置 | |
JP4419377B2 (ja) | フラッシュランプ光照射装置 | |
JPH10188647A (ja) | 紫外線硬化装置 | |
JPH0429739A (ja) | 紫外線照射装置 | |
US4415955A (en) | Irradiation apparatus utilizing linear radiation sources | |
JPH053019A (ja) | シヨ−トア−クのメタルハライドランプ装置 | |
JPH0588119A (ja) | 紫外線照射装置 | |
JPH1073784A (ja) | 紫外線照射装置 |