JPS62143426A - 光照射装置 - Google Patents

光照射装置

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JPS62143426A
JPS62143426A JP28293485A JP28293485A JPS62143426A JP S62143426 A JPS62143426 A JP S62143426A JP 28293485 A JP28293485 A JP 28293485A JP 28293485 A JP28293485 A JP 28293485A JP S62143426 A JPS62143426 A JP S62143426A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wafer
ultraviolet rays
irradiation device
processed
Prior art date
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Pending
Application number
JP28293485A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Sukou
一行 須向
Masayuki Kojima
雅之 児島
Kuniko Miyazawa
宮沢 邦子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP28293485A priority Critical patent/JPS62143426A/ja
Publication of JPS62143426A publication Critical patent/JPS62143426A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、光照射技術、特に、半導体装置の製造におけ
るウェハ処理において、フォI・レジストが被着された
ウェハ表面に紫外線を照射する工程に適用して有効な技
術に関する。
[背景技術] たとえば、半導体装置の製造におけるウェハ処理工程に
おいては、露光および現像処理などを経ることによって
ウェハ表面を所定のパターンに隠蔽するように被着され
たフォトレジストに、所定の波長域の紫外線を照射して
硬化させ、後のドライ・エツチングやイオン注入処理な
どにおける耐熱性などを向上させることが行われる場合
がある。
この場合、ウェハ表面に被着されたフォトレジストに紫
外線を照射する方法としては、たとえば、低圧水銀ラン
プなどの光源から放射される紫外線を、光源に対して静
止されるウェハの全面にわたって直接照射することが考
えられるが、ウェハの各部における紫外線の照度が不均
一となり、ウェハ表面に被着されたフォトレジストの硬
化の程度に過不足を生したり、照射される紫外線の照度
を大きくすることができず、フォトレジストを効率良く
硬化させることができないなど種々の欠点があることを
本発明者は見い出した。
なお、半導体装置の製造におけるウェハ処理について説
明されている文献としては、株式会社工業調査会、昭和
59年11月20日発行「電子材料J 1000年11
月号別冊、P67〜P71がある。
[発明の目的] 本発明の目的は、被処理物に照射される光の照度の増加
および均一化が可能な光照射技術を提供することにある
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
[発明の目的] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡η1に説明すれば、次の通りである。
すなわち、光源から放射される光を、光収束手段によっ
て所定の比較的大きな照度に収束して被処理物の所定の
部位に照射するとともに、被処理物が位置される載置台
を移動させ、被処理物における光の照射位置を適宜変化
させることにより、所定の照度の光が被処理物の全域に
わたって均一に照射されるようにして、被処理物に照射
される光の照度の増加および均一化を可能にしたもので
ある。
[実施例] 第1図は、本発明の一実施例である光照射’AHの要部
を示す説明図である。
本体1の内部には、駆動モータ2によって図の左右方向
および紙面に垂直な方向に移動されるXYテーブル3 
(載置台)が設けられている。
このXYテーブル2の上には、フォトレジスト(図示せ
ず)などによって表面を所定のパターンに隠蔽されたウ
ェハ4(被処理物)が着脱自在に位置されている。
XYテーブル3の内部には、ヒータ5が設けられ、XY
テーブル3の上に位置されるウェハ4が所定の温度で均
一に加熱されるように構成されている。
さらに、XYテーブル3の上方には、所定の波長域の紫
外vA6(光)を放射する、たとえば低圧水銀ランプな
どの光源7が設けられている。
この場合、ウェハ4が載置されるXYテーブル3と光t
A7との間には、凸レンズ形のレンズ8 (光収束手段
)が介設され、光源7から放射された紫外線6が該レン
ズ8により所定の照度に収束されてウェハ4の所定の部
位に照射される構造とされている。
このレンズ8は、たとえば紫外線透過ガラスなどで構成
され、所定9波長域の紫外線6が吸収されることなく透
過されるものである。
また、XYテーブル3とレンズ8との間には、中央部に
紫外線6を透過させる透明な窓部9が装着された隔壁1
0が設けられ、レンズ8の上方に設けられた光′rX7
から発生される熱などによってXYテーブル3の上にi
fされたウェハ4の温度分布が不均一になることが防止
されている。
以下、本実施例の作用について説明する。
始めに、XYテーブル3に載置されるウェハ4がヒータ
5によって所定の温度に均一に加熱され、XYテーブル
3を適宜移動させることによってウェハ4の所定の部位
がレンズ8の軸に一致される。
次に、光源7が点灯され、該光源7から放射された紫外
線6は、レンズ8によって収束され、照度が増加されて
ウェハ4の所定の部位に照射され、ウェハ4の表面を所
定のパターンに隠蔽して被着されたフォトレジスト(図
示せず)は、照度が増加された紫外線6のエネルギによ
って効率良く硬化される。
そして、所定の時間毎に、XYテーブル3は逐次所定の
方向に所定の距離だけ移動して停止する動作を繰り返し
、ウェハ4の表面全域にわたって紫外線6が均一な照度
で照射される。
このように本実施例においては、光R7とウエハ4との
間に、光rJ7から放射される紫外線6を収束してウェ
ハ4に照射するレンズ8が介設されているため、ウェハ
4に照射される紫外線6の照度を比較的大きな所定の値
に増加させることができ、さらに、XYテーブル3によ
ってウェハ4を適宜移動させることにより、ウェハ4の
全域に照度が増加された紫外線6を均一に照射できる。
このため、照度が増加された紫外線6の照射によって、
ウェハ4の表面に被着されたフォトレジストの硬化が効
率良く行われるとともに、照度が増加された紫外線6の
均一な照射によってウェハ4の各部におけるフォトレジ
ストの硬化が、過不足なく所定の程度に均一に行われる
この結果、後のドライ・エツチングやイオン注入処理な
どにおいてウェハ4の表面を所定のパターンに隠蔽する
フォトレジストが、ウェハ4の温度上昇などによって損
傷されることが防止されるとともに、ドライ・エツチン
グやイオン注入処理などの後に行われるフォトレジスト
の剥離処理などにおいてフォトレジストの過度に硬化さ
れた部分がウェハ表面に残存するなどの障害が回避でき
る。
なお、XYテーブル3によるウエノ\4の移動動作は、
nj記の如く間歇的に行う方法に限らず、XYテーブル
3を所定の速度で連続的に移動させ、ウェハ4に照射さ
れる紫外線6が酸ウニ/X4の全面を走査するようにし
ても良い。
[実施例2] 第2図は、本発明の他の実施例である光照」・1装置の
要部を示す説明図である。
本実施例2においては、光源7からXYテーブル3の上
に載置されたウェハ4に至る光路に、平面鏡11および
凹面鏡12 (光収束手段)が設けられ、光源7から放
射される紫外線6が該凹面鏡12によって収束された後
にウェハ4の所定の部位に照射されるように構成されて
いるところが前記実施例1の場合と異なる。
このように、紫外線6が凹面鏡12に反射されることに
よって収束されることにより、光源7から平面鏡11お
よび凹面鏡12を経てウニ/X4に至る間の紫外線6の
照度の低下を比較的小さくでき、ウェハ4に照射される
紫外線6の照度をより大きくでき、ウェハ4の表面に被
着されたフォトレジストの、紫外線6の照射による硬化
がより効率良く行われる。
[効果] (1)、光源から被処理物に至る光路に介設され、前記
光源から放射される光を収束して前記被処理物に照射す
る光収束手段と、前記光源および光収束手段に対して相
対的に移動可能にされ、前記被処理物が載置される載置
台とを有する構造であるため、被処理物に照射される光
の照度を増加させることができるとともに、S!載置台
よって被処理物を適宜移動させることにより被処理物の
全域に、照度が増加された光を均一に照射できる。
(2)、前記(1)の結果、ウェハの表面に被着された
フォトレジストの硬化が、照度が増加された紫外線の照
射によって効率良く行われるとともに、ウェハの各部に
おけるフォトレジストの硬化が、照度が増加された紫外
線の一様な照射によって過不足なく所定の程度に均一に
行われる。
(3)、前記(2)の結果、後工程のドライ・工・ノチ
ングやイオン注入処理などにおいてウェハの表面を所定
のパターンに隠蔽するフォトレジストが、ウェハの温度
上昇などによって損傷されることが防止されるとともに
、ドライ・エツチングやイオン注入処理などの後に行わ
れるフォトレジストの剥離処理などにおいてフォトレジ
ストの過度に硬化された部分がウェハ表面に残存するな
どの障害が回避できる。
(4)、前記(1)〜(3)の結果、ウェハ処理工程に
おける生産性が向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、光収束手段としては、レンズあるいは凹面鏡
などに躍らず、他のいかなるものであっても良く、さら
に、被処理物に対する光の照射位置を変化させる方法と
しては、被処理物側を静止させ、光源側を移動させても
良い。
[利用分野] 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置のウェハ
処理工程における紫外線照射技術に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、照度の
比較的大きな光を均一に照射することが必要とされる技
術に広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例である光照射装置の要部を
示す説明図、 第2図は、本発明の他の実施例である光照射装置の要部
を示す説明図である。 1・・・本体、2・・・駆動モータ、3・・・XYテー
ブル(載置台)、4・・・ウェハ(被処理物)、5・・
・ヒータ、6・・・紫外線(光)、7・・・光源、8・
・・レンズ(光収束手段)、9・・・窓部、10・・・
隔壁、11・・・平面鏡、12・・・凹面鏡(光収束手
段)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光源から被処理物に至る光路に介設され、前記光源
    から放射される光を収束して前記被処理物に照射する光
    収束手段と、前記光源および光収束手段に対して相対的
    に移動可能にされ、前記被処理物が載置される載置台と
    を有することを特徴とする光照射装置。 2、前記光収束手段が、レンズであることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の光照射装置。 3、前記光収束手段が、凹面鏡であることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の光照射装置。 4、前記載置台に、該載置台上に位置される被処理物を
    所定の温度に加熱する加熱手段が設けられていることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光照射装置。 5、前記光および被処理物が、それぞれ紫外線およびウ
    ェハであり、前記光照射装置が、該ウェハの表面に被着
    されたフォトレジストを紫外線の照射によって硬化させ
    る光照射装置であることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の光照射装置。
JP28293485A 1985-12-18 1985-12-18 光照射装置 Pending JPS62143426A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5288684A (en) * 1990-03-27 1994-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photochemical vapor phase reaction apparatus and method of causing a photochemical vapor phase reaction
WO2015137364A1 (ja) * 2014-03-14 2015-09-17 独立行政法人産業技術総合研究所 プラズマ処理装置
JP2017034118A (ja) * 2015-08-03 2017-02-09 東京応化工業株式会社 紫外線照射装置及び紫外線照射方法
JP2017037169A (ja) * 2015-08-10 2017-02-16 東京応化工業株式会社 紫外線照射装置、レジストパターン形成装置、紫外線照射方法及びレジストパターン形成方法

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