JPS59117126A - ベ−パ乾燥機 - Google Patents
ベ−パ乾燥機Info
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- JPS59117126A JPS59117126A JP22614782A JP22614782A JPS59117126A JP S59117126 A JPS59117126 A JP S59117126A JP 22614782 A JP22614782 A JP 22614782A JP 22614782 A JP22614782 A JP 22614782A JP S59117126 A JPS59117126 A JP S59117126A
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- alcohol
- wafer
- dried
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はベーパ乾燥機に関する。
一般に、半導体装置の製造通程においては、ウェハやマ
スク等について洗浄と乾燥が縦ｐ返し実力偵賂ハるが、
ウェハ等は自然乾燥させると、乾燥が段階的に進行して
木の年輪のような乾燥進行模様が推量される場合がある
ため、強制的に乾燥させることが行なわれている。
スク等について洗浄と乾燥が縦ｐ返し実力偵賂ハるが、
ウェハ等は自然乾燥させると、乾燥が段階的に進行して
木の年輪のような乾燥進行模様が推量される場合がある
ため、強制的に乾燥させることが行なわれている。
このような強制乾燥を実施する装置として、第１図に示
すようなベーパ乾燥機がある。
すようなベーパ乾燥機がある。
第１図において、この乾燥機は上面が開放した乾燥室２
を形成し、た槽１を備えており、この＠１の底部にはイ
ソピロピルアルコール（以下、アルコールという。）３
が留められている。このアルコール３は槽１の真下に設
備されたヒータ５に加熱されてベーパ４を発生する。槽
１の突内上部には冷却用バイブロが環状に敷設され、こ
のバイブロにより冷却されると、ベーパ４は凝結して露
状にな、！７滴下する。
を形成し、た槽１を備えており、この＠１の底部にはイ
ソピロピルアルコール（以下、アルコールという。）３
が留められている。このアルコール３は槽１の真下に設
備されたヒータ５に加熱されてベーパ４を発生する。槽
１の突内上部には冷却用バイブロが環状に敷設され、こ
のバイブロにより冷却されると、ベーパ４は凝結して露
状にな、！７滴下する。
そして、洗浄工程を終えて浸潤状態にあるウェハ７がホ
ルダ８に保持された状態で適轟な・・ンドリング手段９
によって＠１の室内に搬入されると、ベーパ４はウェハ
７の表面に付着する。このアルコールベーパは揮発（父
化）し易く、かつ脱水作用を備えているから、揮発時に
ウェハｋｉＷ潤している水分または液分全随伴蒸発婆せ
でウェハ衝乾燥婆せる。
ルダ８に保持された状態で適轟な・・ンドリング手段９
によって＠１の室内に搬入されると、ベーパ４はウェハ
７の表面に付着する。このアルコールベーパは揮発（父
化）し易く、かつ脱水作用を備えているから、揮発時に
ウェハｋｉＷ潤している水分または液分全随伴蒸発婆せ
でウェハ衝乾燥婆せる。
し７かしながら、従来のこのようなベーパ乾燥機にあっ
ては、初期においてウニ・・に付着したベーパがウニ・
・表面の水分に溶は込んで涙滴状になって槽底部のアル
コール中に滴下し混入してしまうため、アルコールベー
パの純度の低下や、アルコール沸点の上昇を招来すると
いう欠点があった。
ては、初期においてウニ・・に付着したベーパがウニ・
・表面の水分に溶は込んで涙滴状になって槽底部のアル
コール中に滴下し混入してしまうため、アルコールベー
パの純度の低下や、アルコール沸点の上昇を招来すると
いう欠点があった。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解決し、ベーパ
水滴のアルコールへの混入を防止することができるベー
パ乾燥機を提供するにある。
水滴のアルコールへの混入を防止することができるベー
パ乾燥機を提供するにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
第２図は本発明によるベーパ乾燥機の一実雄例を示す縦
断面図である。
断面図である。
本実施例において、槽１０はベーパ発生室１１と乾燥室
１２とを形成するように構成でれている。
１２とを形成するように構成でれている。
両室１１と１２とは互に連通ずるように横方向に隣接し
て並設きｔておシ、ベーパ発生室１１の底部にはアルコ
ール３が留められている。すなわち、乾燥室１２の水平
断面はアルコール３の液面に全く投影されない状態でア
ルコール３の真上空間に隣接している。槽１０外部のベ
ーパ発生室１１の真下にはヒータ５が設備されている。
て並設きｔておシ、ベーパ発生室１１の底部にはアルコ
ール３が留められている。すなわち、乾燥室１２の水平
断面はアルコール３の液面に全く投影されない状態でア
ルコール３の真上空間に隣接している。槽１０外部のベ
ーパ発生室１１の真下にはヒータ５が設備されている。
槽１０の乾燥室１２の底部には排出漏斗部１３が形成さ
れている。槽１０の乾燥室１２の上面は開口しており、
開口面付近の内周には冷却用バイブロが環状に敷設され
ている。この冷却用バイブロの真下には樋１４が室壁か
ら突出して環状に敷設されておシ、この樋１４の先は廃
棄溝（不図示）に導ひかれている。
れている。槽１０の乾燥室１２の上面は開口しており、
開口面付近の内周には冷却用バイブロが環状に敷設され
ている。この冷却用バイブロの真下には樋１４が室壁か
ら突出して環状に敷設されておシ、この樋１４の先は廃
棄溝（不図示）に導ひかれている。
次に作用を駁明する。
ヒータ５にエシ力ロ熱芒れると、アルコール３はベーパ
４を発生し１、このベーパ４けベーパ発生室１１からこ
れに隣接して連通ずる乾燥室１２に至シ充満する。洗浄
工程を終えて湿潤状態にある被乾燥物としてのウニノ）
７はホルダ（図示省略）に保持された状態で適当な−・
ンドリング手段（図示省略）によって上面開口から乾燥
室１２内に収容をｊる。このウニノ・７の表面に前記ベ
ーパ４が付着シ、ウェー・全湿潤している水分または液
分を随伴蒸発させてウェー・を乾燥させる。
４を発生し１、このベーパ４けベーパ発生室１１からこ
れに隣接して連通ずる乾燥室１２に至シ充満する。洗浄
工程を終えて湿潤状態にある被乾燥物としてのウニノ）
７はホルダ（図示省略）に保持された状態で適当な−・
ンドリング手段（図示省略）によって上面開口から乾燥
室１２内に収容をｊる。このウニノ・７の表面に前記ベ
ーパ４が付着シ、ウェー・全湿潤している水分または液
分を随伴蒸発させてウェー・を乾燥させる。
第２し１に示すように、ベーパ付着の初期においてはウ
ェハに付着したベーパがウェハ表面の水分に溶は込み涙
滴状になって滴下するが、この液滴は乾燥室１２の底部
の漏斗部１３から外部に枡出芒ハ、ベーパ発生室１１底
部に留ったアルコール３中に混入することは全くない。
ェハに付着したベーパがウェハ表面の水分に溶は込み涙
滴状になって滴下するが、この液滴は乾燥室１２の底部
の漏斗部１３から外部に枡出芒ハ、ベーパ発生室１１底
部に留ったアルコール３中に混入することは全くない。
ベーパ４が冷却バイブロに接触すると、ベーパ４は液滴
になり肥大化して乾燥室１２の内面に沿って流下し、樋
１４かも外部へ導ひかれ適宜処理謬れる。
になり肥大化して乾燥室１２の内面に沿って流下し、樋
１４かも外部へ導ひかれ適宜処理謬れる。
本実施例によれは、ベーパの液滴はアルコール中に混入
することがないので、アルコールベーパの純度の低下や
、アルコール沸点の変動全防止することができ、ウニ・
・の清浄度全所期以上に維持でき、しいては半導体装置
の歩留りを向上婆せることができる。
することがないので、アルコールベーパの純度の低下や
、アルコール沸点の変動全防止することができ、ウニ・
・の清浄度全所期以上に維持でき、しいては半導体装置
の歩留りを向上婆せることができる。
第３１ン１は本発明の他の＠施例を示すものであり、前
記実施例とは、槽１０の乾燥室１２の上部に不燃性ノｊ
スパージボノクス１５ｉ備えている点が異なる。
記実施例とは、槽１０の乾燥室１２の上部に不燃性ノｊ
スパージボノクス１５ｉ備えている点が異なる。
このボックス１５は槽１０の乾燥室１２の上部に固定的
に被着されたカバー１６と、カバー１６の土壁に開閉自
在に軸支された扉１７と、カバー１６の側壁に開設され
た適Ｖのパージノズル１Ｂと、カバー１６の土壁に開設
された適敬の排偲口１９とを備えている。パージノズル
１８かう’ｄ Ｎ ？またはＡｒ等の不燃性ガスが噴き
込まれ、排免口１９からは適当量の排免が行なわれ、ボ
ックス１５内には不燃性ガスが一定圧で充満されている
。
に被着されたカバー１６と、カバー１６の土壁に開閉自
在に軸支された扉１７と、カバー１６の側壁に開設され
た適Ｖのパージノズル１Ｂと、カバー１６の土壁に開設
された適敬の排偲口１９とを備えている。パージノズル
１８かう’ｄ Ｎ ？またはＡｒ等の不燃性ガスが噴き
込まれ、排免口１９からは適当量の排免が行なわれ、ボ
ックス１５内には不燃性ガスが一定圧で充満されている
。
本実施例によれば、ボックス内に不燃性ガスが充満され
ているので、引火点の低いアルコールベーパと大気とが
完全に遮断され、引火の危険性が除去されるとともに、
大急中の塵埃等の乾燥室への侵入が防止できる。
ているので、引火点の低いアルコールベーパと大気とが
完全に遮断され、引火の危険性が除去されるとともに、
大急中の塵埃等の乾燥室への侵入が防止できる。
第４図は本発明の別の他の実施例を示すもので、前記実
施例とは、槽１０の乾燥室１２の上部に不燃性ガスの膜
層２０を形成し得るように構成した点が異なる。
施例とは、槽１０の乾燥室１２の上部に不燃性ガスの膜
層２０を形成し得るように構成した点が異なる。
この槽１０の冷却用バイブロの上方には不燃性ガス吹Ｕ
′１０２１と吸込口２２とが互に対向するように開設さ
力ておジ、吹出口２１からのガスは吸込口２２に述わ′
を的に吸込まれ、エアカーテンのような膜層を形成する
。
′１０２１と吸込口２２とが互に対向するように開設さ
力ておジ、吹出口２１からのガスは吸込口２２に述わ′
を的に吸込まれ、エアカーテンのような膜層を形成する
。
本実施例によれば、不燃性ガスの膜層が形成されてアル
コールベーパと犬偲とが完全に連断されるので、引火の
危険性が除去でき、塵埃の侵入も防止できる。
コールベーパと犬偲とが完全に連断されるので、引火の
危険性が除去でき、塵埃の侵入も防止できる。
なお、被乾燥物はウェハに限定されるもので（ｄ庁く、
また、ベーパもアルコールを加熱して発生さｈる揚台に
限定されるものではない。
また、ベーパもアルコールを加熱して発生さｈる揚台に
限定されるものではない。
以上説明したように、本発明によれば、ベーパの原液の
汚染や変質を防止することができる。
汚染や変質を防止することができる。
第１図は従来例を示す縦断面図、
第２Ｉ￥１は本発明の一実施例を示す縦断面図、第３図
は本発明の他の実施例を示す縦断面図、第４図は本発明
の別の他の実施例を示す部分縦断面図である。 １０・・・槽、１１・・・ベーパ発生室、１２・・・乾
燥室、１３・・・漏斗部、１４・・・材１．１５・・・
不燃性ガスパージボックス、２０・・・不燃性ガス膜層
。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
は本発明の他の実施例を示す縦断面図、第４図は本発明
の別の他の実施例を示す部分縦断面図である。 １０・・・槽、１１・・・ベーパ発生室、１２・・・乾
燥室、１３・・・漏斗部、１４・・・材１．１５・・・
不燃性ガスパージボックス、２０・・・不燃性ガス膜層
。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (3)
- （１）４１９内に搬入さハた被乾燥物に揮発性を有する
液体のベーパを接馳させて乾燥させるベーパ乾燥機にお
いて、前記槽内における被乾燥物の乾燥位置を前記液体
の貯留上方空間から隔離したことを特徴とするベーパ乾
燥機。 - （２）槽の最上部が、不燃性ガスパージボックスを有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記ｉ・ｙのべ
」パ乾燥機。 - （３）槽の最上部が、不燃性ガスの膜層を有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のベーパ乾燥様。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22614782A JPS59117126A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | ベ−パ乾燥機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22614782A JPS59117126A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | ベ−パ乾燥機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117126A true JPS59117126A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16840590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22614782A Pending JPS59117126A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | ベ−パ乾燥機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117126A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143428A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 半導体ウエハの処理装置 |
| JPS62150827A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 表面処理装置 |
| JPS62195128A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置 |
| JPS62142843U (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | ||
| US5052126A (en) * | 1990-06-21 | 1991-10-01 | Rolf Moe | Vapor drier for semiconductor wafers and the like |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP22614782A patent/JPS59117126A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143428A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 半導体ウエハの処理装置 |
| JPS62150827A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 表面処理装置 |
| JPS62195128A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置 |
| JPS62142843U (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | ||
| US5052126A (en) * | 1990-06-21 | 1991-10-01 | Rolf Moe | Vapor drier for semiconductor wafers and the like |
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