JPS59117108A - 気相成長装置 - Google Patents
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- JPS59117108A JPS59117108A JP22588982A JP22588982A JPS59117108A JP S59117108 A JPS59117108 A JP S59117108A JP 22588982 A JP22588982 A JP 22588982A JP 22588982 A JP22588982 A JP 22588982A JP S59117108 A JPS59117108 A JP S59117108A
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- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は常圧で気相反応を行なわせ羞板つエノ・上に気
相成長層を形成する気相成長装置の改良に関する。
相成長層を形成する気相成長装置の改良に関する。
反応容器内に基体ウェハを収納し、鍋温に加熱しながら
原料ガスを導入することによって基体ウェハ上に気相成
長層を形成する気相成長方法は、特にＬＳＩ製造プロセ
ス等半導体工業の分野において広く適用されている。気
相成長方法で形成される成長層としては例え（・ゴ、シ
リコン酸化膜（Ｓｉ０２）、窒化シリコン膜（Ｓｉ３Ｎ
４）、多結晶シリコン膜（ＳＬ）、燐ガラス（ＰＳＧ）
、酸素ドーゾ多結晶ノリコン膜、単結晶シリコン（Ｓｉ
）などがるる、このような気相成長層は、一般に、可燃
性、腐蝕性及び有毒性ガスを原料とすること、４００Ｃ
〜１２００ Ｃの高温度に加熱する必要があること、形
成する薄膜に均一性が要求されることなどの理由から通
常、基体ウェハ企一定数反応谷器内に収納して処理する
バッチ方式によって形成されている。しかしながら、バ
ッチ方式には１バツチの処理１ｊヒカに限度がめり、ま
ｌこスルーグツトにも難点かめることからコスト低減の
防げとなつ−Ｃいる。この様な問題を解消する方策の一
つとして、基体ウェハτ減圧状態に保つことによって均
一性を向上し、且つ処理枚数を増やす減圧気相成長方法
などの新たなバッチ方式が提案され、８１０２、多結晶
／リコ／、単結晶シリコンの形成に利用されつつある。
原料ガスを導入することによって基体ウェハ上に気相成
長層を形成する気相成長方法は、特にＬＳＩ製造プロセ
ス等半導体工業の分野において広く適用されている。気
相成長方法で形成される成長層としては例え（・ゴ、シ
リコン酸化膜（Ｓｉ０２）、窒化シリコン膜（Ｓｉ３Ｎ
４）、多結晶シリコン膜（ＳＬ）、燐ガラス（ＰＳＧ）
、酸素ドーゾ多結晶ノリコン膜、単結晶シリコン（Ｓｉ
）などがるる、このような気相成長層は、一般に、可燃
性、腐蝕性及び有毒性ガスを原料とすること、４００Ｃ
〜１２００ Ｃの高温度に加熱する必要があること、形
成する薄膜に均一性が要求されることなどの理由から通
常、基体ウェハ企一定数反応谷器内に収納して処理する
バッチ方式によって形成されている。しかしながら、バ
ッチ方式には１バツチの処理１ｊヒカに限度がめり、ま
ｌこスルーグツトにも難点かめることからコスト低減の
防げとなつ−Ｃいる。この様な問題を解消する方策の一
つとして、基体ウェハτ減圧状態に保つことによって均
一性を向上し、且つ処理枚数を増やす減圧気相成長方法
などの新たなバッチ方式が提案され、８１０２、多結晶
／リコ／、単結晶シリコンの形成に利用されつつある。
しかしながら、近年、ＬＳＩ生産が増大し、更に、コス
ト低減と歩留シ向上全目的とする基体ウェハ直径の大口
径化（φ１２５〜１５０職）の傾向に６るが、前述の減
圧方式の気相成長によっても均一性向上の点で対応が困
難と゛な９つつある。
ト低減と歩留シ向上全目的とする基体ウェハ直径の大口
径化（φ１２５〜１５０職）の傾向に６るが、前述の減
圧方式の気相成長によっても均一性向上の点で対応が困
難と゛な９つつある。
以上説明したバッチシステスの欠点全解消する方法とし
て、加熱台上に載置した基体ウエノ・ｋ一方から連続的
に反応容器１内に供給しつつ気相成長を行なわしめ、他
方から連続的に取り出す、いわゆる連続搬送方式が兄ら
扛ている。この方法は生産が連続的に行なわれる点から
生産性に優れ、また、基体ウェハを一枚ずつ処理するこ
とから基体ウェハ全面の均一性を深つことはバッチ方式
に比べて容易である。しかしながら、一般に気相成長層
に、■不純物の混入、■結晶欠陥、■異物やフレークな
どによる異常成長等が存在すると製品歩留Ｉ）を悪くす
るなどの理由ρ・ら、連続方式において最も重要な基体
ウェハの搬送手段の適切な方法が開発されていない。即
ち、搬送台に金属材料を用いることは、反応が高温で且
つ比較的腐蝕性ガスを原料とするため不純物の混入や結
晶欠陥発生の要因となる。また、車輪等音用い反応容器
内に接触しながら搬送する方法は、反応析出物が容器内
壁へも付着することがらり゛ストを舞い上らせ結晶欠陥
の発生や突起等の異常成長の原因となる。
て、加熱台上に載置した基体ウエノ・ｋ一方から連続的
に反応容器１内に供給しつつ気相成長を行なわしめ、他
方から連続的に取り出す、いわゆる連続搬送方式が兄ら
扛ている。この方法は生産が連続的に行なわれる点から
生産性に優れ、また、基体ウェハを一枚ずつ処理するこ
とから基体ウェハ全面の均一性を深つことはバッチ方式
に比べて容易である。しかしながら、一般に気相成長層
に、■不純物の混入、■結晶欠陥、■異物やフレークな
どによる異常成長等が存在すると製品歩留Ｉ）を悪くす
るなどの理由ρ・ら、連続方式において最も重要な基体
ウェハの搬送手段の適切な方法が開発されていない。即
ち、搬送台に金属材料を用いることは、反応が高温で且
つ比較的腐蝕性ガスを原料とするため不純物の混入や結
晶欠陥発生の要因となる。また、車輪等音用い反応容器
内に接触しながら搬送する方法は、反応析出物が容器内
壁へも付着することがらり゛ストを舞い上らせ結晶欠陥
の発生や突起等の異常成長の原因となる。
以上のような点から、連続搬送方式の気相成長装置の人
用比は遅れている。
用比は遅れている。
特に、反応温度が１００ＯＣ以上、原料ガスとして腐蝕
性ガス全使用し、高純度で且つ結晶欠陥のない気相成長
層の形成が要求ちれるノリコンのエピタキシービル成長
への連続搬送方式の採用は非常に回線りとなっている。
性ガス全使用し、高純度で且つ結晶欠陥のない気相成長
層の形成が要求ちれるノリコンのエピタキシービル成長
への連続搬送方式の採用は非常に回線りとなっている。
本発明の１的は、従来装置の問題点を解消し、大口径の
基板ウェハに対しても高品質の優れた気相成長層全均一
でかつ一操作当りのスループットの高い気相成長装置ｔ
ｅ提供することに・しろ。
基板ウェハに対しても高品質の優れた気相成長層全均一
でかつ一操作当りのスループットの高い気相成長装置ｔ
ｅ提供することに・しろ。
か＼る目的金臭する本発明気相成長装置の特徴とすると
ころは、複数個の基板ウェハ栄収納する基板ウェハ収納
容器を反応容器に、基板ウェハを移送するに十分な断面
績の通路と通路の途中に通路を遮断する２昭のシャッタ
を有する連結部材を介して連結すると共に、連結部材の
通路を介して反応容器と基板ウェハ収納容器との間全基
板ウェハを保持して移送する手段を付加した点にある。
ころは、複数個の基板ウェハ栄収納する基板ウェハ収納
容器を反応容器に、基板ウェハを移送するに十分な断面
績の通路と通路の途中に通路を遮断する２昭のシャッタ
を有する連結部材を介して連結すると共に、連結部材の
通路を介して反応容器と基板ウェハ収納容器との間全基
板ウェハを保持して移送する手段を付加した点にある。
この構成によって一操作自９のスルーグツトを高くする
ことができる。
ことができる。
更に本発明気相成長装置の他の特徴は、連結部材の通路
の２個のシャッタで仕切らｎた部分の圧力を、反応容器
及び基板ウェハ収納容器の圧力より低くした点にある。
の２個のシャッタで仕切らｎた部分の圧力を、反応容器
及び基板ウェハ収納容器の圧力より低くした点にある。
この構成によって、気相成長層への異物の侵入及び基板
ウェハの汚染全防止して高品質の気相成長装置得ること
ができる。。
ウェハの汚染全防止して高品質の気相成長装置得ること
ができる。。
以Ｆ本発明をノリコン単結晶の気相成長装置を例として
図面によって詳細に説明すな。第１図は本発明を適用し
た気相成長装置の断面図である。
図面によって詳細に説明すな。第１図は本発明を適用し
た気相成長装置の断面図である。
石英製反応容器１内に大口径（φ１５０ｍｍ１のシリコ
ン単結晶ウェハ２を水平に１枚載置し７と加熱台３を設
置し、高周波誘導加熱コイル４により高温（約１２００
Ｃ）に保持しながらガス供給Ｄ５がら原料ガス（例えば
キャリヤガスとして水素、ンリコンソースとして四塩化
シリコンンを導入することによってウェハ２上に気相成
長層を形成する。
ン単結晶ウェハ２を水平に１枚載置し７と加熱台３を設
置し、高周波誘導加熱コイル４により高温（約１２００
Ｃ）に保持しながらガス供給Ｄ５がら原料ガス（例えば
キャリヤガスとして水素、ンリコンソースとして四塩化
シリコンンを導入することによってウェハ２上に気相成
長層を形成する。
廃ガスは排気口６から系外に排出する。以上の構成は従
来の縦型気相成長装置とほぼ同一である。
来の縦型気相成長装置とほぼ同一である。
不発り］の気ａ成長装置に」？いては、反応容器１ｒこ
ステンレス製町動ツヤツタ１００，１０１ＶＣよって三
分割され疋中空の連結部材（ステンレス製）７が水冷フ
ランジ１４とＯリング１５によ逆接続され、更に連結部
材７の他端にはウェハカートリッジ９の収納ボックス（
ステンレス製）８が接続されているっ連結部材７にはガ
ス導入口１０とガス排出口１１が設けてあり常＋４少量
の水素ガスが流入さ几ている。また、ウェハ収納ボック
ス８にもガス導入口１２とガス排出口１３が設けてあり
、常時水素ガスが流入されている。各室の圧力は、（ウ
ェハ収納ボックス）〉（連結部材７のシャッタ間の空間
）、（反応容器）〉（連結部材７の７ヤツタ間の空間）
の関係に調節されているっ気相成長中は反応容器１内に
は高温の反応ガスで満さｆしているが、空気の流入は結
晶性を阻害し、また大量の流入は水素爆発の危険を招く
。連結部材７と反応容器１間は／ヤツタ１００て分離さ
ｎでいるため前述の問題は解決できる。′また、／ヤソ
タ１００による密閉が不完全な場合に２いても、連結部
材７側は圧力が低く保たれていること、反応のキャリヤ
ガスと同一の水素が流入されていることから前述の問題
は生じない。
ステンレス製町動ツヤツタ１００，１０１ＶＣよって三
分割され疋中空の連結部材（ステンレス製）７が水冷フ
ランジ１４とＯリング１５によ逆接続され、更に連結部
材７の他端にはウェハカートリッジ９の収納ボックス（
ステンレス製）８が接続されているっ連結部材７にはガ
ス導入口１０とガス排出口１１が設けてあり常＋４少量
の水素ガスが流入さ几ている。また、ウェハ収納ボック
ス８にもガス導入口１２とガス排出口１３が設けてあり
、常時水素ガスが流入されている。各室の圧力は、（ウ
ェハ収納ボックス）〉（連結部材７のシャッタ間の空間
）、（反応容器）〉（連結部材７の７ヤツタ間の空間）
の関係に調節されているっ気相成長中は反応容器１内に
は高温の反応ガスで満さｆしているが、空気の流入は結
晶性を阻害し、また大量の流入は水素爆発の危険を招く
。連結部材７と反応容器１間は／ヤツタ１００て分離さ
ｎでいるため前述の問題は解決できる。′また、／ヤソ
タ１００による密閉が不完全な場合に２いても、連結部
材７側は圧力が低く保たれていること、反応のキャリヤ
ガスと同一の水素が流入されていることから前述の問題
は生じない。
四塩化シリコンの混入全土め気相成長が終」′すると、
ウェハ２は水素雰囲気のまま降温され約２００Ｃまで冷
却される。次いでツヤツタ１００゜１０１が開かれ先端
が例えば真生チャックになっているローノ゛１６によっ
てウェハ２は加熱台３上から収納ボックス８のウェハカ
セット９に移される。この時収納ボックス８中には反応
のキャリヤガスと同一の水素が流入さｆしていることか
らツヤツタ１０１を開放しても連結部材７、反応容器１
への空気の流入は生じない。また、反応容器１には反応
副生成物ガス等も微量に残在するが、それらは連結部材
７までは流出しても収納ボックス９まで流入しウェハを
汚染することはない。気相成長を終えたウニ・・２を取
り出した後、クエ・・カセット９は上′Ｆ′、駆動ガイ
ド１７によ、！ｌｌｌ移動し、次のウエノ・が口〜ター
１６によって加熱台３上にチャージされるど／ヤツタ１
００，１０１ｉ閉じた後安全のため水素を流したまま１
分間保持し、引き続いて加熱コイル４による昇温全開始
し次の気相成長を始める。
ウェハ２は水素雰囲気のまま降温され約２００Ｃまで冷
却される。次いでツヤツタ１００゜１０１が開かれ先端
が例えば真生チャックになっているローノ゛１６によっ
てウェハ２は加熱台３上から収納ボックス８のウェハカ
セット９に移される。この時収納ボックス８中には反応
のキャリヤガスと同一の水素が流入さｆしていることか
らツヤツタ１０１を開放しても連結部材７、反応容器１
への空気の流入は生じない。また、反応容器１には反応
副生成物ガス等も微量に残在するが、それらは連結部材
７までは流出しても収納ボックス９まで流入しウェハを
汚染することはない。気相成長を終えたウニ・・２を取
り出した後、クエ・・カセット９は上′Ｆ′、駆動ガイ
ド１７によ、！ｌｌｌ移動し、次のウエノ・が口〜ター
１６によって加熱台３上にチャージされるど／ヤツタ１
００，１０１ｉ閉じた後安全のため水素を流したまま１
分間保持し、引き続いて加熱コイル４による昇温全開始
し次の気相成長を始める。
以上説明した本発明の実施例装置によればウェハ２の取
他出し及びチャージ工程における反応容器１自体の稼動
は不要となる。この結果反応容器１中への空気の流入は
なく、■従来法における反応開始前の不活性ガス・く−
ジ工程金省略でき処理時が短縮する、（２）反応室内に
残存する未反応原料ガスや副生成ガスと窒気中水分との
反応による腐蝕性ガスの発生が無くなり常に反応室内金
清浄に１呆つこ【がでさ、結晶欠陥の要因を低減できる
。
他出し及びチャージ工程における反応容器１自体の稼動
は不要となる。この結果反応容器１中への空気の流入は
なく、■従来法における反応開始前の不活性ガス・く−
ジ工程金省略でき処理時が短縮する、（２）反応室内に
残存する未反応原料ガスや副生成ガスと窒気中水分との
反応による腐蝕性ガスの発生が無くなり常に反応室内金
清浄に１呆つこ【がでさ、結晶欠陥の要因を低減できる
。
ウエノ・カセット９中の全てのウエノ飄の気相成長が完
了すると収納ボックス８内を不活性ガスで直侠し、カー
トリッジ９ケ収納ボツクス８外に取り出し新たなカート
リッジと交換する。
了すると収納ボックス８内を不活性ガスで直侠し、カー
トリッジ９ケ収納ボツクス８外に取り出し新たなカート
リッジと交換する。
第２図は高温の反ふガスの金属接触金できるだけ避は高
品質の成長層得るだめの改善された装置を示す。
品質の成長層得るだめの改善された装置を示す。
反応容器１の反応領域１８を連結部材７の接続口１９や
反応容器１のベース２０から遠ざけ、金属製のシャッタ
１００．ベース２０に接触したガスが再び反応領域１８
に廻シ込むのを防ぐ配慮がなされている。また、連結部
材７の接続口１９は、高温領域から離すため反応容器１
の一部金引き出す構造となっているが、この部分への廃
ガスの留υを防ぐため水素ガスの導入口２１が新たに設
けてろる。加熱台３の位置と連結部材の接続口１８の位
置が異なるため、ウニ／・２の取り出し及びチャージ時
には加熱台３を図中破勝位置まで可動する構造としであ
る。このため誘導加熱を止めで、構造の簡単な赤外加熱
ランプ２２による加熱方式を採用している。
反応容器１のベース２０から遠ざけ、金属製のシャッタ
１００．ベース２０に接触したガスが再び反応領域１８
に廻シ込むのを防ぐ配慮がなされている。また、連結部
材７の接続口１９は、高温領域から離すため反応容器１
の一部金引き出す構造となっているが、この部分への廃
ガスの留υを防ぐため水素ガスの導入口２１が新たに設
けてろる。加熱台３の位置と連結部材の接続口１８の位
置が異なるため、ウニ／・２の取り出し及びチャージ時
には加熱台３を図中破勝位置まで可動する構造としであ
る。このため誘導加熱を止めで、構造の簡単な赤外加熱
ランプ２２による加熱方式を採用している。
第３図及び第４図に本発明の応用例を示す。
第３図はウエノ・収納ボックス８の排気口及び連結部材
７のガス導入口を省き、且つシャッタ１０１に小孔１０
３を設は実質的に同等の効果を得ながら装置上簡略化し
たものである。
７のガス導入口を省き、且つシャッタ１０１に小孔１０
３を設は実質的に同等の効果を得ながら装置上簡略化し
たものである。
第４図は気相成長前、後で別々のウェハカセットに収納
し工程の流れをスムースにするため、収納ボックス８を
２箇所に設けた装置を示す。これはまた、ウェハカセッ
ト部を直接ウェハ搬送ベルト等に変更し、工程接続のよ
シ連続化への拡張も可能となる。
し工程の流れをスムースにするため、収納ボックス８を
２箇所に設けた装置を示す。これはまた、ウェハカセッ
ト部を直接ウェハ搬送ベルト等に変更し、工程接続のよ
シ連続化への拡張も可能となる。
第５図は本発明の他の実施例で、反応容器１を石英で形
成した部分ＩＡと、その下部にあって金属で形成した部
分ＩＢとから構成し、ベース２０に部分ＩＡを気密に固
着すると共に、連結部材７を部分ＩＢに接続した点が、
これ゛までの装置と異なっている。この構成によれば、
気相反応は部分ＩＡ内で行なイ方りるため結晶の汚染が
防止でき、連結部材接続のための複雑な構造は加工の容
易な部分ＩＢでできる。
成した部分ＩＡと、その下部にあって金属で形成した部
分ＩＢとから構成し、ベース２０に部分ＩＡを気密に固
着すると共に、連結部材７を部分ＩＢに接続した点が、
これ゛までの装置と異なっている。この構成によれば、
気相反応は部分ＩＡ内で行なイ方りるため結晶の汚染が
防止でき、連結部材接続のための複雑な構造は加工の容
易な部分ＩＢでできる。
以−ヒ説明した本発明の気４目成長装置によれば、従来
法の窒素ガスによる空気置換工程が省略できた事、開放
による爆発事故の心配がないことから冷却時間短縮を図
った、ウエノ・のセット及び取出しが自動化されたなど
の理由から気相成長工程時間を３０％短縮（スループッ
トの向上）できた。
法の窒素ガスによる空気置換工程が省略できた事、開放
による爆発事故の心配がないことから冷却時間短縮を図
った、ウエノ・のセット及び取出しが自動化されたなど
の理由から気相成長工程時間を３０％短縮（スループッ
トの向上）できた。
また、反応炉内の空気接触がなくな９結晶欠陥が低減さ
れた。更にまた、炉内汚染が減り反応炉の洗浄頻度が大
幅に削減されたことからメインテナンスが容易となった
。
れた。更にまた、炉内汚染が減り反応炉の洗浄頻度が大
幅に削減されたことからメインテナンスが容易となった
。
以上の説明に２いては大口径ウェハ１枚処理の場合につ
いて述べたが、本発明を従来の多数枚基板チャージの縦
型気相成長装置に適用することは容易に可能である。
いて述べたが、本発明を従来の多数枚基板チャージの縦
型気相成長装置に適用することは容易に可能である。
更にまた、本説明ではシリコン単結晶の気相成長装置を
例としで説明したがＳ １Ｃ）ｚ 、 Ｓ ｉ３Ｎ４゜
ＰＳＧ、多結晶ノリコン等の形成装置への通用も勿論可
能である。
例としで説明したがＳ １Ｃ）ｚ 、 Ｓ ｉ３Ｎ４゜
ＰＳＧ、多結晶ノリコン等の形成装置への通用も勿論可
能である。
第１図は本発明気相成長装置の一実施例を示す概略断面
図、第２図から第５図は本発明の異なる実施例を説明す
る図である。 １・・反応容器、２・・・基体ウェハ、３・・−７ＪＩ
Ｉ熱台、４・・・加熱装置、５・・・反応ガス供給口、
６・・・排気口、７・・・連結部材、８・・・基体収納
ボックス、９・・・基体ウェハカセット、１００，１０
１・・・可動シャッタ。 （ｂ） 第 ２刀 、２ 名３因 ／ 躬４に 第 Ｓ目
図、第２図から第５図は本発明の異なる実施例を説明す
る図である。 １・・反応容器、２・・・基体ウェハ、３・・−７ＪＩ
Ｉ熱台、４・・・加熱装置、５・・・反応ガス供給口、
６・・・排気口、７・・・連結部材、８・・・基体収納
ボックス、９・・・基体ウェハカセット、１００，１０
１・・・可動シャッタ。 （ｂ） 第 ２刀 、２ 名３因 ／ 躬４に 第 Ｓ目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外部から供給された反応ガスを略常圧で気相反応さ
せ、基板ウェハ上に気相成長層を形成するだめの反応容
器と、 多数個の基板ウェハを収納する少なくとも１個の基板ウ
ェハ収納容器と、 反応容器と基板ウェハ収納容器とを連結し、内部に基板
ウェハを移送するに十分な断面積を持つ通路を有し、通
路の途中に通路を遮断する２個のシャッタを備える連結
部材と、 反応容器と基板ウェハ収納容器との間を連結部材の通路
を介して基板ウェハを保持して移送する手段と、を具備
し、 連結部材の通路のシャッタで挾まれた部分の圧力を反応
容器及び基板ウェハ収納容器の圧力よシ低くしたことを
特徴とする気相成長装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、基板ウェハ収納容
器を２個備え、一方が気相成長前の基板ウェハを収納し
、他方が気相成長後の基板ウェハを収納することを特徴
とする気相成長装置。 ３、特許請求の範囲第１項或いは第２項において、反応
容器内が気相反応が生じるυｊ温領領域気相反応が生じ
ない低温領域からなり、基板ウェハ収納容器は反応容器
の低温領域に連結していることを特徴とする気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22588982A JPS59117108A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22588982A JPS59117108A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117108A true JPS59117108A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16836454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22588982A Pending JPS59117108A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147811U (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-29 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP22588982A patent/JPS59117108A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147811U (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-29 | ||
| JPH0534108Y2 (ja) * | 1987-03-18 | 1993-08-30 |
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