JPS5911641A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPS5911641A JPS5911641A JP11980982A JP11980982A JPS5911641A JP S5911641 A JPS5911641 A JP S5911641A JP 11980982 A JP11980982 A JP 11980982A JP 11980982 A JP11980982 A JP 11980982A JP S5911641 A JPS5911641 A JP S5911641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- belt conveyor
- housing
- heat treatment
- semiconductor device
- dust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に塵埃の付着
を防止した熱処理装置に関するものである。
を防止した熱処理装置に関するものである。
一般に半導体装置の製造工程では、リードフレームやセ
ラミックキャリア等のパッケージに半導体素子ベレット
をボンディングし、インナーリードとの間にワイヤボン
ディングを行なった後に、半導体素子ベレット上に絶縁
膜を形成して素子ベレットを外部要因から保砕すること
が行なわれる。
ラミックキャリア等のパッケージに半導体素子ベレット
をボンディングし、インナーリードとの間にワイヤボン
ディングを行なった後に、半導体素子ベレット上に絶縁
膜を形成して素子ベレットを外部要因から保砕すること
が行なわれる。
この場合、従来では第１図に示す熱処理装置１を利用し
ている。この装置１は密刊ハウジング２内にベルトコン
ベヤ３と７アンヒータ４とを有し、装填口５からハウジ
ング２内に装入した半導体装置６をベルトコンベヤ３に
てファンヒータ４位置に゛まで搬送し、そこで押上プラ
ンジャ７にて半導体装置６をファンヒータ４に近接させ
ることにより加熱乾燥させるようにしたものである。
ている。この装置１は密刊ハウジング２内にベルトコン
ベヤ３と７アンヒータ４とを有し、装填口５からハウジ
ング２内に装入した半導体装置６をベルトコンベヤ３に
てファンヒータ４位置に゛まで搬送し、そこで押上プラ
ンジャ７にて半導体装置６をファンヒータ４に近接させ
ることにより加熱乾燥させるようにしたものである。
しかしながら、この熱処理装置では、半導体装置６をベ
ルトコンベヤ３にて搬送した後に押上プランジャ７にて
持上げる等その動きが（Ｉ雑であるために、ベルトコン
ベヤや押上プランジャから塵埃が発生し易く、半導体装
置に付着し易い。また、ハウジング２内に生じた塵埃の
清掃作業が困難である。更に、半導体装置を一々ハウジ
ング内に装入しかつ取り出す作業が必要とされ作業性が
悪くなるという問題もある。
ルトコンベヤ３にて搬送した後に押上プランジャ７にて
持上げる等その動きが（Ｉ雑であるために、ベルトコン
ベヤや押上プランジャから塵埃が発生し易く、半導体装
置に付着し易い。また、ハウジング２内に生じた塵埃の
清掃作業が困難である。更に、半導体装置を一々ハウジ
ング内に装入しかつ取り出す作業が必要とされ作業性が
悪くなるという問題もある。
したがって本発明の目的は、ベルトコンベヤの一部を超
音波洗浄装置に通して清掃する構成とすることにより、
ハウジング内での塵埃の発生を防止して半導体装置への
埃の付着を防止することができる熱処理装置を提供する
ことにある。
音波洗浄装置に通して清掃する構成とすることにより、
ハウジング内での塵埃の発生を防止して半導体装置への
埃の付着を防止することができる熱処理装置を提供する
ことにある。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第２図は本発明の熱処理装ｆｉ＆’−１０を示し、例え
は、パッケージに半導体集子ベレットをボンディング（
ベレット、ワイヤ）してその上に絶縁膜を形成した半導
体装置１１を加熱処理する装置であるとする。加熱用の
ハウジング１２は両端部を通シテベルトコンベヤ１３を
延設しており、駆動プーリ１４の作用と協働して半導体
装置１１を図示矢印Ａ方向にハウジング１２内で移動さ
せる。前記ハウジング１２の上部にはベルトコンベヤ１
３の延設方向に並んでヒータ１５を配設しており、半導
体装置を加熱するようにしている。なお、ハウジング１
２の両端はベルトコンベヤ１３の作動を阻害しない程度
で外部の埃が侵入しないようにしている。一方、前記ベ
ルトコンベヤ１３は、ハウジング１２０厘前位置におい
てブーＩＪ １７１１８１１９に用台され、ブーＩＪ
１９とともに超音波洗浄装置２０内に侵入させている。
は、パッケージに半導体集子ベレットをボンディング（
ベレット、ワイヤ）してその上に絶縁膜を形成した半導
体装置１１を加熱処理する装置であるとする。加熱用の
ハウジング１２は両端部を通シテベルトコンベヤ１３を
延設しており、駆動プーリ１４の作用と協働して半導体
装置１１を図示矢印Ａ方向にハウジング１２内で移動さ
せる。前記ハウジング１２の上部にはベルトコンベヤ１
３の延設方向に並んでヒータ１５を配設しており、半導
体装置を加熱するようにしている。なお、ハウジング１
２の両端はベルトコンベヤ１３の作動を阻害しない程度
で外部の埃が侵入しないようにしている。一方、前記ベ
ルトコンベヤ１３は、ハウジング１２０厘前位置におい
てブーＩＪ １７１１８１１９に用台され、ブーＩＪ
１９とともに超音波洗浄装置２０内に侵入させている。
この超音波洗浄装置２０は、例えば洗浄水に超音波振動
を生じさせる構成としており、侵入されたベルトコンベ
ヤ１３を清浄するようにしている。
を生じさせる構成としており、侵入されたベルトコンベ
ヤ１３を清浄するようにしている。
なお、図中２１は半導体装置１１をベルトコンベヤ１３
に載置するローダ、２２は増り出すアンローダである。
に載置するローダ、２２は増り出すアンローダである。
以上の構成によれば、ベルトコンベヤ１３の駆動により
ローダ２１からベルトコンベヤ上に移載された半導体装
置１１は、ノ１ウジング１２内を図示矢印Ａ方向に移動
されながら加熱される。一方、ベルトコンベヤ】３はそ
の駆動に伴なって、一部が順次超音波洗浄装置２０内に
侵入されるため、ここでベルトは洗浄され塵埃が落され
た状態でノ・ウジフグ１２内に移動される。これにより
、ベルトコンベヤ１３は常に清浄に保たれ、ノ・ウジフ
グ１２内への塵埃の侵入を防止するとともに半導体装置
への埃の付着を防止する。
ローダ２１からベルトコンベヤ上に移載された半導体装
置１１は、ノ１ウジング１２内を図示矢印Ａ方向に移動
されながら加熱される。一方、ベルトコンベヤ】３はそ
の駆動に伴なって、一部が順次超音波洗浄装置２０内に
侵入されるため、ここでベルトは洗浄され塵埃が落され
た状態でノ・ウジフグ１２内に移動される。これにより
、ベルトコンベヤ１３は常に清浄に保たれ、ノ・ウジフ
グ１２内への塵埃の侵入を防止するとともに半導体装置
への埃の付着を防止する。
したがって、この熱処理装置によれば、ベルトコンベヤ
１３の移動に伴なって半導体装ｇｔ１１の熱処理を行な
うので作業効率は極めて良好であり、熱処理を簡単に行
なうことができる。また、ベルトコンベヤ１３を洗浄し
ているのでハウジング１２内への塵埃の侵入を防止し、
半導体装置への埃の付着を防止するとともにハウジング
内の清掃を容易なものにするのである。
１３の移動に伴なって半導体装ｇｔ１１の熱処理を行な
うので作業効率は極めて良好であり、熱処理を簡単に行
なうことができる。また、ベルトコンベヤ１３を洗浄し
ているのでハウジング１２内への塵埃の侵入を防止し、
半導体装置への埃の付着を防止するとともにハウジング
内の清掃を容易なものにするのである。
以上のように本発明の熱処理装置によれば、ハウジング
内に延設したベルトコンベヤに沿ってヒータを配設する
一方、ベルトコンベヤの一部を超音波洗浄装置に通すよ
うに構成しているので、被処理物の熱処理を簡単に行な
い得るとともに、ベルトコンベヤは超音波洗浄装置によ
り常に清浄状態を保たれているので、ハウジング内も常
に清浄に保たれ被処理物への埃の付着を確実に防止する
ことができるという効果を奏する。
内に延設したベルトコンベヤに沿ってヒータを配設する
一方、ベルトコンベヤの一部を超音波洗浄装置に通すよ
うに構成しているので、被処理物の熱処理を簡単に行な
い得るとともに、ベルトコンベヤは超音波洗浄装置によ
り常に清浄状態を保たれているので、ハウジング内も常
に清浄に保たれ被処理物への埃の付着を確実に防止する
ことができるという効果を奏する。
第１図は従来の熱処理装置の概略断面図、第２図は本発
明の熱処理装置の断面図である。 １０・・・熱処理装置、１１・・・半導体装置、１２・
・・ハウジング、１３・・・ベルトコンベヤ、１５・・
・ヒータ、２０・・・超音波洗浄装置、２１・・・ロー
ター、２２・・・アンローダ。
明の熱処理装置の断面図である。 １０・・・熱処理装置、１１・・・半導体装置、１２・
・・ハウジング、１３・・・ベルトコンベヤ、１５・・
・ヒータ、２０・・・超音波洗浄装置、２１・・・ロー
ター、２２・・・アンローダ。
Claims (1)
- １、ハウジング内にその一部を延設し、薔処理物をハウ
ジング内で移動させるベルトコンベヤと、前記ハウジン
グ内にベルトコンベヤに泪って配設したヒータと、前記
ベルトコンベヤがハウジング内に入る直前またはハウジ
ングから出たＷ彼位置に設けてベルトコンベヤを洗浄す
る超音波洗浄装置とを備えたことを特徴とする熱処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11980982A JPS5911641A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11980982A JPS5911641A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911641A true JPS5911641A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14770762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11980982A Pending JPS5911641A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911641A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102237447A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 初星太阳能公司 | 薄膜层光伏模块制品的处理 |
| US9093599B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-28 | First Solar, Inc. | Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5731131A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Hitachi Ltd | Baking method |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP11980982A patent/JPS5911641A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5731131A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Hitachi Ltd | Baking method |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102237447A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 初星太阳能公司 | 薄膜层光伏模块制品的处理 |
| EP2381485A3 (en) * | 2010-04-23 | 2012-01-18 | PrimeStar Solar, Inc | Treatment of thin film layers photovoltaic module |
| US8252619B2 (en) | 2010-04-23 | 2012-08-28 | Primestar Solar, Inc. | Treatment of thin film layers photovoltaic module manufacture |
| US9093599B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-28 | First Solar, Inc. | Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate |
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