CN102237447A - 薄膜层光伏模块制品的处理 - Google Patents

薄膜层光伏模块制品的处理 Download PDF

Info

Publication number
CN102237447A
CN102237447A CN2011101137582A CN201110113758A CN102237447A CN 102237447 A CN102237447 A CN 102237447A CN 2011101137582 A CN2011101137582 A CN 2011101137582A CN 201110113758 A CN201110113758 A CN 201110113758A CN 102237447 A CN102237447 A CN 102237447A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
chamber
treatment
layer
equipment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011101137582A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102237447B (zh
Inventor
C·A·谢菲尔
B·R·墨菲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Primestar Solar Inc
Original Assignee
Primestar Solar Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US12/766135 priority Critical
Priority to US12/766,135 priority patent/US8252619B2/en
Application filed by Primestar Solar Inc filed Critical Primestar Solar Inc
Publication of CN102237447A publication Critical patent/CN102237447A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102237447B publication Critical patent/CN102237447B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/0296Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/073Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/206Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543Solar cells from Group II-VI materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

一般提供用于碲化镉薄膜光伏器件10的处理的系统和过程。该系统可以包括处理系统100和传送系统110。该处理系统100包括预热部分102、处理腔104和退火炉106,其在该处理系统100内一体式地互连。该传送系统110可操作地设置在该处理系统100内并且配置用于采用连续设置以可控速度将衬底12运输进入和通过预热部分102,进入和通过处理腔104,以及进入和通过退火炉106。处理腔104配置用于施加材料到衬底12的表面上的薄膜,并且退火炉106配置成当衬底12由传送系统110连续传送通过处理腔104时加热衬底12到退火温度。

Description

薄膜层光伏模块制品的处理
技术领域
[0001]本文公开的主g大体上涉及用于在光伏器件的制造期间沉积背接触材料的方法和系统。
背景技术
[0002] 基于作为光活性部件的与硫化镉(CdS)配对的碲化镉(CdTe)的薄膜光伏(PV)模块(也称为“太阳能电池板”)在行业内获得广泛认可和关注。CdTe是具有特别适合于将太阳能转换为电的特性的半导体材料。例如,CdTe具有约I. 45eV的能量带隙,其使它与历史上在太阳能电池应用中使用的较低带隙的半导体材料(例如,对于硅I. IeV)相比能够从太阳光谱转换更多的能量。同样,与较低带隙的材料相比CdTe在较低或漫射光状况下转换辐射能,从而与其他常规材料相比在白天过程或多云状况下具有更长的有效转换时间。
[0003] 当CdTe PV模块暴露于例如太阳光等光能时,n型层和p型层的结一般负责电势和电流的产生。具体地,碲化镉(CdTe)层和硫化镉(CdS)层形成p_n异质结,其中CdTe层充当P型层(即,正的电子接受层)并且CdS层充当n型层(即,负的电子供给层)。自由载流子对通过光能而产生并且然后通过P_n异质结而分开以产生电流。
[0004] 在CdTe PV模块的生产期间,碲化镉层的表面可以后处理以清洗表面,添加另外的掺杂剂到该层,或添加层到该碲化镉层上。例如,碲化镉层可以用氯化镉溶液清洗,然后退火以将氯离子引入碲化镉层。典型地,该过程包括在室温(例如,约20°C至约25°C )下用氯化镉溶液清洗碲化镉层然后将CdTe PV模块转移到炉以退火。
[0005] 然而,CdTe PV模块在应用氯化镉溶液后当正运往退火炉时暴露于室内气氛。该暴露可以导致另外的气氛材料弓I入氯化镉溶液中和/或在碲化镉层的表面上。这些材料可以引起在CdTe PV模块中引入杂质。另外,室内气氛自然随时间变化,对CdTe PV模块的大规模制造过程增加变数。这样的杂质和另外的变数可以引起来自相同生产线和过程的不一致CdTe PV模块。
[0006] 从而,存在对用于减少将杂质和另外的变数引入制作CdTe PV模块的大規模制造过程的方法和系统的需要。
发明内容
[0007] 本发明的方面和优势将在下列说明中部分阐述,或可通过该说明是明显的,或可通过本发明的实践学习。
[0008] 在本发明的一个实施例中一般提供用于碲化镉薄膜光伏器件的处理的系统。该系统可以包括处理系统和传送系统。该处理系统包括预热部分、处理腔和退火炉,其在该处理系统内一体式地互连。该传送系统可操作地设置在该处理系统内并且配置用于采用连续设置以可控速度将衬底运输进入和通过预热部分,进入和通过处理腔,以及进入和通过退火炉。处理腔配置用于施加材料到衬底表面上的薄膜,并且退火炉配置成当衬底由传送系统连续传送通过处理腔时加热衬底到退火温度。
[0009]一般还提供用于碲化镉薄膜光伏器件的处理的过程。衬底可以单独引入预热腔并且在该预热腔内加热到沉积温度。衬底然后可以采用连续设置传送进入一体式互连到该预热腔的处理腔,并且处理成分(treatment composition)可以施加于衬底的表面。衬底可以采用连续设置传送进入一体式互连到该处理腔的退火炉,并且在从约250°C至约500°C的退火温度退火。
[0010] 一般还提供用于形成碲化镉薄膜光伏器件的过程。该过程可以包括在衬底上形成硫化镉层和在该硫化镉层上形成碲化镉层。其后,衬底可以根据上文简略描述的系统和过程来处理。位置并且不必定意味“在顶部”,因为在上或下面的相对位置取决于器件对观察者的取向。另外,尽管本发明不限于任何特定的膜厚度,描述光伏器件的任何膜层的术语“薄”一般指膜层具有小于约10微米(“micixm”或“ ym”)的厚度。
[0024] 要理解本文提到的范围和极限包括位于规定极限内的所有范围(S卩,子范围)。例如,从约100至约200的范围也包括从110至150、170至190、153至162和145. 3至149. 6的范围。此外,高达约7的极限也包括高达约5、高达3和高达约4. 5的极限以及该极限内的范围,例如从约I至约5和从约3. 2至约6. 5等。
[0025] 一般来说,现在公开用于增加碲化镉薄膜光伏器件的在线制造的效率和/或一致性的方法和系统。在ー个特定实施例中,大体上公开用于后处理在衬底上形成的碲化镉层的方法和系统。
[0026] 图I不出根据本发明的一个实施例的不范性处理系统100。该处理系统100包括预热部分102、处理腔104、退火炉106和可选的冷却腔108。
[0027] 预热部分102、处理腔104、退火炉106和可选的冷却腔108中的每个一体式互连在一起使得通过处理系统100的器件10大致上被保护免于受外部环境影响。也就是说,处理系统100的部件部分直接整合在一起使得离开ー个部件部分的器件10立刻进入邻近部分。例如,图5示出可以由处理系统100执行的方法200的示范性图表。该器件可以在201预热,然后直接转移以在202处理(例如,喷射、滚压或浸溃涂覆)。然后,该器件10可以在203以退火温度退火,然后在204冷却。该方法200示出具有互连步骤以代表器件从ー个步骤直接转移到下一个步骤,而没有暴露于室内气氛。当然,其他的中间步骤可包括在方法200内,只要该步骤也与方法200的其他步骤互连即可。
[0028] 示出内壁114,其将预热部分102与处理腔104分开。器件10可以从预热部分102穿过限定在该壁114中的缝隙115进入处理腔104。该缝隙115确定大小和形状为允许器件10从其中穿过,同时有效地分开预热部分102和处理腔104。例如,该缝隙115可以限定从器件10的厚度的约105%至约250%的高度,例如器件的厚度的约125%至约200%等。该缝隙115可以限定为跨越壁115的整个长度,或可根据器件10的宽度确定大小。在特定实施例中,该缝隙115可具有器件10的宽度的约101%至约150%的长度。
[0029] 处理腔104由限定缝隙117的内壁116与退火炉106分开。类似地,退火妒106由限定缝隙119的内壁118与可选地冷却腔108分开。内壁116和118两者与将预热部分102与处理腔104分开的内壁114相似。
[0030] 预热部分102配置成将器件10在进入处理腔104之前预热到处理温度。热源103连接到预热部分102以控制衬底的温度。例如,当器件10进入预热部分时,预热部分103可以将器件10的温度从室温(例如,从约20°C至约25°C )升高到期望的处理温度。处理温度可根据随后在处理腔104中进行的特定处理按期望改变。在一个实施例中,预热部分102可以用顺序对准和互连的一系列炉建造。
[0031] 因为预热部分102和处理腔104在处理系统100内一体式互连,从预热部分102传递到处理腔104的已预热器件10将大致上保持在处理温度而没有任何机会在处理之前显著冷却。从而,预热部分102可以配置成将器件102加热到期望的处理温度,而不要求计算在处理之前的热损耗并且加热到比期望的更高的温度以考虑任何热损耗。如此,一体式互连到处理腔104的预热部分102可以实现更精确的温度控制和減少的由热源103的能耗。
[0032] 处理腔104可以对器件10上的薄膜层应用后沉积处理。在图I的示范性处理系统100中示出的处理腔104示出用于喷射处理成分到器件10上(例如,到器件10的碲化镉层20上)的喷嘴105。在其他实施例中,处理腔104可以包括其他施加器。例如,图6示出用于施加处理成分到器件10上的施加器辊120。
[0033] 在ー个特定实施例中,处理成分是液体物质。当采用液体形式时,处理成分可以从源槽(没有示出)经由馈送线路122连续供应给处理腔104内的施加器(例如,在图1中示出的喷嘴105,在图6中示出的施加器辊120等)。在某些实施例中,处理成分可以在施加之前加热到处理温度。任何过量的处理成分(例如,从器件10流走的)可以从处理腔104收集并且从处理腔104去除。在一个实施例中,过量处理成分可以回收。
[0034] 器件10可以从处理腔104传递到退火炉106用于器件10的随后热处理。特别地,处理退火炉106可以将器件10加热到足够将器件10上的期望层(例如,碲化镉层20等)退火的退火温度。该退火温度可以在材料之间变化,但一般高于材料的再结晶温度。器件10可以包含在退火炉内一段时间,该一段时间足以将衬底温度升高到退火温度并且在冷却之前维持该温度期望的时间。在一个实施例中,退火炉106可以用顺序对准和互连的一系列炉建造。
[0035] 处理系统100还可以包括退火炉106下游的可选冷却腔108。图I示出包括用于在退火后使冷空气流通到器件10上的风扇109的冷却腔108。然而,其他冷却元件也可以在冷却腔108中使用以在退火后冷却器件10。在一个实施例中,冷却腔108配置成将器件10的温度从退火温度降低到室温(例如,从约20°C至约25°C )。该冷却腔也一体式互连到处理系统100的其他部件以便防止任何杂质或其他室内气氛变数引入到表面上(尤其当器件仍然加热到退火温度附近的温度时)。
[0036] 在一个特定实施例中,处理系统100可以用于处理器件10上的碲化镉层20。例如,处理系统100可以用于用氯化镉(CdCl2)处理碲化镉层20。将碲化镉层20退火可以在氯化镉存在的情况下进行以便用氯离子掺杂碲化镉层20。
[0037] 使用处理系统100,碲化镉层20可以用含氯化镉的水溶液清洗(例如,通过在图1示出的喷嘴105喷射,通过在图6中示出的施加器辊120施加等)并且然后在升高的温度退火。器件10可以在施加氯化镉到碲化镉层20之前在预热部分102中预热到从约40°C至约150°C的处理温度,例如从约50°C至约125°C。然后,在处理腔104中施加氯化镉后,器件10可以在大于约200°C (例如从约300°C至约500°C等)的退火温度退火。在特定实施例中,退火温度可以从约400°C至约450°C以在施加氯化镉后将碲化镉层20退火。
[0038] 碲化镉层20可以在退火温度退火足够的时间(例如,从约I至约10分钟)以形成特质P型碲化镉层。不希望被理论束缚,认为将碲化镉层20 (以及器件10)退火将正常n型碲化镉层20转换成具有相对低电阻率的p型碲化镉层20。另外,碲化镉层20可以在退火期间再结晶并且经历晶粒生长。退火炉106可以确定大小以控制以器件10通过退火炉106的移动速度的退火炉106内的退火时间。
[0039] 图4示出包括清洗腔124的处理系统100的另ー个实施例,该清洗腔124包括喷嘴126,其配置成清洗器件10的表面以去除在退火炉106中在氯化镉存在的情况下将碲化镉层20退火后形成的任何氧化镉。清洗成分可以是从供应槽(没有示出)经由馈送线路128供应的液体。该清洗腔124也一体式互连到处理系统100的其他部件以便防止任何杂质或其他室内气氛变数引入到表面上(尤其当器件仍然加热到退火温度附近的温度时)。该清洗腔124还可以帮助将器件10从退火温度冷却。
[0040] 在ー个特定实施例中,清洗腔124可以配置成通过去除在器件10的表面上形成的任何氧化镉在碲化镉层20上留下富Te表面。例如,该表面可以用适合的溶剂(例如,也称为1,2 ニ氨基乙烷或“DAE”的こニ胺)清洗以从该表面去除任何氧化镉。
[0041] 处理系统100还可以用于添加铜到碲化镉层20。与适合的腐蚀一起,铜到碲化镉层20的添加可以在碲化镉层20上形成碲化铜表面以便获得碲化镉层20 ( S卩,p型层)和背接触层之间的低电阻电接触。具体地,铜的添加可以在碲化镉层20和背接触层22之间形成碲化亚铜(Cu2Te)的表面层。从而,碲化镉层20的富Te表面可以通过碲化镉层20和背接触层22之间的更低电阻率而增强由器件形成的电流的收集。
[0042] 铜可以通过使用处理腔100施加于碲化镉层20的暴露表面。例如,铜可以使用处理腔102在具有适合溶剂的溶液中在碲化镉层20的表面上喷射或清洗,后跟在退火炉106中退火。在特定实施例中,铜可采用氯化铜的形式在溶液中供应。退火温度足够允许铜离子在约5分钟至约30分钟(例如从约10分钟至约25分钟)扩散进入碲化镉层20,例如从约125°C至约300°C (例如从约150°C至约200°C )。
[0043] 当然,其他处理成分可以在器件10的制造中根据期望使用处理系统100施加。
[0044] 传送系统110包括传送辊112,用于采用连续设置以可控速度将多个器件10运输通过预热部分102,进入和通过处理腔104,以及进入和通过退火炉106。该传送系统110还可以将器件10运输进入和通过冷却腔108 (当存在吋)。该传送系统110可以是无带系统,其依靠棍112将器件10运输通过处理系统100。备选地,传送系统110还可以包括在传送辊112周围的传送带(没有在图1、4或6中示出)以将器件10运输通过处理系统100。
[0045] 在ー个特定实施例中,传送系统110以大致上恒定的线速度将器件10移动通过处理系统100。该通过处理系统100的大致上恒定的线速度可以确保器件10的整个表面积大致上均匀地处理。从而,在该制造过程中形成的器件10可以在器件10自身的表面积中并且在器件之间具有大致上均匀的性质。
[0046] 传送系统110可包括传送带或一系列传送帯。例如,图2示出穿越整个处理系统100将器件10运输通过预热部分102、处理腔104、退火炉106和可选的冷却腔108的传送带113。放置浸溃槽130使得传送带113可以在穿过处理系统100后被清洗以清洁传送带113免于可积累在传送带113上的任何材料堆积。
[0047] 图3示出利用一系列传送带的备选实施例。如示出的,处理系统100的每个部件具有传送帯。例如,预热部分102具有传送带132,其配置成将器件运输通过预热部分102。处理腔104具有传送带134,其配置成将器件运输通过处理腔104。退火炉106具有传送带136,其配置成将器件运输通过退火炉106。冷却腔108具有传送带138,其配置成将器件运输通过冷却腔108。在处理腔104中的传送带134穿过浸溃槽140以清洁传送带134免于任何过量的处理成分。在一个实施例中,传送带132、134、136和138(当存在吋)中的每个可以以大致上相同的速度移动。从而,器件10可以采用大致上恒定的线速度穿越处理系统100。在另ー个实施例中,传送带132、134、136和138(当存在吋)可以以不同的速度移动以在处理系统100的ー个特定部件中允许有更多时间。
[0048] 在图2中示出的浸溃槽130和在图3中示出的浸溃槽140中的清洁成分可以是任何适合的清洁成分。例如,清洁成分可以包括溶剂或溶剂混合物,包括但不限于水、丙酮、苯、醇(甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等)、ニ甲亚砜(dimethyl sulfone)、氨、漂白剂等和其的混合物。清洁成分还可以包括对溶剂或溶剂混合物的清洁添加剤。
[0049] 如陈述的,现在公开的方法和系统特别适合增加碲化镉薄膜光伏器件的在线制造的效率和/或一致性,例如在名为 “Ultra-high CurrentDensity Cadmium Telluride Photovoltaic Modules”(超高电流密度締化镉光伏模块)的Murphy等人的美国公开号2009/0194165中公开的碲化镉薄膜光伏器件中等。特别地,在光伏器件的碲化镉薄膜层沉积后的加工期间,尤其在这样的期间的大量生产期间,该方法可以是有用的。
[0050] 图7代表示范性碲化镉薄膜光伏器件10。图7的示范性器件10包括作为衬底所采用的玻璃顶板12。在该实施例中,玻璃12可以称为“上层(superstrate) ”,因为它是后续层在其上形成的衬底,但当使用碲化镉薄膜光伏器件10时它面向上朝辐射源(例如,太阳)。玻璃顶板12可以是高透射玻璃(例如,高透射硼硅酸盐玻璃)、低铁浮法玻璃或其他高度透明的玻璃材料。该玻璃一般足够厚而能够为后续膜层提供支撑(例如,从约0.5mm至约IOmm厚),并且大致上平坦以提供良好表面以用于形成后续膜层。在一个实施例中,玻璃12可以是含有少于按重量0. 15%铁(Fe)的低铁浮法玻璃,并且在感兴趣光谱中(例如,从约300nm至约900nm的波长)可具有约0. 9或更大的透射率。
[0051] 透明导电氧化物(TCO)层14在图7的示范性器件10的玻璃12上示出。该TCO层14允许光最小吸收地通过同时还允许由器件10产生的电流从旁边传导到不透明金属导体(没有示出)。例如,该TCO层14可以具有小于约每平方30欧姆的薄层电阻,例如从约每平方4欧姆至约每平方20欧姆(例如,从约每平方8欧姆至约每平方15欧姆)等。该TCO层14 一般包括至少ー个导电氧化物,例如氧化锡、氧化锌或氧化铟锡或其的混合物。另外,该TCO层14可以包括其他导电、透明材料。该TCO层14还可以包括锡酸锌和/或锡酸镉。
[0052] TCO层14可以通过溅射、化学气相沉积、喷射热解或任何其他适合的沉积方法形成。在ー个特定实施例中,TCO层14可以通过在玻璃12上溅射(例如,DC溅射或RF溅射)形成。例如,锡酸镉层可以通过按约I至约2的比率溅射包含化学计量的SnO2和CdO的热压靶到玻璃12上形成。该锡酸镉可以备选地通过使用醋酸镉和氯化锡(II)前驱体通过喷射热解(spray pyrolysis)制备。
[0053] 在某些实施例中,TCO层14可以具有在约0.1μm至约1μm之间的厚度,例如从约0.1μm至约0.5μm,例如从约0. 25 μm至约0. 35 μm。具有在上层表面上形成的TCO层14的适合的平坦玻璃衬底可以在市场上从各个不同的玻璃制造商和供应商购买。例如,包括TCO层14的特别适合的玻璃12包括从Pilkington North America公司(俄亥俄州托莱多市)以TEC 15 TCO名在市场上可获得的玻璃,其包括具有每平方15欧姆的薄层电阻的TCO层。
[0054]抗蚀性透明缓冲层(resistive transparent buffer layer) 16 (RTB层)在不范性碲化镉薄膜光伏器件10上的TCO层14上示出。该RTB层16 —般比TCO层14更具抗蚀性并且可以帮助保护器件10在器件10的加工期间免于TCO层14和后续层之间的化学相互作用。例如,在某些实施例中,该RTB层16可以具有大于约每平方1000欧姆的薄层电阻,例如从约每平方10千欧姆至约每平方1000兆欧姆。该RTB层16还可以具有宽光学带隙(例如,大于约2. 5eV,例如从约2. 7eV至约3. OeV)。
[0055] 不希望被特定的理论束缚,认为RTB层16在TCO层14和硫化镉层18之间的存在可以通过減少界面缺陷(即,在硫化镉层18中的“针孔”)的可能性而允许在器件10中包含相对薄的硫化镉层18从而在TCO层14和碲化镉层22之间形成分流。从而,认为RTB层16允许TCO层14和碲化镉层22之间改进的附着力和/或相互作用,由此允许相对薄的硫化镉层18在其上形成而没有显著的不利影响,否则将由直接在TCO层14上形成的这样的相对薄的硫化镉层18引起该不利影响。
[0056] RTB层16可以包括例如氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO2)的组合,其可以称为氧化锌锡(“ZT0”)。在ー个特定实施例中,RTB层16可以包括比氧化锌更多的氧化锡。例如,RTB层16可以具有其中Zn0/Sn02的化学计量比在约0. 25和约3 (例如按氧化锡比氧化锌的约ー比ニ(1 : 2)的化学计量比等)之间的成分。RTB层16可以通过溅射、化学气相沉积、喷射热解或任何其他适合的沉积方法形成。在ー个特定的实施例中,RTB层16可以通过在TCO层14上溅射(例如,DC溅射或RF溅射)形成。例如,RTB层16可以使用通过在氧化气氛(例如,O2气体)的存在下施加DC电流到金属源材料(例如,元素锌、元素锡或其的混合物)和溅射该金属源材料到TCO层14上的DC溅射方法沉积。当氧化气氛包括氧气(即,O2)时,气氛可以大于约95%的纯氧,例如大于约99%等。
[0057] 在某些实施例中,RTB层16可以具有在约0.075 iim和约Iiim之间的厚度,例如从约0. 111111至约0.511111。在特定实施例中,RTB层16可以具有在约0. 08iim和约0. 2iim之间的厚度,例如从约0. I ii m至0. 15 ii m。
[0058] 硫化镉层18在图7的示范性器件10的抗蚀性透明缓冲层16上示出。该硫化镉层18是n型层,其一般包括硫化镉(CdS)但还可包括其他材料,例如硫化锌、硫化镉锌等和其的混合物以及掺杂剂和其他杂质。在ー个特定实施例中,该硫化镉层可包括按原子百分比高达约25%的氧,例如按原子百分比从约5%至约20%。该硫化镉层18可以具有宽带隙(例如,从约2. 25eV至约2. 5eV,例如约2. 4eV)以便允许最多的辐射能量(例如,太阳辐射)通过。如此,该硫化镉层18认为是在器件10上的透明层。
[0059] 硫化镉层18可以通过溅射、化学气相沉积、化学浴沉积和其他适合的沉积方法形成。在ー个特定实施例中,硫化镉层18可以通过在抗蚀性透明层16上溅射(例如,直流(DC)溅射或射频(RF)溅射)形成。溅射沉积一般牵涉从靶(其是材料源)喷射材料并且沉积喷射的材料到衬底上以形成膜。DC溅射一般牵涉施加电压到置于溅射腔内的衬底(即,阳极)附近的金属靶(即,阴极)以形成直流放电。该溅射腔可以具有反应气氛(例如,氧气氛、氮气氛、氟气氛),其在金属靶和衬底之间形成等离子体场。对于磁控溅射,反应气氛的压强可以在约I毫托和约20毫托之间。当施加电压金属原子从靶释放吋,金属原子可以与等离子体反应并且沉积到衬底的表面上。例如,当气氛包含氧时,从金属靶释放的金属原子可以在衬底上形成金属氧化物层。相反地,RF溅射一般牵涉通过在靶(例如,陶瓷源材料)和衬底之间施加交流(AC)或射频(RF)信号激发电容放电。溅射腔可以具有惰性气氛(例如,氩气氛),其具有在约I毫托至约20毫托之间的压強。
[0060] 由于抗蚀性透明层16的存在,硫化镉层18可以具有小于约0. I ii m的厚度,例如在约IOnm和约IOOnm之间,例如从约50nm至约80nm之间,其中具有针孔在抗蚀性透明层16和硫化铺层18之间的最小存在量。另外,具有小于约0. I 的厚度的硫化铺层18减小辐射能由硫化镉层18的任何吸收,有效地增加到达在下面的碲化镉层22的辐射能的量。
[0061] 碲化镉层20在图7的示范性碲化镉薄膜光伏器件10中的硫化镉层18上示出。该碲化镉层20是p型层,其一般包括碲化镉(CdS)但也可包括其他材料。作为器件10的p型层,该碲化镉层20是光伏层,其与硫化镉层18 (即,n型层)相互作用以通过由于器件10的高吸收系数吸收传递进入器件10的大部分辐射能并且形成电子空穴对而从辐射能吸收来产生电流。例如,该碲化镉层20—般可以用碲化镉形成并且可以具有调整以吸收辐射能的带隙(例如,从约I. 4eV至约I. 5eV,例如约I. 45eV)以当吸收辐射能时形成电子空穴对。空穴可从P型侧(即,碲化镉层20)移动跨过结到n型侧(即,硫化镉层18),并且相反地,电子可从n型侧传递到p型侧。从而,在硫化镉层18和碲化镉层20之间形成的p-n结形成像ニ极管的材料,其允许常规电流仅在ー个方向上流动以形成跨边界的电荷不平衡。该电荷不平衡导致跨越P-n结并且使游离电子和空穴分开的电场的形成。
[0062] 碲化镉层20可以通过任何已知的エ艺形成,例如化学气相沉积(CVD)、喷射热解、电沉积、溅射、近空间升华(CSS)等。在ー个特定实施例中,硫化镉层18通过溅射沉积并且碲化镉层20通过近空间升华沉积。在特定实施例中,碲化镉层20可以具有在约0. I ii m和约10 iim之间的厚度,例如从约Iiim至约5 iim。在ー个特定实施例中,碲化镉层20可以具有在约2iim和约4iim之间的厚度,例如约3iim等。
[0063] 一系列后形成处理(post-forming treatment)可以利用上文论述的处理系统100施加于締化镉层20的暴露表面。
[0064] 另外,背接触层22可以使用处理系统100或另ー个系统施加于碲化镉层20。该背接触层22 —般充当相对于对置的充当前电接触的TCO层14的背电接触。该背接触层22可以在碲化镉层20上形成,并且在一个实施例中与碲化镉层20直接接触。该背接触层24适当地用ー个或多个高导电材料制成,例如元素镍、铬、铜、锡、铝、金、银、得或其的合金或混合物。另外,背接触层22可以是单层或可以是多层。在ー个特定实施例中,背接触层22可以包括石墨,例如沉积在P层上的后跟ー层或多层金属(例如上文描述的金属)的碳层。背接触层22 (如果用ー个或多个金属制成或包括ー个或多个金属)通过例如溅射或金属蒸发等技术适当地施加。如果它用石墨或聚合物共混物(blend)或由碳糊(carbon paste)制成,共混物或糊通过用于分散共混物或糊的任何适合的方法(例如丝网印刷、喷射或通过“刮”刀)施加到半导体器件。在施加石墨共混物或碳糊后,器件可以加热以将共混物或糊转换成导电背接触层。碳层(如果使用的话)在厚度上可以从约0. Iym至约lOym,例如从约I U m至5 u m。背接触的金属层(如果用于背接触层22或作为背接触层22的部分)在厚度上可以从约0. 1 ii m至约1 ii m。
[0065] 封装玻璃24也在图7的示范性碲化镉薄膜光伏器件10中示出。
[0066] 其他部件(未示出)可以包括在示范性器件10中,例如母线、外部接线、激光蚀刻等。例如,当器件10形成光伏模块的光伏电池时,多个光伏电池可以串联连接以便达到期望的电压,例如通过电接线连接。串联连接的电池的每端可以粘附到适合的导体,例如电线或母线,以将光伏产生的电流引导到便利的位置以用于连接到使用该产生的电カ的装置或其他系统。用于获得这样的串联连接的便利的方法是激光刻划器件以使器件分成通过互连连接的一系列电池。在ー个特定实施例中,例如,激光可以用于刻划半导体器件的沉积层以将器件分成多个串联连接的电池。
[0067]图8示出根据本发明的一个实施例制造光伏器件的示范性方法30的流程图。根据该示范性方法30,在32,TCO层在玻璃衬底上形成。在34,抗蚀性透明缓冲层在TCO层上形成。在36,硫化镉层在抗蚀性透明缓冲层上形成,并且在38碲化镉层在硫化镉层上形成。在40,碲化镉层可以在氯化镉存在下退火,并且其在42被清洗以去除在表面上形成的任何CdO。在44该碲化镉层可以用铜来掺杂。在46,背接触层可以施加在碲化镉层之上,并且在48封装玻璃可以施加在背接触层之上。
[0068] 本领域内技术人员应该认识到其他加工和/或处理可以包括在方法30中。例如,方法还可包括激光刻划以在器件中形成电隔离的光伏电池。这些电隔离的光伏电池然后可以串联连接以形成光伏模块。同样,电线可以连接到光伏模块的正和负端以提供引线来利用由该光伏模块产生的电流。
[0069] 该书面说明使用示例以公开本发明,其包括最佳模式,并且还使本领域内技术人员能够实践本发明,包括制作和使用任何装置或系统和执行任何包含的方法。本发明的专利范围由权利要求限定,并且可包括本领域内技术人员想到的其他示例。这样的其他示例如果它们包括不与权利要求的书面语言不同的结构元件,或者如果它们包括与权利要求的书面语言无实质区别的等同结构元件则规定在权利要求的范围内。
[0070] 部件列表
[0071]
Figure CN102237447AD00131

Claims (15)

1. 一种用于碲化镉薄膜光伏器件(10)的处理的设备,所述设备包括: 处理系统(100),其包括预热部分(102)、处理腔(104)和退火炉(106),其中所述预热部分(102)、所述处理腔(104)和所述退火炉(106)在所述处理系统(100)内一体式互连;以及 传送系统(110),其可操作地设置在所述处理系统(100)内并且配置用于采用连续设置以可控速度将衬底(12)运输进入和通过所述预热部分(102)、进入和通过所述处理腔(104)以及进入和通过所述退火炉(106), 其中所述处理腔(104)配置用于施加材料到所述衬底(12)上的薄膜,并且所述退火炉(106)配置成当所述衬底(12)由所述传送系统(110)连续传送通过所述处理腔(104)时加热所述衬底到退火温度。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述处理腔(104)包括配置成喷射液体到所述衬底(12)的表面上的喷头(105)。
3.如权利要求1或2所述的设备,进一步包括连接到所述喷头(105)并且配置成提供所述液体的连续流到所述喷头(105)的源槽。
4.如权利要求1至3中任一项所述的设备,其中所述处理腔(104)包括配置成施加液体到所述衬底(12)的表面的施加器辊(120)。
5.如权利要求1至4中任一项所述的设备,其中所述传送系统(110)包括穿越所述处理系统(100)的单个传送带(113)。
6.如权利要求5所述的设备,其中所述传送系统(110)进一步包括配置成清洁所述单个传送带(113)的清洁系统。
7.如权利要求6所述的设备,其中所述清洁系统包括清洁槽(130),其放置使得所述单个传送带(113)在返回路径上通过所述清洁槽(130)。
8.如权利要求I至7中任一项所述的设备,其中所述处理系统(100)包括多个互连模块化单元,其中所述模块化单元中的每个具有独立传送器。
9.如权利要求8所述的设备,其中所述模块化单元中的每个被独立控制使得所述衬底(12)以期望的预热速度、沉积速度和退火速度被传送通过所述处理系统(100)。
10.如权利要求8所述的设备,其中所述处理腔(104)被限定在个体模块内,并且所述独立传送器包括传送带和配置成清洁所述传送带的清洁系统。
11.如权利要求I至10中任一项所述的设备,其中所述处理系统(100)进一步包括冷却腔(108),其中所述预热部分(102)、所述处理腔(104)、所述退火炉(106)和所述冷却腔(108)集成在所述处理系统(100)内。
12.如权利要求I至11中任一项所述的设备,其中所述预热部分(102)、所述处理腔(104)和所述退火炉(106)中的每个由限定缝隙入口的壁分开,所述缝隙入口确定大小以通过其接收所述衬底。
13. 一种用于碲化镉薄膜光伏器件(10)的处理的过程,所述过程包括: 将衬底(12)各个地引入预热腔(102); 在所述预热腔(102)内加热所述衬底(12)到沉积温度; 采用连续设置传送所述衬底(12)进入一体式互连到所述预热腔(102)的处理腔(104);施加处理成分于所述衬底(12)的表面; 采用连续设置传送所述衬底(12)进入一体式互连到所述处理腔(104)的退火炉(106);以及 在从约250°C至约500°C的退火温度将所述衬底(12)退火。
14.如权利要求13所述的过程,其中所述处理成分包括铜、氯化镉或其混合物。
15. 一种用于形成碲化镉薄膜光伏器件(10)的过程,所述过程包括: 在多个衬底(12)上形成硫化镉层(18); 在所述硫化镉层(18)上形成碲化镉层(20); 其后,将所述衬底(12)各个地引入预热腔(102); 在所述预热腔(102)内加热所述衬底(12)到沉积温度; 采用连续设置传送所述衬底(12)进入一体式互连到所述预热腔(102)的处理腔(104); 喷射处理成分于所述衬底(12)的表面,其中所述处理成分包括氯化镉; 采用连续设置传送所述衬底(12)进入一体式互连到所述处理腔(104)的退火炉(106);以及 在从约250°C至约500°C的退火温度将所述衬底(12)退火。
CN201110113758.2A 2010-04-23 2011-04-21 薄膜层光伏模块制品的处理 Active CN102237447B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/766135 2010-04-23
US12/766,135 US8252619B2 (en) 2010-04-23 2010-04-23 Treatment of thin film layers photovoltaic module manufacture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102237447A true CN102237447A (zh) 2011-11-09
CN102237447B CN102237447B (zh) 2015-11-25

Family

ID=44358211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110113758.2A Active CN102237447B (zh) 2010-04-23 2011-04-21 薄膜层光伏模块制品的处理

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8252619B2 (zh)
EP (1) EP2381485B1 (zh)
CN (1) CN102237447B (zh)
AU (1) AU2011201852A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104128721A (zh) * 2014-07-28 2014-11-05 江苏康杰机械股份有限公司 汽车蒸发器钝化炉
CN105665188A (zh) * 2014-11-18 2016-06-15 科峤工业股份有限公司 回圈移动的传动元件沾染涂料的清洗方法及其装置
CN105870247A (zh) * 2014-10-20 2016-08-17 台积太阳能股份有限公司 吸收件表面改进
CN107170667A (zh) * 2017-05-25 2017-09-15 昆山国显光电有限公司 基板湿制程工艺方法及基板湿制程工艺装置
CN107210200A (zh) * 2015-03-25 2017-09-26 住友化学株式会社 衬底处理装置及衬底处理方法
CN104425653B (zh) * 2013-08-30 2017-11-21 中国建材国际工程集团有限公司 用于薄层太阳能电池的附加的底层
CN110190015A (zh) * 2019-06-27 2019-08-30 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1399480B1 (it) * 2010-03-15 2013-04-19 Stral S R L Apparecchiatura per la deposizione di materiale semiconduttore su vetro
CN103081127B (zh) * 2010-07-06 2016-03-30 株式会社岛津制作所 放射线检测器的制造方法
US8778724B2 (en) * 2010-09-24 2014-07-15 Ut-Battelle, Llc High volume method of making low-cost, lightweight solar materials
DE102011080202A1 (de) * 2011-08-01 2013-02-07 Gebr. Schmid Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten
US9397238B2 (en) * 2011-09-19 2016-07-19 First Solar, Inc. Method of etching a semiconductor layer of a photovoltaic device
CN102881778B (zh) * 2012-10-17 2015-01-28 上海太阳能电池研究与发展中心 一种CdTe薄膜电池的热处理方法
US20140134838A1 (en) * 2012-11-09 2014-05-15 Primestar Solar, Inc. Methods of annealing a conductive transparent oxide film layer for use in a thin film photovoltaic device
US9093599B2 (en) 2013-07-26 2015-07-28 First Solar, Inc. Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate
EP3167493A4 (en) * 2015-02-17 2017-10-04 Sierra Solar Power (Hangzhou) Co., Ltd. Method and system for improving solar cell manufacturing yield
US9972740B2 (en) 2015-06-07 2018-05-15 Tesla, Inc. Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures
EP3387679A2 (en) * 2015-12-09 2018-10-17 First Solar, Inc. Photovoltaic devices and method of manufacturing
US9748434B1 (en) 2016-05-24 2017-08-29 Tesla, Inc. Systems, method and apparatus for curing conductive paste
US9954136B2 (en) 2016-08-03 2018-04-24 Tesla, Inc. Cassette optimized for an inline annealing system
US10115856B2 (en) 2016-10-31 2018-10-30 Tesla, Inc. System and method for curing conductive paste using induction heating
KR101912772B1 (ko) * 2016-12-26 2019-01-14 주식회사 한화 광기전력 소자 제조 장치 및 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3682578A (en) * 1967-12-28 1972-08-08 Novacel Sa Device for the continuous manufacture of artificial sponges
US3880633A (en) * 1974-01-08 1975-04-29 Baldwin Co D H Method of coating a glass ribbon on a liquid float bath
JPS5911641A (en) * 1982-07-12 1984-01-21 Hitachi Ltd Device for heat treatment
US6423565B1 (en) * 2000-05-30 2002-07-23 Kurt L. Barth Apparatus and processes for the massproduction of photovotaic modules
CN101501864A (zh) * 2006-06-19 2009-08-05 卡伯特公司 光伏导电部件及其形成方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4207119A (en) * 1978-06-02 1980-06-10 Eastman Kodak Company Polycrystalline thin film CdS/CdTe photovoltaic cell
US4950615A (en) 1989-02-06 1990-08-21 International Solar Electric Technology, Inc. Method and making group IIB metal - telluride films and solar cells
US5147498A (en) 1990-04-09 1992-09-15 Anelva Corporation Apparatus for controlling temperature in the processing of a substrate
US5501744A (en) * 1992-01-13 1996-03-26 Photon Energy, Inc. Photovoltaic cell having a p-type polycrystalline layer with large crystals
US5248349A (en) 1992-05-12 1993-09-28 Solar Cells, Inc. Process for making photovoltaic devices and resultant product
US5270248A (en) * 1992-08-07 1993-12-14 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming diffusion junctions in solar cell substrates
US5712187A (en) * 1995-11-09 1998-01-27 Midwest Research Institute Variable temperature semiconductor film deposition
WO1997021252A1 (fr) * 1995-12-07 1997-06-12 Japan Energy Corporation Procede de fabrication d'un dispositif photoelectrique de conversion
US6137048A (en) * 1996-11-07 2000-10-24 Midwest Research Institute Process for fabricating polycrystalline semiconductor thin-film solar cells, and cells produced thereby
US5772715A (en) 1997-01-17 1998-06-30 Solar Cells, Inc. System and method for processing sheet glass
US6251701B1 (en) 2000-03-01 2001-06-26 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy All-vapor processing of p-type tellurium-containing II-VI semiconductor and ohmic contacts thereof
US6641670B2 (en) * 2000-10-12 2003-11-04 Toray Industries, Inc. Leaf coater for producing leaf type coated substrates
JP2002246356A (ja) 2001-02-19 2002-08-30 Sony Corp 薄膜形成装置
US6719848B2 (en) 2001-08-16 2004-04-13 First Solar, Llc Chemical vapor deposition system
JP4269653B2 (ja) 2002-11-20 2009-05-27 株式会社島津製作所 放射線検出器の製造方法
ITLU20050002A1 (it) 2005-02-08 2006-08-09 Solar Systems & Equipments Srl UN NUOVO PROCESSO PER IL TRATTAMENTO IN AMBIENTE DI CLORO DELLE CELLE SOLARI A FILM SOTTILI DI CdTe/CdS senza l'uso di CdC12.
DE102005062528A1 (de) 2005-12-16 2007-06-21 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten
US20080145633A1 (en) * 2006-06-19 2008-06-19 Cabot Corporation Photovoltaic conductive features and processes for forming same
US20090194165A1 (en) 2008-01-31 2009-08-06 Primestar Solar, Inc. Ultra-high current density cadmium telluride photovoltaic modules
US20090215224A1 (en) 2008-02-21 2009-08-27 Film Solar Tech Inc. Coating methods and apparatus for making a cigs solar cell
AU2009229339A1 (en) 2008-03-26 2009-10-01 Solexant Corp. Improved junctions in substrate solar cells
US8557045B2 (en) 2008-08-26 2013-10-15 Colorado State University Research Foundation Apparatus and method for fabricating photovoltaic modules using heated pocket deposition in a vacuum
US8084682B2 (en) * 2009-01-21 2011-12-27 Yung-Tin Chen Multiple band gapped cadmium telluride photovoltaic devices and process for making the same
US20100243437A1 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Alliance For Sustainable Energy, Llc Research-scale, cadmium telluride (cdte) device development platform
US8247255B2 (en) 2009-12-15 2012-08-21 PrimeStar, Inc. Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8303779B2 (en) * 2009-12-16 2012-11-06 Primestar Solar, Inc. Methods for forming a transparent conductive oxide layer on a substrate
US7939363B1 (en) * 2010-10-27 2011-05-10 General Electric Company Systems and methods of intermixing cadmium sulfide layers and cadmium telluride layers for thin film photovoltaic devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3682578A (en) * 1967-12-28 1972-08-08 Novacel Sa Device for the continuous manufacture of artificial sponges
US3880633A (en) * 1974-01-08 1975-04-29 Baldwin Co D H Method of coating a glass ribbon on a liquid float bath
JPS5911641A (en) * 1982-07-12 1984-01-21 Hitachi Ltd Device for heat treatment
US6423565B1 (en) * 2000-05-30 2002-07-23 Kurt L. Barth Apparatus and processes for the massproduction of photovotaic modules
CN101501864A (zh) * 2006-06-19 2009-08-05 卡伯特公司 光伏导电部件及其形成方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104425653B (zh) * 2013-08-30 2017-11-21 中国建材国际工程集团有限公司 用于薄层太阳能电池的附加的底层
CN104128721A (zh) * 2014-07-28 2014-11-05 江苏康杰机械股份有限公司 汽车蒸发器钝化炉
CN105870247A (zh) * 2014-10-20 2016-08-17 台积太阳能股份有限公司 吸收件表面改进
TWI578550B (zh) * 2014-10-20 2017-04-11 台灣積體電路製造股份有限公司 光伏電池的形成方法及系統
CN105665188A (zh) * 2014-11-18 2016-06-15 科峤工业股份有限公司 回圈移动的传动元件沾染涂料的清洗方法及其装置
CN107210200A (zh) * 2015-03-25 2017-09-26 住友化学株式会社 衬底处理装置及衬底处理方法
CN107170667A (zh) * 2017-05-25 2017-09-15 昆山国显光电有限公司 基板湿制程工艺方法及基板湿制程工艺装置
CN110190015A (zh) * 2019-06-27 2019-08-30 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8252619B2 (en) 2012-08-28
EP2381485A2 (en) 2011-10-26
EP2381485B1 (en) 2016-12-07
CN102237447B (zh) 2015-11-25
AU2011201852A1 (en) 2011-11-10
EP2381485A3 (en) 2012-01-18
US20120285375A1 (en) 2012-11-15
US20110263070A1 (en) 2011-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102237447B (zh) 薄膜层光伏模块制品的处理
CN102130207A (zh) 碲化镉薄膜光伏装置及其制造方法
CN102142475A (zh) 碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法
EP2383363B1 (en) Cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and method of their manufacture
US20120061235A1 (en) Mixed sputtering target of cadmium sulfide and cadmium telluride and methods of their use
AU2011201197B2 (en) Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device
TWI442582B (zh) 用於太陽能電池的氧化鎘鋅緩衝層
CN102456754A (zh) 用于薄膜光伏器件的硫化镉层和碲化镉层的混合以及它们的制造方法
CN102208485B (zh) 基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法
CN102237448A (zh) 为进一步处理保护硫化镉的器件及方法
CN102315326B (zh) 碲化镉基薄膜光伏器件中使用的导电透明氧化物膜层的形成方法
CN102237418B (zh) 基于碲化镉的薄膜光伏器件使用的硫化镉层及其制造方法
CN102312194B (zh) 用于形成导电透明氧化物膜层的设备和方法
CN102312190B (zh) 溅射用于基于碲化镉的光伏器件的rtb薄膜的方法
CN102315287B (zh) 基于碲化镉的薄膜光伏装置的作为前接触的金属网格线
CN102208484B (zh) 基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法
CN102315321A (zh) 透明导电层及其形成方法
US20140134838A1 (en) Methods of annealing a conductive transparent oxide film layer for use in a thin film photovoltaic device
CN102453864A (zh) 混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
C06 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C10 Entry into substantive examination
GR01 Patent grant
C14 Grant of patent or utility model