JPS59114828A - 酸化シリコン膜の製造方法 - Google Patents
酸化シリコン膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS59114828A JPS59114828A JP57223053A JP22305382A JPS59114828A JP S59114828 A JPS59114828 A JP S59114828A JP 57223053 A JP57223053 A JP 57223053A JP 22305382 A JP22305382 A JP 22305382A JP S59114828 A JPS59114828 A JP S59114828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- temperature
- spattering
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H10P14/60—
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57223053A JPS59114828A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 酸化シリコン膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57223053A JPS59114828A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 酸化シリコン膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59114828A true JPS59114828A (ja) | 1984-07-03 |
| JPH0223030B2 JPH0223030B2 (OSRAM) | 1990-05-22 |
Family
ID=16792093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57223053A Granted JPS59114828A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 酸化シリコン膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59114828A (OSRAM) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236127A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Internatl Rectifier Corp Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-12-21 JP JP57223053A patent/JPS59114828A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236127A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Internatl Rectifier Corp Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0223030B2 (OSRAM) | 1990-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4539744A (en) | Semiconductor planarization process and structures made thereby | |
| AU577953B2 (en) | Ion beam construction of i/c memory device | |
| JP3142457B2 (ja) | 強誘電体薄膜キャパシタの製造方法 | |
| JPH03148131A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH029450B2 (OSRAM) | ||
| JPH0456453B2 (OSRAM) | ||
| JPS59114828A (ja) | 酸化シリコン膜の製造方法 | |
| JPS59114853A (ja) | 積層集積回路素子の製造方法 | |
| JPH0444259A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59114830A (ja) | 窒化シリコン膜の製造方法 | |
| JPH029449B2 (OSRAM) | ||
| JPS6185815A (ja) | 多結晶シリコン膜の形成方法 | |
| JPH03225829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59191354A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5925245A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62104078A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0244701A (ja) | 薄膜抵抗器およびその製造方法 | |
| JPS59188957A (ja) | 半導体装置用キヤパシタの製造方法 | |
| JPH06291253A (ja) | 半導体素子の電荷蓄積部の誘電体絶縁膜の形成方法 | |
| JPH04275430A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02111871A (ja) | 酸化タンタルと酸化シリコンとの混合膜の製造方法 | |
| JPS62104062A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPS5852330B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03250729A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH08264435A (ja) | 多結晶半導体の製造方法 |