JPS59114520A - エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59114520A JPS59114520A JP22573882A JP22573882A JPS59114520A JP S59114520 A JPS59114520 A JP S59114520A JP 22573882 A JP22573882 A JP 22573882A JP 22573882 A JP22573882 A JP 22573882A JP S59114520 A JPS59114520 A JP S59114520A
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- Japan
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- frame
- substrate
- melting point
- counter substrate
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/161—Gaskets; Spacers; Sealing of cells; Filling or closing of cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、エレクトロクロミンク表示装置の製造方法に
関し、更に詳言すれば中間に空間を形成して１．ね合さ
れる２枚の基板の接着方法に関する。
関し、更に詳言すれば中間に空間を形成して１．ね合さ
れる２枚の基板の接着方法に関する。
従来技術
エレクトロクロミック表示装置では、通常電解質として
非水溶媒、例えばグロピレンヵーざネート、Ｔ−ブチロ
ラクトンに過塩紫電すチウム等カチオン発生物僧を溶解
させて調整した電解液が使用される。このような電解液
を使用した場合、液の漏洩を防ぐため基板間空間の完全
なシー〜が要求される。従来このシール剤として、専ら
エポキン樹脂に代表される有機シール剤が使用されてい
る。低融点ガラス等無機シーｌｖ割を使用することも考
えられたが、低融点ガラスの溶融には約４０θ℃程度の
加熱処理が必要であシ、かがる加熱処理によりエレクト
ロクロミック物質が変質し着色したシ、発色、消色反応
員が低）し表示コントラフトが悪化する等の問題が発生
する。即ち、エレクトロクロミック物％Ｊ例えば８酸化
タングステンＷＯＢの場合、約２５０℃の温度下で着色
し始め約３５０℃下で結晶化が生じて発色、消色反応が
生じにくくなる。それ故従来では、このような無機シー
ルは、実用化に到っていす、約３５０℃下度で硬化する
有様シール剤が使用されているのである。然しなから前
述した有様シールは、電解液として但・用される有板溶
媒に溶解するという欠点があシ、その溶解及び膨潤によ
シシール剤の接着強度が但、下し、かつシーρ剤自身若
干の透水性を有するため電解液中へ水分が混入する。電
解液中へ浸入した水分は、分解されてＷＯ２膜を剥離さ
せる原因となるなど悪影響を及ぼしている。
非水溶媒、例えばグロピレンヵーざネート、Ｔ−ブチロ
ラクトンに過塩紫電すチウム等カチオン発生物僧を溶解
させて調整した電解液が使用される。このような電解液
を使用した場合、液の漏洩を防ぐため基板間空間の完全
なシー〜が要求される。従来このシール剤として、専ら
エポキン樹脂に代表される有機シール剤が使用されてい
る。低融点ガラス等無機シーｌｖ割を使用することも考
えられたが、低融点ガラスの溶融には約４０θ℃程度の
加熱処理が必要であシ、かがる加熱処理によりエレクト
ロクロミック物質が変質し着色したシ、発色、消色反応
員が低）し表示コントラフトが悪化する等の問題が発生
する。即ち、エレクトロクロミック物％Ｊ例えば８酸化
タングステンＷＯＢの場合、約２５０℃の温度下で着色
し始め約３５０℃下で結晶化が生じて発色、消色反応が
生じにくくなる。それ故従来では、このような無機シー
ルは、実用化に到っていす、約３５０℃下度で硬化する
有様シール剤が使用されているのである。然しなから前
述した有様シールは、電解液として但・用される有板溶
媒に溶解するという欠点があシ、その溶解及び膨潤によ
シシール剤の接着強度が但、下し、かつシーρ剤自身若
干の透水性を有するため電解液中へ水分が混入する。電
解液中へ浸入した水分は、分解されてＷＯ２膜を剥離さ
せる原因となるなど悪影響を及ぼしている。
発明の目的
本発明は、エレクトロクロミンク層に温度上昇による悪
影響を及はすことなく、２枚の基板を無機シール剤にて
シールすることを可能とし、これによシ基板間の接着強
化、シール剤の溶解による電解液の汚染防止及び水分の
侵入阻止の達成を目的とする。
影響を及はすことなく、２枚の基板を無機シール剤にて
シールすることを可能とし、これによシ基板間の接着強
化、シール剤の溶解による電解液の汚染防止及び水分の
侵入阻止の達成を目的とする。
発明の構成
本発明製造方法は、表示電極を形成した表示側基板周囲
のシール領域に低融点ガラスを付着させた後、これに金
属者しくけセラミック等の無機物ηよυなるフレームを
連ね合せ、低融点ガラスを約４００℃に加熱してこれを
溶融し、フレームと表示側基板とを固定し、その後表示
電極上にエレクトロクロミック層を形成した後、上記フ
レーム上に金属板よりなる対向基板を重ね、この対向基
板とフレームとをパラレルシーム溶接にょシ固定するも
のである。
のシール領域に低融点ガラスを付着させた後、これに金
属者しくけセラミック等の無機物ηよυなるフレームを
連ね合せ、低融点ガラスを約４００℃に加熱してこれを
溶融し、フレームと表示側基板とを固定し、その後表示
電極上にエレクトロクロミック層を形成した後、上記フ
レーム上に金属板よりなる対向基板を重ね、この対向基
板とフレームとをパラレルシーム溶接にょシ固定するも
のである。
実施例
ｗＪ１図に基いて本発明実施例を工程順に説明する。
（Ａ） 透明ガ、ラス等よシなる表示例基板ｆｌ）の
−表面（２）に工′［′０膜にて、数字、文字等の表示
パターンに表示電極（３）が形成される。
−表面（２）に工′［′０膜にて、数字、文字等の表示
パターンに表示電極（３）が形成される。
（Ｂ） 表示側基板ｉｌ＋の表面（２）周辺のシール
領域に低融点ガラス（４）が付着され、さらにこの低融
点ガラス（４）上に厚さ約１〜２ｍｍの枠状フレーム（
５）が載置される。このフレーム（５）の材料として、
タングステンＷＳモリブデンＭＯ等の金Ｌ４２７０イ（
Ｆｅ５８％、Ｎｉ４２％）、５０アロイ（Ｆ０４８〜５
０９６、Ｎ１５０〜５２％）、４．２〜６７０イ（１０
４７〜５３％、Ｎｉ４２〜４７％、Ｃｒ５〜６％）、コ
バーＮ （Ｆ ｅ ５４９６、Ｎｉ２９％、Ｃｏ１７％
）、Ｆ’ｅ−Ｃｒ合金（Ｆｅ７０−７４％、Ｃ！ｒ２６
〜８（ｕｓ）等の合金、さらにメタル層を形成したセラ
ミックを使用することができる。図示の例は金属を使用
した場合でやる。
領域に低融点ガラス（４）が付着され、さらにこの低融
点ガラス（４）上に厚さ約１〜２ｍｍの枠状フレーム（
５）が載置される。このフレーム（５）の材料として、
タングステンＷＳモリブデンＭＯ等の金Ｌ４２７０イ（
Ｆｅ５８％、Ｎｉ４２％）、５０アロイ（Ｆ０４８〜５
０９６、Ｎ１５０〜５２％）、４．２〜６７０イ（１０
４７〜５３％、Ｎｉ４２〜４７％、Ｃｒ５〜６％）、コ
バーＮ （Ｆ ｅ ５４９６、Ｎｉ２９％、Ｃｏ１７％
）、Ｆ’ｅ−Ｃｒ合金（Ｆｅ７０−７４％、Ｃ！ｒ２６
〜８（ｕｓ）等の合金、さらにメタル層を形成したセラ
ミックを使用することができる。図示の例は金属を使用
した場合でやる。
このフレーム（５）上面即ち後述する対向基板（６）が
接する面には、Ａｕ若しくはＮ１よりなる薄膜（７）が
メッキ等により２〜３μの厚さにコーティングされてい
る。セラミックをフレーム材料として使用した場合、直
接これにＡｕ、Ｎｉを被着させることは難しいので、Ｗ
、ＭＱ等の金属を介在させた後この上にＡｕ、Ｎｉ薄膜
の形成が行なわれる。この場合、まずセラミックフレー
ムの所定領域にＷ若しくはＭＱ粉末を有機バインダーに
混合した液体を塗布し、これを還元雰囲気中で熱処理し
てＷ若しくはＭＱの薄膜を形成した後、これにＡｕ若し
くはＮ１をメッキすれば所望のＡｕ若しくはＮ１の薄膜
が得られる。このような薄膜（７）を設けたフレーム（
５）を低融点ガラス（４）上に載置後、低融点ガラス（
４）を約４００℃に加熱し、これを溶融し、その後冷却
してフレーム（５）を表示側基板（１）に固定する。
接する面には、Ａｕ若しくはＮ１よりなる薄膜（７）が
メッキ等により２〜３μの厚さにコーティングされてい
る。セラミックをフレーム材料として使用した場合、直
接これにＡｕ、Ｎｉを被着させることは難しいので、Ｗ
、ＭＱ等の金属を介在させた後この上にＡｕ、Ｎｉ薄膜
の形成が行なわれる。この場合、まずセラミックフレー
ムの所定領域にＷ若しくはＭＱ粉末を有機バインダーに
混合した液体を塗布し、これを還元雰囲気中で熱処理し
てＷ若しくはＭＱの薄膜を形成した後、これにＡｕ若し
くはＮ１をメッキすれば所望のＡｕ若しくはＮ１の薄膜
が得られる。このような薄膜（７）を設けたフレーム（
５）を低融点ガラス（４）上に載置後、低融点ガラス（
４）を約４００℃に加熱し、これを溶融し、その後冷却
してフレーム（５）を表示側基板（１）に固定する。
（０） かかる処理後表示電極（３）上にエレクトロ
クロミック層（８）がＷ ＯＢ ＋ ’Ｊ ｏ ０８等
の蒸着により形成される。
クロミック層（８）がＷ ＯＢ ＋ ’Ｊ ｏ ０８等
の蒸着により形成される。
（Ｄ） コパール、ＳＵＳステンレス等の金属板よυ
力る対向基板（６）の−表面に予めＡｕｇしくはＮ１を
メッキ等にてコーティングし薄膜（９）を形成し、かつ
対向電極θ５）をその略中夫に設けたものをフレーム（
５）上に１．ね合せる。このとき対向基板（６）の薄膜
（９）とフレーム（６）の薄膜（７）とはルなり合う。
力る対向基板（６）の−表面に予めＡｕｇしくはＮ１を
メッキ等にてコーティングし薄膜（９）を形成し、かつ
対向電極θ５）をその略中夫に設けたものをフレーム（
５）上に１．ね合せる。このとき対向基板（６）の薄膜
（９）とフレーム（６）の薄膜（７）とはルなり合う。
尚この対向電極（＋６）としては、ＬｌｚＷＯＢ 、Ｌ
ｉｘＴｉ０２ＬｉｚＶ２０５．Ｌ、、１ｚＭ１０２等の
エレクトロクロミック物ηを使用することができる。一
方の薄膜（９）がＡｕであるとき他方の薄膜（７）をＮ
ｉにすれは、両者溶融したとき共晶合金を形成し融点を
１ける効果があるので望ましい。然し、両者ともにＡｕ
或はＮ１にて構成することも勿論可能である。また２枚
の基板＋１１（６順」には、光拡散板を介在させて、表
示の背景色を得ることもできる。対向基板（６）載置後
、この基板（６）の他の表面の両端に一対の電極（１０
１１１１を接触させ、これに電源を流し、かつ一方の端
から他方の端へ転がしながら移動させる。こうすると電
流は、対向電極（６）薄膜ｆ９１（７）及びフレーム（
５）を通−〕て他方の電極（１１）の接触部分のフレー
ム（５）に達し、さらに薄膜（７１＋９１及び対向基板
（６）を通って他方の電＆（川に流れる。このとき、薄
膜＋７） ＋９）の接触部分が溶け、両者は溶融する。
ｉｘＴｉ０２ＬｉｚＶ２０５．Ｌ、、１ｚＭ１０２等の
エレクトロクロミック物ηを使用することができる。一
方の薄膜（９）がＡｕであるとき他方の薄膜（７）をＮ
ｉにすれは、両者溶融したとき共晶合金を形成し融点を
１ける効果があるので望ましい。然し、両者ともにＡｕ
或はＮ１にて構成することも勿論可能である。また２枚
の基板＋１１（６順」には、光拡散板を介在させて、表
示の背景色を得ることもできる。対向基板（６）載置後
、この基板（６）の他の表面の両端に一対の電極（１０
１１１１を接触させ、これに電源を流し、かつ一方の端
から他方の端へ転がしながら移動させる。こうすると電
流は、対向電極（６）薄膜ｆ９１（７）及びフレーム（
５）を通−〕て他方の電極（１１）の接触部分のフレー
ム（５）に達し、さらに薄膜（７１＋９１及び対向基板
（６）を通って他方の電＆（川に流れる。このとき、薄
膜＋７） ＋９）の接触部分が溶け、両者は溶融する。
しかる後冷却すれば対向基板（６）とフレーム（５）は
溶着される。前述のような溶接方法はパラレルシーム溶
接と呼ばれるものであり、２層の薄膜（７１Ｆ９＋の接
触部分のみ加熱溶着されるので、エレクトロクロミック
層（８）が形成されている表示側基板ｆｉｌの表面１は
、約１００℃程度までしか上昇しない。
溶着される。前述のような溶接方法はパラレルシーム溶
接と呼ばれるものであり、２層の薄膜（７１Ｆ９＋の接
触部分のみ加熱溶着されるので、エレクトロクロミック
層（８）が形成されている表示側基板ｆｉｌの表面１は
、約１００℃程度までしか上昇しない。
（Ｅ） このようにして２枚の基板１ｘｌｆｅ）が貼
り合せられた後、対向基板（６）に設けられた注入孔（
１２）から、電解液（１３）が注入され、半田等シーμ
剤（１４）にてシールされる。
り合せられた後、対向基板（６）に設けられた注入孔（
１２）から、電解液（１３）が注入され、半田等シーμ
剤（１４）にてシールされる。
発明の効果
第２図は、エボキン樹脂にてシールした従来例（Ａ）及
び本発り１実施例に係るシール方法を゛採用した例（Ｂ
）による高温多湿雰囲気（７０℃、湿度９０％）下での
電解液中の水分量変化を示したものである。
び本発り１実施例に係るシール方法を゛採用した例（Ｂ
）による高温多湿雰囲気（７０℃、湿度９０％）下での
電解液中の水分量変化を示したものである。
有板檎脂シールの場合水分量の増加が認められるのに対
し、本発明シーｐの場合全く変化が認め′られず、シー
ル部の気密性、耐食性、耐久性に優れていることが確か
められた。
し、本発明シーｐの場合全く変化が認め′られず、シー
ル部の気密性、耐食性、耐久性に優れていることが確か
められた。
第１図は、本発明実施例を示す断面図、第２図は、水分
量変化−保有時間特性図である。 ｆｉ＋・・・表示側基板 （３）・・・表示型＆（４）
・・・低融点ガラス （６）・・・フレーム （６）・
・・対向基板 （７）（９）・・・薄膜（１６）・・・
対向電極 第１図 第２図 保存→崗（九ｒＪ
量変化−保有時間特性図である。 ｆｉ＋・・・表示側基板 （３）・・・表示型＆（４）
・・・低融点ガラス （６）・・・フレーム （６）・
・・対向基板 （７）（９）・・・薄膜（１６）・・・
対向電極 第１図 第２図 保存→崗（九ｒＪ
Claims (1)
- １ 表面に透明導電膜よシなる表示電極を形成した透明
な表示側基板のシール領域に低融点ガラスを付着する工
程、該低融点ガラス上に金属若しくはセラミック等無機
物質よシなシ少なくとも対向基板接着領域に金若しくは
ニッケルの薄膜を設けたフレームを重ね合せた後、上記
低融点ガラスを加熱溶融して上記フレームを表示側基板
に同定する工程、該工程処理後、上記表示電極上にエレ
クトロクロミック層を形成する工程、予め少なくとも上
記フレームに接触する領域に金若しくはニッケルの薄膜
を設け、表面に対向電極を形成した金属板よシなる対向
基板を上記フレームを介して表示側基板に重ね合せ、上
記対向基板に一対の溶接電極を接触して対向基板に電流
を流し上記フレーム及び対向基板接触面に存在する金若
しくはニッケμを溶かしフレーム及び対向基板を固定す
る工程を含むエレクトロクロミック表示装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22573882A JPS59114520A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22573882A JPS59114520A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59114520A true JPS59114520A (ja) | 1984-07-02 |
Family
ID=16834054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22573882A Pending JPS59114520A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59114520A (ja) |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP22573882A patent/JPS59114520A/ja active Pending
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