JPS59113686A - 厚膜回路の形成方法 - Google Patents

厚膜回路の形成方法

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Publication number
JPS59113686A
JPS59113686A JP22430782A JP22430782A JPS59113686A JP S59113686 A JPS59113686 A JP S59113686A JP 22430782 A JP22430782 A JP 22430782A JP 22430782 A JP22430782 A JP 22430782A JP S59113686 A JPS59113686 A JP S59113686A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thick film
nozzle
slit
substrate
slit nozzle
Prior art date
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Pending
Application number
JP22430782A
Other languages
English (en)
Inventor
慎一 工藤
修一 村上
朗 壁下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Priority to EP83307644A priority patent/EP0113979B1/en
Priority to DE8383307644T priority patent/DE3373380D1/de
Publication of JPS59113686A publication Critical patent/JPS59113686A/ja
Priority to US06/802,950 priority patent/US4656048A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、描画ノズルを用いた厚膜回路の形成方法に関
する。
従来例の構成とその問題点 従来、厚膜回路を形成する方法としては、大量生産には
スクリーン印刷法が広く用いられ、一方試作には描画ノ
ズルを用いた描画法が用いられつつある。これは試作の
場合は試行錯誤が繰り返えされ、その度にスクリーン版
を設計・製作していたのでは時間がかかシ過ぎるのに対
し、描画法ではコンピュータ制御により短時間のうちに
新しい回路パターンを試作できるので開発期間の短縮が
可能なためである。さて従来の描画法とは、第1図に示
すように、厚膜ペースト1を吐出する円形描画ノズル3
を、基板2に対して相対的に移動させて基板2の表面に
厚膜ペースト1を塗布することによシ所望の回路パター
ンを形成するものであり、細線(目安として26〜15
0μm)を描画する場合に効果的である。第2図に円形
描画ノズル3の一例を示すが、一般に径が50〜200
μmのノズルが用いられている。しかし、第3図に示す
ように表面粗さ計で測定した焼成後の描画部断面は円形
描画ノズルを用い、た場合には半円状になり中央部の厚
みが厚くなるため、ノズル径を大きくして太線を描画す
ると厚みも厚くなってしまい薄厚で幅の広い線の描画が
困難であるという欠点があった。特に抵抗ペーストの場
合は焼成後抵抗値を調整するために行うレーザートリミ
ング工程に2いて、膜厚が厚いとトリミングが困難にな
り、たとえレーザーの出力を高くしたり、時間を長くし
てトリミングが可能になっても、高熱によって抵抗部−
にマイクロクラックが発生し経時的な抵抗値変化が発生
するなど信頼性が低下してしまう。
通常抵抗ペーストの場合は焼成後の膜厚が12μm以下
で且つ幅が1.omm前後であるが、円形描画ノズルで
は膜厚を12μn]以下に保つためには幅が最大16Q
μmの線しか描画できない。そのだめ従来は細線を何本
か隣接することにより薄くて幅の広い線を描画する方法
が用いられている。しかしこの方法では描画に時間がか
かる上に、隣接部の厚みが不均一となり、抵抗値が不安
定になるという品質上の問題点もあった。
発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、薄膜(12μm以下)で且つ
幅の広い線(0,3mm以上)を短時間に、しかも高精
度に描画できる厚膜回路の形成方法を提供することにあ
る。
発明の構成 まず本発明の詳細な説明する。本発明は、厚膜ペースト
を吐出する描画ノズルとしてスリットノズルを用い、ス
リットノズルの長手方向が基板に対する相対的な移動方
向に対して直角になるように設置して基板表面に所望の
回路パターンを描くようにしだ方法である。しだがって
、本発明方法によれば膜厚の薄いしかも幅の広い線を1
度の描画で描くことができ、描画精度の向上をも可能と
なる。なお、スリットノズルはその長手方向が走行方向
に対して常に直角になるよう制御する必要があるが、一
度システムを完成させれば如何なる回路パターンにも共
通して使用できるので何ら問題とはならない。まだ、ス
リットノズルの長さによって塗布されだ厚膜ペーストの
幅も規定されるが、長さの異なるスリットノズルを使い
分け、また設計段階であらかじめスリットノズルの長さ
を考慮に入れて回路パターンを設計しておくことで対応
できる。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。第4図において、4はスリットノズル、6は酸化ルテ
ニウム系の抵抗ペースト、6はアルミナの基板である。
第5図は第4図におけるスリットノズル4の先端部を示
し、スリット幅がo、1mm、スリット長さが1韻のス
テンレス金属製を用いた。スリットノズル4の先端と基
板6の表面との距離は0.171Jスリツトノズル4の
走行速度は6Q朋/秒、厚膜のペースト5の吐出圧力は
2 ”f / caとした。このような条件下で描画を
行ったところ、第6図に示すように、焼成後の膜厚が1
oμmで幅1 mmの線が得られた。種々の検討結果か
らスリットノズル4のスリット幅は0.03〜0.3m
mが適切であることを見出しだ。スリット幅が0.03
mm以下では、吐出圧を高くしても十分な吐出量が得ら
れず描画が困難であり、0.3 mm以上になると膜厚
が厚くな9薄膜(12μ以下)は得られない。スリット
長さは必要に応じ任意の長さにすることができるが通常
は0.3〜3mm程度である。またスリットノズル4の
先端と基板60表面との距離は0.06〜06mmが最
適であり、0.○smm以下では基板6の凹凸によりス
リット7ノズル4の先端が基板6と接触してスリットノ
ズル4が破壊されたり、所定の膜厚が得られなく、0.
5韻以上では厚膜ペーストの基板に対する゛ぬれ”が不
十分で描画が困難である。
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく
、例えば、スリットノズルとしては第6図に示すような
4角形以外にも、第7図に示すような異形スリットであ
ってもよい。
発明の効果 以上のように本発明の厚膜回路の形成方法によれば、描
画ノズルとしてスリットノズルを用いて、その長手方向
を走行方向と直角になるように設置して描画を行うので
、薄くて幅の広い線を一度で描くことができ、しだがっ
て、従来の円形ノズルを用いて細線を何本か隣接させて
幅の広い線を描画しているのに比較して、描画スピード
が、1韻幅の線を書く場合でおよそ6〜10倍高速化で
き、また描画精度も向上できる。
したがって本発明によれば、膜厚が薄く且つ幅の広い線
を高速で描画でき、さらに描画精度の向上も可能な厚膜
回路の形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の厚膜回路の形成方法の描画法を示す模式
図、第2図は同従来の方法に用いる円形描画ノズルの先
端斜視図、第3図は同従来法による描画線の焼成後の断
面形状を示す表面粗さ図、第4図は本発明の一実施例の
厚膜回路の形成方法の描画法を示す模式図、第6図は本
発明の方法に用いるスリットノズルの先端斜視図、第6
図は本発明による描画線の焼成後の断面形状の表面粗さ
図、第7図は本発明の描画法に用いる異形スリットノズ
ルの先端斜視図である。 1・・・・・・厚膜ペースト、2・・・・・基板、3・
・・・円形描画ノズル、4・・・・・・スリットノズル
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名卿1
図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 2伊π 第7図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 先端部がスリット形状で先端部から厚膜ペーストを吐出
    する描画ノズルを、基板に対して相対的に移動させて、
    基板の表面に厚膜ペーストを塗布することにより、所望
    の回路パターンを形成する厚膜回路の形成方法。
JP22430782A 1982-12-16 1982-12-20 厚膜回路の形成方法 Pending JPS59113686A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22430782A JPS59113686A (ja) 1982-12-20 1982-12-20 厚膜回路の形成方法
EP83307644A EP0113979B1 (en) 1982-12-16 1983-12-15 Method of forming thick film circuit patterns with a sufficiently wide and uniformly thick strip
DE8383307644T DE3373380D1 (en) 1982-12-16 1983-12-15 Method of forming thick film circuit patterns with a sufficiently wide and uniformly thick strip
US06/802,950 US4656048A (en) 1982-12-16 1985-11-27 Method of forming thick film circuit patterns with a sufficiently wide and uniformly thick strip

Applications Claiming Priority (1)

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JPS59113686A true JPS59113686A (ja) 1984-06-30

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