JPS59112625A - 表面異物除去装置 - Google Patents

表面異物除去装置

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Publication number
JPS59112625A
JPS59112625A JP22362482A JP22362482A JPS59112625A JP S59112625 A JPS59112625 A JP S59112625A JP 22362482 A JP22362482 A JP 22362482A JP 22362482 A JP22362482 A JP 22362482A JP S59112625 A JPS59112625 A JP S59112625A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
brush
pressure
contact
pressure sensor
foreign material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22362482A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Morimoto
清 森本
Masaharu Tokuda
徳田　正治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP22362482A priority Critical patent/JPS59112625A/ja
Publication of JPS59112625A publication Critical patent/JPS59112625A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体製造工程において使用される表面異物
除去装置に関し、特に最適なブラシ位僅を設定可能にし
たものである。
（従来技術Ｊ 従来、シリコンウニ・・の表面異物除去装置は第１図の
ようになっている。（１）は異物の付いたシリコンウニ
・・、（２）はシリコンウェー・（１）を固定して回転
するチャキング台、（３）はチャキング台（２）を回す
ため図示しないモータにより回される回転軸、（４）は
シリコシウニ・・（１）に接触して回転するブラシであ
る。
第１図において、チャキング台（２）が水平方向に回転
し、ブラシ（４）が垂直方向に回転することによりシリ
コンクエバ（１）の表面に付いた異物が除去されるよう
になってりる。
ここで、ブラシ（４）がシリコンウェー・（１’）に接
触する状態を調整する方法としては、従来、（イ）・ブ
ラ翰転軸と試料面（シリコンウニ・・）との距離を調整
する方法、（ロフブラシ自体の圧力を調整する方法があ
った。
しかしながら、これらの調整方法ではブラシの交換やブ
ラシの摩耗によシブラシ位置の調整が８裂である他、ブ
ラシと試料面との接触状態がモニタできないという欠点
があった。
〔発明の概要〕
本発明はこのような点に鑑みなされたもので、その目的
は、ブラシと半導体フェノ・面との接触する圧力を常に
最適な状態に保てるようにすることにある。
このような目的を達成するため本発明では、チャキング
台に加わる圧力を検出する圧力センサを設け、ブラシが
シリコンウニノ・に接触する圧力を検出するようにした
ものである。この出力によりブラシの上下位置を決める
駆動部を制御すればブラシの接触圧力を一定に調整する
ことができる。
〔発明の実施例〕
第２図は本発明の一実施例を示す構成図である。
図において第１図と同一部分は同一符号を用いて説明は
省略する。（５）はチャキング台（２）の回転をその下
方で受けとめるボールベアリング、（６）はボールベア
リング（５）の回転”を受けとめるスペーサ、（７）は
上方からの圧力を検出する接触型圧カセンザ、（８）は
接触型圧力センサ（７）を固定する支持台である。
このような構成において、チャキング台（２）が高速回
転し、又、ブラシ（４）が回転しながらシリコンフェノ
・（１）の上面を下方に押している。この圧力をチャキ
ング台（２）、ボールベアリング（５）、スペーサ（６
）を介して接触型圧力センサ（７）が検出する。この検
出された出力によりブラシの上下位置を決める駆動部（
図示せず゛）を制御すれば、ブラシ（４）を最適な接触
圧に調整することができる。
なお、上記実施例ではチャキング台（２）の下に接触型
圧力センサ（７）を設けたが、チャキング台（２）の周
辺に設けてもよい。
〔発明の効果〕
以上述べてきたように本発明によれば、ブラシが半導体
ウェー・面を接触する圧力を検出するので、この検出出
力を用いてブラシ位置を制御すれば常に最適なブラシの
接触圧を得ることが可能となり、ブラシの交換やブラシ
の摩耗によるブラシ位置の調整が不要となる他、ブラシ
と半導体クエ・・面との接触状態がモニタできるなどの
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来装置の構成図、第２図は本発明の一実施例
を示す構成図である。 （１）・・・・シリコンワエハ、　　（２）・・・・チ
ャキング台、（３）・・・・回転軸、（４）・・・・ブ
ラシ、（５）・・・・ボールベアリング、（６）・・・
・スペーサ、（７）・・・・接触型圧力センサ、（８）
・・・・支持台。 代理人　葛　　野　　信　　− 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. チャキング台に取付けられた半導体ウニ・・を回転させ
    、１１Ｊ記半曽体ワエ・・の表面に接触して回転するプ
    ランにより半導体クエ・・の表面の異物を除去する装置
    １６において、前記チャキング台に加わる圧力を検出す
    る圧力センサを設けて、前記ブラシが［）ＩＪ記半ｄ）
    体ウニノ・に接触する圧力を検出するように４１４成し
    たことを特徴とする表面異物除去装置。
JP22362482A 1982-12-18 1982-12-18 表面異物除去装置 Pending JPS59112625A (ja)

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JP22362482A JPS59112625A (ja) 1982-12-18 1982-12-18 表面異物除去装置

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JPS59112625A true JPS59112625A (ja) 1984-06-29

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ID=16801120

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