JP3298770B2 - 研磨方法およびその装置 - Google Patents

研磨方法およびその装置

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JP3298770B2 JP25141995A JP25141995A JP3298770B2 JP 3298770 B2 JP3298770 B2 JP 3298770B2 JP 25141995 A JP25141995 A JP 25141995A JP 25141995 A JP25141995 A JP 25141995A JP 3298770 B2 JP3298770 B2 JP 3298770B2
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polishing
polished
semiconductor wafer
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晶 一 秦
田 雅 文 綱
倉 靖 彦 長
田 全 寛 石
瀬 康 一 間
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Toshiba Corp
Shibaura Machine Co Ltd
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Toshiba Corp
Toshiba Machine Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨布を貼付され
て回転する下部定盤に、半導体ウェハ等の被研磨物(以
下、半導体ウェハという)を一定圧力で押し付けて回転
させ、研磨液を供給しながら半導体ウェハを研磨する研
磨方法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェハの研磨装置では、例えば、
研磨布が貼着された定盤が回転駆動されており、この定
盤の上方で、半導体ウェハが研磨ヘッドに支持されて回
転駆動されている。この時、半導体ウェハは、研磨ヘッ
ドにより、回転する定盤の研磨布に一定の圧力で押圧さ
れその径方向に揺動されて研磨されている。
【0003】ところで、この研磨中に、半導体ウェハが
損傷又は破損されることがある。このような場合、研磨
装置が停止されずにその運転が継続されたときには、半
導体ウェハをチャックするための研磨ヘッド、上述した
研磨布、定盤等が破損又は損傷されるといったことがあ
る。その結果、研磨装置のダウンタイムが大きくなり、
ひいては、半導体ウェハの製造コストの高騰を招来する
といったことがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
このような半導体ウェハの研磨装置には、研磨中に、半
導体ウェハの破損等に対する監視装置は何ら設けられて
おらず、その結果、半導体ウェハが損傷又は破損された
場合、上述したように、研磨装置が停止されないときに
は、半導体ウェハをチャックするための研磨ヘッド、上
述した研磨布、定盤等が破損又は損傷されるといったこ
とがあり、研磨装置のダウンタイムの問題、製造コスト
の問題等がある。
【0005】なお、このような半導体ウェハの研磨装置
ではないが、研磨装置の一つとして、特開平2−278
139号公報には、ウェハから観察部分を切り出して観
察用試料とし、研磨粉等を注入しながら観察用試料を回
転砥石により研磨し、この研磨の進行状況をTVカメラ
により観察用試料を撮像して監視しながら、回転砥石の
回転速度・研磨粉の注入を制御する試料薄片化装置が開
示されている。しかしながら、この公報に開示された試
料薄片化装置の研磨装置は、非常に小さい試験片自体を
監視するものであり、半導体ウェハの破損等に対する監
視には不適なものである。
【0006】本発明は、上述したような事情に鑑みてな
されたものであって、下定盤に貼着された研磨布の上に
CCDカメラ又はラインセンサー、更にはテレビカメラ
等の監視装置を設け、研磨中常時、研磨布の上面を監視
し、半導体ウェハの破損等により研磨布上に異物が検出
された場合、運転を即時停止し作業者に異常を知らせる
警報機構を設け、これにより、半導体ウェハの破損等に
よる機械のダメージと、これに伴うダウンタイムとを最
小限に抑制することができる研磨方法およびその装置を
提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、請求項1に係る研磨方法は、研磨ヘッドに保持さ
れた被研磨物を回転駆動される定盤上に貼着された研磨
布に押圧して研磨する工程と、上記研磨布上に研磨剤を
供給する工程と、監視手段により上記研磨布上の異物の
存否を監視する工程と、上記監視手段からの上記異物に
ついての情報に基づいて上記被研磨物の異常を判別する
工程と、上記被研磨物の異常が判別されると研磨を停止
する工程と、を有することを特徴としている。また、請
求項2に係る研磨装置は、回転駆動される定盤に貼着さ
れた研磨布に対して、被研磨物を押圧してこの被研磨物
を研磨する研磨装置において、上記研磨布上の異物の存
否を監視する監視手段と、この監視手段からの上記異物
についての情報に基づいて、被研磨物の異常を判別する
判別手段と、この判別手段からの情報に基づいて、被研
磨物が異常である場合には、研磨装置の運転を停止する
制御手段と、を具備することを特徴としている。
【0008】このように請求項1および2に係る発明に
よれば、半導体ウェハ等の被研磨物の研磨中は、定盤に
貼着された研磨布が、CCDカメラ又はラインセンサ
ー、更にはテレビカメラ等の監視手段により異物の存否
が監視される。異物が存在し判別手段により被研磨物が
異常であると判別された場合、例えば、半導体ウェハ等
の破損等により研磨布上に異物が検出された場合、制御
手段により研磨装置の運転が停止される。また、請求項
3の発明では、警報機能により作業者に異常が知らされ
る。これにより、半導体ウェハの破損等による機械のダ
メージと、これに伴うダウンタイムとを最小限に抑制す
ることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る研
磨方法およびその装置を図面を参照しつつ説明する。
【0010】図1に示すように、本実施形態に係る研磨
装置では、ベース1が設けられており、このベース1の
上面には、ベース1内に収容されたモータ2により回転
駆動される定盤(下定盤)3が設けられている。この定
盤3の上面には、研磨布4が貼着されて固定されてい
る。
【0011】一方、ベース1のコラム7の上面には、こ
のコラム7内に収容されたアーム作動装置8により上下
動及び旋回動される旋回アーム9が設けられている。こ
の旋回アーム9の先端部の上側には、モータ10が載置
されている。
【0012】旋回アーム9の先端部の下側には、モータ
10により回転駆動される研磨ヘッド6が装着されてお
り、この研磨ヘッド6の下面側には、半導体ウェハ等の
被研磨物5が保持されるように構成されている。
【0013】さらに、研磨剤11Aを研磨布4の上に供
給するための研磨剤供給装置11が設けられている。
【0014】さて、本実施形態では、研磨布4に対向す
るようにして、CCDカメラ(監視手段)12が設けら
れている。このCCDカメラ12は、CCDカメラ12
からの情報に基づいて半導体ウェハ5の異常を判別する
ための画像処理装置(判別手段)13に接続されてお
り、この画像処理装置13は、この処理装置13からの
情報に基づいて研磨装置の運転を停止すると共に作業者
に異常があったことを知らせるための研磨装置用制御装
置(制御手段)14に接続されている。
【0015】CCDカメラ12は、半導体ウェハ5の破
損等により研磨布4上に現出された異物等を撮像する働
きをし、このCCDカメラ12の監視領域は、研磨布4
の中心から外周までで十分である。これは、研磨中に半
導体ウェハ5の破損が生じた場合、図2に示すように、
研磨布4は回転しており、半導体ウェハ5の破損片5A
は自然にCCDカメラ12の監視領域に入ってくるから
である。また、CCDカメラ12の画像情報は、研磨布
4の回転速度に同期して画像処理装置13に常時取り込
まれている。この時、CCDカメラ12は、図3に示す
ように、研磨布4上の破損片5Aを撮像している。
【0016】次に、本実施形態の作用を説明する。
【0017】研磨に際しては、モータ2により定盤3が
回転駆動されて研磨布4が回転される。同時に、半導体
ウェハ5を保持した研磨ヘッドがモータ10により回転
駆動される。この時、アーム作動装置8により研磨ヘッ
ド6が降下されて、半導体ウェハ5が定盤3上の研磨布
4の表面に押圧されながら、アーム作動装置8により研
磨ヘッド6が半径方向に揺動されて、半導体ウェハ5が
回転している研磨布4の表面で半径方向に揺動される。
この時、研磨剤供給装置11により研磨布4上に研磨剤
11Aが供給されている。このようにして、半導体ウェ
ハ5が研磨される。
【0018】一方、この研磨時、CCDカメラ12によ
り研磨布4の上面が常時監視されている。この時、半導
体ウェハ5の破損等の異常が検出された場合には、図2
に示すように、半導体ウェハ5の破損片5Aが研磨布4
上に現出される。この状態がCCDカメラ12によりと
らえられ、図3に示すように、CCDカメラ12により
研磨布4上の破損片5Aが撮像される。このCCDカメ
ラ12の画像情報は、研磨布4の回転速度に同期して画
像処理装置13に取り込まれる。画像処理装置13で
は、CCDカメラ12からの画像情報に基づいて、半導
体ウェハ5が破損している等の異常が判別される。この
半導体ウェハ5が異常であると判別された場合には、研
磨装置用制御装置14に信号が送られ、この制御装置1
4により、研磨装置の運転が停止されると共に、作業者
に半導体ウェハ5の異常が知らせられる。
【0019】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されないのは勿論であり、種々変形可能である。例え
ば、上記の実施形態では、監視手段として、CCDカメ
ラが用いられているが、これに代えて、ライセンサー又
はテレビカメラ等が用いられてもよい。例えば、ライセ
ンサーが監視手段として用いられている場合には、この
ライセンサーからの信号は、図4に示すように、半導体
ウェハ5の破損片5Aに対応して、破損片の箇所でレベ
ルが低下して得られる。この場合にも、CCDカメラの
場合と同様に、この信号が画像処理装置13に取り込ま
れる。
【0020】
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、半導体
ウェハ等の被研磨物の研磨中は、定盤に貼着された研磨
布上の異物の存否が、CCDカメラ又はラインセンサ
ー、更にはテレビカメラ等の監視手段により監視され
る。判別手段により被研磨物が異常であると判別された
場合、例えば、半導体ウェハ等の破損等により研磨布上
に異物が検出された場合、制御手段により研磨装置の運
転が停止される。また、請求項3では、警報装置により
作業者に異常が知らされる。これにより、半導体ウェハ
の破損等による機械のダメージと、これに伴うダウンタ
イムとを最小限に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る研磨装置の全体構成を
示す模式図。
【図2】図1に示す、定盤、研磨布、研磨ヘッド等の斜
視図であり、研磨布の上に破損片が現出された状態を示
している。
【図3】CCDカメラにより撮影された破損状態を示す
図。
【図4】ライセンターにより検知された破損状態を示す
図。
【符号の説明】
1 ベース 2 モータ 3 定盤(下定盤) 4 研磨布 5 半導体ウェハ(被研磨物) 6 研磨ヘッド 7 コラム 8 アーム作動装置 9 旋回アーム 10 モータ 11 研磨剤供給装置 12 CCDカメラ(監視手段) 13 画像処理装置(判別手段) 14 研磨装置用制御装置(制御手段) 5A 被研磨物の破損片
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長 倉 靖 彦 静岡県沼津市大岡2068の3 東芝機械株 式会社 沼津事業所内 (72)発明者 石 田 全 寛 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株式会社東芝 生産技術研究所内 (72)発明者 間 瀬 康 一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株式会社東芝 半導体生産技術推進セン ター内 (56)参考文献 特開 平2−27721(JP,A) 特開 平1−321164(JP,A) 特開 平5−234971(JP,A) 実開 平4−28939(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B24B 49/12 B24B 29/00 B24B 37/00 B23Q 15/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】研磨ヘッドに保持された被研磨物を回転駆
    動される定盤上に貼着された研磨布に押圧して研磨する
    工程と、 上記研磨布上に研磨剤を供給する工程と、 監視手段により上記研磨布上の異物の存否を監視する工
    程と、 上記監視手段からの上記異物についての情報に基づいて
    上記被研磨物の異常を判別する工程と、 上記被研磨物の異常が判別されると研磨を停止する工程
    と、 を有することを特徴とする研磨方法。
  2. 【請求項2】回転駆動される定盤に貼着された研磨布に
    対して、被研磨物を押圧してこの被研磨物を研磨する研
    磨装置において、 上記研磨布上の異物の存否を監視する監視手段と、 この監視手段からの上記異物についての情報に基づい
    て、被研磨物の異常を判別する判別手段と、 この判別手段からの情報に基づいて、被研磨物が異常で
    ある場合には、研磨装置の運転を停止する制御手段と、
    を具備することを特徴とする研磨装置。
  3. 【請求項3】上記制御手段は、被研磨物が異常である場
    合には、作業者に異常を知らせる警報機能を有している
    請求項2に記載の研磨装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3761673B2 (ja) * 1997-06-17 2006-03-29 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
JP4102081B2 (ja) * 2002-02-28 2008-06-18 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨面の異物検出方法
KR100824624B1 (ko) * 2006-12-05 2008-04-24 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 칩핑을 검출하는 방법 및 화학적 기계적 연마 장치
CN109693177A (zh) * 2019-02-01 2019-04-30 宇晶机器(长沙)有限公司 一种翻转抛光机自动取放料装置
CN110587484A (zh) * 2019-07-29 2019-12-20 苏州超徕精工科技有限公司 一种实时预测研抛加工过程去除效果的装置及方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01321164A (ja) * 1988-06-23 1989-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研削加工装置
JPH0227721A (ja) * 1988-07-15 1990-01-30 Hitachi Ltd 半導体ウエハの研磨装置
JP2543220Y2 (ja) * 1990-06-25 1997-08-06 株式会社東京精密 ブレード監視装置
JP2890082B2 (ja) * 1991-12-27 1999-05-10 信越半導体株式会社 ウエーハの検査方法及び装置

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