JPH09260320A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
- Publication number
- JPH09260320A JPH09260320A JP9609296A JP9609296A JPH09260320A JP H09260320 A JPH09260320 A JP H09260320A JP 9609296 A JP9609296 A JP 9609296A JP 9609296 A JP9609296 A JP 9609296A JP H09260320 A JPH09260320 A JP H09260320A
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- Japan
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- wafer
- brush
- height
- cleaning
- semiconductor substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハを洗浄ブラシの摺動により洗浄する際
に、ウエハに例えば熱処理等による反り等の高さ変位が
生じていても、ウエハに対する洗浄ブラシの押込量や押
圧をウエハ面内で均一にする。 【解決手段】 スキャンモータ７により回動される第１
アーム５の先端に洗浄ブラシ６を支持させ、第１アーム
５の高さ即ちウエハ１に対するブラシ６の接触高さを調
整する高さ調整機構８を設け、ウエハ１の下方でスキャ
ンモータ９により回動される第２アーム１０の先端に距
離計測器１１を設ける。ウエハ１の回転及びブラシ６の
ウエハ１上スキャンに同期して、ウエハ１のブラシ接触
面の高さ変位をウエハ１の裏側から距離計測器１１によ
り計測し、この計測結果に基づいて演算制御部１２によ
り最適なブラシ接触高さを演算して高さ調整機構８を制
御し、ウエハ１に対するブラシ６の接触高さを調整す
る。ウエハ１の反り等に応じて常に一定のブラシ接触高
さに調整することができる。
に、ウエハに例えば熱処理等による反り等の高さ変位が
生じていても、ウエハに対する洗浄ブラシの押込量や押
圧をウエハ面内で均一にする。 【解決手段】 スキャンモータ７により回動される第１
アーム５の先端に洗浄ブラシ６を支持させ、第１アーム
５の高さ即ちウエハ１に対するブラシ６の接触高さを調
整する高さ調整機構８を設け、ウエハ１の下方でスキャ
ンモータ９により回動される第２アーム１０の先端に距
離計測器１１を設ける。ウエハ１の回転及びブラシ６の
ウエハ１上スキャンに同期して、ウエハ１のブラシ接触
面の高さ変位をウエハ１の裏側から距離計測器１１によ
り計測し、この計測結果に基づいて演算制御部１２によ
り最適なブラシ接触高さを演算して高さ調整機構８を制
御し、ウエハ１に対するブラシ６の接触高さを調整す
る。ウエハ１の反り等に応じて常に一定のブラシ接触高
さに調整することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程に
おける半導体基板上の異物や汚れ等を洗浄ブラシの摺動
により除去する洗浄装置に関するものである。
おける半導体基板上の異物や汚れ等を洗浄ブラシの摺動
により除去する洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は半導体製造工程における半導体ウ
エハ上の異物や汚れ等を除去する洗浄装置の一従来例を
示すものである。図２において、ウエハ２１がウエハ支
持台２２上に保持され、モータ２３によりウエハ支持台
２２即ちウエハ２１を回転させながら、処理液ノズル２
４によりウエハ２１上に洗浄液を供給する。この状態
で、アーム２５に支持された洗浄ブラシ２６を回転させ
ながらウエハ２１の表面に接触させ、アーム２５の移動
によりブラシ２６をウエハ２１の中心から外周方向にス
キャンさせて、ブラシ２６により異物の除去を行う。こ
の洗浄の際に、ウエハ２１の表面に対するブラシ２６の
接触状態は、重りや押込量で調整している。例えば、１
〜２ｃｍ径のブラシ２６で数ｇの荷重を加えて１〜２ｍ
ｍの押込量としている。
エハ上の異物や汚れ等を除去する洗浄装置の一従来例を
示すものである。図２において、ウエハ２１がウエハ支
持台２２上に保持され、モータ２３によりウエハ支持台
２２即ちウエハ２１を回転させながら、処理液ノズル２
４によりウエハ２１上に洗浄液を供給する。この状態
で、アーム２５に支持された洗浄ブラシ２６を回転させ
ながらウエハ２１の表面に接触させ、アーム２５の移動
によりブラシ２６をウエハ２１の中心から外周方向にス
キャンさせて、ブラシ２６により異物の除去を行う。こ
の洗浄の際に、ウエハ２１の表面に対するブラシ２６の
接触状態は、重りや押込量で調整している。例えば、１
〜２ｃｍ径のブラシ２６で数ｇの荷重を加えて１〜２ｍ
ｍの押込量としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体ウエ
ハの洗浄装置においては、ウエハ２１を回転させなが
ら、ブラシ２６をウエハ２１の中心から外周方向にスキ
ャンさせて異物の除去を行うために、半導体製造工程中
の熱処理等によりウエハ２１に反りが生じている場合に
は、ウエハ２１の表面に対するブラシ２６の押込量や押
圧がウエハ２１の面内で均一にならず、これらの変化に
より洗浄効果が低下するという問題があった。特に、近
年のようにウエハ径が６″から８″さらに１２″へと増
大すると、ウエハの反りは顕著になるので、洗浄効果の
大幅な低下が問題となってくる。
ハの洗浄装置においては、ウエハ２１を回転させなが
ら、ブラシ２６をウエハ２１の中心から外周方向にスキ
ャンさせて異物の除去を行うために、半導体製造工程中
の熱処理等によりウエハ２１に反りが生じている場合に
は、ウエハ２１の表面に対するブラシ２６の押込量や押
圧がウエハ２１の面内で均一にならず、これらの変化に
より洗浄効果が低下するという問題があった。特に、近
年のようにウエハ径が６″から８″さらに１２″へと増
大すると、ウエハの反りは顕著になるので、洗浄効果の
大幅な低下が問題となってくる。
【０００４】そこで本発明は、上述のような問題点を解
決するためになされたもので、半導体基板を洗浄ブラシ
の摺動により洗浄する際に、半導体基板に例えば熱処理
等による反り等の高さ変位が生じていても、半導体基板
に対する洗浄ブラシの押込量や押圧を基板面内で均一に
することができる洗浄装置を提供することを目的とす
る。
決するためになされたもので、半導体基板を洗浄ブラシ
の摺動により洗浄する際に、半導体基板に例えば熱処理
等による反り等の高さ変位が生じていても、半導体基板
に対する洗浄ブラシの押込量や押圧を基板面内で均一に
することができる洗浄装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板上の異物や汚れ等を洗浄ブラ
シの摺動により除去する洗浄装置において、前記半導体
基板に対する前記洗浄ブラシの接触高さを調整するブラ
シ高さ調整手段と、前記半導体基板の回転及び前記洗浄
ブラシの基板上移動走査に同期して前記半導体基板のブ
ラシ接触面の高さ変位を計測する高さ変位計測手段と、
この高さ変位計測手段による計測結果に基づいて前記ブ
ラシ高さ調整手段を制御する制御手段と、を備えること
を特徴とする。また、前記の洗浄装置において、前記高
さ変位計測手段が、前記洗浄ブラシの基板上移動走査に
同期して前記半導体基板のブラシ接触面とは反対側を移
動走査されることを特徴とする。
に、本発明は、半導体基板上の異物や汚れ等を洗浄ブラ
シの摺動により除去する洗浄装置において、前記半導体
基板に対する前記洗浄ブラシの接触高さを調整するブラ
シ高さ調整手段と、前記半導体基板の回転及び前記洗浄
ブラシの基板上移動走査に同期して前記半導体基板のブ
ラシ接触面の高さ変位を計測する高さ変位計測手段と、
この高さ変位計測手段による計測結果に基づいて前記ブ
ラシ高さ調整手段を制御する制御手段と、を備えること
を特徴とする。また、前記の洗浄装置において、前記高
さ変位計測手段が、前記洗浄ブラシの基板上移動走査に
同期して前記半導体基板のブラシ接触面とは反対側を移
動走査されることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明においては、半導体基板の回転及び洗浄
ブラシの基板上移動走査に同期して、半導体基板のブラ
シ接触面の高さ変位が高さ変位計測手段により計測され
る。そして、この計測結果に基づいて制御手段によりブ
ラシ高さ調整手段が制御され、半導体基板に対する洗浄
ブラシの接触高さが調整される。これにより、半導体基
板の反り等に応じて常に一定のブラシ接触高さに調整す
ることができるため、半導体基板に対するブラシの押込
量や押圧が基板面内で不均一になることを防止すること
ができる。
ブラシの基板上移動走査に同期して、半導体基板のブラ
シ接触面の高さ変位が高さ変位計測手段により計測され
る。そして、この計測結果に基づいて制御手段によりブ
ラシ高さ調整手段が制御され、半導体基板に対する洗浄
ブラシの接触高さが調整される。これにより、半導体基
板の反り等に応じて常に一定のブラシ接触高さに調整す
ることができるため、半導体基板に対するブラシの押込
量や押圧が基板面内で不均一になることを防止すること
ができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
る半導体ウエハの洗浄装置について図１を参照して説明
する。図１は装置の概略構成図である。
る半導体ウエハの洗浄装置について図１を参照して説明
する。図１は装置の概略構成図である。
【０００８】図１において、半導体基板であるウエハ１
は例えばフッ素樹脂で形成されたウエハ支持台２上に保
持され、そのウエハ支持台２はモータ３により回転駆動
される。ウエハ１の上方には洗浄用の処理液をウエハ１
の全面に供給するための処理液ノズル４が配置されてい
る。また、ウエハ１の上方には水平回動及び垂直移動可
能な第１のアーム５が配設され、この第１アーム５の先
端に回転駆動される洗浄ブラシ６が支持されている。第
１アーム５はスキャンモータ７により回動され、これに
よりブラシ６はウエハ１上を略半径方向にスキャンされ
る。
は例えばフッ素樹脂で形成されたウエハ支持台２上に保
持され、そのウエハ支持台２はモータ３により回転駆動
される。ウエハ１の上方には洗浄用の処理液をウエハ１
の全面に供給するための処理液ノズル４が配置されてい
る。また、ウエハ１の上方には水平回動及び垂直移動可
能な第１のアーム５が配設され、この第１アーム５の先
端に回転駆動される洗浄ブラシ６が支持されている。第
１アーム５はスキャンモータ７により回動され、これに
よりブラシ６はウエハ１上を略半径方向にスキャンされ
る。
【０００９】ここで、第１アーム５には高さ調整機構８
が備えられており、この高さ調整機構８により第１アー
ム５の高さ即ちウエハ１に対するブラシ６の接触高さが
調整可能に構成されている。
が備えられており、この高さ調整機構８により第１アー
ム５の高さ即ちウエハ１に対するブラシ６の接触高さが
調整可能に構成されている。
【００１０】また、ウエハ１の下方にはスキャンモータ
９により水平回動可能な第２のアーム１０が配設され、
この第２アーム１０の先端に例えばレーザー式の距離計
測器１１が取付けられている。なお、第１アーム５を駆
動するスキャンモータ７と第２アーム１０を駆動するス
キャンモータ９とは同軸状に配置され、この軸部分から
同一距離の位置にブラシ６と距離計測器１１とが設けら
れ、第１アーム５と第２アーム１０とは同期して回動さ
れる。従って、ブラシ６と距離計測器１１とは常にウエ
ハ１の表裏で同一位置に対応して移動され、ウエハ１の
表面におけるブラシ６の接触面の高さ変位を、ウエハ１
の裏側の垂直方向から距離計測器１１によって正確に測
定することができる。
９により水平回動可能な第２のアーム１０が配設され、
この第２アーム１０の先端に例えばレーザー式の距離計
測器１１が取付けられている。なお、第１アーム５を駆
動するスキャンモータ７と第２アーム１０を駆動するス
キャンモータ９とは同軸状に配置され、この軸部分から
同一距離の位置にブラシ６と距離計測器１１とが設けら
れ、第１アーム５と第２アーム１０とは同期して回動さ
れる。従って、ブラシ６と距離計測器１１とは常にウエ
ハ１の表裏で同一位置に対応して移動され、ウエハ１の
表面におけるブラシ６の接触面の高さ変位を、ウエハ１
の裏側の垂直方向から距離計測器１１によって正確に測
定することができる。
【００１１】また、距離計測器１１によるウエハ１の高
さ変位の計測結果を演算し、高さ調整機構８の制御を行
う演算制御器１２が備えられている。演算制御器１２に
は、ウエハ１の高さ変位がないときのブラシ６の適正な
接触高さが設定されており、距離計測器１１によるウエ
ハ１の高さ変位の計測結果に基づいて、ブラシ６の最適
な垂直移動量を演算し、高さ調整機構８を制御する。こ
れによって、ウエハ１に反り等があっても、ウエハ１の
表面を移動走査されるブラシ６の接触高さは常に均一に
維持され、ウエハ１の面内全体に対して均一な押込量や
押圧で洗浄することができる。
さ変位の計測結果を演算し、高さ調整機構８の制御を行
う演算制御器１２が備えられている。演算制御器１２に
は、ウエハ１の高さ変位がないときのブラシ６の適正な
接触高さが設定されており、距離計測器１１によるウエ
ハ１の高さ変位の計測結果に基づいて、ブラシ６の最適
な垂直移動量を演算し、高さ調整機構８を制御する。こ
れによって、ウエハ１に反り等があっても、ウエハ１の
表面を移動走査されるブラシ６の接触高さは常に均一に
維持され、ウエハ１の面内全体に対して均一な押込量や
押圧で洗浄することができる。
【００１２】次に、本実施形態の装置による洗浄方法の
一例について説明する。まず、ウエハ支持台２上にウエ
ハ１を例えば真空吸着により固定し、モータ３を５００
〜１５００ｒｐｍで回転させた。続いて、処理液ノズル
４から処理液、例えば純水をウエハ１上に０．８リット
ル／ｍｉｎで連続的に供給した。
一例について説明する。まず、ウエハ支持台２上にウエ
ハ１を例えば真空吸着により固定し、モータ３を５００
〜１５００ｒｐｍで回転させた。続いて、処理液ノズル
４から処理液、例えば純水をウエハ１上に０．８リット
ル／ｍｉｎで連続的に供給した。
【００１３】この状態で、ブラシ６を５００ｒｐｍで回
転させながらウエハ１の表面に接触させ、第１アーム５
をウエハ１の中心部から外周部に向かって複数回スキャ
ンして異物の除去洗浄を行った。この際、第１アーム５
のスキャンと同期させてスキャンモータ９により第２ア
ーム１０をスキャンさせ、距離計測器１１によりウエハ
１の裏面までの距離を計測することによってウエハ１の
高さ変位を計測し、その結果を演算制御器１２にて演算
し、高さ調整機構８を制御してブラシ６の押込量をウエ
ハ１の反りに追従させて均一に制御した。
転させながらウエハ１の表面に接触させ、第１アーム５
をウエハ１の中心部から外周部に向かって複数回スキャ
ンして異物の除去洗浄を行った。この際、第１アーム５
のスキャンと同期させてスキャンモータ９により第２ア
ーム１０をスキャンさせ、距離計測器１１によりウエハ
１の裏面までの距離を計測することによってウエハ１の
高さ変位を計測し、その結果を演算制御器１２にて演算
し、高さ調整機構８を制御してブラシ６の押込量をウエ
ハ１の反りに追従させて均一に制御した。
【００１４】所望の異物除去が完了した後、ブラシ６を
ウエハ１より離し、処理液ノズル４からの処理液の供給
を止め、モータ３を３５００ｒｐｍで回転させてウエハ
１の乾燥を行い、洗浄を完了した。
ウエハ１より離し、処理液ノズル４からの処理液の供給
を止め、モータ３を３５００ｒｐｍで回転させてウエハ
１の乾燥を行い、洗浄を完了した。
【００１５】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応
用が可能である。例えば、実施形態においては、ブラシ
のウエハ上スキャンと同期してウエハの裏面側から高さ
変位を計測したが、半導体基板のブラシ接触面の高さ変
位を正確に計測できるものであれば、その高さ変位計測
手段は各種の構造及び方法を用いることができる。
たが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応
用が可能である。例えば、実施形態においては、ブラシ
のウエハ上スキャンと同期してウエハの裏面側から高さ
変位を計測したが、半導体基板のブラシ接触面の高さ変
位を正確に計測できるものであれば、その高さ変位計測
手段は各種の構造及び方法を用いることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板の回転及び洗浄ブラシの基板上移動走査に同
期して、半導体基板の反り等によるブラシ接触面の高さ
変位を計測し、これに基づいて半導体基板に対するブラ
シの接触高さを調整することによって、ブラシの押込量
を半導体基板の反り等に追従させて均一に制御すること
が可能となる。これにより、半導体基板に対するブラシ
の押込量や押圧を基板面内で均一にすることができ、洗
浄効果を大幅に向上させることができる。
半導体基板の回転及び洗浄ブラシの基板上移動走査に同
期して、半導体基板の反り等によるブラシ接触面の高さ
変位を計測し、これに基づいて半導体基板に対するブラ
シの接触高さを調整することによって、ブラシの押込量
を半導体基板の反り等に追従させて均一に制御すること
が可能となる。これにより、半導体基板に対するブラシ
の押込量や押圧を基板面内で均一にすることができ、洗
浄効果を大幅に向上させることができる。
【図１】本発明の実施の形態における半導体ウエハの洗
浄装置の概略構成図である。
浄装置の概略構成図である。
【図２】従来の半導体ウエハの洗浄装置の概略構成図で
ある。
ある。
１ ウエハ ２ ウエハ支持台 ３ モータ ４ 処理液ノズル ５ 第１のアーム ６ 洗浄ブラシ ７ スキャンモータ ８ 高さ調整機構 ９ スキャンモータ １０ 第２のアーム １１ 距離計測器 １２ 演算制御器
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上の異物や汚れ等を洗浄ブラ
シの摺動により除去する洗浄装置において、 前記半導体基板に対する前記洗浄ブラシの接触高さを調
整するブラシ高さ調整手段と、前記半導体基板の回転及
び前記洗浄ブラシの基板上移動走査に同期して前記半導
体基板のブラシ接触面の高さ変位を計測する高さ変位計
測手段と、この高さ変位計測手段による計測結果に基づ
いて前記ブラシ高さ調整手段を制御する制御手段と、を
備えることを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項２】 前記高さ変位計測手段が、前記洗浄ブラ
シの基板上移動走査に同期して前記半導体基板のブラシ
接触面とは反対側を移動走査されることを特徴とする請
求項１記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9609296A JPH09260320A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9609296A JPH09260320A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260320A true JPH09260320A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=14155762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9609296A Withdrawn JPH09260320A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260320A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359222A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 洗浄処理装置及び洗浄処理方法 |
| DE19914347C2 (de) * | 1998-03-30 | 2003-11-06 | Tokyo Electron Ltd | Waschvorrichtung und Waschverfahren |
| WO2024090082A1 (ja) * | 2022-10-27 | 2024-05-02 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP9609296A patent/JPH09260320A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19914347C2 (de) * | 1998-03-30 | 2003-11-06 | Tokyo Electron Ltd | Waschvorrichtung und Waschverfahren |
| JP2002359222A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 洗浄処理装置及び洗浄処理方法 |
| JP4620899B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2011-01-26 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 洗浄処理装置及び洗浄処理方法 |
| WO2024090082A1 (ja) * | 2022-10-27 | 2024-05-02 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |