JPS59108323A - 半導体樹脂封止用金型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体装置の樹脂封止用金型に関するもの
である。

〔発明の技術的背景〕

現在、半導体装置の封止方法として最も広く用いられて
いるのは、樹脂封１に方法であり、特に樹脂封止方法の
うちでも低圧トランスファモールド法が最も多用されて
いる。低圧トランスファモールド法においては、１台の
金型に多数の製品キャビティを設けておき、１回の成形
操作により多数の半導体装置の樹脂封止を行うことがで
きるため非常に能率がよいが、従来の金型には以下に述
べる欠点があるため、多少の製品不良が生じることは回
避することができず、従って歩留りを１００％にするこ
とができないという問題点があった。

〔背景技術の問題点〕

以下に第１図を参照して従来の金型における欠点につい
て説明する。

第１図において、１は金型、２は金型１に形成されたラ
ンナー、６〜８及び６ハ〜８Ａはランナー２の長手方向
に沿ってその両仰１に配ｕｔされたキャビティ、９〜１
４及び９Ａ〜１４Ａはそれぞれランナー２と各キャビテ
ィを連通させているゲート、また１５はランナー２の一
端に接続され樹脂を分配するカルである。

このような構造の従来金型で成形した時には、樹脂Ｒの
充填進行状態は図示のようになり、従って各キャピテイ
毎にゲート部流動完了時間が異なっていた、このため、
従来の金型では充填不足による成形不良や圧力不足によ
る引は巣の発生を生じやすいという欠点があり、これに
対する効果的な対策は容易に得られていなかった。

このようなゲート部流動完了時間の不一致は、多数個取
り樹脂成形用金型において一般に起こりうるものである
が、特に半導体装置の樹脂封止においては封止される半
導体のボンディングワイヤを切損したり耐湿性を悪くし
て半導体装置の特性劣化を招来したり、成形外観不良以
外にも影響するところが大きい。

〔発明の目的〕

この発明の目的は、前記した従来の金型における欠点を
除去し、充填不足による成形不良や圧力不足などによる
引は巣の発生等を未然に防止できる、新規な半導体樹脂
封止用金型を供することにある。

〔発明の概要〕

本発明者は、従来の金型での成形において充填不足や圧
力不足による製品不良が生じる原因は各キャビティのゲ
ートにおける流動が一斉に終了しないことによるもので
あることに着目し、各ゲートからの充填量を、カルに近
いゲートにおける充填量が多くそしてカルに遠いゲート
における充填量が少々くなるように、カルからのゲート
の遠近に対応してキャビティ役割を行うことによって、
従来の金型の欠点を有しない新規な金型を得ることがで
きた。具体的に言えば、本発明による金型は、カルから
のゲートの距離に応じて各キャビティの見掛けの容積が
互に異なる値に設計されていることを特徴とする。更に
詳細には、各キャビティの容積は一定であるが各キャビ
ティゲートのカルからの距離に対応した容積の樹脂溜り
が附加的に接続されている。従ってランナーの長手方向
に沿って配列された各キャビティの見掛けの容積は各キ
ャビティゲートのカルからの距離に対応した値となって
おり、その結果各キャビティは略同時３− 間で充填されまた各キャビティのゲートは一斉に流動が
停止して硬化することが達成される。このため正規の成
形圧力は各キャビティにおいて略−斉に上昇して加圧す
ることになるから、充填不足による成形不良や圧力不足
による引は巣の発生女どによる成形不良の発生が防止さ
れる。

また、本発明による金型においては、各キャビティ間に
充填速度や圧力上昇度の均斉が保証されるから、ボンデ
ィングワイヤの切損や耐湿特性の低下など不良発生に対
して成形条件を選択すれば、すべてのキャビティにとっ
て良好な成形条件となり、外観不良以外の半導体装置の
成形不良も低減させることが可能となった。

〔発明の実施例〕

以下に第２図を参照して本発明の一実施例について説明
する。なお、第２図において第１図と同一符号で表示さ
れた部分は従来の金型と同一の部分であるから、この部
分については説明を省略する。

の 本発明は金型１６においては、第２図に示すよ４− うに、ランナー２の長手方向に沿って配列されたキャビ
ティ１７〜２２．１７Ａ〜２２Ａの各々の容積はすべて
等しいが各キャビティにはその最奥部に逃がしゲート２
６〜２８　、２３Ａ〜２８Ａが接続されるとともに該逃
がしゲートの各々を介して各々異なる容積の樹脂溜り２
９〜３４　、２９八〜５４Ａが接続されているため、各
キャビティ１７〜２２．１７Ａ〜２２Ａの見掛けの容積
はすべて互に異なった値となっている。各キャビティの
見掛けの容積はカル１５に近いキャビティにおいては大
きく、またカル１５に遠いキャビティにおいては小さく
カルからの距離に対応しており、従って各キャビティの
見掛けの容積の数値は各キャビティにおける充填が一斉
に終了するように決められる。このように決める各キャ
ビティの見掛けの容積は各ゲートにおける樹脂流動がほ
ぼ同時に終了するように決められるとも言うことができ
る。

従って、このような構造の本発明の金型においては、第
２図に充填進行状態で図示したがこの後さらに所定時間
を経ればすべてのキャビティが同時に充填が終了し、充
填終了に近づけば成形圧カリ がすべてのキャビティにおいて同時に同じよう式上昇加
圧が起こり、またすべてのキャビティゲートにおける樹
脂流動が同時に同じように低下し硬化子るに至る。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明によればカルに
近い位置のキャビティにもカルから遠い位置のキャビテ
ィにもほぼ同時に樹脂の充填を終了させることができ、
またすべてのキャビティに正規の成形圧力を加圧させる
ことができる新規な半導体樹脂封止用金型が提供される
。

その結果本発明の金型を用いることにより、樹脂封止半
導体装置の成形不良率が減少し、成形歩留りを向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体装置の樹脂封止に従来用いられてきたト
ランスファ成形用金型の平面図、第２図は本発明による
樹脂封止トランスファ成形用金型の平面図である。 １．１６・・・金型、２・・・ランナー、６〜８，６Ａ
〜８Ａ。 １７〜２２．１７八〜２２Ａ・・・キャビティ、９〜１
４　、９Ａ〜１４八・・・ゲート、２６〜２８　、２５
八〜２８Ａ・・・逃がしゲート、２９〜３４．２９Ａ〜
３４Ａ・・・樹脂溜り。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　ランナーと、該ランナーの長手方向に沿って配置さ
   れた２以上のキャビティと、該キャビティと該ランナー
   とを個別に接続しているゲートとを有する半導体装置の
   樹脂封止用金型において、各キャビティの最奥部に逃が
   しゲートを附加的に開口させるとともに、各ゲートにお
   ける樹脂流動がほぼ同時に終了するような容積の樹脂溜
   りを各逃がしゲートの先端に接続したことを特徴とする
   半導体樹脂封止用金型。 品